JP2000045068A - スパッタリングターゲット用バッキングプレートおよびターゲット／バッキングプレート組立体 - Google Patents
スパッタリングターゲット用バッキングプレートおよびターゲット／バッキングプレート組立体Info
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- JP2000045068A JP2000045068A JP21053398A JP21053398A JP2000045068A JP 2000045068 A JP2000045068 A JP 2000045068A JP 21053398 A JP21053398 A JP 21053398A JP 21053398 A JP21053398 A JP 21053398A JP 2000045068 A JP2000045068 A JP 2000045068A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ合金製バッキングプレートの水冷面の腐
食がなく、成膜室への冷却水の漏れがない冷却水に対す
る耐腐食性に優れたバッキングプレートプレートを提供
すること。 【解決手段】 Ａｌ合金製バッキングプレートの水冷却
面に陽極酸化膜処理を施す。好ましくは陽極酸化膜の厚
さを１〜１００μｍとする。
食がなく、成膜室への冷却水の漏れがない冷却水に対す
る耐腐食性に優れたバッキングプレートプレートを提供
すること。 【解決手段】 Ａｌ合金製バッキングプレートの水冷却
面に陽極酸化膜処理を施す。好ましくは陽極酸化膜の厚
さを１〜１００μｍとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング法で
の薄膜形成の源であるスパッタリングターゲット用のバ
ッキングプレートおよびスパッタリングターゲット／バ
ッキングプレート組立体に関する。
の薄膜形成の源であるスパッタリングターゲット用のバ
ッキングプレートおよびスパッタリングターゲット／バ
ッキングプレート組立体に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング法は半導体等の薄膜形成
方法として現在広く使用されている技術であり、スパッ
タリングターゲットを薄膜形成源とするものである。ス
パッタリングターゲットには冷却用及びスパッタ装置へ
の固定のためにバッキングプレートと呼ばれる裏板が接
合されている。従来、バッキングプレートとしては例え
ば無酸素銅製の裏板をＩｎやＳｎ合金等の低融点ロウ材
を使用してロウ付け接合する方法が一般的であった。し
かし、ロウ材による接合では、接合界面がロウ材の融点
以上の温度では使用できないため、近年のハイパワース
パッタリングのような高温環境では使用できなかった。
このため、バッキングプレートをターゲットと固相接合
する方法が行われている。
方法として現在広く使用されている技術であり、スパッ
タリングターゲットを薄膜形成源とするものである。ス
パッタリングターゲットには冷却用及びスパッタ装置へ
の固定のためにバッキングプレートと呼ばれる裏板が接
合されている。従来、バッキングプレートとしては例え
ば無酸素銅製の裏板をＩｎやＳｎ合金等の低融点ロウ材
を使用してロウ付け接合する方法が一般的であった。し
かし、ロウ材による接合では、接合界面がロウ材の融点
以上の温度では使用できないため、近年のハイパワース
パッタリングのような高温環境では使用できなかった。
このため、バッキングプレートをターゲットと固相接合
する方法が行われている。
【０００３】ここで、固相接合ターゲット用バッキング
プレート材質の選定において、従来の無酸素銅の代わり
に、ターゲットの装着作業の軽減を目的に軽量で、かつ
固相接合ターゲットが使い捨てであることから製品コス
トを低減させるため安価なＡｌ合金材が主流になりつつ
ある。しかし、バッキングプレート材を無酸素銅製から
Ａｌ合金材製に変更した結果、過去に無酸素銅製バッキ
ングプレートが装着されていたり、あるいは冷却水配管
系の一部が大気に開放されているスパッタマシンに使用
された際にＡｌ合金製バッキングプレートの水冷却面が
腐食され、最悪の場合には成膜室への冷却水の漏れが発
生するという重大な問題が発生した。
プレート材質の選定において、従来の無酸素銅の代わり
に、ターゲットの装着作業の軽減を目的に軽量で、かつ
固相接合ターゲットが使い捨てであることから製品コス
トを低減させるため安価なＡｌ合金材が主流になりつつ
ある。しかし、バッキングプレート材を無酸素銅製から
Ａｌ合金材製に変更した結果、過去に無酸素銅製バッキ
ングプレートが装着されていたり、あるいは冷却水配管
系の一部が大気に開放されているスパッタマシンに使用
された際にＡｌ合金製バッキングプレートの水冷却面が
腐食され、最悪の場合には成膜室への冷却水の漏れが発
生するという重大な問題が発生した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、過去
に無酸素銅製バッキングプレートが装着されていたり、
あるいは冷却水配管系の一部が大気に開放されているス
パッタマシンに使用された場合においても、Ａｌ合金製
バッキングプレートの水冷面の腐食がなく、成膜室への
冷却水の漏れがない冷却水に対する耐腐食性に優れたバ
ッキングプレートプレートを提供することである。
に無酸素銅製バッキングプレートが装着されていたり、
あるいは冷却水配管系の一部が大気に開放されているス
パッタマシンに使用された場合においても、Ａｌ合金製
バッキングプレートの水冷面の腐食がなく、成膜室への
冷却水の漏れがない冷却水に対する耐腐食性に優れたバ
ッキングプレートプレートを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明者らが鋭意研究した結果、バッキングプレート
の水冷却面の腐食を防止する上で、水冷却面に陽極酸化
処理を施すことが有効であるとの知見を得た。さらに、
ターゲットの装着使用期間及び陽極酸化膜の耐腐食能を
考慮した場合、陽極酸化膜の膜厚が１μｍ〜１００μｍ
が最適であることを見いだした。
に本発明者らが鋭意研究した結果、バッキングプレート
の水冷却面の腐食を防止する上で、水冷却面に陽極酸化
処理を施すことが有効であるとの知見を得た。さらに、
ターゲットの装着使用期間及び陽極酸化膜の耐腐食能を
考慮した場合、陽極酸化膜の膜厚が１μｍ〜１００μｍ
が最適であることを見いだした。
【０００６】これらの知見に基づいて本発明は、スパッ
タリングターゲット用バッキングプレートにおいて、Ａ
ｌ合金製バッキングプレートの水冷却面に陽極酸化膜処
理を施したことを特徴とするスパッタリングターゲット
用バッキングプレート
タリングターゲット用バッキングプレートにおいて、Ａ
ｌ合金製バッキングプレートの水冷却面に陽極酸化膜処
理を施したことを特徴とするスパッタリングターゲット
用バッキングプレート
【０００７】２．陽極酸化膜の厚さが１〜１００μｍで
あることを特徴とする上記１に記載のスパッタリングタ
ーゲット用バッキングプレート
あることを特徴とする上記１に記載のスパッタリングタ
ーゲット用バッキングプレート
【０００８】３．上記１または２に記載のバッキングプ
レートとスパッタリングターゲットとが固相接合されて
いることを特徴とするターゲット／バッキングプレート
組立体を提供するものである。
レートとスパッタリングターゲットとが固相接合されて
いることを特徴とするターゲット／バッキングプレート
組立体を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】過去に無酸素銅製バッキングプレ
ートが装着されていたり、あるいは冷却水配管系の一部
が大気に開放されているスパッタマシンの冷却水は、無
酸素銅が微量ながらも冷却水に溶けだした結果のＣｕイ
オン、及び大気中から吸収される硫化水素、塩素等を通
常を含んでいる。これらのイオン等を含む純度の低い冷
却水を使用した場合には、高電圧が印加されているター
ゲット／バッキングプレート組立体と装置本体の間に電
流が流れ、その結果、Ａｌ合金バッキングプレートの水
冷却面に腐食が発生する。このＡｌ合金製バッキングプ
レートの水冷面の腐食を防止する上で、水冷却面に絶縁
性の膜を付与する方法が考えられた。
ートが装着されていたり、あるいは冷却水配管系の一部
が大気に開放されているスパッタマシンの冷却水は、無
酸素銅が微量ながらも冷却水に溶けだした結果のＣｕイ
オン、及び大気中から吸収される硫化水素、塩素等を通
常を含んでいる。これらのイオン等を含む純度の低い冷
却水を使用した場合には、高電圧が印加されているター
ゲット／バッキングプレート組立体と装置本体の間に電
流が流れ、その結果、Ａｌ合金バッキングプレートの水
冷却面に腐食が発生する。このＡｌ合金製バッキングプ
レートの水冷面の腐食を防止する上で、水冷却面に絶縁
性の膜を付与する方法が考えられた。
【００１０】その方法の一つとして、最初にテフロンコ
ーティングが検討、試験されたが結果として、スパッタ
リングターゲットは成膜使用時の断続的なスパッタパワ
ーの印加による熱サイクルによる膨張と収縮、及びテフ
ロン自体の熱劣化からＡｌ合金製バッキングプレートの
水冷面からテフロンコーティングが剥がれるという問題
が明らかになった。このため、Ａｌ合金材との密着性に
関しては、Ａｌ合金材表面の酸化により緻密に形成させ
ることが容易であり、かつ熱的にもまた上記冷却水中の
不純物に対して化学的に劣化がなく、電気的に絶縁体で
ある陽極酸化膜を選定した。
ーティングが検討、試験されたが結果として、スパッタ
リングターゲットは成膜使用時の断続的なスパッタパワ
ーの印加による熱サイクルによる膨張と収縮、及びテフ
ロン自体の熱劣化からＡｌ合金製バッキングプレートの
水冷面からテフロンコーティングが剥がれるという問題
が明らかになった。このため、Ａｌ合金材との密着性に
関しては、Ａｌ合金材表面の酸化により緻密に形成させ
ることが容易であり、かつ熱的にもまた上記冷却水中の
不純物に対して化学的に劣化がなく、電気的に絶縁体で
ある陽極酸化膜を選定した。
【００１１】ここで、陽極酸化膜の厚さは１〜１００μ
mとするのが好ましい。陽極酸化膜の厚みが１μｍ未満
では、陽極酸化層が通常２気圧以上の冷却水の強力な循
環により、一部、摩耗が発生し、摩耗部から腐食が進行
する。特に１ヶ月以上と長期間装着される場合、厚みが
不十分であることが判明した。一方、１００μｍを越え
た場合、膜応力のため、陽極酸化層内に亀裂が入る場合
が多発するようになり、亀裂部からの腐食が進展するこ
とが判明したためである。
mとするのが好ましい。陽極酸化膜の厚みが１μｍ未満
では、陽極酸化層が通常２気圧以上の冷却水の強力な循
環により、一部、摩耗が発生し、摩耗部から腐食が進行
する。特に１ヶ月以上と長期間装着される場合、厚みが
不十分であることが判明した。一方、１００μｍを越え
た場合、膜応力のため、陽極酸化層内に亀裂が入る場合
が多発するようになり、亀裂部からの腐食が進展するこ
とが判明したためである。
【００１２】なお、本発明のバッキングプレートとして
使用し得るＡｌ合金としては、例えばＪＩＳ Ａ５０５
２のようなＡｌ−Ｍｇ合金あるいはＡ６０６１のような
Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ合金等を挙げることができる。
使用し得るＡｌ合金としては、例えばＪＩＳ Ａ５０５
２のようなＡｌ−Ｍｇ合金あるいはＡ６０６１のような
Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ合金等を挙げることができる。
【００１３】また、陽極酸化膜の形成方法としては、例
えば、希硫酸を電解液とした陽極酸化で得られる硫酸陽
極酸化被膜を形成する方法などを用いることができる。
例えば、以下のような条件で陽極酸化膜を形成すること
ができる。 硫酸：１０〜３０Ｖ（標準値１５％） 浴温：１５〜２５℃（標準２１℃） 電流密度：６０〜３００Ａ／ｍ２（標準１３０Ａ／
ｍ２） 浴電圧：１６±２Ｖ 溶存Ａｌ量：２０ｇ／ｌ以下（標準５ｇ／ｌ）
えば、希硫酸を電解液とした陽極酸化で得られる硫酸陽
極酸化被膜を形成する方法などを用いることができる。
例えば、以下のような条件で陽極酸化膜を形成すること
ができる。 硫酸：１０〜３０Ｖ（標準値１５％） 浴温：１５〜２５℃（標準２１℃） 電流密度：６０〜３００Ａ／ｍ２（標準１３０Ａ／
ｍ２） 浴電圧：１６±２Ｖ 溶存Ａｌ量：２０ｇ／ｌ以下（標準５ｇ／ｌ）
【００１４】また、硫酸、蓚酸、燐酸、クロム酸等の酸
性溶液で陽極酸化を行うと多孔質型被膜が生成される。
このような多孔質陽極酸化被膜は被膜生成直後の状態で
は耐食性や耐汚染性が劣る。そこで、多孔質陽極酸化被
膜の品質を向上、安定化させるために被膜の孔を塞ぐ処
理（封孔処理）を施すことが好ましい。主な封孔処理方
法としては、 （１）水和封孔処理 沸騰水または加圧蒸気によって封孔する方法 （２）金属塩封孔処理 金属塩を含む熱水によって封孔する方法 （３）有機物封孔処理 油脂や合成樹脂の有機物を塗布するか含浸することによ
って封孔する方法 （４）塗装による封孔処理 陽極酸化被膜表面に塗装することによって封孔する方法 （５）低温封孔 金属フッ化物を含む常温の溶液にて封孔する方法 等の方法があるが、ターゲットの汚染を避ける上では水
和封孔処理が好ましい。水和封孔処理の原理は陽極酸化
により生成した被膜が結晶水を含むことによって体積膨
張し、孔が塞がれるものである。
性溶液で陽極酸化を行うと多孔質型被膜が生成される。
このような多孔質陽極酸化被膜は被膜生成直後の状態で
は耐食性や耐汚染性が劣る。そこで、多孔質陽極酸化被
膜の品質を向上、安定化させるために被膜の孔を塞ぐ処
理（封孔処理）を施すことが好ましい。主な封孔処理方
法としては、 （１）水和封孔処理 沸騰水または加圧蒸気によって封孔する方法 （２）金属塩封孔処理 金属塩を含む熱水によって封孔する方法 （３）有機物封孔処理 油脂や合成樹脂の有機物を塗布するか含浸することによ
って封孔する方法 （４）塗装による封孔処理 陽極酸化被膜表面に塗装することによって封孔する方法 （５）低温封孔 金属フッ化物を含む常温の溶液にて封孔する方法 等の方法があるが、ターゲットの汚染を避ける上では水
和封孔処理が好ましい。水和封孔処理の原理は陽極酸化
により生成した被膜が結晶水を含むことによって体積膨
張し、孔が塞がれるものである。
【００１５】このような陽極酸化膜処理および封孔処理
を施されたバッキングプレートは、固相接合、ロウ接
合、ネジ止めなどの機械的接合などの種々の方法でター
ゲットと接合することによって、ターゲット／バッキン
グプレート組立体とすることができる。特に好適な方法
としては固相接合による接合が挙げられる。固相接合
は、ターゲット材とバッキングプレートとを固相状態に
維持したまま、加熱および加圧条件下で接合界面に原子
の拡散を生じせしめてターゲット材に結晶粒成長などの
悪影響を与えることなく接合をもたらす方法である。タ
ーゲット材の種類によって、必要に応じてインサート材
の使用、あるいは固相接合表面への下地処理が行われ
る。例えば、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉなどの薄い箔をインサー
ト材として用いたり、あるいはイオンプレーティング等
の方法によりＡｇ等の薄膜を形成する下地処理が行われ
ることがある。ターゲット材とバッキングプレートとの
組合せによって固相接合条件は異なる。
を施されたバッキングプレートは、固相接合、ロウ接
合、ネジ止めなどの機械的接合などの種々の方法でター
ゲットと接合することによって、ターゲット／バッキン
グプレート組立体とすることができる。特に好適な方法
としては固相接合による接合が挙げられる。固相接合
は、ターゲット材とバッキングプレートとを固相状態に
維持したまま、加熱および加圧条件下で接合界面に原子
の拡散を生じせしめてターゲット材に結晶粒成長などの
悪影響を与えることなく接合をもたらす方法である。タ
ーゲット材の種類によって、必要に応じてインサート材
の使用、あるいは固相接合表面への下地処理が行われ
る。例えば、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉなどの薄い箔をインサー
ト材として用いたり、あるいはイオンプレーティング等
の方法によりＡｇ等の薄膜を形成する下地処理が行われ
ることがある。ターゲット材とバッキングプレートとの
組合せによって固相接合条件は異なる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例に基づいて説明するが、本発明
は実施例に限定されるものではない。
は実施例に限定されるものではない。
【００１７】（実施例１）ＴｉターゲットとＡｌ合金
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面に１５％Ｈ２ＳＯ４
溶液中で１３０Ａ／ｍ２，１５Ｖで電解を行い厚さ１０
μmの陽極酸化被膜を形成させた後、沸騰水中での封孔
処理を実施した。この組立体ターゲットをスパッタ装置
に装着し使用した。その結果、腐食発生も起こらずター
ゲットライフ（約１２００ｋｗｈ）の使用が可能であっ
た。
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面に１５％Ｈ２ＳＯ４
溶液中で１３０Ａ／ｍ２，１５Ｖで電解を行い厚さ１０
μmの陽極酸化被膜を形成させた後、沸騰水中での封孔
処理を実施した。この組立体ターゲットをスパッタ装置
に装着し使用した。その結果、腐食発生も起こらずター
ゲットライフ（約１２００ｋｗｈ）の使用が可能であっ
た。
【００１８】（実施例２）ＴｉターゲットとＡｌ合金
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面に実施例１と同様の
条件で陽極酸化及び封孔処理行った。陽極酸化被膜の厚
さは３０μmであった。この組立体ターゲットをスパッ
タ装置に装着し使用した。その結果、腐食発生も起こら
ずターゲットライフ（約１２００ｋｗｈ）の使用が可能
であった。
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面に実施例１と同様の
条件で陽極酸化及び封孔処理行った。陽極酸化被膜の厚
さは３０μmであった。この組立体ターゲットをスパッ
タ装置に装着し使用した。その結果、腐食発生も起こら
ずターゲットライフ（約１２００ｋｗｈ）の使用が可能
であった。
【００１９】（比較例１）ＴｉターゲットとＡｌ合金
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立のバッキングプレート水冷面に何の耐食処理も施さ
ずスパッタ装置に装着し使用した。その結果、ターゲッ
トライフの１／３のところでシール部分に腐食が発生し
冷却水がチャンバー内にリークし真空度の悪化が発生し
た。
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立のバッキングプレート水冷面に何の耐食処理も施さ
ずスパッタ装置に装着し使用した。その結果、ターゲッ
トライフの１／３のところでシール部分に腐食が発生し
冷却水がチャンバー内にリークし真空度の悪化が発生し
た。
【００２０】（比較例２）ＴｉターゲットとＡｌ合金
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面に実施例１と同様の
条件で陽極酸化及び封孔処理行った。陽極酸化被膜の厚
さは０．９μmであった。この組立体をスパッタ装置に
装着し使用した。その結果、ターゲットライフの１／２
のところでシール部分に腐食が発生し冷却水がチャンバ
ー内にリークし真空度の悪化が発生した。
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面に実施例１と同様の
条件で陽極酸化及び封孔処理行った。陽極酸化被膜の厚
さは０．９μmであった。この組立体をスパッタ装置に
装着し使用した。その結果、ターゲットライフの１／２
のところでシール部分に腐食が発生し冷却水がチャンバ
ー内にリークし真空度の悪化が発生した。
【００２１】（比較例３）ＴｉターゲットとＡｌ合金
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面に実施例１と同様の
条件で陽極酸化及び封孔処理行った。陽極酸化被膜の厚
さは１１０μmであった。この組立体をスパッタ装置に
装着し使用した。その結果、ターゲットライフ（約１２
００ｋｗｈ）を終了した時点で水冷却面を調査した結
果、冷却水のチャンバー内へのリークはなかったが、シ
ール部分の数カ所に腐食が発生していた。
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面に実施例１と同様の
条件で陽極酸化及び封孔処理行った。陽極酸化被膜の厚
さは１１０μmであった。この組立体をスパッタ装置に
装着し使用した。その結果、ターゲットライフ（約１２
００ｋｗｈ）を終了した時点で水冷却面を調査した結
果、冷却水のチャンバー内へのリークはなかったが、シ
ール部分の数カ所に腐食が発生していた。
【００２２】（比較例４）ＴｉターゲットとＡｌ合金
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面にテフロンコーティ
ングを実施した。ターゲットをスパッタ装置に装着し使
用した。その結果、ターゲットライフの１／２の時点で
の中間調査では、シール部分の全面に腐食が発生してい
たが、冷却水のチャンバー内へのリークはなかったた
め、再装着を行ったところ、冷却水のチャンバー内への
リークが発生した。
（Ａ５０５２）製バッキングプレートとを固相接合して
得られたＴｉターゲット／Ａｌ合金バッキングプレート
組立体のバッキングプレート水冷面にテフロンコーティ
ングを実施した。ターゲットをスパッタ装置に装着し使
用した。その結果、ターゲットライフの１／２の時点で
の中間調査では、シール部分の全面に腐食が発生してい
たが、冷却水のチャンバー内へのリークはなかったた
め、再装着を行ったところ、冷却水のチャンバー内への
リークが発生した。
【００２３】
【発明の効果】本発明の水冷却面に陽極酸化膜処理を施
したＡｌ合金製バッキングプレートを使用することによ
り、水冷却面の耐食性は大幅に向上する。このため、た
とえ以前に無酸素銅製バッキングプレートが装着されて
いたり、あるいは冷却水配管系の一部が大気に開放され
ているような環境のスパッタマシンにおいて使用された
場合においても、バッキングプレートの水冷面の腐食が
発生せず、成膜室への冷却水の漏れ、真空度の低下など
の発生を抑えることが可能となり、ハイパワースパッタ
リング等の高温環境でも安価なＡｌ合金製バッキングプ
レートを使用して安定したスパッタリングを行うことが
可能である。
したＡｌ合金製バッキングプレートを使用することによ
り、水冷却面の耐食性は大幅に向上する。このため、た
とえ以前に無酸素銅製バッキングプレートが装着されて
いたり、あるいは冷却水配管系の一部が大気に開放され
ているような環境のスパッタマシンにおいて使用された
場合においても、バッキングプレートの水冷面の腐食が
発生せず、成膜室への冷却水の漏れ、真空度の低下など
の発生を抑えることが可能となり、ハイパワースパッタ
リング等の高温環境でも安価なＡｌ合金製バッキングプ
レートを使用して安定したスパッタリングを行うことが
可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 光朗 茨城県北茨城市華川町臼場187番地４ 株 式会社ジャパンエナジー磯原工場内 Ｆターム(参考） 4K029 DC21 DC22 5F103 BB22
Claims (3)
- 【請求項１】 スパッタリングターゲット用バッキング
プレートにおいて、Ａｌ合金製バッキングプレートの水
冷却面に陽極酸化膜処理を施したことを特徴とするスパ
ッタリングターゲット用バッキングプレート。 - 【請求項２】 陽極酸化膜の厚さが１〜１００μｍであ
ることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングタ
ーゲット用バッキングプレート。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のバッキングプ
レートとスパッタリングターゲットとが固相接合されて
いることを特徴とするターゲット／バッキングプレート
組立体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21053398A JP2000045068A (ja) | 1998-07-27 | 1998-07-27 | スパッタリングターゲット用バッキングプレートおよびターゲット／バッキングプレート組立体 |
| TW88110728A TW426749B (en) | 1998-07-27 | 1999-06-25 | Backing plate for sputtering target and target/backing plate assembly body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21053398A JP2000045068A (ja) | 1998-07-27 | 1998-07-27 | スパッタリングターゲット用バッキングプレートおよびターゲット／バッキングプレート組立体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000045068A true JP2000045068A (ja) | 2000-02-15 |
Family
ID=16590945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21053398A Pending JP2000045068A (ja) | 1998-07-27 | 1998-07-27 | スパッタリングターゲット用バッキングプレートおよびターゲット／バッキングプレート組立体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000045068A (ja) |
| TW (1) | TW426749B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104513952A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的制作方法和靶材组件 |
| CN112122726A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-25 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铝靶材与铝背板的钎焊方法 |
-
1998
- 1998-07-27 JP JP21053398A patent/JP2000045068A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-25 TW TW88110728A patent/TW426749B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104513952A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的制作方法和靶材组件 |
| CN112122726A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-25 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铝靶材与铝背板的钎焊方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW426749B (en) | 2001-03-21 |
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