JP2000030938A

JP2000030938A - 磁性素子およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000030938A
Application number: JP10198547A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Goto; 章博後藤; Masanori Abe; 正規安部; Shoji Koyama; 昌二小山; Yasushi Negishi; 靖根岸; Yasuhisa Baba; 康壽馬場
Original assignee: Kanagawa Prefecture; Hirose Cherry Precision Co Ltd
Current assignee: Kanagawa Prefecture; Hirose Cherry Precision Co Ltd
Priority date: 1998-07-14
Filing date: 1998-07-14
Publication date: 2000-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】製造に際しては調整や工程が簡素であり且つ
品質が均一であり、また、使用に際しては機能や特性が
安定である大バルクハウゼンジャンプ現象を起こしうる
磁性素子を提供することである。【解決手段】磁性素子は、同一組成材料による成膜工
程において、途中で作製条件を変化させることにより保
磁力や異方性を制御して成膜される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気特性の異なる
少なくとも２つの磁性層を有した磁性素子に関するもの
であり、特に、大バルクハウゼンジャンプ現象を起こし
うる磁性素子およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、大バルクハウゼンジャンプ現象を
起こしうる磁性素子は、パルス発生装置や各種計測装置
および各種検知装置あるいは各種マーカー等広い範囲に
おいて利用されてきている。従来、大バルクハウゼンジ
ャンプ現象を起こしうる磁性素子については、ウィーガ
ンドワイヤをはじめとする各種のワイヤー状のものや、
アモルファス金属等からなる薄膜状のものなどが知られ
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ワイヤ
ー状のものにあっては、形状による制限が多く、設計や
使用において自由度が低いほか、母材である金属に熱処
理や機械加工等を施して製造するものであることから歩
留りが悪いという問題があった。

【０００４】一方、薄膜状のものにあっては、磁性層の
各々を磁気特性の異なるものとするために、各磁性層の
形成にあたって別々の出発材料を使用するのが一般的で
あり、例えば、ハード層とソフト層とを形成するのに別
々の出発材料を使用しているのが一般的であった。特開
昭６４−８０１２１号公報には、この種の薄膜磁性素子
が開示されているが、この従来の薄膜磁性素子において
も、各磁性層を、組成およびその保磁力が異なる異種類
の材料にて形成している。従来の薄膜状の磁性素子で
は、これらのこともあって、膜組成に関する材料の選択
や設定および非晶質構造とするための成膜工程等におい
て微妙な調整や複雑な工程が多数必要となるという問題
があった。特に、結晶の構造を規定することとなる基板
温度の設定については、加熱や冷却に際して厳密な調整
管理が必要となる他、基板自体の変質による特性の不安
定化に対しても厳密な注意が必要となる等、工程が極め
て複雑になるという問題があった。

【０００５】また、総じて従来の大バルクハウゼンジャ
ンプ現象を起こしうる磁性素子にあっては、使用時にお
いて外部からの曲げや引張り等何らかの力を加えておく
必要があることから、特性が不安定となり易く、この外
力を恒常的に且つ厳密に維持して使用する必要があり、
運用が相当に困難であるという問題があった。

【０００６】このような種々の問題が未だ解決されてい
ないことから、大バルクハウゼンジャンプ現象を起こし
うる磁性素子を利用した機器類や装置類の実用化につい
ては、極めて困難を伴うものとなっていた。

【０００７】したがって、製造に際しては調整や工程が
簡素であり且つ品質が均一であり、また、使用に際して
は機能や特性が安定であるような、大バルクハウゼンジ
ャンプ現象を起こしうる磁性素子の出現が強く要望され
ている。

【０００８】本発明の目的は、前述したような従来技術
の問題点を解消し、前述したような要望に十分に応えう
るような磁性素子およびその製造方法を提供することで
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の一つの観点によ
れば、磁気特性の異なる少なくとも２つの磁性層を有し
た磁性素子において、前記磁性層は、同一組成材料にて
形成されていることを特徴とする。

【００１０】本発明の別の観点によれば、磁気特性の異
なる少なくとも２つの磁性層を有し大バルクハウゼンジ
ャンプ現象を起こしうる磁性素子において、前記磁性層
の各々は、同一組成材料による成膜工程において、該成
膜工程の作製条件のうちの少なくとも１つを途中で変化
させることにより、互いに異なる保磁力および／または
異方性を有したものとされたことを特徴とする。

【００１１】本発明のもう一つ別の観点によれば、磁気
特性の異なる少なくとも２つの磁性層を有し大バルクハ
ウゼンジャンプ現象を起こしうる磁性素子の製造方法に
おいて、前記磁性層の各々を同一組成材料による成膜工
程により形成し、該成膜工程において、成膜により形成
される前記磁性層の各々が、互いに異なる保磁力および
／または異方性を有するように、該成膜工程の途中にお
いて、該成膜工程の作製条件のうちの少なくとも１つを
途中で変化させることを特徴とする。

【００１２】本発明の一つの実施の形態によれば、前記
成膜工程は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、メッキ法のうちのい
ずれかである。

【００１３】本発明の別の実施の形態によれば、前記成
膜工程は、鉄−ニッケル比において３５：６５〜６５：
３５のパーマロイをターゲット材としたスパッタリング
法であり、その作製条件のうちガス圧について0.３５Ｐ
ａ以下および0.４５Ｐａ以上として変化させる。

【００１４】本発明のさらに別の実施の形態によれば、
前記成膜工程は、鉄−ニッケル比において３５：６５〜
６５：３５のパーマロイをターゲット材としたスパッタ
リング法であり、その作製条件のうち基板入射角につい
て５０°以下および６０°以上として変化させる。

【００１５】本発明のさらに別の実施の形態によれば、
前記成膜工程は、パーマロイを蒸発源材とした真空蒸着
方法であり、その作製条件のうち蒸発源材の温度につい
てニッケルの蒸発温度以上で且つ鉄の蒸発温度以下およ
び鉄の蒸発温度以上として変化させる。

【００１６】本発明のさらに別の実施の形態によれば、
前記成膜工程は、パーマロイを蒸発源材とした真空蒸着
法であり、その作製条件のうち基板入射角について５０
°付近および３０°以下または６０°以上として変換さ
せる。

【００１７】本発明のさらに別の実施の形態によれば、
前記成膜工程は、ＮｉＳＯ₄＋ＮｉＣｌ₂＋ＦｅＳＯ₄
をメッキ液としたメッキ法であり、その作製条件のうち
ｐＨについて1.５以下および2.５以上として変化させ
る。

【００１８】本発明のさらに別の実施の形態によれば、
前記成膜工程は、ＮｉＳＯ₄＋ＮｉＣｌ₂＋ＦｅＳＯ₄
をメッキ液としたメッキ法であり、その作製条件のうち
液温について６５°Ｃ以下および７５°Ｃ以上として変
化させる。

【００１９】

【発明の実施の形態】次に、添付図面に基づいて、本発
明の実施の形態について、本発明をより詳細に説明す
る。

【００２０】なお、本発明の実施の形態を説明するに先
立ち、大バルクハウゼンジャンプ現象を起こしうる磁性
素子について概略説明しておく。大バルクハウゼンジャ
ンプ現象を起こしうる磁性素子については、例えば、鉄
−ニッケル系合金あるいは鉄−コバルト系合金等を基材
としたものや、アモルファスを基材としたものがある。
また、構造としてはハード層とソフト層とを有する複層
構造あるいは単層構造としたものが知られている。この
ような磁性素子に対し、互いに異なる極性の外部磁界を
交互に作用させると、急激な磁壁の移動により磁化の反
転を起こし、これにより近傍のピックアップコイルに急
激なパルス電圧を誘起する。この磁化の反転は、外部磁
界の作用速度に依存せず、外部磁界が一定の強さとなっ
た際に起こるものであり、このような磁壁の急激な移動
による反転現象を大バルクハウゼンジャンプ現象と称し
ている。磁壁の移動に関しては、保磁力や異方性が密接
に関わっている。

【００２１】このような磁性素子を薄膜にて形成するた
めの成膜工程および各作製条件としては、次のようなも
のがある。（１）ＰＶＤ法（ａ）スパッタリング法可変作製条件としては、ガスの種類、ガス圧、基板温
度、成膜電力、基板とターゲットの位置と傾き（成膜入
射角）、成膜時の磁場等がある。（ｂ）真空蒸着法（イオンプレーティングを含む）可変作製条件としては、ガス雰囲気の種類、ガス圧、基
板温度、真空度、蒸発源の温度（蒸気圧）、基板と蒸発
源との位置と傾き、成膜時の磁場等がある。（２）メッキ法可変作製条件としては、酸／アルカリ度（ｐＨ）、液
温、電流密度、液組成比、交流重畳、成膜時の磁場等が
ある。（３）ＣＶＤ法可変作製条件としては、成膜温度、基板温度、ガス流
量、ガスの導入口の位置、プラズマ電力（プラズマＣＶ
Ｄの場合）、成膜時の磁場等がある。

【００２２】本発明は、このような各成膜工程における
種々の作製条件を成膜工程の途中において変更すること
により、保磁力や異方性を制御して成膜し、大バルクハ
ウゼンジャンプ現象を起こしうる磁性素子を得るもので
ある。

【００２３】次に、本発明による磁性素子を製造するい
くつかの実施の形態について説明していく。図１は、本
発明による磁性素子の一つの具体的な構造を概略的に示
している。この磁性素子１０は、基板１上に第１の磁性
層２、この第１の磁性層２の上に第２の磁性層３を形成
してなっている。これら第１の磁性層２と第２の磁性層
３とは、互いに磁気特性を異にしており、例えば、保磁
力および／または異方性を異にしている。参照符号２０
は、この磁性素子１０の使用に際して施される検知コイ
ルを示している。

【００２４】先ず、本発明の第１の実施の形態として、
図１のような構造の磁性素子をスパッタリング法により
形成する場合について説明する。基板１は、ガラスと
し、第１の磁性層２および第２の磁性層３は、共に、鉄
−ニッケル比において４５：５５のパーマロイをターゲ
ット材料として、スパッタリング法により形成される。
この実施例において、鉄−ニッケル比を４５：５５とし
た理由は、図２のグラフに示されるように、一軸異方性
が高い点であり、大バルクハウゼンジャンプ現象を起こ
し易い点であるからである。しかし、本発明は、これに
限定されず、鉄−ニッケル比は、３５：６５〜６５：３
５の範囲が、実用上選択可能な範囲であり、本発明は、
このような範囲も含むものである。

【００２５】本発明によれば、第１の磁性層２および第
２の磁性層３について、同一組成材料で形成されるにも
かかわらず、互いに異なる所定の保磁力および異方性を
有するようにするために、第１の磁性層２については、
0.５Ｐａのアルゴンガス圧にて形成し、次いで、第２の
磁性層３については、0.３Ｐａのアルゴンガス圧にて形
成した。なお、その他の作製条件としては、成膜電力を
１５０Ｗ、基板入射角を４５°、膜厚を３０００Åとし
た。

【００２６】この実施例で、0.５Ｐａおよび0.３Ｐａと
した理由は、図３および図４のグラフに示すように、変
化の分岐点（異方性）が約0.４Ｐａであり、この点を挟
んで十分に差を持たせることができる２点を選択したと
いうことである。しかし、本発明は、これに限定され
ず、アルゴンガス圧は、0.３５以下と0.４５以上の範囲
が実用上選択可能な範囲であり、各種の機器装置に対し
て、それらの範囲内においてアルゴンガスを適宜選定す
ることができ、本発明は、このような範囲も含むもので
ある。

【００２７】このように構成した磁性素子１０に対して
交番磁界1.０Ｈｚにて作用させた結果、磁性素子１０を
取り巻くように配置した検知コイル２０には、約1.０ｖ
の急峻なパルス状電圧が発生した。

【００２８】次に、本発明の第２の実施の形態として、
図１のような構造の磁性素子をスパッタリング法により
別の仕方で形成する場合について説明する。基板１は、
ガラスとし、第１の磁性層２および第２の磁性層３は、
共に、鉄−ニッケル比において４５：５５のパーマロイ
をターゲット材料として、スパッタリング法により形成
される。この実施例において、鉄−ニッケル比を４５：
５５とした理由は、図２のグラフに示されるように、一
軸異方性が高い点であり、大バルクハウゼンジャンプ現
象を起こし易い点であるからである。しかし、本発明
は、これに限定されず、鉄−ニッケル比は、３５：６５
〜６５：３５の範囲が、実用上選択可能な範囲であり、
本発明は、このような範囲も含むものである。

【００２９】本発明によれば、第１の磁性層２および第
２の磁性層３について、同一組成材料で形成されるにも
かかわらず、互いに異なる所定の保磁力および異方性を
有するようにするために、第１の磁性層２については、
３０°の基板入射角にて形成し、次いで、第２の磁性層
３については、６５°の基板入射角にて形成した。な
お、その他の作製条件としては、ガスの種類をアルゴン
ガス、ガス圧を1.１Ｐａ、成膜電力を１５０Ｗ、膜厚を
３０００Åとした。

【００３０】この実施例で、基板入射角を３０°、６５
°とした理由は、図５および図６のグラフに示すよう
に、保磁力および異方性の変化の分岐点が約５５°であ
り、この点を挟んで十分に差を持たせることができる２
点を選択したということである。しかし、本発明は、こ
れに限定されず、基板入射角は、５０°以下および６０
°以上の範囲が実用上選択可能な範囲であり、各種の機
器装置に対して、それらの範囲内において基板入射角を
適宜選定することができ、本発明は、このような範囲も
含むものである。

【００３１】次に、本発明の第３の実施の形態として、
図１のような構造の磁性素子を真空蒸着法により形成す
る場合について説明する。基板１は、ガラスとし、第１
の磁性層２および第２の磁性層３は、共に、パーマロイ
を蒸発源として真空蒸着法により形成される。

【００３２】本発明によれば、第１の磁性層２および第
２の磁性層３について、同一の蒸発源を維持するにもか
かわらず、互いに異なる所定の保磁力および異方性を有
するようにするために、第１の磁性層２については、蒸
発源の温度を１４７０°Ｃとして形成し、次いで、第２
の磁性層３については、蒸発源の温度を１５５０°Ｃと
して形成した。なお、その他の作製条件としては、基板
温度を３００°Ｃ、基板入射角を５０°、膜厚を１１０
００Åとした。パーマロイにおいて鉄とニッケルの融点
が違うので、蒸発源の温度によって蒸発する比が変わ
る。したがって、蒸着した膜の組成（鉄とニッケルとの
比）が変わる。すると、図７および図２のグラフから分
かるように、磁気特性（保磁力、異方性）に自ずと違い
が出ることになる。

【００３３】この実施例で、蒸発源の温度を１４７０°
Ｃおよび１５５０°Ｃとした理由は、１４７０°Ｃがニ
ッケルの融点（１４５５°Ｃ）以上で且つ鉄の融点（１
５３５°Ｃ）以下の点であり、１５５０°Ｃが鉄の融点
（１５３５°Ｃ）以上の点であるということである。し
かし、本発明は、これに限定されず、ニッケルの蒸発温
度以上で且つ鉄の蒸発温度以下の温度でニッケルリッチ
の成膜となり、鉄の蒸発温度以上の温度で第１層よりは
鉄リッチの成膜となるので、本発明は、ニッケルの蒸発
温度以上で且つ鉄の蒸発温度以下および鉄の蒸発温度以
上の温度という範囲を含むものである。なお、１気圧で
の融点と真空中での蒸発温度はやや違うので蒸発温度と
している。

【００３４】次に、本発明の第４の実施の形態として、
図１のような構造の磁性素子を真空蒸着法により別の仕
方で形成する場合について説明する。基板１は、ガラス
とし、第１の磁性層２および第２の磁性層３は、共に、
パーマロイを蒸発源として真空蒸着法により形成され
る。

【００３５】本発明によれば、第１の磁性層２および第
２の磁性層３について、同一組成材料で形成されるにも
かかわらず、互いに異なる所定の保磁力および異方性を
有するようにするために、第１の磁性層２については、
基板入射角を３０°として形成し、次いで、第２の磁性
層３については、基板入射角を５０°として形成した。
なお、その他の作製条件としては、蒸発源の温度を１５
３５°Ｃ、基板温度を３００°Ｃ、膜厚を１１０００Å
とした。

【００３６】この実施例で、基板入射角を３０°および
５０°とした理由は、図９および図１０のグラフに示す
ように、保磁力および異方性の変化のピークが約５０°
であり、このピーク点およびこの点から十分に差を持た
せることができる２点を選択したということである。し
かし、本発明は、これに限定されず、５０°付近および
３０°以下または６０°以上の範囲が実用上選択可能な
範囲であり、各種の機器装置に対して、それらの範囲内
において基板入射角を適宜選定することができ、本発明
は、このような範囲も含むものである。

【００３７】次に、本発明の第５の実施の形態として、
図１のような構造の磁性素子をメッキ法により形成する
場合について説明する。基板１上に、第１の磁性層２お
よび第２の磁性層３は、共に、ＮｉＳＯ₄＋ＮｉＣｌ₂
＋ＦｅＳＯ₄のメッキ液組成を用いて、メッキ法により
形成される。

【００３８】本発明によれば、第１の磁性層２および第
２の磁性層３について、同一組成のメッキ液を使用する
にもかかわらず、互いに異なる所定の保磁力および異方
性を有するようにするために、第１の磁性層２について
は、メッキ液のｐＨを3.５として形成し、次いで、第２
の磁性層３については、メッキ液のｐＨを1.０として形
成した。なお、その他の作製条件としては、液温を４５
°Ｃ、電流密度を１０ｍＡ／cm²、膜厚を１μｍとし
た。

【００３９】この実施例で、ｐＨを3.５、1.０とした理
由は、図１０および図１１のグラフに示すように、変化
の分岐点が約ｐＨ2.０であり、この点を挟んで十分に差
を持たせることができる２点を選択したということであ
る。しかし、本発明は、これに限定されず、1.５以下お
よび2.５以上の範囲が実用上選択可能な範囲であり、各
種の機器装置に対して、それらの範囲内においてｐＨを
適宜選定することができ、本発明は、このような範囲も
含むものである。

【００４０】次に、本発明の第６の実施の形態として、
図１のような構造の磁性素子をメッキ法により別の仕方
で形成する場合について説明する。基板１上に、第１の
磁性層２および第２の磁性層３は、共に、ＮｉＳＯ₄＋
ＮｉＣｌ₂＋ＦｅＳＯ₄のメッキ液組成を用いて、メッ
キ法により形成される。

【００４１】本発明によれば、第１の磁性層２および第
２の磁性層３について、同一組成のメッキ液を使用する
にもかかわらず、互いに異なる所定の保磁力および異方
性を有するようにするために、第１の磁性層２について
は、メッキ液の液温を５０°Ｃとして形成し、次いで、
第２の磁性層３については、メッキ液の液温を８０°Ｃ
として形成した。なお、その他の作製条件としては、ｐ
Ｈを2.５、電流密度を１０ｍＡ／cm²、膜厚を１μｍと
した。

【００４２】この実施例で、液温を５０°Ｃ、８０°Ｃ
とした理由は、図１２および図１３のグラフに示すよう
に、変化の分岐点が約７０°Ｃであり、この点を挟んで
十分に差を持たせることができる２点を選択したという
ことである。しかし、本発明は、これに限定されず、６
５°Ｃ以下および７５°Ｃ以上の範囲が実用上選択可能
な範囲であり、各種の機器装置に対して、それらの範囲
内において液温を適宜選定することができ、本発明は、
このような範囲も含むものである。

【００４３】なお、成膜工程をスパッタリング法、真空
蒸着法、メッキ法とした場合における本発明の実施の形
態について詳述してきたのであるが、本発明によれば、
成膜工程をＣＶＤ法とした場合でも同様の効果が得られ
ることを確認している。例えば、成膜工程をＣＶＤ法と
した場合において、その作製条件のうちプラズマ電力を
途中で変化させることにより、各磁性層の保磁力を異な
らせる制御が可能である。

【００４４】また、前述した実施の形態にて説明した以
外の成膜方法および作製条件についても、その成膜工程
において種々の作製条件を途中で変化させた場合には、
一般的に保磁力や異方性に変化を生じる傾向があり、こ
れを利用して保磁力や異方性を制御して成膜し大バルク
ハウゼンジャンプ現象を起こしうる磁性素子を得ること
ができる。

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、前述してきたとおり、
磁性素子の各磁性層の形成において原材料を変える必要
がなく、製造に際しては調整や工程が簡素であり且つ品
質が均一であり、また、使用に際しては機能や特性が安
定である大バルクハウゼンジャンプ現象を起こしうる磁
性素子を得ることができる。

【００４６】すなわち、熱処理や機械加工等の金属加工
によらず、また、材料の選択や成膜における複雑な工程
も必要とせず、一般的な成膜技術と簡素な調整により均
一性の高い磁性素子を形成することができる。また、使
用時においても外部からの曲げや引張り等の力を加えて
おく必要がなく、安定性が高く、運用が容易な磁性素子
を形成することができる。

【００４７】また、成膜組成材料を同一とし、成膜工程
の途中において作製条件を変更するだけの簡便な製造方
法であることから、製造装置の簡略化や製造時間の短縮
あるいは大量生産や大幅なコストダウンが可能となるな
ど、製造効率が格段に向上するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁性素子の一つの具体的な構造を
示す概略図である。

【図２】鉄−ニッケル合金の組成比と異方性との関係を
示す図である。

【図３】鉄−ニッケル合金をターゲット材としたスパッ
タリング法により形成された膜に関する実験データとし
てのガス圧と保磁力との関係を示す図である。

【図４】鉄−ニッケル合金をターゲット材としたスパッ
タリング法により形成された膜に関する実験データとし
てのガス圧と異方性との関係を示す図である。

【図５】鉄−ニッケル合金をターゲット材としたスパッ
タリング法により形成された膜に関する実験データとし
てのスパッタ入射角と保磁力との関係を示す図である。

【図６】鉄−ニッケル合金をターゲット材としたスパッ
タリング法により形成された膜に関する実験データとし
てのスパッタ入射角と異方性との関係を示す図である。

【図７】鉄−ニッケル合金の組成比と保磁力との関係を
示す図である。

【図８】鉄−ニッケル合金を蒸発源材とした真空蒸着法
により形成された膜に関する実験データとしての真空蒸
着入射角と保磁力との関係を示す図である。

【図９】鉄−ニッケル合金を蒸発源材とした真空蒸着法
により形成された膜に関する実験データとしての真空蒸
着入射角と異方性との関係を示す図である。

【図１０】鉄−ニッケルメッキ液のｐＨとメッキ法にて
形成される膜の保磁力との関係を示す図である。

【図１１】鉄−ニッケルメッキ液のｐＨとメッキ法にて
形成される膜の組成との関係を示す図である。

【図１２】鉄−ニッケルメッキ液の浴温とメッキ法にて
形成される膜の保磁力との関係を示す図である。

【図１３】鉄−ニッケルメッキ液の浴温とメッキ法にて
形成される膜の組成との関係を示す図である。

【符号の説明】

１基板２第１の磁性層３第２の磁性層１０磁性素子２０検知コイル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者安部正規神奈川県横浜市港北区新横浜２丁目６番23 号株式会社ヒロセチェリープレシジョン内 (72)発明者小山昌二神奈川県横浜市港北区新横浜２丁目６番23 号株式会社ヒロセチェリープレシジョン内 (72)発明者根岸靖神奈川県横須賀市大津町５−１−711 (72)発明者馬場康壽神奈川県横浜市保土ヶ谷区東川島町86−６ −123 Ｆターム(参考） 4K023 AB14 BA06 BA08 DA02 DA07 DA08 4K029 BA25 BB02 BC06 CA01 CA05 DC04 EA03 4K030 BA07 BA14 BB12 BB13 LA05 5E049 AA01 AA07 AA09 AC05 BA11 FC10 GC01 HC01 HC02 LC02 LC06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気特性の異なる少なくとも２つの磁性
層を有した磁性素子において、前記磁性層は、同一組成
材料にて形成されていることを特徴とする磁性素子。
【請求項２】磁気特性の異なる少なくとも２つの磁性
層を有し大バルクハウゼンジャンプ現象を起こしうる磁
性素子であって、前記磁性層の各々は、同一組成材料に
よる成膜工程において、該成膜工程の作製条件のうちの
少なくとも１つを途中で変化させることにより、互いに
異なる保磁力および／または異方性を有したものとされ
たことを特徴とする磁性素子。
【請求項３】前記成膜工程は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、
メッキ法のうちのいずれかである請求項２記載の磁性素
子。
【請求項４】前記成膜工程は、鉄−ニッケル比におい
て３５：６５〜６５：３５のパーマロイをターゲット材
としたスパッタリング法であり、その作製条件のうちガ
ス圧について0.３５Ｐａ以下および0.４５Ｐａ以上とし
て変化させた請求項２または３記載の磁性素子。
【請求項５】前記成膜工程は、鉄−ニッケル比におい
て３５：６５〜６５：３５のパーマロイをターゲット材
としたスパッタリング法であり、その作製条件のうち基
板入射角について５０°以下および６０°以上として変
化させた請求項２または３記載の磁性素子。
【請求項６】前記成膜工程は、パーマロイを蒸発源材
とした真空蒸着方法であり、その作製条件のうち蒸発源
材の温度についてニッケルの蒸発温度以上で且つ鉄の蒸
発温度以下および鉄の蒸発温度以上として変化させた請
求項２または３記載の磁性素子。
【請求項７】前記成膜工程は、パーマロイを蒸発源材
とした真空蒸着法であり、その作製条件のうち基板入射
角について５０°付近および３０°以下または６０°以
上として変換させた請求項２または３記載の磁性素子。
【請求項８】前記成膜工程は、ＮｉＳＯ₄＋ＮｉＣｌ
₂＋ＦｅＳＯ₄をメッキ液としたメッキ法であり、その
作製条件のうちｐＨについて1.５以下および2.５以上と
して変化させた請求項２または３記載の磁性素子。
【請求項９】前記成膜工程は、ＮｉＳＯ₄＋ＮｉＣｌ
₂＋ＦｅＳＯ₄をメッキ液としたメッキ法であり、その
作製条件のうち液温について６５°Ｃ以下および７５°
Ｃ以上として変化させた請求項２または３記載の磁性素
子。
【請求項１０】磁気特性の異なる少なくとも２つの磁
性層を有し大バルクハウゼンジャンプ現象を起こしうる
磁性素子の製造方法において、前記磁性層の各々を同一
組成材料による成膜工程により形成し、該成膜工程にお
いて、成膜により形成される前記磁性層の各々が、互い
に異なる保磁力および／または異方性を有するように、
該成膜工程の途中において、該成膜工程の作製条件のう
ちの少なくとも１つを途中で変化させることを特徴とす
る製造方法。
【請求項１１】前記成膜工程は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ
法、メッキ法のうちのいずれかである請求項１０記載の
製造方法。
【請求項１２】前記成膜工程は、鉄−ニッケル比にお
いて３５：６５〜６５：３５のパーマロイをターゲット
材としたスパッタリング法であり、その作製条件のうち
ガス圧について0.３５Ｐａ以下および0.４５Ｐａ以上と
して変化させる請求項１０または１１記載の製造方法。
【請求項１３】前記成膜工程は、鉄−ニッケル比にお
いて３５：６５〜６５：３５のパーマロイをターゲット
材としたスパッタリング法であり、その作製条件のうち
基板入射角について５０°以下および６０°以上として
変化させる請求項１０または１１記載の製造方法。
【請求項１４】前記成膜工程は、パーマロイを蒸発源
材とした真空蒸着方法であり、その作製条件のうち蒸発
源材の温度についてニッケルの蒸発温度以上で且つ鉄の
蒸発温度以下および鉄の蒸発温度以上として変化させる
請求項１０または１１記載の製造方法。
【請求項１５】前記成膜工程は、パーマロイを蒸発源
材とした真空蒸着法であり、その作製条件のうち基板入
射角について５０°付近および３０°以下または６０°
以上として変換させる請求項１０または１１記載の製造
方法。
【請求項１６】前記成膜工程は、ＮｉＳＯ₄＋ＮｉＣ
ｌ₂＋ＦｅＳＯ₄をメッキ液としたメッキ法であり、そ
の作製条件のうちｐＨについて1.５以下および2.５以上
として変化させる請求項１０または１１記載の製造方
法。
【請求項１７】前記成膜工程は、ＮｉＳＯ₄＋ＮｉＣ
ｌ₂＋ＦｅＳＯ₄をメッキ液としたメッキ法であり、そ
の作製条件のうち液温について６５°Ｃ以下および７５
°Ｃ以上として変化させる請求項１０または１１記載の
製造方法。