JP2000040834A - Production of multichip module - Google Patents

Production of multichip module

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JP2000040834A
JP2000040834A JP10208974A JP20897498A JP2000040834A JP 2000040834 A JP2000040834 A JP 2000040834A JP 10208974 A JP10208974 A JP 10208974A JP 20897498 A JP20897498 A JP 20897498A JP 2000040834 A JP2000040834 A JP 2000040834A
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laser
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To fix an optical semiconductor chip and a light receiving chip, with high accuracy, at specified positions on a heat sink previously secured with an optical fiber. SOLUTION: An optical semiconductor chip 2 is temporarily fixed at the optical semiconductor chip position 2c on a heat sink 2 by means of a temporary fixing member 3 and a light receiving chip is fixed temporarily at the light receiving chip position on the heat sink 2 by means of a temporary fixing member. The temporarily fixed optical semiconductor chip position 2c and the light receiving chip are then secured simultaneously by fusion solder material 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パッシブアライメ
ントを利用するマルチチップモジュールの製造方法に関
する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for manufacturing a multi-chip module utilizing passive alignment.

【0002】[0002]

【従来の技術】マルチチップモジュールの一種であるレ
ーザチップモジュールは、光ファイバーを介して半導体
レーザチップから出力されたレーザ光線をヒートシンク
の外部に導く一方、レーザチップから出力されたモニタ
ーレーザをモニターチップに導くように設計されてい
る。従って、レーザ光線に光ファイバーをアライメント
するために、レーザチップと光ファイバーとを優れた精
度で位置合わせする必要がある。従来、光ファイバーの
アライメントは、ヒートシンクに固定されたレーザチッ
プからレーザ光線を出力させる一方、ヒートシンク上で
光ファイバーの位置を調整し、光ファイバーに導かれる
光パワーが最大になる位置に光ファイバーを固定してい
た。アクティブアライメントと呼ばれるこの方法は、光
ファイバーとレーザチップとを精密に位置合わせするこ
とが可能であるが、アライメントに時間がかかるため生
産性が悪く、レーザチップモジュールを低価格で生産す
ることの弊害であった。
2. Description of the Related Art A laser chip module, which is a type of a multi-chip module, guides a laser beam output from a semiconductor laser chip to the outside of a heat sink via an optical fiber, and transmits a monitor laser output from the laser chip to a monitor chip. Designed to guide. Therefore, in order to align the optical fiber with the laser beam, it is necessary to align the laser chip and the optical fiber with excellent accuracy. Conventionally, alignment of an optical fiber is performed by outputting a laser beam from a laser chip fixed to a heat sink, adjusting the position of the optical fiber on the heat sink, and fixing the optical fiber at a position where the optical power guided to the optical fiber is maximized. . This method, called active alignment, can precisely align the optical fiber with the laser chip, but it takes a long time to perform alignment, resulting in poor productivity and the disadvantage of producing laser chip modules at low cost. there were.

【0003】近年、上記課題に対処するためにパッシブ
アライメントと呼ばれる方法が提案されている。この方
法は、予めヒートシンクであるシリコン基板にV型溝を
形成し、該V字型溝に光ファイバーを落とし込んで固定
した後、レーザチップとヒートシンクとに形成されてい
るアライメントマークを画像認識して、レーザチップの
レーザ光線を出力する発光部が、光ファイバーのコア断
面の直前になるようなヒートシンク上の基準点にレーザ
チップを固定するものである。
[0003] In recent years, a method called passive alignment has been proposed to address the above-mentioned problems. In this method, a V-shaped groove is formed in advance on a silicon substrate serving as a heat sink, an optical fiber is dropped into the V-shaped groove and fixed, and then an alignment mark formed on the laser chip and the heat sink is image-recognized. The light emitting section for outputting the laser beam of the laser chip fixes the laser chip to a reference point on the heat sink immediately before the cross section of the core of the optical fiber.

【0004】詳細には、図5(a)で示すように、ヒー
トシンク金属膜10を備えていて、さらにその上に半田
材11が形成されているヒートシンク13をボンディン
グ装置(図示せず)に設置する。他方、内部にレーザ光
線を出力する発光部6を有し、表面に半田材用金属層1
2を備えているレーザチップ1を上記ヒートシンク13
の上方に設置する。この際、発光部6は、上記レーザ光
線が入力される光ファイバー(図示せず)のコアの中心
である基準点6の上方に位置する。次に、図5(b)で
示すように、キャピラリ14によって、レーザチップ1
をヒートシンク13に押しつけて所定の加重をかけなが
ら、半田材11を加熱し冷却する。こうすることで基準
点7に発光点6が一致する位置、即ち光ファイバーに十
分にレーザ光線を供給できる位置にレーザチップ1を半
田材11で固定する。
More specifically, as shown in FIG. 5A, a heat sink 13 having a heat sink metal film 10 and further having a solder material 11 formed thereon is set in a bonding apparatus (not shown). I do. On the other hand, a light emitting portion 6 for outputting a laser beam is provided inside, and a metal layer 1 for a solder material is provided on the surface.
The laser chip 1 provided with the heat sink 13
Installed above At this time, the light emitting section 6 is located above the reference point 6 which is the center of the core of the optical fiber (not shown) into which the laser beam is input. Next, as shown in FIG. 5B, the laser chip 1 is
The solder material 11 is heated and cooled while pressing the solder material 11 against the heat sink 13 and applying a predetermined load. Thus, the laser chip 1 is fixed with the solder material 11 at a position where the light emitting point 6 coincides with the reference point 7, that is, at a position where a laser beam can be sufficiently supplied to the optical fiber.

【0005】ヒートシンクにレーザチップを固定した
後、レーザ光線を十分に入力することができるヒートシ
ンク上の位置にモニターチップを半田材で固定する。即
ち、パッシブアライメントによってレーザチップとモニ
ターチップとを固定する場合、同一のヒートシンク上で
半田融解が二度行われる。
After fixing the laser chip to the heat sink, the monitor chip is fixed with a solder material at a position on the heat sink where a laser beam can be sufficiently input. That is, when the laser chip and the monitor chip are fixed by passive alignment, solder melting is performed twice on the same heat sink.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらパッシブ
アライメントには、以下に説明するような課題があっ
た。モニターチップを固定する際にヒートシンクを加熱
するので、既にレーザチップを固定している半田材が再
融解・再凝縮する。この際、キャピラリはモニターチッ
プを押さえていて、レーザチップに適度な荷重がかかる
ことがないので、再融解した半田材の表面張力により、
レーザチップが半田材から浮いた状態で固定される。
However, passive alignment has the following problems. Since the heat sink is heated when fixing the monitor chip, the solder material already fixing the laser chip is re-melted and re-condensed. At this time, since the capillary holds down the monitor chip and does not apply an appropriate load to the laser chip, the surface tension of the remelted solder material causes
The laser chip is fixed while floating from the solder material.

【0007】さらに、ヒートシンク金属膜の状態及び該
金属膜の酸化状態によって、再融解・再凝固した半田材
が一部ヒートシンク内部に浸透し、さらにヒートシンク
が部分的に半田材をはじくので、再融解時の半田材の表
面張力が不均一になり、半田材の表面が傾斜し、図6で
示すようにレーザチップ1が傾斜して固定される。
Further, depending on the state of the heat sink metal film and the oxidation state of the metal film, the re-melted and re-solidified solder material partially penetrates into the heat sink, and the heat sink partially repels the solder material. At this time, the surface tension of the solder material becomes uneven, the surface of the solder material is inclined, and the laser chip 1 is fixed to be inclined as shown in FIG.

【0008】上述したような状態になると、レーザチッ
プの発光点6が基準点7からずれた状態で固定される。
このような状態では、レーザ光線を光ファイバーに適切
に導くことはできない。
In the state described above, the light emitting point 6 of the laser chip is fixed in a state shifted from the reference point 7.
In such a state, the laser beam cannot be properly guided to the optical fiber.

【0009】さらに、融解し凝固することで体積が減少
する特性を有する半田材を用いると、半田材用金属膜と
半田材との間に不均一な空隙が発生する可能性がある。
このような空隙はレーザチップでは発生した熱をヒート
シンクに放熱することの妨げになる。特に、レーザチッ
プモジュールの最大の発熱源である発光部の直下部分に
このような空隙が発生すると、レーザチップモジュール
の高温動作に悪影響を与える。
Further, when a solder material having a characteristic of reducing its volume by melting and solidifying is used, a non-uniform void may be generated between the metal film for the solder material and the solder material.
Such a gap hinders the heat generated in the laser chip from being dissipated to the heat sink. In particular, if such a gap is generated immediately below the light emitting portion, which is the largest heat source of the laser chip module, it adversely affects the high-temperature operation of the laser chip module.

【0010】本発明は、従来技術の有するこのような問
題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、
(1)予め光ファイバーが固定されているヒートシンク
上に光半導体チップと受光チップを優れた精度で所定の
位置に固定するマルチチップモジュールの製造方法、及
び(2)放熱性に優れた融着半田部を備えたマルチチッ
プモジュールの製造方法を提供することである。
[0010] The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide:
(1) A method for manufacturing a multi-chip module in which an optical semiconductor chip and a light-receiving chip are fixed at predetermined positions with excellent accuracy on a heat sink to which an optical fiber is fixed in advance, and (2) a fusion-bonded solder part having excellent heat dissipation. To provide a method for manufacturing a multi-chip module having the following.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明にかかるマルチチップモジュールの製造方法
は、同一のヒートシンク上にレーザチップ及びモニター
チップを仮固定した後に、該両チップを半田材で同時に
固定する。具体的には、本発明にかかるレーザチップモ
ジュールの製造方法は、レーザ光線を発振して出力する
又は入力されたレーザ光線を増幅して出力する光半導体
チップと、出力されたレーザ光線を受光する一又は二以
上の受光チップと、上記光半導体チップに接続された光
ファイバーとが同一のヒートシンク上に所定の位置関係
で固定されていて、上記光ファイバーを上記ヒートシン
クの上記所定の位置に固定するとともに上記光半導体チ
ップと上記受光チップとを上記ヒートシンクの上記所定
の位置に固定するマルチチップモジュールの製造方法で
あって、上記光ファイバーから入力される又は上記光フ
ァイバーに出力される上記レーザ光線の強度が実質的に
最大になる上記ヒートシンク上の光半導体チップ位置に
上記光半導体チップを仮固定材によって仮固定する光半
導体チップ仮固定工程と、上記受光チップに入力される
上記レーザ光線の強度が実質的に最大になる上記ヒート
シンク上の受光チップ位置に上記受光チップを仮固定材
によって仮固定する受光チップ仮固定工程と、上記仮固
定された上記光半導体チップ及び上記仮固定された上記
受光チップを半田材によって固定するチップ固定工程と
を含むことを特徴とするもので、上記光半導体チップと
上記受光チップを同時に半田材で固定することによっ
て、ヒートシンク上での位置ずれを防止する。
In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a multi-chip module according to the present invention comprises the steps of temporarily fixing a laser chip and a monitor chip on the same heat sink and then connecting the chips to a solder material. And fix simultaneously. Specifically, the method for manufacturing a laser chip module according to the present invention includes an optical semiconductor chip that oscillates and outputs a laser beam or amplifies and outputs an input laser beam, and receives the output laser beam. One or more light-receiving chips and an optical fiber connected to the optical semiconductor chip are fixed on the same heat sink in a predetermined positional relationship, and the optical fiber is fixed to the predetermined position on the heat sink and A method of manufacturing a multi-chip module for fixing an optical semiconductor chip and the light-receiving chip at the predetermined position on the heat sink, wherein the intensity of the laser beam input from the optical fiber or output to the optical fiber is substantially reduced. Temporarily fix the optical semiconductor chip on the optical semiconductor chip position on the heat sink An optical semiconductor chip temporary fixing step of temporarily fixing the light receiving chip with a temporary fixing material at a position of the light receiving chip on the heat sink where the intensity of the laser beam input to the light receiving chip is substantially maximized. A light receiving chip temporary fixing step, and a chip fixing step of fixing the temporarily fixed optical semiconductor chip and the temporarily fixed light receiving chip with a solder material, wherein the optical semiconductor chip and By simultaneously fixing the light receiving chip with a solder material, displacement on the heat sink is prevented.

【0012】また、上記マルチチップモジュールの製造
方法は、十分な強度でチップを仮固定する為に、上記仮
固定を圧着された金属又は樹脂接着剤で行うことが好ま
しい。
In the method of manufacturing a multi-chip module, it is preferable that the temporary fixing is performed with a pressure-bonded metal or resin adhesive in order to temporarily fix the chip with sufficient strength.

【0013】さらに、上記マルチチップモジュールの製
造方法は、上記レーザチップがその固定側表面に半田材
用金属膜と、該半田材用金属膜から分離されている仮固
定材用金属膜とを有する一方、上記ヒートシンクがその
固定側表面に上記レーザチップ側の上記半田材用金属膜
に対応する半田材用金属膜と上記レーザチップ側の上記
仮固定材用金属膜に対応する仮固定材用金属膜を有して
いるのが好ましい。
Further, in the method for manufacturing a multi-chip module, the laser chip has a metal film for a solder material on a fixed side surface thereof and a metal film for a temporary fixing material separated from the metal film for a solder material. On the other hand, the heat sink has, on its fixed side surface, a metal film for solder material corresponding to the metal film for solder material on the laser chip side and a metal for temporary fixing material corresponding to the metal film for temporary fixing material on the laser chip side. It preferably has a membrane.

【0014】また、上記マルチチップモジュールの製造
方法は、半田材に発生する空隙を減少させてレーザチッ
プモジュールの放熱効率を向上させる為に、上記半田材
用金属膜を、上記レーザチップの固定側表面で該レーザ
チップが上記レーザ光線を出力することで温度が上昇す
る部分に形成する一方、ヒートシンク側には上記半田材
用金属膜を覆うように半田材を設け、上記チップ固定工
程において、上記半田材を融解凝固させ上記レーザチッ
プ側の上記半田材用金属膜と上記ヒートシンク側の上記
半田材用金属膜との間に上記半田材よりも体積が小さく
上記両金属膜に密着している融着半田部を形成するのが
好ましい。
Further, in the method of manufacturing a multi-chip module, the metal film for the solder material may be provided on the fixed side of the laser chip in order to reduce a void generated in the solder material and improve the heat radiation efficiency of the laser chip module. On the surface, the laser chip is formed at a portion where the temperature rises by outputting the laser beam, while a solder material is provided on the heat sink side so as to cover the metal film for the solder material. The solder material is melted and solidified, and the volume of the solder is smaller than that of the solder material between the metal film for the solder material on the laser chip side and the metal film for the solder material on the heat sink side. It is preferable to form a soldering portion.

【0015】さらに、上記マルチチップモジュールの製
造方法は、融解した余剰な半田材が仮固定部を融解する
ことを防止する為に、上記ヒートシンク上の上記半田材
用ヒートシンク金属膜と上記仮固定材用ヒートシンク金
属膜との間に余剰な融解した上記半田材が流れ込む半田
材たまり溝が形成されているのが好ましい。
Further, in the method of manufacturing a multi-chip module, the heat sink metal film for the solder material on the heat sink and the temporary fixing material are provided to prevent the molten excessive solder material from melting the temporary fixing portion. It is preferable that a solder material pool groove into which the excess melted solder material flows is formed between the heat sink metal film and the heat sink metal film.

【0016】また、上記マルチチップモジュールの製造
方法は、半田材に発生する空隙を減少させるために、上
記圧着された金属が、少なくとも表面に金又は金合金層
で形成されたものである場合、上記半田材を、融解前後
において体積が変化しないPbSn又はInPbとする
ことが好ましい。
Further, in the method of manufacturing a multi-chip module, in order to reduce voids generated in the solder material, the pressure-bonded metal is formed on at least a surface thereof with a gold or gold alloy layer. It is preferable that the solder material is PbSn or InPb whose volume does not change before and after melting.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0018】実施の形態1.最初に、図1を参照して、
本発明の実施の形態1にかかるレーザチップモジュール
20に関して説明する。図1で示すレーザチップモジュ
ール20は、パッシブアライメントによって光ファイバ
ー16に対して、光半導体チップであるレーザチップ1
の位置決めを行ったものである。詳細には、レーザチッ
プモジュール20は、ヒートシンク2上に設けられたV
字溝17に光ファイバー16を固定した後、レーザ光線
を出力する発光部6を備えたレーザチップ1を圧着金属
3で仮固定し、モニターチップ15を圧着金属3で仮固
定し、続いて上記両チップ1、15を融着半田材4で固
定したものである。レーザチップ1が光ファイバー16
及びモニターチップ15に最大限にレーザ光線を供給で
きるように、図1(b)に示すように、レーザチップ1
の前方発光部6bと光ファイバー16のコアの中心とが
対向し、レーザチップ1の後方発光部6bとモニターチ
ップ15の受光部15aとが対向するように、光ファイ
バー16、レーザチップ1及びモニターチップ15が配
置されている。尚、本実施の形態においては光半導体チ
ップとしてレーザチップを用いたが、本発明はこれに限
定されるものでなく、入力されたレーザ光線を増幅して
出力する光半導体アンプチップ等の他の光半導体チップ
を用いてもよい。
Embodiment 1 First, referring to FIG.
The laser chip module 20 according to the first embodiment of the present invention will be described. The laser chip module 20 shown in FIG. 1 is a laser chip 1 which is an optical semiconductor chip with respect to the optical fiber 16 by passive alignment.
Is performed. Specifically, the laser chip module 20 is provided with the V
After fixing the optical fiber 16 in the groove 17, the laser chip 1 provided with the light emitting section 6 for outputting a laser beam is temporarily fixed with the crimp metal 3, the monitor chip 15 is temporarily fixed with the crimp metal 3, The chips 1 and 15 are fixed with a fusion solder material 4. Laser chip 1 is optical fiber 16
In order to supply the laser beam to the monitor chip 15 as much as possible, as shown in FIG.
The optical fiber 16, the laser chip 1, and the monitor chip 15 are arranged such that the front light emitting unit 6b of the optical fiber 16 and the center of the core of the optical fiber 16 face each other, and the rear light emitting unit 6b of the laser chip 1 faces the light receiving unit 15a of the monitor chip 15. Is arranged. In this embodiment, a laser chip is used as an optical semiconductor chip. However, the present invention is not limited to this, and other optical semiconductor amplifier chips such as an optical semiconductor amplifier chip for amplifying and outputting an input laser beam are provided. An optical semiconductor chip may be used.

【0019】ヒートシンク2上のレーザチップ位置2c
にレーザチップ1を固定して、光ファイバー16のコア
の中心である基準点7に発光部6を一致させた状態を図
2に示す。図2に示すように、レーザチップ1には、レ
ーザチップ1の発光部6の直下部表面を覆う半田材用金
属膜1a、及びレーザチップ1の両端部表面を覆う圧着
金属用金属膜1bが形成されている一方、ヒートシンク
2上のレーザチップ位置2cには、上記半田材用金属膜
1aに対応する半田材金属2a及び上記圧着金属用金属
膜1bに対応する圧着金属用金属膜2bが形成されてい
る。さらに、融着半田材4は半田材用金属膜1a、2a
に挟まれていて、圧着金属3は圧着金属1b、2bに挟
まれている。尚、ヒートシンク2上の半田材用金属膜2
aと圧着金属用金属膜2bとの間の領域には半田材たま
り溝9が設けられている。
Laser chip position 2c on heat sink 2
FIG. 2 shows a state in which the laser chip 1 is fixed to the optical fiber 16 and the light emitting section 6 is aligned with the reference point 7, which is the center of the core of the optical fiber 16. As shown in FIG. 2, the laser chip 1 includes a metal film 1a for a solder material that covers the surface immediately below the light emitting portion 6 of the laser chip 1 and a metal film 1b for a compression metal that covers both end surfaces of the laser chip 1. On the other hand, at the laser chip position 2c on the heat sink 2, a solder material metal 2a corresponding to the solder material metal film 1a and a compression metal film 2b corresponding to the compression metal film 1b are formed. Have been. Further, the fusion-bonded solder material 4 is a metal film for a solder material 1a, 2a.
And the press-bonded metal 3 is sandwiched between the press-bonded metals 1b and 2b. The metal film 2 for the solder material on the heat sink 2
The solder material pool groove 9 is provided in a region between the metal film 2a and the metal film 2b.

【0020】次に、レーザチップ1及びモニターチップ
をヒートシンク2に固定する方法について説明する。図
3(a)で示すように、内部に発光部6を有するレーザ
チップ1の固定側表面に、発光部6の直下部を覆う半田
材用金属膜1aと該半田材用金属膜1aから分離されて
いる圧着金属用金属膜1bとを形成し、続いて、圧着金
属用金属膜1b表面に金又は金合金からなる圧着金属3
aを設ける。
Next, a method of fixing the laser chip 1 and the monitor chip to the heat sink 2 will be described. As shown in FIG. 3 (a), on the fixed side surface of the laser chip 1 having the light emitting portion 6 inside, the metal film 1a for the solder material covering the lower portion of the light emitting portion 6 and the metal film 1a for the solder material are separated. And a metal film 1b formed of gold or a gold alloy on the surface of the metal film 1b.
a is provided.

【0021】一方、ヒートシンク1上のレーザチップ位
置2cに、上記半田材用金属膜1aに対応する半田材用
金属膜2a、該半田材用金属膜2aから分離されている
上記圧着金属用金属膜1bに対応する圧着金属用金属膜
2bを形成し、さらに、半田材用金属膜2aの圧着金属
用金属膜2bとの間に半田たまり溝9を形成する。次
に、圧着金属用金属膜2b上に金又は金合金からなる圧
着金属3bを設け、半田たまり溝9で挟まれる部分の半
田材用金属膜2a上に金スズ(AuSn)半田である半
田材4aを載置する。
On the other hand, at the laser chip position 2c on the heat sink 1, the solder metal film 2a corresponding to the solder metal film 1a, and the pressure-bonded metal film separated from the solder metal film 2a. 1b, and a solder pool groove 9 is formed between the metal film for solder 2a and the metal film 2b for metal for solder. Next, a compression metal 3b made of gold or a gold alloy is provided on the metal film 2b for a compression metal, and a solder material that is gold tin (AuSn) solder is provided on a portion of the metal film 2a for a solder material sandwiched between the solder pool grooves 9. 4a is placed.

【0022】次に、図3(a)で示すように、発光部6
が基準点7に真上になり、半田材用金属膜1aと半田材
用金属膜2a、及び圧着金属3aと圧着金属3bとが対
向するように、上記レーザチップ1をヒートシンク2の
レーザチップ位置2cの上方に設置する。
Next, as shown in FIG.
Is positioned directly above the reference point 7, and the laser chip 1 is positioned on the heat sink 2 such that the metal film 1a for the solder material and the metal film 2a for the solder material and the metal 3a and the metal 3b are opposed to each other. 2c.

【0023】続いて、図3(b)で示すように、圧着金
属3aと圧着金属3bとが接するように、キャピラリ1
2によってヒートシンク2にレーザチップ1を所定の荷
重をかけて押しつける一方、半田材4の融点以下の温度
にヒートシンク2を加熱して圧着金属3aと圧着金属3
bとを熱圧着させて、レーザチップ1をヒートシンク2
上のレーザチップ位置2cに十分な強度で仮固定する。
Subsequently, as shown in FIG. 3 (b), the capillary 1 is pressed so that the metal 3a and the metal 3b are in contact with each other.
2, the laser chip 1 is pressed against the heat sink 2 by applying a predetermined load, and the heat sink 2 is heated to a temperature equal to or lower than the melting point of the solder material 4 so that the pressure-bonded metal 3a and the pressure-bonded metal 3
b and the laser chip 1 by heat-pressing.
Temporarily fixed with sufficient strength to the upper laser chip position 2c.

【0024】さらに、レーザ光線を最大限にモニターチ
ップに供給することができるヒートシンク上のモニター
チップ位置(図示せず)に、モニターチップを同様に圧
着金属で十分な強度で仮固定する。
Further, the monitor chip is similarly temporarily fixed to the monitor chip position (not shown) on the heat sink at which the laser beam can be supplied to the monitor chip with a sufficient strength by a pressure bonding metal.

【0025】尚、上述した圧着金属の代わりに樹脂接着
材を用いて、レーザチップ1とモニターチップとをヒー
トシンク2に仮固定してもよい。
The laser chip 1 and the monitor chip may be temporarily fixed to the heat sink 2 by using a resin adhesive instead of the above-mentioned press-bonded metal.

【0026】同一のヒートシンクにレーザチップとモニ
ターチップとを仮固定した後、ヒートシンクを半田材の
融点以上に加熱して、レーザチップとヒートシンクとの
間に介在する半田材、及びモニターチップとヒートシン
クの間に介在する半田材を同時に融解させ、該半田材を
冷却し凝固させ、両チップをヒートシンクに融着固定す
る。この際、融解した余剰な半田は半田材たまり溝9に
流れ込む。こうすることで、同一のヒートシンク上にモ
ニターチップとレーザチップとを固定する工程が完了す
る。尚、上記同様の方法を利用して、光ファイバーから
供給されるレーザ光線の強度が最大になる位置に受信用
フォトダイオードチップを固定することもできる。
After the laser chip and the monitor chip are temporarily fixed to the same heat sink, the heat sink is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder material, so that the solder material interposed between the laser chip and the heat sink, and the monitor chip and the heat sink are heated. The solder material interposed therebetween is melted at the same time, the solder material is cooled and solidified, and both chips are fused and fixed to a heat sink. At this time, the surplus molten solder flows into the solder material accumulation groove 9. Thus, the step of fixing the monitor chip and the laser chip on the same heat sink is completed. The receiving photodiode chip can be fixed at a position where the intensity of the laser beam supplied from the optical fiber is maximized by using the same method as described above.

【0027】上記レーザチップ1とモニターチップと
は、十分な強度でヒートシンクに仮固定がされているの
で、半田材を融解させる際にヒートシンクを加熱して
も、熱応力によって上記両チップがヒートシンクの所定
の位置からずれることがない。
Since the laser chip 1 and the monitor chip are temporarily fixed to the heat sink with sufficient strength, even if the heat sink is heated when the solder material is melted, the two chips will not be heated by the heat stress. There is no deviation from a predetermined position.

【0028】また、ヒートシンク2に半田材たまり溝9
が設け、溶解したAuSn半田4が該半田材たまり溝9
に流れ込むので、溶解したAuSn半田4が、金又は金
合金からなる圧着金属を融解することを防止される。
The heat sink 2 has a groove 9 for collecting the solder material.
Are provided, and the melted AuSn solder 4
The molten AuSn solder 4 is prevented from melting the compression metal made of gold or gold alloy.

【0029】尚、半田材としては、上述したAuSn半
田の代わりに、PbSn半田又はInPb半田を用いて
もよい。このような材料を半田材に用いると、融解され
たPbSn半田又はInPb半田によって、金又は金合
金からなる圧着金属を溶解することがないので、半田材
たまり溝9を形成する必要がない。さらに、PbSn半
田又はInPb半田は、融解前後によって体積が減少し
ないので、半田材金属膜と融解半田部との間に空隙が発
生することもない。
As the solder material, PbSn solder or InPb solder may be used instead of the AuSn solder described above. When such a material is used for the solder material, the fused metal of PbSn or InPb does not dissolve the crimped metal made of gold or a gold alloy, so that it is not necessary to form the solder material pool groove 9. Further, since the volume of the PbSn solder or InPb solder does not decrease before and after melting, no gap is generated between the solder material metal film and the molten solder portion.

【0030】実施の形態2.次に、本発明の実施の形態
2にかかるレーザチップモジュールについて説明する。
レーザチップをヒートシンクに固定する方法を除いて、
実施の形態2のレーザチップモジュールは、上記実施の
形態1にかかるレーザチップモジュールと同様である。
以下、図4(a)、(b)を参照して、実施の形態2に
かかるレーザチップの固定方法について説明する。
Embodiment 2 FIG. Next, a laser chip module according to a second embodiment of the present invention will be described.
Except for fixing the laser chip to the heat sink,
The laser chip module according to the second embodiment is the same as the laser chip module according to the first embodiment.
Hereinafter, a method for fixing a laser chip according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.

【0031】最初、図4(a)で示すように、レーザ光
線を出力する発光部6を内部に備えたレーザチップ1の
表面に、レーザ光線を出力することで温度が上昇する発
光部6の直下部のみを覆う半田材用金属膜1cと該半田
材用金属膜1cから分離されているレーザチップ1の両
端部を覆う圧着金属用金属膜1bとを形成し、次に、圧
着金属用金属膜1b上に金又は金メッキからなる圧着金
属3aを設ける。
First, as shown in FIG. 4 (a), a light emitting section 6 whose temperature rises by outputting a laser beam is provided on the surface of a laser chip 1 having a light emitting section 6 for outputting a laser beam. A metal film for a solder material 1c covering only the lower portion and a metal film for a compression metal 1b covering both ends of the laser chip 1 separated from the metal film for a solder material 1c are formed. A compression metal 3a made of gold or gold plating is provided on the film 1b.

【0032】一方、ヒートシンク2のレーザチップ位置
2cに、上記半田材用金属膜1cに対応する半田材用金
属膜2d、及び該半田材用金属膜2dから分離されてい
る上記圧着金属用金属膜1bに対応する半田材用金属膜
2bを形成し、さらに、半田材用金属膜2dと圧着金属
用金属膜2bとの間に半田たまり溝8を設ける。続い
て、ヒートシンク2上の半田たまり溝8で挟まれる部分
に金スズ(AuSn)半田である半田材4aを載置し、
該半田材4aで半田材用金属膜2dを完全に覆う一方、
圧着金属用金属膜2b上に金又は金メッキからなるヒー
トシンク側圧着金属3bを設ける。
On the other hand, at the laser chip position 2c of the heat sink 2, a solder metal film 2d corresponding to the solder metal film 1c, and the pressure-bonded metal film separated from the solder metal film 2d. A metal film for solder material 2b corresponding to 1b is formed, and a solder pool groove 8 is provided between the metal film for solder material 2d and the metal film for press-bonded metal 2b. Subsequently, a solder material 4a, which is gold tin (AuSn) solder, is placed on a portion of the heat sink 2 sandwiched by the solder pool grooves 8,
While the solder material 4a completely covers the solder metal film 2d,
A heat sink side compression metal 3b made of gold or gold plating is provided on the metal film 2b for the compression metal.

【0033】次に、図4(a)で示すように、発光部6
が基準点7に真上になり、半田材用金属膜1cと半田材
用金属膜2dとが対向し、圧着金属3aと圧着金属3b
とが対向するように、上記レーザチップ1をヒートシン
ク2のレーザチップ位置2cの上方に設置した後、上記
実施の形態1と同様に、レーザチップ1をヒートシンク
2に十分な強度で仮固定し、モニターチップをヒートシ
ンクに仮固定する。
Next, as shown in FIG.
Is directly above the reference point 7, the metal film for solder material 1c and the metal film for solder material 2d face each other, and the crimp metal 3a and the crimp metal 3b
After the laser chip 1 is installed above the laser chip position 2c of the heat sink 2 so that the laser chip 1 faces the laser chip 1, the laser chip 1 is temporarily fixed to the heat sink 2 with sufficient strength as in the first embodiment. Temporarily fix the monitor chip to the heat sink.

【0034】モニターチップとレーザチップとをヒート
シンクに仮固定した後、レーザチップとヒートシンクの
間に介在する半田材、及びモニターチップとヒートシン
クの間に介在する半田材を加熱し、融解・凝固させる。
この際、半田材は金属材料になじむ性質があるので、半
田材用金属膜1c、2dとの間に溶解した半田材が集中
する。従って、図4(b)に示すように、発光部6の直
下部にのみに融着半田部4bが形成される。
After the monitor chip and the laser chip are temporarily fixed to the heat sink, the solder material interposed between the laser chip and the heat sink and the solder material interposed between the monitor chip and the heat sink are melted and solidified.
At this time, since the solder material has a property of being compatible with the metal material, the dissolved solder material is concentrated between the solder material and the metal films 1c and 2d for the solder material. Therefore, as shown in FIG. 4B, the fusion solder portion 4b is formed only immediately below the light emitting portion 6.

【0035】上記実施の形態2のような構造にすると、
半田材が融解後、ヒートシンク金属膜2dとレーザチッ
プ金属膜1cの面積に応じて、半田材4の体積が減少す
るので、融着半田部4と半田材用金属膜1c、2dとの
間に空隙が発生することはない。
With the structure as in the second embodiment,
After the solder material is melted, the volume of the solder material 4 decreases according to the area of the heat sink metal film 2d and the laser chip metal film 1c. No voids are generated.

【0036】このようにして、レーザチップの発光部の
直下部に空隙のない半田材を設けることで、レーザチッ
プの発光部から発生する熱を効率よく放熱することがで
きる。
In this way, by providing the solder material without a gap immediately below the light emitting portion of the laser chip, heat generated from the light emitting portion of the laser chip can be efficiently radiated.

【0037】上述した実施の形態1及び2は、同一のヒ
ートシンク上に二つの半導体チップ、即ちレーザチップ
とモニターチップとを精度よく固定する方法に関して説
明したが、同じ方法によって、同一のヒートシンク上に
3つ以上の半導体チップを固定することも可能である。
従って、光ファイバーから供給されるレーザ光線が最大
になるようなヒートシンク上の位置に受信用半導体チッ
プを固定することも可能である。
In the first and second embodiments described above, the method of precisely fixing two semiconductor chips, ie, a laser chip and a monitor chip, on the same heat sink has been described. It is also possible to fix three or more semiconductor chips.
Therefore, it is also possible to fix the receiving semiconductor chip at a position on the heat sink where the laser beam supplied from the optical fiber is maximized.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明のマルチチップモジュールの製造
方法は、光半導体チップ及びモニターチップをヒートシ
ンク上の所定の位置に仮固定した後、上記両チップを半
田材によって上記所定の位置に同時に融着固定している
ので、上記両チップを精度良く同一ヒートシンクに固定
することができる。
According to the method of manufacturing a multi-chip module of the present invention, after an optical semiconductor chip and a monitor chip are temporarily fixed at predetermined positions on a heat sink, the two chips are simultaneously fused to the predetermined positions with a solder material. Since they are fixed, both chips can be accurately fixed to the same heat sink.

【0039】本発明のマルチチップモジュールの製造方
法は、仮固定部を圧着金属又は樹脂接着剤とすること
で、十分な強度でレーザチップ及びモニターチップを仮
固定することができる。
In the method of manufacturing a multi-chip module according to the present invention, the laser chip and the monitor chip can be temporarily fixed with a sufficient strength by using the pressure-fixed metal or the resin adhesive for the temporary fixing portion.

【0040】本発明のマルチチップモジュールの製造方
法は、レーザチップ表面に半田部用金属膜と仮固定材用
金属膜を設ける一方、ヒートシンク側に半田部用金属膜
と仮固定材用金属膜とを設けることで、ヒートシンクに
対するレーザチップの固定をより正確にする。
According to the method of manufacturing a multi-chip module of the present invention, a metal film for a solder portion and a metal film for a temporary fixing material are provided on the surface of a laser chip, while a metal film for a solder portion and a metal film for a temporary fixing material are provided on the heat sink side. Is provided, the fixing of the laser chip to the heat sink becomes more accurate.

【0041】本発明のマルチチップモジュールの製造方
法は、空隙の無い半田材をレーザチップの発光部分の直
下部に設けることで、マルチチップモジュールの放熱性
を向上させ、マルチチップモジュールの高温での動作特
性を優れたものにする。
According to the method of manufacturing a multi-chip module of the present invention, the heat dissipation of the multi-chip module can be improved by providing a solder material without voids directly below the light-emitting portion of the laser chip. Improve operating characteristics.

【0042】本発明のマルチチップモジュールの製造方
法は、ヒートシンク上に半田たまり溝を設けることによ
って、溶解した余剰な半田材を該半田たまり溝で回収し
て、圧着金属部を溶解することを防止し、ヒートシンク
上のレーザチップの位置決め精度を優れたものにする。
According to the method of manufacturing a multi-chip module of the present invention, by providing a solder pool groove on a heat sink, it is possible to prevent the melted excess solder material from being collected by the solder pool groove and to melt the press-bonded metal portion. In addition, the positioning accuracy of the laser chip on the heat sink is improved.

【0043】本発明のレーザチップモジュールの製造方
法は、半田材を融解前後で体積が変化しないPbSn又
はInPbとすることで、半田材中の空隙の発生を防止
して、レーザチップモジュールの高温動作特性を向上さ
せる。
According to the method for manufacturing a laser chip module of the present invention, the solder material is made of PbSn or InPb whose volume does not change before and after melting, thereby preventing the generation of voids in the solder material and allowing the laser chip module to operate at a high temperature. Improve characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明にかかるレーザチップモジュールを示
す。
FIG. 1 shows a laser chip module according to the present invention.

【図2】 図1のレーザチップモジュールの線II-IIに
沿った断面図を示す。
2 shows a cross-sectional view of the laser chip module of FIG. 1 along the line II-II.

【図3】 本発明の実施の形態1にかかるレーザチップ
モジュールの製造方法において、ヒートシンクにレーザ
チップを固定する方法を示すもので、(a)はヒートシ
ンク上の所定の位置にレーザチップを設置する工程を示
し、(b)はヒートシンクにレーザチップを仮固定する
工程を示す。
FIG. 3 shows a method of fixing a laser chip to a heat sink in the method of manufacturing a laser chip module according to the first embodiment of the present invention, wherein (a) places the laser chip at a predetermined position on the heat sink; FIG. 4B shows a step of temporarily fixing the laser chip to the heat sink.

【図4】 本発明の実施の形態2にかかるレーザチップ
モジュールの製造方法において、ヒートシンクにレーザ
チップを固定する方法を示すもので、(a)はヒートシ
ンク上の所定の位置にレーザチップを設置する工程を示
し、(b)はヒートシンクにレーザチップを仮固定する
工程を示す。
FIG. 4 shows a method of fixing a laser chip to a heat sink in a method of manufacturing a laser chip module according to a second embodiment of the present invention, wherein (a) places the laser chip at a predetermined position on the heat sink; FIG. 4B shows a step of temporarily fixing the laser chip to the heat sink.

【図5】 従来技術にかかるレーザチップモジュールの
製造方法において、ヒートシンクにレーザチップを固定
する方法を示すもので、(a)はヒートシンク上の所定
の位置にレーザチップを設置する工程を示し、(b)は
ヒートシンクにレーザチップを仮固定する工程を示す。
FIG. 5 shows a method of fixing a laser chip to a heat sink in a method of manufacturing a laser chip module according to the related art, wherein (a) shows a step of installing the laser chip at a predetermined position on the heat sink; b) shows a step of temporarily fixing the laser chip to the heat sink.

【図6】 従来技術にかかるレーザチップモジュールを
示すもので、ヒートシンク上の所定の位置からずれたレ
ーザチップを示す。
FIG. 6 shows a laser chip module according to the prior art, showing a laser chip shifted from a predetermined position on a heat sink.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザチップ、 1a 半田材用金属膜、 1b
圧着金属用金属膜、1c 半田材用金属膜、 2 ヒー
トシンク、 2a 半田材用金属膜、 2b圧着金属用
金属膜、 2c レーザチップ位置、 2d 半田材用
ヒートシンク金属膜、 4 融着半田部、 4a 半田
材、 4b 融着半田部、 6 発光部、 7 基準
点、 20 レーザチップモジュール。
Reference Signs List 1 laser chip, 1a metal film for solder material, 1b
Metal film for pressure-bonded metal, 1c Metal film for solder material, 2 heat sink, 2a Metal film for solder material, 2b Metal film for pressure-bonded metal, 2c Laser chip position, 2d Heat sink metal film for solder material, 4 Fused solder part, 4a Solder material, 4b fused solder part, 6 light emitting part, 7 reference point, 20 laser chip module.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ光線を発振して出力する又は入力
されたレーザ光線を増幅して出力する光半導体チップ
と、出力されたレーザ光線を受光する一又は二以上の受
光チップと、上記光半導体チップに接続された光ファイ
バーとが同一のヒートシンク上に所定の位置関係で固定
されていて、上記光ファイバーを上記ヒートシンクの上
記所定の位置に固定するとともに上記光半導体チップと
上記受光チップとを上記ヒートシンクの上記所定の位置
に固定するマルチチップモジュールの製造方法であっ
て、 上記光ファイバーから入力される又は上記光ファイバー
に出力される上記レーザ光線の強度が実質的に最大にな
る上記ヒートシンク上の光半導体チップ位置に上記光半
導体チップを仮固定材によって仮固定する光半導体チッ
プ仮固定工程と、 上記受光チップに入力される上記レーザ光線の強度が実
質的に最大になる上記ヒートシンク上の受光チップ位置
に上記受光チップを仮固定材によって仮固定する受光チ
ップ仮固定工程と、 上記仮固定された上記光半導体チップ及び上記仮固定さ
れた上記受光チップを半田材によって固定するチップ固
定工程とを含むことを特徴とするマルチチップモジュー
ルの製造方法。
An optical semiconductor chip for oscillating and outputting a laser beam or amplifying and outputting an input laser beam, one or more light receiving chips for receiving the output laser beam, and the optical semiconductor chip An optical fiber connected to the chip is fixed on the same heat sink in a predetermined positional relationship, and the optical fiber is fixed to the predetermined position on the heat sink, and the optical semiconductor chip and the light receiving chip are connected to the heat sink. A method of manufacturing a multi-chip module to be fixed at a predetermined position, wherein an optical semiconductor chip position on the heat sink at which the intensity of the laser beam input from the optical fiber or output to the optical fiber is substantially maximum. An optical semiconductor chip temporary fixing step of temporarily fixing the optical semiconductor chip with a temporary fixing material, A light receiving chip temporary fixing step of temporarily fixing the light receiving chip with a temporary fixing material at a light receiving chip position on the heat sink at which the intensity of the laser beam input to the light receiving chip is substantially maximized; A chip fixing step of fixing the optical semiconductor chip and the temporarily fixed light receiving chip with a solder material.
【請求項2】 上記仮固定が、圧着された金属又は樹脂
接着剤で行われることを特徴とする請求項1記載のマル
チチップモジュールの製造方法。
2. The method for manufacturing a multi-chip module according to claim 1, wherein said temporary fixing is performed with a metal or resin adhesive which is pressed.
【請求項3】 上記レーザチップがその固定側表面に半
田材用金属膜と、該半田材用金属膜から分離されている
仮固定材用金属膜とを有する一方、上記ヒートシンクが
その固定側表面に上記レーザチップ側の半田材用金属膜
に対応する半田材用金属膜と上記レーザチップ側の仮固
定材用金属膜に対応する仮固定材用金属膜とを有するこ
とを特徴とする請求項1又は2記載のマルチチップモジ
ュールの製造方法。
3. The laser chip has a metal film for a solder material on a fixed surface thereof and a metal film for a temporary fixing material separated from the metal film for solder material, while the heat sink is provided on the fixed surface of the laser chip. A metal film for a solder material corresponding to the metal film for a solder material on the laser chip side and a metal film for a temporary fixing material corresponding to the metal film for a temporary fixing material on the laser chip side. 3. The method for manufacturing a multichip module according to 1 or 2.
【請求項4】 上記半田材用金属膜を、上記レーザチッ
プの固定側表面で該レーザチップが上記レーザ光線を出
力することで温度が上昇する部分に形成する一方、ヒー
トシンク側には上記半田材用金属膜を覆うように半田材
を設け、 上記チップ固定工程において、上記半田材を融解凝固さ
せ上記レーザチップ側の上記半田材用金属膜と上記ヒー
トシンク側の上記半田材用金属膜との間に上記半田材よ
りも体積が小さく上記両金属膜に密着している融着半田
部を形成することを特徴とする請求項3に記載のマルチ
チップモジュールの製造方法。
4. The metal film for a solder material is formed on a portion of the fixed surface of the laser chip where the temperature rises when the laser chip outputs the laser beam, and the solder material is formed on a heat sink side. A solder material is provided so as to cover the metal film for soldering, and in the chip fixing step, the solder material is melted and solidified to form a gap between the metal film for solder material on the laser chip side and the metal film for solder material on the heat sink side. 4. The method for manufacturing a multi-chip module according to claim 3, further comprising forming a fused solder portion having a smaller volume than the solder material and being in close contact with the two metal films.
【請求項5】 上記ヒートシンク上の上記半田材用金属
膜と上記仮固定材用金属膜との間に、余剰な融解した上
記半田材が流れ込む半田材たまり溝が形成されているこ
とを特徴とする請求項3又は4記載のマルチチップモジ
ュール製造方法。
5. A solder material pool groove into which excess molten solder material flows is formed between the solder material metal film and the temporary fixing material metal film on the heat sink. The method for manufacturing a multi-chip module according to claim 3 or 4, wherein:
【請求項6】 上記圧着された金属が、少なくとも表面
に金又は金合金層で形成されたものであり上記半田材
が、PbSn又はInPbであることを特徴とする請求
項1〜3のいずれか一つに記載のマルチチップモジュー
ルの製造方法。
6. The method according to claim 1, wherein the pressed metal has at least a surface formed of a gold or gold alloy layer, and the solder material is PbSn or InPb. A method for manufacturing a multichip module according to one of the above.
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