JP2000036662A - Manufacture of build-up multilayer interconnection board - Google Patents

Manufacture of build-up multilayer interconnection board

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JP2000036662A
JP2000036662A JP20244698A JP20244698A JP2000036662A JP 2000036662 A JP2000036662 A JP 2000036662A JP 20244698 A JP20244698 A JP 20244698A JP 20244698 A JP20244698 A JP 20244698A JP 2000036662 A JP2000036662 A JP 2000036662A
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Japan
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layer
copper
metal layer
circuit
etching
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JP20244698A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeharu Ariga
茂晴 有家
Kazuhisa Otsuka
和久 大塚
Toyoki Ito
豊樹 伊藤
Masao Sugano
雅雄 菅野
Kanetoshi Shinada
詠逸 品田
Yuichi Shimayama
裕一 島山
Akishi Nakaso
昭士 中祖
Masashi Isono
雅司 磯野
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a fine circuit conductor, by performing elimination until the circuit conductor of the circuit board of the inside is exposed at a place that becomes the via hole of a metal layer with a roughened surface, by eliminating the metal layer by etching, and by performing electroless plating onto the inner wall of a hole that becomes the via hole and the surface of the circuit board. SOLUTION: At a place that becomes a nickel layer 204 and a via hole 4 of an epoxy bonding layer 301, a circuit conductor 19 that is placed at a place being connected by the via hole 4 of a circuit board 1 of an inner layer is eliminated by carbon dioxide gas until the circuit conductor 19 is exposed. A smearing treatment is applied, and the nickel layer 204 on the surface of the first board is completely eliminated by etching. Catalyzation treatment is made onto the surface of the first board, and electroless copper plating is performed for forming a first plating copper 51, thus efficiently and economically manufacturing a multilayer interconnection board with a superior circuit formation property and excellent interlayer connection reliability without any problems.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、微小なバイアホー
ル及び微細な回路導体を有するビルドアップ多層配線板
を効率よく製造する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for efficiently manufacturing a build-up multilayer wiring board having fine via holes and fine circuit conductors.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化、多機
能化が進むのに伴い、大規模集積回路(以下、LSIと
いう。)やチップ部品等の高集積化が行われ、その結
果、多ピン化、小型化へと急速に変化しているので、多
層配線板にも、電子部品の実装密度を向上するために、
配線パターンの高密度化が一層求められるようになっ
た。この要望を満たすために、層間の薄型化、配線の微
細化、層間接続穴の小径化が行われ、隣接する層間のみ
を接続するインタースティシャルバイアホール(以下、
IVHという。)や、ベリードバイアホール(以下、B
VHという。)が用いられるようになり、このIVHや
BVHも更に小径化されつつある。
2. Description of the Related Art In recent years, as electronic devices have become smaller, lighter, and more multifunctional, large-scale integrated circuits (hereinafter, referred to as LSIs) and chip components have been highly integrated. In order to increase the mounting density of electronic components on multilayer wiring boards,
There has been a growing demand for higher density wiring patterns. In order to meet this demand, thinning between layers, miniaturization of wiring, and reduction in diameter of interlayer connection holes have been performed, and interstitial via holes (hereinafter, referred to as “layers”) connecting only adjacent layers.
Called IVH. ) And buried via holes (hereinafter B
VH. ) Have been used, and the IVH and BVH have been further reduced in diameter.

【0003】多層配線板には、通常、複数の回路導体層
とその回路導体層間の絶縁層をまとめて重ね、加熱・加
圧して積層一体化し、必要な箇所に穴をあけ、穴内壁を
金属化して接続する多層配線板と、回路導体を形成した
基板上に絶縁層を形成し、必要な箇所に穴をあけ、その
穴内壁を金属化し、絶縁層上に回路導体を形成し、とい
うように回路導体層と絶縁層とを順次形成するビルドア
ップ多層配線板とがある。
[0003] In a multilayer wiring board, a plurality of circuit conductor layers and an insulating layer between the circuit conductor layers are usually piled together, laminated by heating and pressing, and holes are drilled at necessary places, and the inner walls of the holes are made of metal. An insulating layer is formed on a multilayer wiring board to be connected and formed, and a circuit conductor is formed on a substrate, holes are drilled at necessary places, inner walls of the holes are metallized, and circuit conductors are formed on the insulating layer, and so on. There is a build-up multilayer wiring board in which a circuit conductor layer and an insulating layer are sequentially formed.

【0004】このビルドアップ多層配線板の製造方法と
しては、内層回路導体とめっきスルーホールとが形成さ
れた内層回路板の表面に熱硬化性樹脂の絶縁層を形成
し、バイアホールとなる箇所にレーザー光を照射して絶
縁層に穴あけし、このバイアホールとなる穴の内部と絶
縁層の表面を次の工程で行うめっきとの密着性を高める
ために粗化剤で粗化し、全面にめっきした後に、めっき
を残す箇所にエッチングレジストを形成し、エッチング
レジストに覆われていない箇所をエッチング除去して回
路導体を形成する第1の方法が知られている。
[0004] As a method of manufacturing this build-up multilayer wiring board, an insulating layer of a thermosetting resin is formed on the surface of an inner layer circuit board having an inner layer circuit conductor and plated through holes formed therein, and a via hole is formed. The insulating layer is pierced by irradiating a laser beam, and the inside of the hole to be a via hole and the surface of the insulating layer are roughened with a roughening agent in order to enhance the adhesion with the plating performed in the next step, and the entire surface is plated. After that, a first method is known in which an etching resist is formed in a portion where plating is to be left, and a portion not covered with the etching resist is removed by etching to form a circuit conductor.

【0005】また、内層回路導体とめっきスルーホール
とが形成された内層回路板の表面に熱硬化性樹脂の絶縁
層を形成し、バイアホールとなる箇所にレーザー光を照
射して絶縁層に穴あけし、このバイアホールとなる穴の
内部と絶縁層の表面を次の工程で行うめっきとの密着性
を高めるために粗化剤で粗化し後に、めっきを行わない
箇所にめっきレジストを形成し、めっきを行って回路導
体を形成する第2の方法が知られている。
Further, an insulating layer of a thermosetting resin is formed on the surface of the inner layer circuit board having the inner layer circuit conductor and the plated through hole formed therein, and a laser beam is applied to a portion to be a via hole to form a hole in the insulating layer. Then, after roughening the inside of the hole serving as the via hole and the surface of the insulating layer with a roughening agent in order to increase the adhesion with plating performed in the next step, a plating resist is formed in a place where plating is not performed, A second method of forming a circuit conductor by plating is known.

【0006】また、内層回路導体とめっきスルーホール
とが形成された内層回路板の表面に光硬化性樹脂の絶縁
層を形成し、バイアホールとなる箇所以外の箇所を光硬
化し現像して絶縁層に穴あけし、このバイアホールとな
る穴の内部と絶縁層の表面を次の工程で行うめっきとの
密着性を高めるために粗化剤で粗化し、全面にめっきし
た後に、めっきを残す箇所にエッチングレジストを形成
し、エッチングレジストに覆われていない箇所をエッチ
ング除去して回路導体を形成する第3の方法が知られて
いる。
Further, an insulating layer of a photocurable resin is formed on the surface of the inner layer circuit board having the inner layer circuit conductor and the plated through hole formed therein, and the portions other than the via holes are photocured, developed, and insulated. Drilling the layer, roughening the inside of the hole that will be the via hole and the surface of the insulating layer with a roughening agent to improve the adhesion with the plating performed in the next step, plating over the entire surface, and leaving the plating A third method is known in which an etching resist is formed on a substrate, and a portion not covered with the etching resist is removed by etching to form a circuit conductor.

【0007】さらに、金属箔の粗化面に樹脂を塗布して
半硬化状態とした絶縁層付き金属箔を、内層回路導体と
めっきスルーホールとが形成された内層回路板の表面に
重ね、加熱・加圧して積層一体化した後に、金属箔のバ
イアホールとなる箇所のみをエッチング除去して開口部
を形成し、その開口部にレーザー光を照射して絶縁層に
穴あけし、めっきを行ってバイアホールの穴の内部を金
属化した後、不要な箇所の金属をエッチング除去して回
路導体を形成する第4の方法が知られている。この方法
では、樹脂絶縁層を粗化剤で粗化することなく、樹脂絶
縁層と導体回路となる金属箔との接着強度を確保するこ
とができる。
Further, a metal foil with an insulating layer, which has been semi-cured by applying a resin to the roughened surface of the metal foil, is overlaid on the surface of the inner circuit board on which the inner circuit conductors and plated through holes are formed, and heated.・ After pressurizing and laminating and integrating, only the portions that will become via holes in the metal foil are etched and removed to form openings, and the openings are irradiated with laser light to make holes in the insulating layer and plated. A fourth method is known in which after the inside of a via hole is metallized, unnecessary metal is removed by etching to form a circuit conductor. According to this method, the adhesive strength between the resin insulating layer and the metal foil serving as the conductor circuit can be ensured without roughening the resin insulating layer with a roughening agent.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】このような従来の方法
のうち、第2の方法では、回路の形成に、高温、高アル
カリ雰囲気で行う無電解めっきが必要となり、めっきレ
ジストにはこれに耐えうる樹脂を用いることが必要とな
り、現在ではそのようなめっきレジスト用の樹脂が知ら
れていないという課題がある。
Among the above conventional methods, the second method requires electroless plating performed in a high-temperature, high-alkaline atmosphere for forming a circuit, and the plating resist cannot withstand this. However, there is a problem that such a resin for a plating resist is not known at present.

【0009】また、第1の方法と第2の方法と第3の方
法では、絶縁層にはその後の工程で行うめっきとの密着
性を高める程度の粗化剤に粗化される性質が必要であ
り、しかも、一般的に使用できる化学粗化剤で粗化の程
度を制御できなければならない。ところが、通常は絶縁
性と粗化の制御のし易さが両立する樹脂組成は知られて
いないので、粗化され易い充填材を加えて分散させた樹
脂組成や、絶縁層として絶縁性を有する層と粗化され易
い層とを併用する方法を用いなければならず、粗化され
易い充填材を加えて分散させた樹脂組成を用いた場合に
は、高い密着強度を得るために充填材の粒子径を大きく
すると、形成する回路導体の間隔を小さくできないとい
う課題があり、絶縁層として絶縁性を有する層と粗化さ
れ易い層とを併用した場合には、どうしても表面には絶
縁性の低い粗化され易い層を使用しなければならず、こ
の場合もまた、形成する回路導体の間隔を小さくできな
いという課題がある。
In the first method, the second method, and the third method, the insulating layer needs to have a property of being roughened by a roughening agent to such an extent that the adhesion to plating performed in a subsequent step is enhanced. In addition, the degree of roughening must be controlled by a generally available chemical roughening agent. However, since there is no known resin composition in which both insulating properties and easy control of roughening are known, there is a resin composition in which a filler that is easily roughened is added and dispersed, and the insulating layer has insulating properties. It is necessary to use a method in which a layer and a layer that is easily roughened are used in combination, and when a resin composition in which a filler that is easily roughened is added and dispersed is used, in order to obtain high adhesion strength, When the particle diameter is increased, there is a problem that the interval between circuit conductors to be formed cannot be reduced, and when a layer having an insulating property and a layer that is easily roughened are used together as an insulating layer, the surface has a low insulating property. It is necessary to use a layer that is easily roughened, and in this case also, there is a problem that the interval between circuit conductors to be formed cannot be reduced.

【0010】第4の方法では、通常、接続信頼性を確保
するために、内層の回路導体と表面の回路導体とを接続
するためのめっきの厚さを10μm以上とする必要があ
り、そのうようにすると、同じ厚さのめっきが表面の金
属箔にも行われ、表面に形成する回路導体を形成するた
めに、金属箔の厚さとめっきの厚さを加えた厚さをエッ
チング除去しなければならず、より微細な回路導体の形
成が困難になるという課題がある。
In the fourth method, usually, in order to secure connection reliability, the plating thickness for connecting the inner layer circuit conductor and the surface circuit conductor needs to be 10 μm or more. By doing so, plating of the same thickness is also performed on the metal foil on the surface, and in order to form the circuit conductor formed on the surface, the thickness of the metal foil plus the plating thickness must be etched away. Therefore, there is a problem that it is difficult to form finer circuit conductors.

【0011】本発明は、微細な回路導体の形成が可能で
あり、かつ絶縁性と接続信頼性に優れたビルドアップ多
層配線板の製造方法を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a build-up multilayer wiring board which allows formation of fine circuit conductors and is excellent in insulation and connection reliability.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明のビルドアップ多
層配線板の製造方法は、以下の工程を有することを特徴
とする。 a.回路基板上に、半硬化状態の絶縁層と、粗化面を有
する極薄の金属層であって銅とエッチング除去条件が異
なる金属層とキャリア層としての銅層からなる複層材と
をこの順に、あるいは粗化面を有する極薄の金属層であ
って銅とエッチング除去条件が異なる金属層とキャリア
層としての銅層からなる複層材の極薄の金属層に接する
半硬化状の絶縁層を形成したものを、半硬化状態の絶縁
層が接するように重ね、加熱・加圧して、積層一体化す
る工程。 b.第1の基板からキャリア層のみを除去する工程。 d.粗化面を有する極薄の金属層の、バイアホールとな
る箇所に、レーザー光を照射して、内部の回路基板の回
路導体が露出するまで、除去する工程。 e.粗化面を有する極薄の金属層をエッチング除去する
工程。 f.バイアホールとなる穴の内壁と基板表面に無電解め
っきを行う工程。 g.基板表面のバイアホールとなる箇所と回路導体とな
る箇所を除いて、めっきレジストを形成する工程。 h.めっきレジストで覆われていない箇所に、電気めっ
きを行う工程。 i.めっきレジストを除去する工程。 j.除去しためっきレジストの下にあった無電解めっき
を、エッチング除去する工程。
A method of manufacturing a build-up multilayer wiring board according to the present invention includes the following steps. a. On a circuit board, a semi-cured insulating layer, an ultra-thin metal layer having a roughened surface, and a multilayer material including a copper layer as a carrier layer and a metal layer having different etching removal conditions from copper. A semi-cured insulation in contact with an ultra-thin metal layer of a multilayer material consisting of a copper layer as a carrier layer and an ultra-thin metal layer having a roughened surface and having different etching removal conditions from copper. A step of laminating the layers so that the semi-cured insulating layers are in contact with each other, and applying heat and pressure to laminate and integrate the layers. b. Removing only the carrier layer from the first substrate; d. A step of irradiating a portion of the ultrathin metal layer having a roughened surface to be a via hole with a laser beam until the circuit conductor of the internal circuit board is exposed. e. A step of etching and removing an extremely thin metal layer having a roughened surface. f. A step of performing electroless plating on the inner wall of the hole to be a via hole and the substrate surface. g. A step of forming a plating resist except for a portion to be a via hole and a portion to be a circuit conductor on the substrate surface. h. A step of electroplating a portion not covered with a plating resist. i. A step of removing the plating resist; j. A step of etching and removing the electroless plating under the removed plating resist.

【0013】粗化面を有する金属層の厚さは、0.1〜
10μmの範囲であることが好ましく、金属層の種類に
は、銅を用いることが好ましい。
The thickness of the metal layer having a roughened surface is 0.1 to
The thickness is preferably in the range of 10 μm, and copper is preferably used as the type of the metal layer.

【0014】また、工程jで作製したビルドアップ多層
配線板を、回路基板とし、さらに工程a〜工程jを繰り
返し行うことによって、さらに多層化を行うこともでき
る。
Further, by using the build-up multilayer wiring board produced in the step j as a circuit board and repeating the steps a to j, further multilayering can be performed.

【0015】半硬化状態の絶縁層に、ガラスクロスなど
の強化繊維を含まない材料を用いることもできる。
A material that does not contain reinforcing fibers, such as glass cloth, can be used for the semi-cured insulating layer.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】(工程a)工程aにおいて、半硬
化状の絶縁層には、レーザー光による穴あけが可能な樹
脂であればどのようなものでも使用でき、例えば、プリ
ント配線板に一般的に使用されているガラスクロスに、
半硬化性の樹脂を塗布したプリプレグを使用することが
でき、このプリプレグの樹脂には、エポキシ樹脂、変性
ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビ
スマレイミドトリアジン樹脂等が使用でき、また、ガラ
スクロスのような強化繊維を含まないフィルム状の絶縁
層を用いることもでき、このような絶縁層の樹脂にも、
エポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、
フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等が使
用でき、レーザー光による穴あけは容易となるので好ま
しい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Step a) In step a, any resin that can be drilled by a laser beam can be used for the semi-cured insulating layer. Glass cloth is used
A prepreg coated with a semi-curable resin can be used, and as the resin of the prepreg, an epoxy resin, a modified polyimide resin, a polyimide resin, a phenol resin, a bismaleimide triazine resin, or the like can be used. It is also possible to use a film-like insulating layer that does not contain such reinforcing fibers, such as the resin of the insulating layer,
Epoxy resin, modified polyimide resin, polyimide resin,
A phenol resin, a bismaleimide triazine resin, or the like can be used, and it is preferable because drilling with a laser beam becomes easy.

【0017】本発明に用いる、粗化面を有する金属層と
キャリア層から成る複層材において、キャリア層には、
銅を用いる。
[0017] In the multilayer material comprising a metal layer having a roughened surface and a carrier layer used in the present invention, the carrier layer comprises:
Use copper.

【0018】銅とエッチング除去条件が異なる、粗面を
有する極薄の金属層としては、例えば、Ni、Sn、P
bの他、Ni−P、Ni−B、はんだ等の合金を用いる
ことができ、さらには、粗化処理にも耐え得るものであ
ればより好ましく、粗化処理液として、アルカリ過マン
ガン酸溶液を用いる場合には、Ni、Ni−P、Ni−
B等が使用できる。
Examples of the ultrathin metal layer having a rough surface, which is different from copper in etching removal conditions, include, for example, Ni, Sn, P
In addition to b, alloys such as Ni-P, Ni-B, and solder can be used, and more preferably those that can withstand roughening treatment. When Ni, Ni-P, Ni-
B or the like can be used.

【0019】この金属層にはある程度の厚さが必要であ
り、厚過ぎると、その後の除去工程での効率が悪化した
り、材料費が大きくなるおそれがあり、また、薄い場合
には、取り扱い時の衝撃で後述する樹脂絶縁層に転写さ
れている粗化形状が損傷し易くなるので、加工条件に応
じて予め条件を求めるなどして、最適の範囲の厚さを選
択する必要があり、具体的には、極薄の金属層としてN
iを用いる場合には、0.1〜5μmのものが好まし
く、1〜3μm程度のものがより好ましい。
This metal layer needs to have a certain thickness, and if it is too thick, the efficiency in the subsequent removal step may deteriorate or the material cost may increase. Since the roughened shape transferred to the resin insulating layer described later is easily damaged by the impact at the time, it is necessary to select a thickness in an optimal range by obtaining conditions in advance according to processing conditions, etc. Specifically, as an extremely thin metal layer, N
When i is used, the thickness is preferably 0.1 to 5 μm, and more preferably about 1 to 3 μm.

【0020】(工程b)複層材からキャリア層を除去す
るには、銅のエッチング液によって行うことができ、例
えば、塩化銅、塩化鉄、アルカリ性エッチング液、過硫
酸アンモニウム、硫酸−過酸化水素等の一般的なエッチ
ング液が使用でき、市販品としては、エッチング液SE
−07(三菱瓦斯化学株式会社製、商品名)等が使用で
き、エッチング方法には、エッチング液に浸漬したり、
エッチング液を噴霧することによって行うことができ
る。
(Step b) The carrier layer can be removed from the multilayer material using a copper etchant, for example, copper chloride, iron chloride, alkaline etchant, ammonium persulfate, sulfuric acid-hydrogen peroxide, etc. General etching solution can be used, and commercially available etching solution SE
-07 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) can be used. Etching methods include immersion in an etching solution,
This can be performed by spraying an etching solution.

【0021】(工程d)粗化面を有する極薄の金属層と
その下の硬化した絶縁層を、回路基板の接続させる回路
導体が露出するまでレーザー光の照射によって除去する
には、CO2レーザ、エキシマレーザ、UVレーザ等が
使用でき、その後、過マンガン酸塩等の酸化性粗化液
で、穴内部を洗浄することが好ましい。
(Step d) In order to remove the extremely thin metal layer having a roughened surface and the cured insulating layer thereunder by irradiating a laser beam until a circuit conductor to be connected to a circuit board is exposed, a CO2 laser is used. , An excimer laser, a UV laser, or the like can be used, and then the inside of the hole is preferably cleaned with an oxidizing roughening liquid such as permanganate.

【0022】(工程e)粗化面を有する金属層を除去す
るには、極薄の金属層をNiとした場合の一例を示す
と、エッチング液でNiのみを選択的に除去するものと
して、メルストリップN−950(メルテックス株式会
社製、商品名)やニッケルストリッパーBR(日本マク
ダーミット株式会社製、商品名)等の市販品が使用でき
る。この場合、Niが2μmの厚みの場合は、温度20
〜80℃で、浸漬時間5〜30分であり、シャワー方式
であればさらに効率良く除去できる。
(Step e) To remove a metal layer having a roughened surface, an example in which an extremely thin metal layer is made of Ni is shown below. Commercial products such as Merstrip N-950 (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.) and nickel stripper BR (trade name, manufactured by McDermit Japan Co., Ltd.) can be used. In this case, when Ni has a thickness of 2 μm, the temperature is 20 μm.
The immersion time is 5 to 30 minutes at 80 ° C., and if the shower method is used, it can be removed more efficiently.

【0023】この金属層を除去するときに、銅をエッチ
ング除去しないので、バイアホールとなる穴の底の回路
基板の導体回路の損傷はほとんどない。
When the metal layer is removed, copper is not removed by etching, so that the conductor circuit on the circuit board at the bottom of the hole serving as the via hole is hardly damaged.

【0024】(工程f)バイアホールとなる穴の内部と
絶縁層の表面に、行う無電解めっきには、通常、プリン
ト配線板の製造に用いる、電気めっきの前処理として使
用される無電解めっきが使用でき、CUST201(日
立化成工業株式会社製、商品名)、CUST2000
(日立化成工業株式会社製、商品名)等の市販品が使用
できる。めっきの厚さは、次の工程の電気めっきが行え
る厚さであればよく、0.01μm以上であることが好
ましく、銅めっきであれば1μmでも十分である。
(Step f) The electroless plating which is performed on the inside of the hole serving as the via hole and on the surface of the insulating layer usually includes the electroless plating used as a pretreatment for the electroplating used in the manufacture of a printed wiring board. CUST201 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name), CUST2000
Commercial products such as (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) can be used. The thickness of the plating may be a thickness that enables electroplating in the next step, and is preferably 0.01 μm or more, and 1 μm is sufficient for copper plating.

【0025】(工程g)無電解めっきを行った表面の、
バイアホールとなる穴の箇所及び導体回路となる箇所以
外の箇所にめっきレジストを形成する工程において、形
成するめっきレジストの厚さは、その後めっきする導体
の厚さと同程度か、より厚い膜厚とするのが好ましい。
このめっきレジストに使用できる樹脂には、感光性樹脂
として、PMER P−LA900PM(東京応化工業
株式会社製、商品名)のような液状レジストや、H−W
425(日立化成工業株式会社製、商品名)、RY−3
025(日立化成工業株式会社製、商品名)等のドライ
フィルムが使用できる。
(Step g) of the surface subjected to the electroless plating,
In the step of forming a plating resist at a location other than a location of a hole to be a via hole and a location of a conductor circuit, the thickness of the plating resist to be formed is equal to or greater than the thickness of the conductor to be subsequently plated, and Is preferred.
Resins that can be used for the plating resist include, as photosensitive resins, liquid resists such as PMER P-LA900PM (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) and HW
425 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), RY-3
025 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) can be used.

【0026】(工程h)めっきレジストが形成されてい
ない箇所に、行う電気めっきには、通常プリント配線板
で使用される硫酸銅電気めっきやピロリン酸銅電気めっ
きが使用できる。なお、回路導体をめっきした後、特性
の安定化とレジストの剥離しやすさとの理由で、回路導
体をレジストの厚さとそろえるために、回路導体の表面
をベルトサンダーで研磨することができ、この場合に
は、めっきの厚さを、めっきレジストよりも厚くても良
い。
(Step h) For the electroplating to be performed on the portion where the plating resist is not formed, copper sulfate electroplating or copper pyrophosphate electroplating usually used for a printed wiring board can be used. After plating the circuit conductor, the surface of the circuit conductor can be polished with a belt sander in order to make the circuit conductor uniform with the thickness of the resist because of the stabilization of characteristics and the ease of peeling of the resist. In this case, the thickness of the plating may be thicker than the plating resist.

【0027】(工程i)めっきレジストを除去するに
は、アルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥
離液を用いることによって行うことができる。
(Step i) The plating resist can be removed by using an alkaline stripping solution, sulfuric acid or a commercially available resist stripping solution.

【0028】(工程j)めっきレジストを除去した箇所
の無電解めっきを、エッチング除去するには、塩化銅、
塩化鉄、アルカリ性エッチング液、過硫酸アンモニウ
ム、硫酸−過酸化水素等のエッチング液で、短時間に行
う。
(Step j) To remove the electroless plating from the portion where the plating resist has been removed by etching, copper chloride,
The etching is performed in a short time with an etching solution such as iron chloride, an alkaline etching solution, ammonium persulfate, and sulfuric acid-hydrogen peroxide.

【0029】(作用)このように本発明では、感光性樹
脂でパターン形成後、電気銅めっきにより、導体回路形
成を行うため、微細な配線を形成することが可能であ
り、また、粗化形状を有する薄い金属層を使用している
ため、この金属層をエッチング除去した時、内層銅のエ
ッチバックが殆ど無く、そのため、内層接続信頼性に問
題は生じない。そして、金属層の粗化形状を絶縁層に転
写するため、特殊な粗化性を有する樹脂絶縁層を使用す
る必要もなく、優れた回路接着性と絶縁性を得ることが
できる。また、レーザでの穴あけ時に、極薄の金属層が
表面に存在するため、作業時に、粗化面を損傷すること
もなく、微細な回路形成が可能となる。
(Function) As described above, according to the present invention, since a conductor circuit is formed by copper electroplating after patterning with a photosensitive resin, fine wiring can be formed. Is used, when the metal layer is removed by etching, there is almost no etch-back of the inner layer copper, so that there is no problem in the inner layer connection reliability. Then, since the roughened shape of the metal layer is transferred to the insulating layer, it is not necessary to use a resin insulating layer having a special roughening property, and excellent circuit adhesion and insulating properties can be obtained. Further, since an extremely thin metal layer is present on the surface when drilling with a laser, a fine circuit can be formed without damaging the roughened surface during operation.

【0030】[0030]

【実施例】実施例1 ・工程a 厚さ18μmの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ0.2m
mのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるMCL−E
−679(日立化成工業株式会社製、商品名)の不要な
銅箔をエッチング除去して回路導体19を加工して内層
の回路基板1を作製した。粗化面を有する極薄の金属層
であって銅とエッチング除去条件が異なる金属層とキャ
リア層としての銅層からなる複層材として、厚さ30μ
mの電解銅箔に、電解めっきを行って、こぶ状のめっき
を析出させ、さらに、電解めっきを行って、そのこぶ状
のめっきを成長させ、粗化面を形成し、その粗化面に、
電解ニッケルめっきを行って作製した。ニッケルの厚さ
は2μm、ニッケル粗面の表面粗さは、十点平均粗さ
7.5μm、標準長さ2.5mmであった。図1(a)
に示すように、上記複層材のニッケル層の表面に、半硬
化状の絶縁層として、MCF6000E(日立化成工業
株式会社製、商品名)に用いる充填材の硼酸アルミニウ
ムウイスカーを分散させたエポキシ樹脂ワニスを塗布し
て乾燥して半硬化状としたエポキシ接着層31を形成し
た、複層金属箔付きエポキシ接着シートを、接着層31
が回路基板1に接するように重ね、温度170℃、時間
60分間、成形圧力2.5MPaの積層条件で加熱・加
圧して積層一体化し、第1の基板11とした。 ・工程b 図1(b)に示すように、アンモニウム系アルカリエッ
チング液であるAプロセス(メルテックス株式会社製、
商品名)を用いて、第1の基板11のキャリア203を
エッチング除去し、2μmのニッケル層204を残し
た。 ・工程d 図1(d)に示すように、ニッケル層204とその下の
硬化したエポキシ接着層301の、バイアホール4とな
る箇所に、炭酸ガスレーザで、周波数300Hz、出力
0.75W、パルスエネルギー2.5mj、ショット数
6回の条件で、内層の回路基板1のバイアホール4で接
続する箇所の回路導体19が露出するまで除去した。 ・工程e その後、図1(e)に示すように、過マンガン酸カリウ
ム水溶液でスミア処理を行った後、ニッケルのエッチン
グ液であるメルストリップN−950(メルテックス株
式会社製、商品名)を用いて、第1の基板11の表面の
ニッケル層204を完全にエッチング除去した。 ・工程f 図1(f)に示すように、第1の基板11の表面に触媒
化処理を行い、CUST−201(日立化成工業株式会
社製、商品名)を使用し、液温25℃、30分の条件
で、無電解銅めっきを行い、厚さ1μmの第1のめっき
銅51を形成した。 ・工程g 次に、図1(g)に示すように、フォトレジスト用ドラ
イフィルムであるフォテックH−W425(日立化成工
業株式会社製、商品名)を、第1の基板11の第1のめ
っき銅51の表面にラミネートし、電気めっきを行う箇
所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、
現像して、めっきレジスト6を形成した。 ・工程h 次に、図1(h)に示すように、電気銅めっきを10μ
mほど行い、回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=5
0μm/50μmとなるように、第2のめっき銅71
を、回路の形状に形成した。 ・工程i 図1(i)に示すように、めっきレジスト6を3重量%
の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去した。 ・工程j 次に、図1(j)に示すように、アンモニウム系アルカ
リ銅エッチング液であるAプロセス液(メルテックス株
式会社製、商品名)に、室温で1分間浸漬し、めっきレ
ジスト6の下に形成されていた第1のめっき銅51をエ
ッチング除去した。
Example 1 Step 1 Step a: A copper foil having a thickness of 18 μm is bonded on both sides to a thickness of 0.2 m.
MCL-E, an epoxy copper-clad laminate with a glass cloth base
Unnecessary copper foil of -679 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was removed by etching, and the circuit conductor 19 was processed to produce the inner layer circuit board 1. An ultra-thin metal layer having a roughened surface and having a thickness of 30 μm as a multilayer material including a metal layer having different etching removal conditions from copper and a copper layer as a carrier layer.
m, electrolytic plating is performed on the electrolytic copper foil to deposit a bump-like plating, and further, electrolytic plating is performed to grow the bump-like plating, thereby forming a roughened surface, and forming the roughened surface on the roughened surface. ,
It was produced by performing electrolytic nickel plating. The thickness of the nickel was 2 μm, and the surface roughness of the rough nickel surface was a ten-point average roughness of 7.5 μm and a standard length of 2.5 mm. FIG. 1 (a)
As shown in the above, an epoxy resin in which a filler aluminum borate whisker used for MCF6000E (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is dispersed as a semi-cured insulating layer on the surface of the nickel layer of the multilayer material. An epoxy adhesive sheet with a multi-layer metal foil, in which a varnish is applied and dried to form a semi-cured epoxy adhesive layer 31, is applied to the adhesive layer 31.
Were laminated so as to be in contact with the circuit board 1, and were heated and pressed under a laminating condition of a temperature of 170 ° C., a time of 60 minutes and a molding pressure of 2.5 MPa to be laminated and integrated to form a first substrate 11. Step b As shown in FIG. 1 (b), an A process (manufactured by Meltex Co., Ltd.)
The carrier 203 of the first substrate 11 was removed by etching using (trade name) to leave a nickel layer 204 of 2 μm. Step d As shown in FIG. 1 (d), a portion of the nickel layer 204 and the cured epoxy adhesive layer 301 therebelow serving as the via hole 4 was subjected to a carbon dioxide gas laser at a frequency of 300 Hz, an output of 0.75 W, and pulse energy. Under the conditions of 2.5 mj and six shots, the circuit conductor 19 was removed until the circuit conductor 19 connected to the via hole 4 of the inner circuit board 1 was exposed. Step e Then, as shown in FIG. 1 (e), after performing a smear treatment with an aqueous solution of potassium permanganate, Melstrip N-950 (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.) which is an etching solution for nickel was applied. The nickel layer 204 on the surface of the first substrate 11 was completely removed by etching. Step f As shown in FIG. 1 (f), the surface of the first substrate 11 is catalyzed, and CUST-201 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is used. Under the condition of 30 minutes, electroless copper plating was performed to form first plated copper 51 having a thickness of 1 μm. Step g Next, as shown in FIG. 1 (g), a dry film for photoresist, Photek H-W425 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was applied to the first plating of the first substrate 11. Laminated on the surface of the copper 51, and exposed to ultraviolet light through a photomask masking the portion to be electroplated,
By developing, a plating resist 6 was formed. Step h Next, as shown in FIG.
m, circuit conductor width / circuit conductor interval (L / S) = 5
The thickness of the second plated copper 71 is set to be 0 μm / 50 μm.
Was formed in the shape of a circuit. Step i As shown in FIG. 1 (i), 3% by weight of plating resist 6
And dissolved with sodium hydrogen carbonate solution. Step j Next, as shown in FIG. 1 (j), the plating resist 6 is immersed in an A process solution (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.) which is an ammonium-based alkali copper etching solution at room temperature for 1 minute. The first plated copper 51 formed below was removed by etching.

【0031】実施例2 ・工程a 厚さ18μmの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ0.2m
mのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるMCL−E
−679(日立化成工業株式会社製、商品名)の不要な
銅箔をエッチング除去して回路導体19を加工し、内層
の回路基板1を作製した。次に、図2(a)に示すよう
に、回路基板の両面上に、半硬化状の絶縁層として厚さ
40μmのエポキシフィルム32であるAS3000
(日立化成工業株式会社製、商品名)と、粗化面を有す
る極薄の金属層であって銅とエッチング除去条件が異な
る金属層とキャリア層としての銅層からなる複層材とし
て、厚さ1μmのニッケル層204、厚さ35μmの銅
箔のキャリア203からなる粗化ニッケル付き銅箔Ni
MT−CF35(福田金属箔粉工業株式会社製、商品
名)を、ニッケル層204の粗化面がエポキシフィルム
32に接するように重ね、温度170℃、時間60分
間、成形圧力4.0MPaの条件で加熱・加圧して積層
一体化して、第1の基板11とした。 ・工程b 図2(b)に示すように、積層一体化した後、アンモニ
ウム系アルカリエッチング液であるAプロセス(メルテ
ックス株式会社製、商品名)を用いて、第1の基板11
のキャリア203をエッチング除去し、1μmのニッケ
ル層204を残した。 ・工程d 図2(d)に示すように、ニッケル層204とその下の
硬化したエポキシフィルム302の、バイアホール4と
なる箇所に、炭酸ガスレーザで、周波数300Hz、出
力0.75W、パルスエネルギー2.5mj、ショット
数6回の条件で、内層の回路基板1のバイアホール4で
接続する箇所の回路導体19が露出するまで除去した。
その後は、実施例1と同様に行った。
Example 2 Step a: A copper foil having a thickness of 18 μm is bonded on both sides to a thickness of 0.2 m.
MCL-E, an epoxy copper-clad laminate with a glass cloth base
Unnecessary copper foil of -679 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was removed by etching to process the circuit conductor 19, thereby producing the inner layer circuit board 1. Next, as shown in FIG. 2A, AS3000 which is an epoxy film 32 having a thickness of 40 μm as a semi-cured insulating layer is formed on both sides of the circuit board.
(Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name) and a very thin metal layer with a roughened surface, which has different etching removal conditions from copper, and a multilayer material consisting of a copper layer as a carrier layer, Copper foil Ni with roughened nickel comprising a nickel layer 204 having a thickness of 1 μm and a copper foil carrier 203 having a thickness of 35 μm
MT-CF35 (trade name, manufactured by Fukuda Metal Foil & Powder Industry Co., Ltd.) is superposed so that the roughened surface of the nickel layer 204 is in contact with the epoxy film 32, at a temperature of 170 ° C., for a time of 60 minutes, and at a molding pressure of 4.0 MPa. The first substrate 11 was formed by laminating and integrating by heating and pressing. Step b As shown in FIG. 2 (b), after lamination and integration, the first substrate 11 is processed using an A-process (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.) which is an ammonium-based alkali etching solution.
Was removed by etching to leave a 1 μm nickel layer 204. Step d As shown in FIG. 2 (d), a portion of the nickel layer 204 and the cured epoxy film 302 under the nickel layer 204, which becomes the via hole 4, was subjected to a carbon dioxide gas laser at a frequency of 300 Hz, an output of 0.75 W, and a pulse energy of 2. Under the conditions of 0.5 mj and six shots, the circuit conductor 19 was removed until the circuit conductor 19 connected to the via hole 4 of the inner circuit board 1 was exposed.
Thereafter, the same procedure as in Example 1 was performed.

【0032】実施例3 ・工程a 厚さ18μmの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ0.2m
mのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるMCL−E
−679(日立化成工業株式会社製、商品名)の不要な
箇所の銅箔をエッチング除去して回路導体19を加工
し、内層の回路基板1を作製した。次に、図3(a)に
示すように、回路基板1の両面上に、半硬化状の絶縁層
として、厚さ0.1mmのガラス布エポキシ樹脂製のプ
リプレグ33であるGEA−679(日立化成工業株式
会社製、商品名)と、粗化面を有する極薄の金属層であ
って銅とエッチング除去条件が異なる金属層とキャリア
層としての銅層からなる複層材として、厚さ1μmのニ
ッケル層204、厚さ35μmの銅箔のキャリア203
からなる粗化ニッケル付き銅箔NiMT−CF35(福
田金属箔粉工業株式会社製、商品名)を、ニッケル層2
04の粗化面がプリプレグ33に接するように重ね、温
度170℃、時間60分間、成形圧力4.0MPaの条
件で加熱・加圧して積層一体化して、第1の基板11と
した。 ・工程b 図3(b)に示すように、積層一体化した後、アンモニ
ウム系アルカリエッチング液であるAプロセス(メルテ
ックス株式会社製、商品名)を用いて、第1の基板11
のキャリア203をエッチング除去し、1μmのニッケ
ル層204を残した。 ・工程d 図3(d)に示すように、ニッケル層204とその下の
硬化したプリプレグ303の、バイアホール4となる箇
所に、炭酸ガスレーザで、周波数300Hz、出力0.
75W、パルスエネルギー2.5mj、ショット数6回
の条件で、内層の回路基板1のバイアホール4で接続す
る箇所の回路導体19が露出するまで除去した。その後
は、実施例1と同様に行った。
Example 3 Step a: A copper foil having a thickness of 18 μm is bonded on both sides to a thickness of 0.2 m.
MCL-E, an epoxy copper-clad laminate with a glass cloth base
Unnecessary portions of -679 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) were etched away to remove the copper foil, and the circuit conductor 19 was processed to produce the inner layer circuit board 1. Next, as shown in FIG. 3A, on both sides of the circuit board 1, as a semi-cured insulating layer, GEA-679 (Hitachi, a prepreg 33 made of glass cloth epoxy resin having a thickness of 0.1 mm) is used. 1 μm thick as a multi-layered material consisting of a metal layer having a roughened surface and having a different etching removal condition from copper, and a copper layer serving as a carrier layer. Nickel layer 204, 35 μm thick copper foil carrier 203
Copper foil NiMT-CF35 (trade name, manufactured by Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd.) made of
The first substrate 11 was laminated by laminating the roughened surface of No. 04 such that the roughened surface was in contact with the prepreg 33, and heated and pressed under the conditions of a temperature of 170 ° C., a time of 60 minutes and a molding pressure of 4.0 MPa. Step b As shown in FIG. 3 (b), after laminating and integrating, the first substrate 11 is processed using an A-process (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.) which is an ammonium-based alkali etching solution.
Was removed by etching to leave a 1 μm nickel layer 204. Step d As shown in FIG. 3D, a portion of the nickel layer 204 and the hardened prepreg 303 under the nickel layer 204 that becomes the via hole 4 was subjected to a carbon dioxide gas laser at a frequency of 300 Hz and an output of 0.1 mm.
Under the conditions of 75 W, pulse energy of 2.5 mj, and six shots, the circuit conductor 19 at the portion connected by the via hole 4 of the inner circuit board 1 was removed until the circuit conductor 19 was exposed. Thereafter, the same procedure as in Example 1 was performed.

【0033】比較例1 ・工程a 厚さ18μmの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ0.2m
mのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるMCL−E
−679(日立化成工業株式会社製、商品名)の不要な
銅箔をエッチング除去して回路導体19を加工して内層
の回路基板1を作製し、図4(a)に示すように、粗化
面を有する金属層として、一方の面を酸化処理して粗化
した厚さが18μmの銅箔21であるNDGR−18
(日本電解株式会社製、商品名)を用い、その銅箔21
の粗化面に、半硬化状の絶縁層として、厚さ40μmの
エポキシフィルム32であるAS3000(日立化成工
業株式会社製、商品名)を用い、エポキシフィルム32
が回路基板1に接するように重ね、温度170℃、時間
60分間、成形圧力4.0MPaの積層条件で加熱・加
圧して積層一体化し、第1の基板11とした。 ・工程B1 図4(B1)に示すように、積層一体化した後、塩化銅
エッチング液を用いて、銅箔21を全てエッチング除去
した。 ・工程D1 図4(D1)に示すように、銅箔21を全てエッチング
除去した第1の基板11のバイアホール4となる箇所の
硬化したエポキシフィルム302を、炭酸ガスレーザ
で、周波数300Hz、出力0.75W、パルスエネル
ギー2.5mj、ショット数6回の条件で、内層の回路
基板1のバイアホール4で接続する箇所の回路導体19
が露出するまで除去した。 ・工程F1 図4(F1)に示すように、銅箔21を全てエッチング
除去した第1の基板11を、過マンガン酸カリウム水溶
液に浸漬してスミア処理を行った後、触媒化処理を行
い、CUST−201(日立化成工業株式会社製、商品
名)を使用し、液温25℃、30分の条件で、無電解銅
めっきを行い、厚さ1μmの第3のめっき銅52を形成
した。 ・工程g 次に、図4(g)に示すように、フォトレジスト用ドラ
イフィルムであるフォテックH−W425(日立化成工
業株式会社製、商品名)を、第1の基板11にラミネー
トし、電気めっきを行う箇所をマスクしたフォトマスク
を介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト6
を形成した。 ・工程h 次に、図4(h)に示すように、電気銅めっきを10μ
mほど行い、回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=5
0μm/50μmとなるように回路導体を形成した。 ・工程i 図4(i)に示すように、めっきレジスト6を3重量%
の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去した。 ・工程j 次に、図4(j)に示すように、アンモニウム系アルカ
リ銅エッチング液であるAプロセス液(メルテックス株
式会社製、商品名)に、室温で1分間浸漬し、めっきレ
ジスト6の下に形成されていた第3のめっき銅52をエ
ッチング除去した。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 Step a: A copper foil having a thickness of 18 μm is bonded on both sides to a thickness of 0.2 m.
MCL-E, an epoxy copper-clad laminate with a glass cloth base
-679 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), unnecessary copper foil was removed by etching, and the circuit conductor 19 was processed to produce the inner layer circuit board 1. As shown in FIG. NDGR-18, which is a copper foil 21 having a thickness of 18 μm roughened by oxidizing one surface as a metal layer having a textured surface.
(Trade name, manufactured by Nippon Electrolysis Co., Ltd.)
As a semi-cured insulating layer, AS3000 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is an epoxy film 32 having a thickness of 40 μm, is used as a semi-cured insulating layer.
Were laminated so as to be in contact with the circuit board 1, and were heated and pressed under a laminating condition of a temperature of 170 ° C., a time of 60 minutes and a molding pressure of 4.0 MPa to be laminated and integrated to form a first substrate 11. Step B1 As shown in FIG. 4 (B1), after lamination and integration, the copper foil 21 was entirely removed by etching using a copper chloride etching solution. Step D1 As shown in FIG. 4 (D1), the cured epoxy film 302 at the portion to be the via hole 4 of the first substrate 11 from which all the copper foil 21 has been removed by etching is subjected to carbon dioxide gas laser at a frequency of 300 Hz and an output of 0 Under the conditions of 0.75 W, pulse energy of 2.5 mj, and six shots, the circuit conductor 19 at a location connected by the via hole 4 of the inner circuit board 1
Was removed until exposed. Step F1 As shown in FIG. 4 (F1), the first substrate 11 from which the copper foil 21 has been entirely removed by etching is immersed in an aqueous solution of potassium permanganate to perform a smearing treatment, and then a catalyzing treatment is performed. Using CUST-201 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), electroless copper plating was performed at a liquid temperature of 25 ° C. for 30 minutes to form third plated copper 52 having a thickness of 1 μm. Step g Next, as shown in FIG. 4G, phototech H-W425 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a dry film for photoresist, is laminated on the first substrate 11, and UV light is exposed and developed through a photomask that masks a portion where plating is to be performed.
Was formed. Step h Next, as shown in FIG.
m, circuit conductor width / circuit conductor interval (L / S) = 5
The circuit conductor was formed so as to be 0 μm / 50 μm. Step i As shown in FIG. 4 (i), the plating resist 6 is 3% by weight.
And dissolved with sodium hydrogen carbonate solution. Step j Next, as shown in FIG. 4 (j), the plating resist 6 was immersed in an A process solution (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.) which is an ammonium-based alkali copper etching solution at room temperature for 1 minute. The third plated copper 52 formed below was removed by etching.

【0034】比較例2 ・工程a 厚さ18μmの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ0.2m
mのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるMCL−E
−679(日立化成工業株式会社製、商品名)の不要な
箇所の銅箔をエッチング除去して回路導体19を加工
し、内層の回路基板1を作製した。次に、図5(a)に
示すように、回路基板1の両面上に、半硬化状の絶縁層
として、厚さ40μmのエポキシフィルム32であるA
S3000(日立化成工業株式会社製、商品名)を用
い、エポキシフィルム32と、粗化面を有する金属層と
して、一方の面を酸化処理して粗化した厚さ18μmの
銅箔21であるNDGR−18(日本電解株式会社製、
商品名)とを、この順に、かつ銅箔21の粗化面がエポ
キシフィルム32に接するように重ね、温度170℃、
時間60分間、成形圧力4.0MPaの条件で、加熱・
加圧して積層一体化し、第1の基板11とした。 ・工程C2 次に、図5(C2)に示すように、フォトレジスト用ド
ライフィルムであるフォテックH−W425(日立化成
工業株式会社製、商品名)を、第1の基板11にラミネ
ートし、バイアホール4となる箇所にマスクパターンを
形成したフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像し
てエッチングレジストを形成し、アンモニウム系アルカ
リ銅エッチング液であるAプロセス(メルテックス株式
会社製、商品名)を噴霧して、バイアホール4となる部
分のみ銅箔21をエッチング除去して開口部41を形成
した。 ・工程D2 図5(D2)に示すように、エッチングレジストを3重
量%の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去した
後、開口部41に露出した硬化した絶縁層である硬化し
たエポキシフィルム302を、炭酸ガスレーザで、周波
数300Hz、出力0.75W、パルスエネルギー2.
5mj、ショット数6回の条件で、内層の回路基板1の
バイアホール4で接続する箇所の回路導体19が露出す
るまで除去した。 ・工程E2 その後、図5(E2)に示すように、過マンガン酸カリ
ウム水溶液でスミア処理を行った後、塩化銅エッチング
液を用いて、第1の基板11の表面の銅箔21を全てエ
ッチング除去した。 ・工程f 図5(f)に示すように、第1の基板11の表面の触媒
化処理を行い、CUST−201(日立化成工業株式会
社製、商品名)を使用し、液温25℃、30分の条件
で、無電解銅めっきを行い、厚さ1μmの第3のめっき
銅52を形成した。 ・工程g 次に、図5(g)に示すように、フォトレジスト用ドラ
イフィルムであるフォテックH−W425(日立化成工
業株式会社製、商品名)を、第1の基板11にラミネー
トし、電気めっきを行う箇所をマスクしたフォトマスク
を介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト6
を形成した。 ・工程h 次に、図5(h)に示すように、電気銅めっきを10μ
mほど行い、回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=5
0μm/50μmとなるように、第4のめっき銅72を
回路の形状に形成した。 ・工程i 図5(i)に示すように、めっきレジスト6を3重量%
の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去した。 ・工程j 次に、図5(j)に示すように、アンモニウム系アルカ
リ銅エッチング液であるAプロセス液(メルテックス株
式会社製、商品名)に、室温で1分間浸漬し、めっきレ
ジスト6の下に形成されていた第4のめっき銅72をエ
ッチング除去した。
Comparative Example 2 Step a: A copper foil having a thickness of 18 μm is bonded to both sides and has a thickness of 0.2 m.
MCL-E, an epoxy copper-clad laminate with a glass cloth base
Unnecessary portions of -679 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) were etched away to remove the copper foil, and the circuit conductor 19 was processed to produce the inner layer circuit board 1. Next, as shown in FIG. 5A, a 40 μm-thick epoxy film 32 is formed on both sides of the circuit board 1 as a semi-cured insulating layer.
Using S3000 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), as an epoxy film 32 and a metal layer having a roughened surface, NDGR which is an 18 μm thick copper foil 21 roughened by oxidizing one surface. -18 (manufactured by Nippon Electrolysis Co., Ltd.
(Trade name) in this order and with the roughened surface of the copper foil 21 in contact with the epoxy film 32 at a temperature of 170 ° C.
Heating for 60 minutes at a molding pressure of 4.0 MPa
The first substrate 11 was formed by pressing and laminating and integrating. Step C2 Next, as shown in FIG. 5 (C2), phototech H-W425 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a dry film for a photoresist, is laminated on the first substrate 11, and the vias are formed. UV light is exposed through a photomask in which a mask pattern is formed in a portion to be the hole 4 and developed to form an etching resist, and an ammonium-based alkali copper etching solution, A process (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.) Was sprayed, and the copper foil 21 was removed by etching only in the portion to be the via hole 4 to form the opening 41. Step D2 As shown in FIG. 5 (D2), after the etching resist is removed by dissolving with a 3% by weight sodium hydrogen carbonate solution, the cured epoxy film 302 which is a cured insulating layer exposed to the opening 41 is removed. , CO2 laser, frequency 300Hz, output 0.75W, pulse energy 2.
Under the conditions of 5 mj and six shots, the circuit conductor 19 was removed until the circuit conductor 19 connected to the via hole 4 of the inner circuit board 1 was exposed. Step E2 Thereafter, as shown in FIG. 5 (E2), after performing a smear treatment with an aqueous solution of potassium permanganate, the copper foil 21 on the surface of the first substrate 11 is entirely etched using a copper chloride etching solution. Removed. Step f As shown in FIG. 5 (f), the surface of the first substrate 11 is catalyzed, and CUST-201 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is used. Under the condition of 30 minutes, electroless copper plating was performed to form third plated copper 52 having a thickness of 1 μm. Step g Next, as shown in FIG. 5 (g), phototech H-W425 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a dry film for photoresist, is laminated on the first substrate 11, and UV light is exposed and developed through a photomask that masks a portion where plating is to be performed.
Was formed. Step h Next, as shown in FIG.
m, circuit conductor width / circuit conductor interval (L / S) = 5
The fourth plated copper 72 was formed in a circuit shape so as to be 0 μm / 50 μm. Step i As shown in FIG. 5 (i), 3% by weight of plating resist 6
And dissolved with sodium hydrogen carbonate solution. Step j Next, as shown in FIG. 5 (j), the plating resist 6 is immersed in an A process solution (trade name, manufactured by Meltex Co., Ltd.) which is an ammonium-based alkali copper etching solution at room temperature for 1 minute. The fourth plated copper 72 formed below was removed by etching.

【0035】(ホットオイル試験)以上のようにして、
ビルドアップ多層配線板を作製した後、層間の接続信頼
性を評価するため、ホットオイル試験を行った。このホ
ットオイル試験は、260℃・10秒/室温10秒を1
サイクルとして、抵抗上昇率を10サイクル毎に測定
し、抵抗上昇率が10%以上になるサイクル数を調べ
た。この結果を表1に示す。 (回路欠陥発生率)また、配線板表面に作製したL/S
=50/50μmの導体回路の形成状態を調べるため、
自動検査装置を用い、断線、ショート、ヘコミ等の回路
欠陥の発生率を求めた。回路欠陥は、導体の幅が、設計
値の2/3以下に細くなっている箇所が導体幅の長さ以
上にあるのを欠陥とし、また、導体間隔が設計値の2/
3以下に細くなっている箇所が導体幅の長さ以上にある
のも欠陥とし、設計値の回路面積に対する欠陥個所の面
積の合計を割合として算出した。この結果を表1に示
す。
(Hot Oil Test) As described above,
After producing the build-up multilayer wiring board, a hot oil test was performed to evaluate the connection reliability between layers. In this hot oil test, 260 ° C. for 10 seconds / room temperature
As a cycle, the resistance increase rate was measured every 10 cycles, and the number of cycles at which the resistance increase rate was 10% or more was examined. Table 1 shows the results. (Circuit defect occurrence rate) In addition, L / S
= 50/50 μm to check the formation state of the conductor circuit,
Using an automatic inspection device, the occurrence rate of circuit defects such as disconnection, short circuit, and dent was determined. A circuit defect is defined as a defect in which a portion where the width of the conductor is reduced to 2/3 or less of the design value is longer than the length of the conductor width.
Defects are those where the portion narrowed to 3 or less is longer than the length of the conductor width, and the sum of the area of the defective portion to the circuit area of the design value was calculated as a ratio. Table 1 shows the results.

【0036】比較例1の場合、ホットオイル試験では5
0サイクル以上でも問題ないものの、表面回路の欠陥の
発生率は5%であり、回路形成性に問題があった。比較
例2の場合、ホットオイル試験では10サイクルで抵抗
上昇率が10%に達し、接続信頼性が不十分であった。
バイアホール断面を観察したところ、内層銅にネガティ
ブエッチバックが認められた。以上の結果より、本発明
による多層配線板は、回路形成性にも優れ、さらに層間
接続信頼性も十分であることがわかった。
In the case of Comparative Example 1, the hot oil test was 5
Although there was no problem even with 0 cycles or more, the incidence of surface circuit defects was 5%, and there was a problem in circuit formability. In the case of Comparative Example 2, in the hot oil test, the resistance increase rate reached 10% in 10 cycles, and the connection reliability was insufficient.
When the cross section of the via hole was observed, negative etchback was observed in the inner layer copper. From the above results, it was found that the multilayer wiring board according to the present invention was excellent in circuit formability and also had sufficient interlayer connection reliability.

【0037】[0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】[0038]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、従来の方法に比べて、回路形成性にも優れ、さらに
層間接続信頼性も問題無い多層配線板を、効率良くかつ
経済的に製造する方法を提供できる。
As described above, the present invention makes it possible to efficiently and economically manufacture a multilayer wiring board which is excellent in circuit formability and has no problem in the reliability of interlayer connection as compared with the conventional method. Can provide a way to

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)、(b)、(d)〜(j)は、本発明の
一実施例を示す各工程における断面図である。
1 (a), 1 (b), 1 (d) to 1 (j) are cross-sectional views in respective steps showing one embodiment of the present invention.

【図2】(a)、(b)、(d)は、本発明の他の実施
例を示す工程における断面図である。
2 (a), 2 (b) and 2 (d) are cross-sectional views in a process showing another embodiment of the present invention.

【図3】(a)、(b)、(d)は、本発明のさらに他
の実施例を示す工程における断面図である。
FIGS. 3 (a), (b) and (d) are cross-sectional views in a process showing still another embodiment of the present invention.

【図4】(a)、(B1)、(D1)、(F1)、
(g)〜(j)は、従来例を示す各工程における断面図
である。
FIG. 4 (a), (B1), (D1), (F1),
(G)-(j) is sectional drawing in each process which shows a prior art example.

【図5】(a)、(C2)、(D2)、(E2)、
(f)〜(j)は、他の従来例を示す各工程における断
面図である。
FIG. 5 (a), (C2), (D2), (E2),
(F)-(j) is sectional drawing in each process which shows another conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1.回路基板 11.第1の基板 19.回路導体 21.銅箔 203.キャリア 204.ニッケル層 31.エポキシ接着層 301.硬化したエポキシ接着層 32.エポキシフィルム 302.硬化したエポキシフィルム 33.プリプレグ 303.硬化したプリプレグ 4.バイアホール 41.開口部 51.第1のめっき銅 52.第3のめっき銅 6.めっきレジスト 71.第2のめっき銅 72.第4のめっき銅 1. Circuit board 11. First substrate 19. Circuit conductor 21. Copper foil 203. Carrier 204. Nickel layer 31. Epoxy adhesive layer 301. Cured epoxy adhesive layer 32. Epoxy film 302. Cured epoxy film 33. Prepreg 303. 3. cured prepreg Via hole 41. Opening 51. First plated copper 52. Third plated copper 6. Plating resist 71. Second plated copper 72. Fourth plated copper

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 豊樹 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 菅野 雅雄 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 品田 詠逸 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 島山 裕一 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 中祖 昭士 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 磯野 雅司 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 Fターム(参考) 5E346 AA02 AA06 AA12 AA15 AA43 BB01 CC08 CC09 CC10 CC13 CC31 CC32 CC58 CC60 DD02 DD23 DD24 DD25 DD33 DD47 EE02 EE06 EE07 EE33 EE38 EE39 FF13 FF14 FF15 GG01 GG15 GG17 GG22 GG23 GG28 HH07 HH08 HH26  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor, Toyoki Ito, 1500 Ogawa, Oji, Shimodate, Ibaraki Prefecture Inside Shimodate Research Laboratory, Hitachi Chemical Co., Ltd. (72) Masao Sugano, 1500 Ogawa, Oji, Shimodate, Ibaraki Hitachi, Ltd. Inside Shimodate Research Laboratory (72) Inventor Eita Shinada 1500 Oji Ogawa, Shimodate City, Ibaraki Pref.Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. In-house (72) Inventor Akishi Nakaso 48 Wadai, Tsukuba-shi, Ibaraki Pref.Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.Tsukuba Development Laboratory Co., Ltd. Terms (reference) 5E346 AA02 AA06 AA12 AA15 AA43 BB01 CC08 CC09 CC10 CC13 CC31 CC32 CC58 CC60 DD02 DD23 DD24 DD25 DD33 DD47 EE02 EE06 EE07 EE33 EE38 EE39 FF13 FF14 FF15 GG01 GG15 GG17 GG22 GG23 GG28 HH07 HH08 HH26

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】以下の工程を有することを特徴とするビル
ドアップ多層配線板の製造方法。 a.回路基板上に、半硬化状態の絶縁層と、粗化面を有
する極薄の金属層であって銅とエッチング除去条件が異
なる金属層とキャリア層としての銅層からなる複層材と
をこの順に、あるいは粗化面を有する極薄の金属層であ
って銅とエッチング除去条件が異なる金属層とキャリア
層としての銅層からなる複層材の極薄の金属層に接する
半硬化状の絶縁層を形成したものを、半硬化状態の絶縁
層が接するように重ね、加熱・加圧して、積層一体化す
る工程。 b.第1の基板からキャリア層のみを除去する工程。 d.バイアホールとなる箇所に、レーザー光を照射し
て、内部の回路基板の回路導体が露出するまで、除去す
る工程。 e.粗化面を有する極薄の金属層をエッチング除去する
工程。 f.バイアホールとなる穴の内壁と基板表面に無電解め
っきを行う工程。 g.基板表面のバイアホールとなる箇所と回路導体とな
る箇所を除いて、めっきレジストを形成する工程。 h.めっきレジストで覆われていない箇所に、電気めっ
きを行う工程。 i.めっきレジストを除去する工程。 j.除去しためっきレジストの下にあった無電解めっき
を、エッチング除去する工程。
1. A method for manufacturing a build-up multilayer wiring board, comprising the following steps. a. On a circuit board, a semi-cured insulating layer, an ultra-thin metal layer having a roughened surface, and a multilayer material including a copper layer as a carrier layer and a metal layer having different etching removal conditions from copper. A semi-cured insulation in contact with an ultra-thin metal layer of a multilayer material consisting of a copper layer as a carrier layer and an ultra-thin metal layer having a roughened surface and having different etching removal conditions from copper. A step of laminating the layers so that the semi-cured insulating layers are in contact with each other, and applying heat and pressure to laminate and integrate the layers. b. Removing only the carrier layer from the first substrate; d. A step of irradiating a portion of the via hole with a laser beam until the circuit conductor of the internal circuit board is exposed. e. A step of etching and removing an extremely thin metal layer having a roughened surface. f. A step of performing electroless plating on the inner wall of the hole to be a via hole and the substrate surface. g. A step of forming a plating resist except for a portion to be a via hole and a portion to be a circuit conductor on the substrate surface. h. A step of electroplating a portion not covered with a plating resist. i. A step of removing the plating resist; j. A step of etching and removing the electroless plating under the removed plating resist.
【請求項2】粗化面を有する金属層の厚さが、0.1〜
5μmの範囲の金属層を用いることを特徴とする請求項
1に記載のビルドアップ多層配線板の製造方法。
2. The metal layer having a roughened surface has a thickness of 0.1 to
2. The method according to claim 1, wherein a metal layer having a thickness of 5 [mu] m is used.
【請求項3】粗化面を有する金属層に、銅を用いること
を特徴とする請求項1または2に記載のビルドアップ多
層配線板の製造方法。
3. The method for producing a build-up multilayer wiring board according to claim 1, wherein copper is used for the metal layer having a roughened surface.
【請求項4】工程jで作製したビルドアップ多層配線板
を、回路基板とし、さらに工程a〜工程jを繰り返し行
うことを特徴とする請求項1〜3のうちいずれかに記載
されたビルドアップ多層配線板の製造方法。
4. The build-up according to claim 1, wherein the build-up multilayer wiring board produced in the step j is used as a circuit board, and the steps a to j are repeated. A method for manufacturing a multilayer wiring board.
【請求項5】半硬化状態の絶縁層として、ガラスクロス
などの強化繊維を含まない材料を用いることを特徴とす
る請求項1〜4のうちいずれかに記載のビルドアップ多
層配線板の構造方法。
5. The method according to claim 1, wherein a material containing no reinforcing fibers such as glass cloth is used as the semi-cured insulating layer. .
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267720A (en) * 2000-03-15 2001-09-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Method for machining laminated film substrate
JP2002261442A (en) * 2001-03-06 2002-09-13 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing multilayer printed wiring board
JP2002353629A (en) * 2001-05-24 2002-12-06 Victor Co Of Japan Ltd Method of manufacturing printed board
JP2007073834A (en) * 2005-09-08 2007-03-22 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring formation method on insulating resin layer
KR101317597B1 (en) 2012-03-30 2013-10-18 (주)인터플렉스 Method for forming via hole and outer circuit layer of printed circuit board

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267720A (en) * 2000-03-15 2001-09-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Method for machining laminated film substrate
JP2002261442A (en) * 2001-03-06 2002-09-13 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing multilayer printed wiring board
JP2002353629A (en) * 2001-05-24 2002-12-06 Victor Co Of Japan Ltd Method of manufacturing printed board
JP4593009B2 (en) * 2001-05-24 2010-12-08 株式会社メイコー Method for manufacturing printed circuit board
JP2007073834A (en) * 2005-09-08 2007-03-22 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring formation method on insulating resin layer
US7955454B2 (en) 2005-09-08 2011-06-07 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Method for forming wiring on insulating resin layer
KR101317597B1 (en) 2012-03-30 2013-10-18 (주)인터플렉스 Method for forming via hole and outer circuit layer of printed circuit board

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