JP2000031777A - トランスバーサル型弾性表面波フィルタ - Google Patents
トランスバーサル型弾性表面波フィルタInfo
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- JP2000031777A JP2000031777A JP10198317A JP19831798A JP2000031777A JP 2000031777 A JP2000031777 A JP 2000031777A JP 10198317 A JP10198317 A JP 10198317A JP 19831798 A JP19831798 A JP 19831798A JP 2000031777 A JP2000031777 A JP 2000031777A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トランスバーサルＳＡＷフィルタの保証減衰
量を改善する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に２つのＩＤＴ電極と、その
間に遮蔽電極を配置したトランスバーサルＳＡＷフィル
タであり、前記遮蔽電極の長さを開口長より長くすると
共にその両先端を両ＩＤＴ電極の方へ延長した構成とす
る。
量を改善する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に２つのＩＤＴ電極と、その
間に遮蔽電極を配置したトランスバーサルＳＡＷフィル
タであり、前記遮蔽電極の長さを開口長より長くすると
共にその両先端を両ＩＤＴ電極の方へ延長した構成とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はトランスバーサル型
弾性表面波フィルタ（以下、トランスバーサルＳＡＷフ
ィルタと称す）に関し、特に保証減衰量を改善したトラ
ンスバーサルＳＡＷフィルタに関する。
弾性表面波フィルタ（以下、トランスバーサルＳＡＷフ
ィルタと称す）に関し、特に保証減衰量を改善したトラ
ンスバーサルＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＡＷデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられてその普及の
一翼を担っている。図３は従来のトランスバーサルＳＡ
Ｗフィルタの構成を示す平面図であって、圧電基板１１
の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極１２
と、所定の間隔を空けてＩＤＴ電極１３を配置して構成
する。更に、ＩＤＴ電極１２からＩＤＴ電極１３へ直接
電気的に結合して漏洩する直達波を抑圧するため、ＩＤ
Ｔ電極１２と１３との間に、遮蔽電極１４を配置する場
合が多い。ＩＤＴ電極１２、１３はそれぞれ互いに間挿
し合う複数の電極指を有する一対の電極から構成され、
ＩＤＴ電極１２の一方のくし形電極は入力端子１（IN_
1）に接続されると共に、他方のくし形電極は入力端子
２（IN_2）接続されている。さらに、ＩＤＴ電極１３の
一方のくし形電極は出力端子１（OUT_1）に接続される
と共に、他方のくし形電極は出力端子２（OUT_2）接続
されている。なお、入力端子２と出力端子２を接地し
て、不平衡型として用いる場合もある。
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられてその普及の
一翼を担っている。図３は従来のトランスバーサルＳＡ
Ｗフィルタの構成を示す平面図であって、圧電基板１１
の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極１２
と、所定の間隔を空けてＩＤＴ電極１３を配置して構成
する。更に、ＩＤＴ電極１２からＩＤＴ電極１３へ直接
電気的に結合して漏洩する直達波を抑圧するため、ＩＤ
Ｔ電極１２と１３との間に、遮蔽電極１４を配置する場
合が多い。ＩＤＴ電極１２、１３はそれぞれ互いに間挿
し合う複数の電極指を有する一対の電極から構成され、
ＩＤＴ電極１２の一方のくし形電極は入力端子１（IN_
1）に接続されると共に、他方のくし形電極は入力端子
２（IN_2）接続されている。さらに、ＩＤＴ電極１３の
一方のくし形電極は出力端子１（OUT_1）に接続される
と共に、他方のくし形電極は出力端子２（OUT_2）接続
されている。なお、入力端子２と出力端子２を接地し
て、不平衡型として用いる場合もある。
【０００３】図３に示すトランスバーサルＳＡＷフィル
タの動作は、ＩＤＴ電極１２の入力端子１−２間（IN_1
−IN_2）に高周波電界を印加すると、圧電効果によって
弾性表面波が励起され、該弾性表面波はＩＤＴ電極１２
の図中左右に伝搬する。右方に伝搬した弾性表面波がＩ
ＤＴ電極１３に達すると、圧電逆効果により生じた高周
波電荷がＩＤＴ電極１３によってピックアップされて、
出力端子１−２間（OUT_1−OUT_2）に高周波電圧が生じ
ることになる。一般的にＩＤＴ電極１２、１３のピッチ
Ｐは同一ピッチとし、周知のように駆動される表面波の
中心周波数はｆ0は圧電基板１１の表面波速度Ｖとピッ
チＰによって、 ｆ0＝Ｖ／（２Ｐ） となる。
タの動作は、ＩＤＴ電極１２の入力端子１−２間（IN_1
−IN_2）に高周波電界を印加すると、圧電効果によって
弾性表面波が励起され、該弾性表面波はＩＤＴ電極１２
の図中左右に伝搬する。右方に伝搬した弾性表面波がＩ
ＤＴ電極１３に達すると、圧電逆効果により生じた高周
波電荷がＩＤＴ電極１３によってピックアップされて、
出力端子１−２間（OUT_1−OUT_2）に高周波電圧が生じ
ることになる。一般的にＩＤＴ電極１２、１３のピッチ
Ｐは同一ピッチとし、周知のように駆動される表面波の
中心周波数はｆ0は圧電基板１１の表面波速度Ｖとピッ
チＰによって、 ｆ0＝Ｖ／（２Ｐ） となる。
【０００４】図３に示す一方の正規型ＩＤＴ電極１２の
伝送特性は、電極対数をｎ、基準化周波数をΩ（＝（ω
−ω0）／ω0、ここでω0＝２πｆ0）とすると ｓｉｎ（ｎπΩ）／ｓｉｎ（πΩ） で表され、減衰極は１／ｎおきに現れ、その帯域幅は対
数ｎに反比例することはよく知られている。更に、図３
のように、ＩＤＴ電極１２、１３を備えたトランスバー
サルＳＡＷフィルタの伝送特性は、それぞれのＩＤＴ電
極の伝送特性の積で表される。
伝送特性は、電極対数をｎ、基準化周波数をΩ（＝（ω
−ω0）／ω0、ここでω0＝２πｆ0）とすると ｓｉｎ（ｎπΩ）／ｓｉｎ（πΩ） で表され、減衰極は１／ｎおきに現れ、その帯域幅は対
数ｎに反比例することはよく知られている。更に、図３
のように、ＩＤＴ電極１２、１３を備えたトランスバー
サルＳＡＷフィルタの伝送特性は、それぞれのＩＤＴ電
極の伝送特性の積で表される。
【０００５】上記のトランスバーサルＳＡＷフィルタの
特徴は、急峻な伝送特性が得られることと、位相の直線
性、即ち群遅延時間特性が良好なこと、平衡型構成が容
易であること等である。しかし、ＩＤＴ電極１２、１３
間を弾性表面波が３度伝搬することによりＴＴＥ（トリ
プルトランジットエコー）が発生し通過帯域内にリップ
ル等が現れるという欠点がある。
特徴は、急峻な伝送特性が得られることと、位相の直線
性、即ち群遅延時間特性が良好なこと、平衡型構成が容
易であること等である。しかし、ＩＤＴ電極１２、１３
間を弾性表面波が３度伝搬することによりＴＴＥ（トリ
プルトランジットエコー）が発生し通過帯域内にリップ
ル等が現れるという欠点がある。
【０００６】トランスバーサルＳＡＷフィルタの通過域
特性を改善する手法としては、ＩＤＴ電極の交差長を変
えること、即ち重み付けを施すのが一般的である。（重
み付けしたＩＤＴ電極をアポダイズド型ＩＤＴ電極をい
う。） 一般のトランスバーサルＳＡＷフィルタでは、入出力Ｉ
ＤＴ電極のうち一方をアポダイスド型とし、他方を正規
型とする構成が多い。当然のことながら、トランスバー
サルＳＡＷフィルタの特性は、双方のＩＤＴ電極の伝送
関数の積となる。図４は図３に示す従来のトランスバー
サルＳＡＷフィルタの濾波特性であり、入力ＩＤＴ電極
１２はアポダイズド型で１６０対のものを、出力ＩＤＴ
電極１３は正規型で４０対のものをそれぞれ用いてお
り、その中心周波数は１９０ＭＨｚ、帯域幅は５ＭＨｚ
である。
特性を改善する手法としては、ＩＤＴ電極の交差長を変
えること、即ち重み付けを施すのが一般的である。（重
み付けしたＩＤＴ電極をアポダイズド型ＩＤＴ電極をい
う。） 一般のトランスバーサルＳＡＷフィルタでは、入出力Ｉ
ＤＴ電極のうち一方をアポダイスド型とし、他方を正規
型とする構成が多い。当然のことながら、トランスバー
サルＳＡＷフィルタの特性は、双方のＩＤＴ電極の伝送
関数の積となる。図４は図３に示す従来のトランスバー
サルＳＡＷフィルタの濾波特性であり、入力ＩＤＴ電極
１２はアポダイズド型で１６０対のものを、出力ＩＤＴ
電極１３は正規型で４０対のものをそれぞれ用いてお
り、その中心周波数は１９０ＭＨｚ、帯域幅は５ＭＨｚ
である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ト
ランスバーサルＳＡＷフィルタを広帯域ＣＤＭＡに用い
るには、自身の信号レベルが微少なため外部雑音を十分
に抑圧すべく、中心周波数から１０ＭＨｚ離れた周波数
において５０ｄＢ以上の減衰が必要となるが、図４から
明らかのように保証減衰量が５０ｄＢを割り込むという
問題があった。本発明は上記問題を解決するためになさ
れたものであって、保証減衰量を十分に改善したトラン
スバーサルＳＡＷフィルタを提供することを目的とす
る。
ランスバーサルＳＡＷフィルタを広帯域ＣＤＭＡに用い
るには、自身の信号レベルが微少なため外部雑音を十分
に抑圧すべく、中心周波数から１０ＭＨｚ離れた周波数
において５０ｄＢ以上の減衰が必要となるが、図４から
明らかのように保証減衰量が５０ｄＢを割り込むという
問題があった。本発明は上記問題を解決するためになさ
れたものであって、保証減衰量を十分に改善したトラン
スバーサルＳＡＷフィルタを提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るトランスバーサル型弾性表面波フィルタ
の請求項１記載の発明は、圧電基板上に表面波の伝搬方
向に沿って複数のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の間に遮蔽
電極とを配置したトランスバーサル型弾性表面波フィル
タにおいて、前記遮蔽電極の長さを開口長より長くする
と共にその両先端を両ＩＤＴ電極を半ば包むように構成
したことを特徴とするトランスバーサル型弾性表面波フ
ィルタである。
に本発明に係るトランスバーサル型弾性表面波フィルタ
の請求項１記載の発明は、圧電基板上に表面波の伝搬方
向に沿って複数のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の間に遮蔽
電極とを配置したトランスバーサル型弾性表面波フィル
タにおいて、前記遮蔽電極の長さを開口長より長くする
と共にその両先端を両ＩＤＴ電極を半ば包むように構成
したことを特徴とするトランスバーサル型弾性表面波フ
ィルタである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るト
ランスバーサルＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であ
って、圧電基板１の主面上に表面波の伝搬方向に沿って
ＩＤＴ電極２と、所定の間隔を空けてＩＤＴ電極３を配
置し、ＩＤＴ電極２と３との間に遮蔽電極４を配設して
構成する。ＩＤＴ電極２、３はそれぞれ互いに間挿し合
う複数の電極指を有する一対の電極から構成され、ＩＤ
Ｔ電極２の一方のくし形電極は入力端子１（IN_1）に接
続すると共に、他方のくし形電極は入力端子２（IN_2）
接続する。さらに、ＩＤＴ電極３の一方のくし形電極は
出力端子１（OUT_1）に接続すると共に、他方のくし形
電極は出力端子２（OUT_2）接続する。図１は平衡型構
成のトランスバーサルＳＡＷフィルタの場合であるが、
入力端子２と出力端子２とを接地して、不平衡型として
用いることもできる。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るト
ランスバーサルＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であ
って、圧電基板１の主面上に表面波の伝搬方向に沿って
ＩＤＴ電極２と、所定の間隔を空けてＩＤＴ電極３を配
置し、ＩＤＴ電極２と３との間に遮蔽電極４を配設して
構成する。ＩＤＴ電極２、３はそれぞれ互いに間挿し合
う複数の電極指を有する一対の電極から構成され、ＩＤ
Ｔ電極２の一方のくし形電極は入力端子１（IN_1）に接
続すると共に、他方のくし形電極は入力端子２（IN_2）
接続する。さらに、ＩＤＴ電極３の一方のくし形電極は
出力端子１（OUT_1）に接続すると共に、他方のくし形
電極は出力端子２（OUT_2）接続する。図１は平衡型構
成のトランスバーサルＳＡＷフィルタの場合であるが、
入力端子２と出力端子２とを接地して、不平衡型として
用いることもできる。
【００１０】本発明の特徴は図１に示す遮蔽電極４の形
状であり、従来の遮蔽電極がスリット状であるのに対
し、本発明の遮蔽電極４はＩＤＴ電極２、３の開口長よ
り十分に長くすると共に、その両先端を図中左右方向、
即ちＩＤＴ電極２、３の方へ延長しＩ型構造としたもの
である。しかもＩ型構造の上下の部分を十分に長くし、
ＩＤＴ電極２、３を半ば包囲するように構成してある点
である。
状であり、従来の遮蔽電極がスリット状であるのに対
し、本発明の遮蔽電極４はＩＤＴ電極２、３の開口長よ
り十分に長くすると共に、その両先端を図中左右方向、
即ちＩＤＴ電極２、３の方へ延長しＩ型構造としたもの
である。しかもＩ型構造の上下の部分を十分に長くし、
ＩＤＴ電極２、３を半ば包囲するように構成してある点
である。
【００１１】上記のように、遮蔽電極４をＩＤＴ電極
２、３の間に配置すると、入出力端子端子間（IN_1、IN
_2）−（OUT_1、OUT_2）で直接電気的に結合して漏洩す
る直達波を従来の構造の遮蔽電極より大幅に抑圧するこ
とができるようになる。図２は本発明に係る遮蔽電極４
を用いた中心周波数１９０ＭＨｚ、帯域幅５ＭＨｚで、
入力ＩＤＴ電極２の電極対数は重み付けをした１６０
対、出力ＩＤＴ電極は正規型の４０対とした場合のトラ
ンスバーサルＳＡＷフィルタの実測例である。図２の濾
波特性から明らかのように低域側の保証減衰量は５０ｄ
Ｂをクリアしており、高域側でも改善されていることが
分かる。
２、３の間に配置すると、入出力端子端子間（IN_1、IN
_2）−（OUT_1、OUT_2）で直接電気的に結合して漏洩す
る直達波を従来の構造の遮蔽電極より大幅に抑圧するこ
とができるようになる。図２は本発明に係る遮蔽電極４
を用いた中心周波数１９０ＭＨｚ、帯域幅５ＭＨｚで、
入力ＩＤＴ電極２の電極対数は重み付けをした１６０
対、出力ＩＤＴ電極は正規型の４０対とした場合のトラ
ンスバーサルＳＡＷフィルタの実測例である。図２の濾
波特性から明らかのように低域側の保証減衰量は５０ｄ
Ｂをクリアしており、高域側でも改善されていることが
分かる。
【００１２】本発明に係る遮蔽電極４は必ずしもＩ型で
ある必要はなく入出力ＩＤＴ電極２、３を半ば包囲する
ように構成した遮蔽電極とするならば、同等の効果があ
る。
ある必要はなく入出力ＩＤＴ電極２、３を半ば包囲する
ように構成した遮蔽電極とするならば、同等の効果があ
る。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、入出力ＩＤＴ間の直達波を大幅に抑圧することが
できるため、保証減衰量を大きくしたトランスバーサル
ＳＡＷフィルタを構成でき、このフィルタを新方式のデ
ジタル携帯電話等に用いれば、その性能を大幅に向上す
るという優れた効果を奏す。
ので、入出力ＩＤＴ間の直達波を大幅に抑圧することが
できるため、保証減衰量を大きくしたトランスバーサル
ＳＡＷフィルタを構成でき、このフィルタを新方式のデ
ジタル携帯電話等に用いれば、その性能を大幅に向上す
るという優れた効果を奏す。
【図１】本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタ
の構成を示す平面図である。
の構成を示す平面図である。
【図２】本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタ
の伝送特性を示す図である。
の伝送特性を示す図である。
【図３】従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４】従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送
特性を示す図である。
特性を示す図である。
１・・ 圧電基板 ３・・ＩＤＴ電極 ４・・遮蔽電極
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
２つのＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の間に遮蔽電極とを配
置したトランスバーサル型弾性表面波フィルタにおい
て、前記遮蔽電極を前記ＩＤＴ電極の開口長よりも長く
すると共にその両端を表面波の伝搬方向とほぼ平行に延
在せしめ略Ｉ型としたことを特徴とするトランスバーサ
ル型弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198317A JP2000031777A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | トランスバーサル型弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198317A JP2000031777A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | トランスバーサル型弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031777A true JP2000031777A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16389119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10198317A Withdrawn JP2000031777A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | トランスバーサル型弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031777A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7292122B2 (en) | 2003-11-21 | 2007-11-06 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter and wireless device that employs the same |
-
1998
- 1998-07-14 JP JP10198317A patent/JP2000031777A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7292122B2 (en) | 2003-11-21 | 2007-11-06 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter and wireless device that employs the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070130 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070329 |