JP2000030653A - 荷電粒子線装置及び試験片の検査方法 - Google Patents
荷電粒子線装置及び試験片の検査方法Info
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Abstract
域にて放出される荷電粒子の検出効率を改善すること目
的とする。 【解決手段】ソース、対物レンズ、偏向装置及び検出器
を有する荷電粒子線装置において、偏向装置及び電界レ
ンズの1つの電極と共働し、この電極にダイナミック電
圧を供給するための制御装置が設けられ、この電圧の値
は試験片における光軸から荷電粒子線までの距離に依存
し、この光軸からの距離によって試験片上に配置された
画像領域より放出される荷電粒子の検出効率が増加する
ように構成されている。
Description
記載された荷電粒子線装置及び請求項9の前提部に記載
された試験片の検査方法に関する。
発生するソースと、磁気レンズ及び少なくとも2つの電
極を有する重畳された電界レンズからなり、光軸を有
し、試験片上に上記荷電粒子線を集光させるための対物
レンズと、上記試験片上に上記荷電粒子線を偏向させる
ための偏向装置と、上記試験片にて放出された荷電粒子
を検出するための検出器と、を有する。
わせて使用することによって、極めて低い軸上収差係数
及びそれに対応した高い軸上解像率が得られる。しかし
ながら、これらのレンズは制限された画像場を有し、そ
こでは均一な画像輝度及び高い光学特性が達成されるこ
とができる。
される2次電子及び/又は後方散乱電子が検出され、そ
こでは、好ましくはインレンズ検出器及び/又はプレレ
ンズ検出器が使用される。既知の装置は、ビーム偏向器
を部分的に使用する非軸上検出器と、回転対称又はセグ
メントに分割された軸上検出器と、放出された粒子に影
響を与えるための装置を有する検出器と、を有する。
の質は、画像場の寸法が大きくなるにつれて悪くなる。
的は、光軸より偏奇して試験片上に配置された画像領域
にて放出される荷電粒子の検出効率を改善することがで
きる請求項1の前提部に記載された荷電粒子線装置及び
請求項9の前提部に記載された試験片の検査方法を提供
することである。
求の範囲の請求項1及び9の特徴部によって達成され
る。本発明によると、偏向装置及び電界レンズの1つの
電極と共働し、この電極にダイナミック電圧を供給する
ための制御装置が設けられ、この電圧の値は試験片にお
ける光軸から荷電粒子線までの距離に依存する。
範囲の従属項の内容にあり、実施の形態及び図面を参照
して以下に詳細に説明されよう。
示し、この荷電粒子線装置は、荷電粒子線2を発生する
ソース1と、磁気レンズ32及び少なくとも2つの電極
33a、33bを有する重畳された電界レンズ33から
なり光軸31を有し試験片4上に荷電粒子線2を集光さ
せるための対物レンズ3と、試験片4上に上記荷電粒子
線を偏向させるための偏向装置5と、試験片にて放出さ
れた荷電粒子を検出するための検出器6と、を有する。
て、電界レンズ33の電極33a、33bには異なる電
圧U1 、U2 が供給され、それによって荷電粒子線2は
電界レンズ33の電場にて第1のエネルギからそれより
低い第2のエネルギに減速される。
極33bと共働し、電極33bにダイナミック電圧UDy
n を供給するための制御装置7が設けられている。ダイ
ナミック電圧UDyn の値は、試験片における光軸31か
ら荷電粒子線までの距離Dに依存する。制御装置7はこ
の距離Dの情報を偏向装置5から受け取る。
2及び付加電圧UDyn が供給される。
試験片上に配置された画像領域にて放出される荷電粒子
の検出効率を著しく増加させることが可能であることが
明らかとなった。画像場の中央、即ち、光軸では、電圧
UDyn はゼロである。この電圧値は光軸からの距離Dが
増加するにつれて増加する。付加電圧UDyn に対する良
好な1次近似によると、その値は光軸からの距離Dに対
して2次関数的に増加する。しかしながら、正確な電圧
はレンズの設計及びレンズの形状の詳細に依存する。約
5mmの画像場の場合、電圧UDyn の典型的な値は数1
0又は数100ボルトに達するであろう。しかしなが
ら、それより高い値も低い値も可能である。
に印加することによって、1次ビームの位置に従って極
めて迅速に動作することが可能となる。非軸上の画像領
域のシェージングが減少するため、この付加電圧は試験
片にて放出された2次粒子に対して正の影響を有する。
負の影響は有することはない。非軸上の1次ビームの位
置の画像解像度は、増加することはあっても減少するこ
とはない。
し、図2は単極磁気レンズ32‘を示す。しかしなが
ら、他の全ての特徴、特に偏向装置5及び電極33bと
共働する制御装置7は同様である。
bよりなる場合、付加電圧UDyn は、好ましくは、(粒
子線2の方向に)より低い電極に供給される。
部であり、好ましくは付加電圧UDyn が印加される、制
御された電極を確定している。
合、付加電圧UDyn は、好ましくは、最も低い電極又は
中央の電極に供給される。しかしながら、他の電極又は
サンプルに、付加電圧UDyn が供給されることができ
る。
置又は磁気及び静電気走査装置の組合せによって形成さ
れる。偏向装置は単一段、2段の偏向装置又はより高段
の装置によって形成される。
はインレンズ検出器である。付加されるダイナミック電
圧は、試験片にて非軸的に放出される2次粒子又は後方
散乱粒子に対して、それをレンズの内側に曲げることに
よって影響を与える。逃避した2次粒子の束は対物レン
ズをより軸上に残し、吸収されたり減衰されることな
く、インレンズ又はプレレンズ検出器に到達する。この
効果は輝度のシェージングを著しく減少させる。
片上に配置された画像領域にて放出される荷電粒子の検
出効率を改善することができる利点がある。
図である。
図である。
4…試験片、 5…偏向装置、 6…検出器、 7…制
御装置、 31…光軸、 32…磁気レンズ、33…電
界レンズ、 33a,33b…電極
Claims (10)
- 【請求項1】 荷電粒子線(2) を発生するソース(1)
と、 磁気レンズ(32)及び少なくとも2つの電極(33a,33b) を
有する重畳された電界レンズ(33)からなり、光軸(31)を
有し、試験片(4) 上に上記荷電粒子線(2) を集光させる
ための対物レンズ(3) と、 上記試験片(4) 上に上記荷電粒子線を偏向させるための
偏向装置(5) と、 上記試験片にて放出された荷電粒子を検出するための検
出器(6) と、を有する荷電粒子線装置において、 上記偏向装置(5) 及び上記電界レンズ(33)の1つの電極
(33b) と共働し、上記電極(33b) にダイナミック電圧(U
Dyn)を供給するための制御装置(7) が設けられ、上記電
圧の値は上記試験片における上記光軸から上記荷電粒子
線までの距離(D) に依存し、上記光軸からの距離によっ
て上記試験片上に配置された画像領域より放出される上
記荷電粒子の検出効率が増加するように構成されている
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項2】上記対物レンズは減速場レンズであること
を特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 【請求項3】上記荷電粒子線(2) の方向の第2の電極(3
3b) には上記ダイナミック電圧(UDyn)が供給されること
を特徴とする請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 【請求項4】上記制御された電極は上記試験片(4) によ
って形成されていることを特徴とする請求項1記載の荷
電粒子線装置。 - 【請求項5】上記偏向装置は磁気走査装置によって形成
されていることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線
装置。 - 【請求項6】上記偏向装置は静電走査装置によって形成
されていることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線
装置。 - 【請求項7】上記偏向装置は磁気走査装置及び静電走査
装置の組合せ装置によって形成されていることを特徴と
する請求項1記載の荷電粒子線装置。 - 【請求項8】上記偏向装置は1段又はそれ以上の多段を
有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項記
載の荷電粒子線装置。 - 【請求項9】荷電粒子線(2) を発生させることと、 磁気レンズ及び少なくとも2つの電極を有する重畳され
た電界レンズからなり、光軸を有する対物レンズによっ
て試験片上に上記荷電粒子線(2) を集光させることと、 上記荷電粒子線を上記試験片上に偏向させることと、 上記試験片にて放射される荷電粒子を検出することと、
を含む試験片の検査方法において、 上記電界レンズの1つの電極(33b) にダイナミック電圧
(UDyn)を供給し、上記電圧の値は上記試験片における上
記光軸から上記荷電粒子線までの距離(D) に依存し、上
記光軸からの距離によって上記試験片上に配置された画
像領域より放出される上記荷電粒子の検出効率が増加す
るように構成されていることを特徴とする試験片の検査
方法。 - 【請求項10】上記ダイナミック電圧は上記光軸から上
記荷電粒子線までの距離の2次関数的に増加することを
特徴とする請求項9記載の試験片の検査方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP98107474:3 | 1998-04-24 | ||
EP98107474A EP0952606B1 (en) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Dynamically compensated objective lens-detection device and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000030653A true JP2000030653A (ja) | 2000-01-28 |
JP4156744B2 JP4156744B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=8231817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11214899A Expired - Fee Related JP4156744B2 (ja) | 1998-04-24 | 1999-04-20 | 荷電粒子線装置及び試験片の検査方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6232601B1 (ja) |
EP (1) | EP0952606B1 (ja) |
JP (1) | JP4156744B2 (ja) |
DE (1) | DE69806897T2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1120809B1 (en) * | 2000-01-27 | 2012-02-22 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Objective lens for a charged particle beam device |
US20020171898A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Patton Charles Milan | Method and apparatus for using strategically located reflectors to create pathways for networking of line-of-sight computing devices |
JP2003151484A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Jeol Ltd | 走査型荷電粒子ビーム装置 |
DE10317894B9 (de) | 2003-04-17 | 2007-03-22 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Fokussiersystem für geladene Teilchen, Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren |
US6897442B2 (en) * | 2003-04-25 | 2005-05-24 | Applied Materials Israel, Ltd. | Objective lens arrangement for use in a charged particle beam column |
AU2003284339A1 (en) * | 2003-07-30 | 2005-03-07 | Applied Materials Israel, Ltd. | Scanning electron microscope having multiple detectors and a method for multiple detector based imaging |
US7842933B2 (en) * | 2003-10-22 | 2010-11-30 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for measuring overlay errors |
DE102007010873B4 (de) | 2007-03-06 | 2009-07-30 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Objektivlinse |
DE602007005631D1 (de) * | 2007-07-27 | 2010-05-12 | Integrated Circuit Testing | Elektrostatische Linsenanordnung |
US9046475B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-06-02 | Applied Materials Israel, Ltd. | High electron energy based overlay error measurement methods and systems |
EP2629317B1 (en) * | 2012-02-20 | 2015-01-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device with dynamic focus and method of operating thereof |
CN113471042B (zh) * | 2021-07-01 | 2024-03-08 | 中科晶源微电子技术(北京)有限公司 | 扫描电子显微镜装置和电子束检测设备 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101944A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電粒子ビ−ム用集束装置 |
EP0949653B1 (en) * | 1991-11-27 | 2010-02-17 | Hitachi, Ltd. | Electron beam apparatus |
JPH05299048A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-12 | Hitachi Ltd | 電子線装置および走査電子顕微鏡 |
JPH0773841A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡と二次電子検出系 |
US5614833A (en) * | 1994-10-25 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Objective lens with large field deflection system and homogeneous large area secondary electron extraction field |
JP3372138B2 (ja) * | 1995-06-26 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡 |
-
1998
- 1998-04-24 DE DE69806897T patent/DE69806897T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-24 EP EP98107474A patent/EP0952606B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-23 US US09/274,665 patent/US6232601B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-20 JP JP11214899A patent/JP4156744B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6232601B1 (en) | 2001-05-15 |
DE69806897D1 (de) | 2002-09-05 |
DE69806897T2 (de) | 2002-11-28 |
EP0952606B1 (en) | 2002-07-31 |
JP4156744B2 (ja) | 2008-09-24 |
EP0952606A1 (en) | 1999-10-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080326 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080501 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080701 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080710 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |