JP2000028736A - X-ray panel sensor - Google Patents

X-ray panel sensor

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JP2000028736A
JP2000028736A JP19917198A JP19917198A JP2000028736A JP 2000028736 A JP2000028736 A JP 2000028736A JP 19917198 A JP19917198 A JP 19917198A JP 19917198 A JP19917198 A JP 19917198A JP 2000028736 A JP2000028736 A JP 2000028736A
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ray
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sensor
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an X-ray panel sensor which can obtain an image of good quality. SOLUTION: In an X-ray panel sensor, analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b, 19 are arranged on the surface side of a signal processing board 13 and digital circuits 20, 21 are arranged on its rear surface side. Noises which are outputted via the analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b, 19 and which are to be superposed on the output signal of a MOS image sensor 5; i.e., noises of X-rays which are incident on the analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b, 19 from the upper side and noises which are propagated to the analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b, 19 from the lower side and which come from the digital circuits 20, 21 and from the outside; are suppressed by an X-ray shielding plate 27 and a first metal thin film 13c. Since the analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b, 19 and the digital circuits 20, 21 are mounted on the surface and the rear surface of the signal processing board 13, the size of the X-ray panel sensor as a whole can be miniaturized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、X線イメージを撮
像するX線パネルセンサに関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an X-ray panel sensor for capturing an X-ray image.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のX線パネルセンサは、特開平9−
288184号公報に記載されている。このセンサは、
半導体イメージセンサをシンチレータの下に設けてX線
検出を行っている。
2. Description of the Related Art A conventional X-ray panel sensor is disclosed in
No. 288184. This sensor is
A semiconductor image sensor is provided below the scintillator to detect X-rays.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のX線パネルセンサでは良質な画像を得ることができ
ない。すなわち、半導体イメージセンサの出力信号に
は、蛍光体を透過したX線によるノイズ及び半導体イメ
ージセンサの高周波駆動信号及び外部からのノイズが重
畳される場合がある。特に、半導体イメージセンサが大
型のMOS型イメージセンサである場合には、出力信号
を伝送するビデオラインが長くなるため、出力信号にノ
イズが重畳しやすくなり、このようなノイズは画像の劣
化を招く。本発明はかかる課題に鑑みてなされたもので
あり、従来に比して更に良質の画像を得ることができる
X線パネルセンサを提供することを目的とする。
However, a high quality image cannot be obtained with the above-mentioned conventional X-ray panel sensor. That is, the output signal of the semiconductor image sensor may be superimposed with noise due to X-rays transmitted through the phosphor, a high-frequency drive signal of the semiconductor image sensor, and external noise. In particular, when the semiconductor image sensor is a large-sized MOS image sensor, a video line for transmitting an output signal is long, so that noise is easily superimposed on the output signal, and such noise causes image deterioration. . The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide an X-ray panel sensor capable of obtaining a higher quality image than before.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るX線パネルセンサは、入射したX線像
を蛍光像に変換するシンチレータ及びシンチレータによ
り変換された蛍光像を撮像するMOS型イメージセンサ
を備えたX線パネルセンサにおいて、MOS型イメージ
センサがその上側に固定される第1配線基板と、グラン
ド電位を有する第1金属薄膜をその上下面間に有し、第
1配線基板の下側に対向すると共に第1配線基板に電気
的に接続されるように配置された第2配線基板と、第1
及び第2配線基板間に介在しグランド電位を有するX線
遮蔽板と、第2配線基板の上面側に設けられMOS型イ
メージセンサからの出力信号をアナログ処理するアナロ
グ回路と、第2配線基板の下面側に設けられ前記MOS
型イメージセンサの駆動信号のタイミングを生成するデ
ジタル回路とを備えることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, an X-ray panel sensor according to the present invention comprises a scintillator for converting an incident X-ray image into a fluorescent image and a MOS for capturing a fluorescent image converted by the scintillator. An X-ray panel sensor having a type image sensor, comprising: a first wiring board on which a MOS type image sensor is fixed, and a first metal thin film having a ground potential between upper and lower surfaces thereof; A second wiring board facing the lower side of the first wiring board and electrically connected to the first wiring board;
An X-ray shield interposed between the second wiring board and the ground potential, an analog circuit provided on the upper surface side of the second wiring board for performing analog processing on an output signal from the MOS image sensor; The MOS provided on the lower surface side
And a digital circuit for generating the timing of the drive signal of the type image sensor.

【0005】本発明のX線パネルセンサによれば、MO
S型イメージセンサからの出力信号をアナログ処理する
アナログ回路は、第2配線基板の上面側に配置され、ま
た、共にグランド電位を有する第2配線基板の第1金属
薄膜とX線遮蔽板との間に配置される。
According to the X-ray panel sensor of the present invention, the MO
An analog circuit that performs analog processing on an output signal from the S-type image sensor is disposed on the upper surface side of the second wiring board, and further includes a first metal thin film of the second wiring board having a ground potential and an X-ray shielding plate. Placed between.

【0006】本発明のX線パネルセンサによれば、アナ
ログ回路を介して出力されるMOS型イメージセンサの
出力信号に重畳されるべきノイズ、すなわち、上側から
アナログ回路に入射するX線のノイズ及び下側からアナ
ログ回路に伝搬してくるデジタル回路及び外部からのノ
イズは、それぞれX線遮蔽板及び第1金属薄膜によって
抑制される。
According to the X-ray panel sensor of the present invention, noise to be superimposed on the output signal of the MOS image sensor output via the analog circuit, that is, noise of X-rays incident on the analog circuit from above and A digital circuit and an external noise that propagate to the analog circuit from below are suppressed by the X-ray shielding plate and the first metal thin film, respectively.

【0007】従来、MOS型イメージセンサの大型化に
伴うノイズの増加が、画像劣化を引き起こしていたた
め、良質な画像を得ることができる大型のMOS型イメ
ージセンサを搭載したX線パネルセンサを実現すること
ができなかった。
Conventionally, an increase in noise due to an increase in the size of a MOS image sensor has caused image degradation, so that an X-ray panel sensor equipped with a large MOS image sensor capable of obtaining a high-quality image is realized. I couldn't do that.

【0008】一方、本発明によれば、そのノイズを低下
させることにより、大型のMOS型イメージセンサ(例
えば縦横寸法=50mm×50mm)を搭載したX線パ
ネルセンサを実現することができ、しかも、第1配線基
板と第2配線基板とを対向させて配置し、第2配線基板
の上下面にアナログ及びデジタル回路を搭載することと
したので、X線パネルセンサ全体の寸法は小型化するこ
とができる。なお、本発明は小型のMOS型イメージセ
ンサを搭載したX線パネルセンサにも適用することが可
能である。
On the other hand, according to the present invention, an X-ray panel sensor equipped with a large MOS image sensor (for example, vertical and horizontal dimensions = 50 mm × 50 mm) can be realized by reducing the noise. Since the first wiring board and the second wiring board are arranged to face each other and analog and digital circuits are mounted on the upper and lower surfaces of the second wiring board, the overall dimensions of the X-ray panel sensor can be reduced. it can. The present invention can be applied to an X-ray panel sensor equipped with a small MOS image sensor.

【0009】なお、第2配線基板はグランド電位を有す
る第2金属薄膜をその上下面間に有し、第1及び第2金
属薄膜はそれぞれアナログ回路及びデジタル回路のグラ
ンドにそれぞれ電気的に接続されていることが望まし
い。第1及び第2金属薄膜は、上述のノイズ遮蔽機能を
達成すると共に、これらがアナログ回路及びデジタル回
路に対応してそれぞれ設けられていることにより、双方
の回路の安定化を達成することができる。
The second wiring board has a second metal thin film having a ground potential between upper and lower surfaces thereof, and the first and second metal thin films are electrically connected to grounds of an analog circuit and a digital circuit, respectively. Is desirable. The first and second metal thin films achieve the above-described noise shielding function, and can stabilize both circuits by being provided corresponding to the analog circuit and the digital circuit, respectively. .

【0010】更に、本発明のX線パネルセンサは、第1
及び第2配線基板間に介在して第1配線基板を第2配線
基板上に支持すると共に、MOS型イメージセンサの出
力信号をアナログ回路に伝送し、デジタル回路の出力信
号をMOS型イメージセンサに伝送するコネクタを更に
備えることが望ましい。この場合、上記機能を果たすコ
ネクタ自体が、第1配線基板を第2配線基板上に支持す
るので、構造上の強度が増加すると共に部品点数を減少
させることができる。
Further, the X-ray panel sensor of the present invention has a first
And supporting the first wiring board on the second wiring board with the first wiring board interposed between the second wiring board, transmitting the output signal of the MOS image sensor to the analog circuit, and outputting the output signal of the digital circuit to the MOS image sensor. It is desirable to further include a connector for transmitting. In this case, since the connector itself that performs the above function supports the first wiring board on the second wiring board, the structural strength can be increased and the number of components can be reduced.

【0011】また、X線パネルセンサが、シンチレータ
とMOS型イメージセンサとの間に介在し、鉛を含有す
るファイバオプティカルプレートを更に備えることとす
ると、シンチレータで変換されなかったX線をMOS型
イメージセンサの受光面に到達する前に遮蔽することが
できる。
Further, if the X-ray panel sensor further includes a fiber optical plate containing lead and interposed between the scintillator and the MOS image sensor, the X-rays not converted by the scintillator can be converted to a MOS image. It can be shielded before reaching the light receiving surface of the sensor.

【0012】さらに、X線パネルセンサが、第1配線基
板上に配置されるMOS型イメージセンサのための電子
素子と、ファイバオプティカルプレートの周囲に配置さ
れ、電子素子を入射X線像のX線から遮蔽する枠体を更
に備えることとすれば、この電子素子は、ファイバオプ
ティカルプレートの周囲に配置された枠体によりX線か
ら遮蔽することができる。
Further, an X-ray panel sensor is disposed around a fiber optical plate and an electronic element for a MOS type image sensor disposed on the first wiring board, and the X-ray panel sensor detects the incident X-ray image by X-rays. If the electronic device is further provided with a frame for shielding from X-rays, the electronic device can be shielded from X-rays by a frame disposed around the fiber optical plate.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、実施の形態に係るX線パネ
ルセンサについて説明する。同一要素又は同一機能を有
する要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明
は省略する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an X-ray panel sensor according to an embodiment will be described. The same reference numerals are used for the same elements or elements having the same functions, and overlapping descriptions are omitted.

【0014】図1はX線パネルセンサの平面図であり、
図2は図1に示したX線パネルセンサのII−II矢印
断面図である。
FIG. 1 is a plan view of an X-ray panel sensor.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the X-ray panel sensor shown in FIG.

【0015】本X線パネルセンサは、Cu/Ni/Au
からなる配線が形成された配線基板1上に固定された枠
体2と、枠体2の内縁にその外縁が接着され、鉛をシリ
カガラス中に含むファイバオプティカルプレート3と、
ファイバオプティカルプレート3の一方の表面に設けら
れ入射したX線を蛍光に変換するシンチレータ(蛍光
体)4と、ファイバオプティカルプレート3の他方の表
面に対向して配線基板1上に設けられた半導体イメージ
センサ5(MOS型イメージセンサ)とを備えている。
枠体2は、その内縁でファイバオプティカルプレート3
を固定するために、ファイバオプティカルプレート3と
略同じ、若しくは若干大きな面積を有する矩形状の開口
を有している。また、ファイバオプティカルプレート3
の光軸はMOS型イメージセンサ5の受光面に垂直であ
る。
The present X-ray panel sensor uses Cu / Ni / Au
A frame 2 fixed on a wiring board 1 on which a wiring composed of: a fiber optical plate 3 whose outer edge is bonded to the inner edge of the frame 2 and which contains lead in silica glass;
A scintillator (phosphor) 4 provided on one surface of the fiber optical plate 3 for converting incident X-rays into fluorescence, and a semiconductor image provided on the wiring board 1 facing the other surface of the fiber optical plate 3 And a sensor 5 (MOS type image sensor).
The frame 2 has a fiber optical plate 3 at its inner edge.
Has a rectangular opening substantially the same as or slightly larger than the fiber optical plate 3. In addition, the fiber optical plate 3
Is perpendicular to the light receiving surface of the MOS image sensor 5.

【0016】上記部材は鉄製の筐体6内部に配置され、
筐体6の上面にはX線入射領域を規定する矩形開口を有
する蓋部材7が設けられ、この蓋部材7にはX線入射領
域に設けられた窓材8が内面側から固定されている。す
なわち、蓋部材7はX線を遮蔽する厚さ約1mmの金属
(Fe)から形成され、窓材8はX線を透過させる厚さ
約0.5mmの樹脂(ポリカーボネイト)から形成され
ている。なお、配線基板1を透過するX線が低減される
ように、基板裏面側にはCu/Ni/Auからなる遮蔽
膜が形成されている。
The above members are arranged inside an iron housing 6,
A lid member 7 having a rectangular opening that defines an X-ray incident area is provided on the upper surface of the housing 6, and a window member 8 provided in the X-ray incident area is fixed to the lid member 7 from the inner surface side. . That is, the cover member 7 is formed of a metal (Fe) having a thickness of about 1 mm that blocks X-rays, and the window member 8 is formed of a resin (polycarbonate) having a thickness of about 0.5 mm that transmits X-rays. Note that a shielding film made of Cu / Ni / Au is formed on the back surface of the substrate so that X-rays transmitted through the wiring substrate 1 are reduced.

【0017】MOS型イメージセンサ5は、2次元状に
配置された複数のフォトダイオードと、光の入射に応答
してそれぞれのフォトダイオードで発生した電荷の読み
出しを制御するための複数のMOSFET(電界効果ト
ランジスタ)とからなる受光領域と、その周辺部に配置
された電極パッドとを備えている。配線基板1上にはM
OSFETの駆動制御を行うためのシフトレジスタ9
と、MOS型イメージセンサ5の出力を増幅する電子素
子としての増幅素子(アンプアレイ)10がベアチップ
の状態で設けられ、それぞれボンディングワイヤにより
MOSイメージセンサの電極パッドに電気的に接続され
ている。ここで、MOS型イメージセンサ5、シフトレ
ジスタ9、アンプアレイ10と配線基板1との間には導
電性フィラーを含む熱硬化性樹脂(エポキシ系樹脂)が
介在しており、これらは配線基板1上の配線と電気的に
接続されると同時に物理的に固定されている。
The MOS type image sensor 5 includes a plurality of photodiodes arranged two-dimensionally and a plurality of MOSFETs (electric field) for controlling reading of charges generated in the respective photodiodes in response to incident light. Effect transistor) and an electrode pad arranged around the light receiving region. M on the wiring board 1
Shift register 9 for controlling drive of OSFET
An amplifier element (amplifier array) 10 as an electronic element for amplifying the output of the MOS image sensor 5 is provided in a bare chip state, and is electrically connected to the electrode pad of the MOS image sensor by a bonding wire. Here, a thermosetting resin (epoxy resin) containing a conductive filler is interposed between the MOS image sensor 5, the shift register 9, the amplifier array 10, and the wiring board 1. It is electrically connected to the upper wiring and is physically fixed at the same time.

【0018】配線基板1は、Alからなる複数のスペー
サ11,12及び信号処理基板(第2配線基板)13上
から上方に立設したコネクタ16を介して信号処理基板
13に固定されている。信号処理基板13はAlからな
る複数のスペーサ14,15を介して筐体6の底面に固
定されている。コネクタ16は、配線基板1と信号処理
基板13とを電気的に接続するものである。なお、装置
全体の小型化のために、MOSイメージセンサ5は、そ
の1つの角部が配線基板1の角部の近傍に位置するよう
に配置されている。したがって、この位置には、ネジ止
めの必要なスペーサを設けることはできないため、この
位置において配線基板1と信号処理基板13との間に介
在するスペーサ11は、ブロック形状とした。
The wiring board 1 is fixed to the signal processing board 13 via a plurality of spacers 11 and 12 made of Al and a connector 16 erected from above the signal processing board (second wiring board) 13. The signal processing board 13 is fixed to the bottom surface of the housing 6 via a plurality of spacers 14 and 15 made of Al. The connector 16 is for electrically connecting the wiring board 1 and the signal processing board 13. Note that, in order to reduce the size of the entire device, the MOS image sensor 5 is arranged such that one corner is located near the corner of the wiring board 1. Therefore, since a spacer requiring screwing cannot be provided at this position, the spacer 11 interposed between the wiring board 1 and the signal processing board 13 at this position has a block shape.

【0019】図3は、図1に示したX線パネルセンサの
回路構成図である。以下、図1及び図2を参照しつつ、
X線パネルセンサの回路構成について説明する。信号処
理基板13の一方面上には、アンプアレイ10から出力
された映像信号に所定の演算処理を行う演算処理回路1
7a,17b、演算処理回路17a,17bの出力を増
幅する増幅器18a,18b、及び増幅器18a,18
bの出力を2分の1周期ずらして合成するマルチプレク
サ19等のアナログ回路が設けられている。
FIG. 3 is a circuit diagram of the X-ray panel sensor shown in FIG. Hereinafter, referring to FIGS. 1 and 2,
The circuit configuration of the X-ray panel sensor will be described. On one surface of the signal processing board 13, an arithmetic processing circuit 1 for performing predetermined arithmetic processing on the video signal output from the amplifier array 10
7a, 17b, amplifiers 18a, 18b for amplifying the outputs of the arithmetic processing circuits 17a, 17b, and amplifiers 18a, 18
An analog circuit such as a multiplexer 19 for synthesizing the output of b by shifting it by a half cycle is provided.

【0020】MOS型イメージセンサ5の受光面は、水
平方向のアドレス0番地から127番地までの行とこれ
に垂直な列で規定される第1受光領域と、水平方向のア
ドレス128番地から255番地までの行とこれに垂直
な列で規定される第2受光領域とから構成されている。
なお、それぞれのアドレスには信号電荷を読み出すため
のMOSFETが配置されている。それぞれの受光領域
内のフォトダイオードからの信号の読み出しは、シフト
レジスタ9によってMOSFETを制御することにより
同時進行で行われ、フォトダイオードからの信号読み出
しは高速化されている。
The light receiving surface of the MOS type image sensor 5 has a first light receiving area defined by a row from address 0 to address 127 in the horizontal direction and a column perpendicular thereto, and a address from address 128 to 255 in the horizontal direction. , And a second light receiving area defined by a column perpendicular thereto.
A MOSFET for reading out signal charges is arranged at each address. Reading of signals from the photodiodes in the respective light receiving regions is performed simultaneously by controlling MOSFETs by the shift register 9, and reading of signals from the photodiodes is sped up.

【0021】アンプアレイ10は、MOS型イメージセ
ンサ5の第1及び第2受光領域からの出力信号をタイミ
ングパルス発生回路20からの同期信号に基づいてそれ
ぞれ増幅する第1アンプアレイ10a及び第2アンプア
レイ10bから構成されている。演算処理回路17a,
17b及び増幅器18a,18bは、アンプアレイ10
a,10bにそれぞれ対応して設けられている。アンプ
アレイ10a,10bは配線基板1上に設けられている
ので、MOS型イメージセンサ5とアンプアレイ10
a,10bとを近接させることができ、これらの接続配
線に重畳されるノイズを低減させ、良質な画像を得るこ
とができる。アンプアレイ10a,10bを近接させた
場合においても、入射X線の影響は撮像時に低減される
ことが望ましい。そこで、枠体2は、X線を遮蔽する金
属(Al又は原子量の大きな金属)で作製されることと
し、アンプアレイ10は金属によってX線の入射が遮蔽
される位置に設けられている。
The amplifier array 10 amplifies output signals from the first and second light receiving regions of the MOS type image sensor 5 based on a synchronization signal from the timing pulse generation circuit 20, respectively. It is composed of an array 10b. The arithmetic processing circuit 17a,
17b and the amplifiers 18a and 18b
a, 10b. Since the amplifier arrays 10a and 10b are provided on the wiring board 1, the MOS image sensor 5 and the amplifier arrays 10
a and 10b can be brought close to each other, the noise superimposed on these connection wirings can be reduced, and a high-quality image can be obtained. Even when the amplifier arrays 10a and 10b are brought close to each other, it is desirable that the influence of incident X-rays be reduced during imaging. Therefore, the frame 2 is made of a metal (Al or a metal having a large atomic weight) that shields X-rays, and the amplifier array 10 is provided at a position where incidence of X-rays is shielded by the metal.

【0022】同時に、枠体2は、MOS型イメージセン
サ5の電極パッド、アンプアレイ10a,10b、シフ
トレジスタ9を覆っているため、電極パッドとアンプア
レイ10a,10b、及び電極パッドとシフトレジスタ
とを接続するボンディングワイヤを外的負荷から保護し
ている。
At the same time, since the frame 2 covers the electrode pads of the MOS image sensor 5, the amplifier arrays 10a and 10b, and the shift register 9, the electrode pads and the amplifier arrays 10a and 10b, and the electrode pads and the shift register Is protected from an external load.

【0023】信号処理基板13の他方面には、シフトレ
ジスタ9及びアンプアレイ10a,10bに信号の読み
出しタイミング及び信号増幅タイミングをそれぞれ与
え、これらから構成される駆動信号を発生するタイミン
グパルス発生回路20、及びタイミングパルス発生回路
20の基準クロックを生成する発振器21等のデジタル
回路が設けられている。
On the other surface of the signal processing board 13, a timing pulse generating circuit 20 for giving a signal readout timing and a signal amplification timing to the shift register 9 and the amplifier arrays 10a and 10b, respectively, and generating a drive signal composed of these. , And a digital circuit such as an oscillator 21 for generating a reference clock for the timing pulse generation circuit 20.

【0024】マルチプレクサ19は、タイミングパルス
発生回路20から出力される同期信号に同期して増幅器
18a,18bの出力を2分の1周期ずらして合成す
る。マルチプレクサ19から出力された映像信号は、映
像信号出力端子24から出力される。なお、筐体6に
は、この他にタイミングパルス発生回路20駆動のため
のトリガ信号を装置内部で発生するか、外部で発生する
かを切り換える切換スイッチ26、外部からトリガ信号
を入力する場合の外部トリガ信号入力端子25、タイミ
ングパルス発生回路20から出力された同期信号を出力
する同期信号出力端子23、及び装置全体に電源を供給
するための電源コネクタ22が設けられている。
The multiplexer 19 combines the outputs of the amplifiers 18a and 18b with a shift of a half cycle in synchronization with the synchronization signal output from the timing pulse generation circuit 20. The video signal output from the multiplexer 19 is output from a video signal output terminal 24. In addition, the housing 6 has a changeover switch 26 for switching whether a trigger signal for driving the timing pulse generation circuit 20 is generated inside the device or generated externally, and a case where a trigger signal is input from the outside. An external trigger signal input terminal 25, a synchronization signal output terminal 23 for outputting a synchronization signal output from the timing pulse generation circuit 20, and a power supply connector 22 for supplying power to the entire apparatus are provided.

【0025】本実施の形態に係るX線パネルセンサによ
れば、窓材8を介してセンサ内にX線が入射すると、シ
ンチレータ4がX線の入射に応答して蛍光発光する。こ
の蛍光は、複数の光ファイバの集合体であるファイバオ
プティカルプレート3内を、隣接光ファイバ間を通過す
る光と混合することなく、その光軸方向に沿って伝搬
し、MOS型イメージセンサ5の受光面に入射する。M
OS型イメージセンサ5から出力された信号は、アンプ
アレイ10に入力されることによって増幅され、コネク
タ16を介して信号処理基板10上の回路に入力され、
映像信号出力端子24から出力される。
According to the X-ray panel sensor of this embodiment, when X-rays enter the sensor through the window member 8, the scintillator 4 emits fluorescent light in response to the X-rays. This fluorescence propagates along the optical axis direction of the MOS image sensor 5 without mixing with light passing between adjacent optical fibers in the fiber optical plate 3 which is an aggregate of a plurality of optical fibers. Light enters the light receiving surface. M
The signal output from the OS type image sensor 5 is amplified by being input to the amplifier array 10, input to the circuit on the signal processing board 10 via the connector 16,
It is output from the video signal output terminal 24.

【0026】ここで、コネクタ16は、第1配線基板1
及び信号処理基板13間に介在して第1配線基板1を信
号処理基板13上に支持すると共に、MOS型イメージ
センサ5の出力信号をアナログ回路17a,17b,1
8a,18b,19に伝送し、デジタル回路20,21
の出力信号をMOS型イメージセンサ5に伝送する。本
実施の形態においては、コネクタ16自体が、第1配線
基板1を信号処理基板13上に支持するので、構造上の
強度が増加すると共に部品点数を減少させることができ
る。
Here, the connector 16 is connected to the first wiring board 1.
In addition, the first wiring substrate 1 is supported on the signal processing substrate 13 by being interposed between the signal processing substrates 13, and the output signal of the MOS image sensor 5 is output to the analog circuits 17 a, 17 b, 1.
8a, 18b, and 19 and transmitted to digital circuits 20, 21
Is transmitted to the MOS type image sensor 5. In the present embodiment, since the connector 16 itself supports the first wiring board 1 on the signal processing board 13, the structural strength can be increased and the number of components can be reduced.

【0027】本実施の形態においては、信号処理基板1
3は、金属薄膜13a,13c,13e,13g及びガ
ラス繊維を含む絶縁性薄膜13b,13d,13fとが
交互に積層されてなる4層配線基板である。露出した金
属薄膜13a及び13gは、Cu/Ni/Auからな
り、内部の金属薄膜13c,13eはCuからなる。
In this embodiment, the signal processing board 1
Reference numeral 3 denotes a four-layer wiring board in which metal thin films 13a, 13c, 13e, and 13g and insulating thin films 13b, 13d, and 13f containing glass fibers are alternately stacked. The exposed metal thin films 13a and 13g are made of Cu / Ni / Au, and the internal metal thin films 13c and 13e are made of Cu.

【0028】この中で、信号処理基板13の上面側に形
成された回路に最も近い内部金属薄膜13cは、信号処
理基板13の上面側に形成された回路のグランド電位に
接続されており、信号処理基板13の裏面側に形成され
た回路に最も近い内部金属薄膜13eは、信号処理基板
13の裏面側に形成された回路のグランド電位に接続さ
れている。また、これらの内部金属薄膜13c,13e
は、一カ所のみで電気的に接続されている。
Among these, the internal metal thin film 13c closest to the circuit formed on the upper surface of the signal processing board 13 is connected to the ground potential of the circuit formed on the upper surface of the signal processing board 13, and The internal metal thin film 13 e closest to the circuit formed on the back side of the processing board 13 is connected to the ground potential of the circuit formed on the back side of the signal processing board 13. In addition, these internal metal thin films 13c, 13e
Are electrically connected in only one place.

【0029】すなわち、信号処理基板13はグランド電
位を有する第2金属薄膜13eをその上下面間に有し、
第1及び第2金属薄膜13c,13eはそれぞれアナロ
グ回路17a,17b,18a,18b,19及びデジ
タル回路20,21のグランドにそれぞれ電気的に接続
されている。第1及び第2金属薄膜13c,13eは、
アナログ回路17a,17b,18a,18b,19へ
のデジタル回路20,21側からのノイズを遮蔽する。
また、これらがアナログ回路17a,17b,18a,
18b,19及びデジタル回路20,21に対応してそ
れぞれ設けられていることにより、双方の回路の安定化
が達成される。
That is, the signal processing board 13 has a second metal thin film 13e having a ground potential between its upper and lower surfaces.
The first and second metal thin films 13c and 13e are electrically connected to the grounds of the analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b and 19 and the digital circuits 20 and 21, respectively. The first and second metal thin films 13c and 13e are
The noise from the digital circuits 20 and 21 to the analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b and 19 is shielded.
These are analog circuits 17a, 17b, 18a,
18b and 19 and the digital circuits 20 and 21, respectively, are provided to stabilize both circuits.

【0030】信号処理基板13へのX線の入射を抑制す
るために、配線基板1と信号処理基板13との間には段
部を有する遮蔽板27が介在し、遮蔽板27の上段部は
スペーサ28によって、下段部はスペーサ29によって
信号処理基板13に固定されている。遮蔽板27は、表
面にNiメッキが施された真鍮からなり、グランド電位
に接続されている。
In order to suppress the incidence of X-rays on the signal processing board 13, a shielding plate 27 having a step is interposed between the wiring board 1 and the signal processing board 13, and the upper step of the shielding plate 27 is provided. The lower part is fixed to the signal processing substrate 13 by the spacer 29 by the spacer 28. The shielding plate 27 is made of brass whose surface is plated with Ni, and is connected to the ground potential.

【0031】上述のように、本実施の形態に係るX線パ
ネルセンサは、入射したX線像を蛍光像に変換するシン
チレータ4及びシンチレータ4により変換された蛍光像
を撮像するMOS型イメージセンサ5を備えたX線パネ
ルセンサにおいて、MOS型イメージセンサ5がその上
側に固定される第1配線基板1と、グランド電位を有す
る第1金属薄膜13cをその上下面間に有し、第1配線
基板1の下側に対向すると共に第1配線基板1に電気的
に接続されるように配置された信号処理基板13と、第
1配線基板1及び信号処理基板13間に介在しグランド
電位を有するX線遮蔽板27と、信号処理基板13の上
面側に設けられMOS型イメージセンサ5からの出力信
号をアナログ処理するアナログ回路17a,17b,1
8a,18b,19と、信号処理基板13の下面側に設
けられMOS型イメージセンサ5の駆動信号のタイミン
グを生成するデジタル回路20,21とを備えている。
As described above, the X-ray panel sensor according to the present embodiment comprises a scintillator 4 for converting an incident X-ray image into a fluorescent image and a MOS type image sensor 5 for picking up a fluorescent image converted by the scintillator 4. And a first wiring substrate 1 on which the MOS image sensor 5 is fixed, and a first metal thin film 13c having a ground potential between the upper and lower surfaces of the X-ray panel sensor. 1 and a signal processing board 13 arranged to be electrically connected to the first wiring board 1 and an X having a ground potential interposed between the first wiring board 1 and the signal processing board 13. A line shield plate 27 and analog circuits 17a, 17b, 1 provided on the upper surface side of the signal processing board 13 for analog processing of an output signal from the MOS image sensor 5
8a, 18b and 19, and digital circuits 20 and 21 provided on the lower surface side of the signal processing board 13 for generating the timing of the drive signal of the MOS type image sensor 5.

【0032】本実施の形態のX線パネルセンサによれ
ば、MOS型イメージセンサ5からの出力信号を増幅処
理するアンプアレイ10は、MOS型イメージセンサ5
とアナログ回路との接続距離が短くなるように第1配線
基板の上面側に配置され、また、アンプアレイ10から
の出力を更にアナログ処理するアナログ回路17a,1
7b,18a,18b,19は、共にグランド電位を有
する第2配線基板13の第1金属薄膜13cとX線遮蔽
板27との間に配置されている。
According to the X-ray panel sensor of the present embodiment, the amplifier array 10 for amplifying the output signal from the MOS image sensor 5 includes the MOS image sensor 5.
Analog circuits 17a, 1 which are arranged on the upper surface side of the first wiring board so as to shorten the connection distance between the circuit and the analog circuit, and further perform analog processing of the output from the amplifier array 10.
7 b, 18 a, 18 b, and 19 are disposed between the first metal thin film 13 c of the second wiring board 13 having the ground potential and the X-ray shield 27.

【0033】したがって、この接続距離の短縮によって
出力信号のノイズ耐性が向上すると共に、アナログ回路
17a,17b,18a,18b,19を介して出力さ
れるMOS型イメージセンサ5の出力信号に重畳される
べきノイズ、すなわち、上側からシンチレータ4及び筐
体6を透過し、MOS型イメージセンサ5、アンプアレ
イ10、アナログ回路に入射するX線、及び下側からア
ナログ回路17a,17b,18a,18b,19、M
OS型イメージセンサ5、アンプアレイ10に伝搬して
くるデジタル回路20,21及び外部からのノイズは、
それぞれ鉛入りファイバオプティカルプレート3及び枠
体2と、X線遮蔽板27及び第1金属薄膜13cによっ
て抑制される。
Therefore, the reduced connection distance improves the noise resistance of the output signal, and is superimposed on the output signal of the MOS type image sensor 5 output via the analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b, and 19. Noise to be transmitted, that is, X-rays that pass through the scintillator 4 and the housing 6 from the upper side and enter the MOS image sensor 5, the amplifier array 10, and the analog circuit, and the analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b, and 19 from the lower side. , M
Noise from the digital circuits 20 and 21 and external noise that propagates to the OS type image sensor 5, the amplifier array 10,
These are suppressed by the lead-containing fiber optical plate 3 and the frame 2, respectively, the X-ray shielding plate 27, and the first metal thin film 13c.

【0034】また、本実施の形態においては、MOS型
イメージセンサ5とアンプアレイ10とが別体の例につ
いて説明したが、これらは同一半導体基板上にモノシリ
ックに形成されたものであってもよい。また、図4に示
すように、MOS型イメージセンサ5上に、直接シンチ
レータ4を形成することもできる。
In this embodiment, the MOS type image sensor 5 and the amplifier array 10 have been described as being separate from each other, but they may be formed monolithically on the same semiconductor substrate. . Further, as shown in FIG. 4, the scintillator 4 can be formed directly on the MOS type image sensor 5.

【0035】したがって、上記実施の形態によれば、出
力信号に重畳されるノイズを低下させることにより、大
型のMOS型イメージセンサ(縦横寸法=50mm×5
0mm)5を搭載したX線パネルセンサを実現すること
ができる。信号処理基板13の上下面にはアナログ回路
17a,17b,18a,18b,19及び及びデジタ
ル回路20,21を搭載することとしたので、X線パネ
ルセンサ全体の寸法は小型化することができる。
Therefore, according to the above embodiment, by reducing the noise superimposed on the output signal, a large MOS type image sensor (length and width = 50 mm × 5)
0 mm) 5 can be realized. Since the analog circuits 17a, 17b, 18a, 18b, 19 and the digital circuits 20, 21 are mounted on the upper and lower surfaces of the signal processing board 13, the overall size of the X-ray panel sensor can be reduced.

【0036】以上、説明したように、本実施の形態に係
るX線パネルセンサは、良質の画像を得ることができる
ので、医療機器や宇宙観測機器等の高性能測定機器に適
用することができる。
As described above, the X-ray panel sensor according to the present embodiment can obtain high-quality images, and can be applied to high-performance measuring instruments such as medical instruments and space observation instruments. .

【0037】[0037]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係るX
線パネルセンサによれば、MOS型イメージセンサを第
1配線基板上に形成し、X線遮蔽板と、金属薄膜を上下
面間に有する第2配線基板との間のアナログ回路し、こ
れと逆側にデジタル回路を配置することとしたので、更
に良質の画像を得ることができる。
As described above, as described above, the X according to the present invention is used.
According to the line panel sensor, the MOS type image sensor is formed on the first wiring substrate, and an analog circuit is provided between the X-ray shielding plate and the second wiring substrate having the metal thin film between the upper and lower surfaces. Since the digital circuit is arranged on the side, a higher quality image can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】X線パネルセンサの平面図。FIG. 1 is a plan view of an X-ray panel sensor.

【図2】図1に示したX線パネルセンサのII−II矢
印断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the X-ray panel sensor shown in FIG. 1 taken along the line II-II.

【図3】図1に示したX線パネルセンサの回路構成図。FIG. 3 is a circuit configuration diagram of the X-ray panel sensor shown in FIG.

【図4】別の形態に係るX線パネルセンサの断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of an X-ray panel sensor according to another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…配線基板、2…枠体、3…ファイバオプティカルプ
レート、4…シンチレータ、5…半導体イメージセン
サ、10…増幅素子、17a,17b,18a,18
b,19…アナログ回路、20,21…デジタル回路。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board, 2 ... Frame, 3 ... Fiber optical plate, 4 ... Scintillator, 5 ... Semiconductor image sensor, 10 ... Amplifying element, 17a, 17b, 18a, 18
b, 19: analog circuit, 20, 21: digital circuit.

フロントページの続き (72)発明者 山本 晃永 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 Fターム(参考) 2G088 FF02 GG15 GG19 JJ05 JJ06 JJ08 JJ29 JJ31 JJ33 JJ37 LL11 Continuation of the front page (72) Inventor Akinaga Yamamoto 1126 Nomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture F-term in Hamamatsu Photonics Co., Ltd. 2G088 FF02 GG15 GG19 JJ05 JJ06 JJ08 JJ29 JJ31 JJ33 JJ37 LL11

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入射したX線像を蛍光像に変換するシン
チレータ及び前記シンチレータにより変換された蛍光像
を撮像するMOS型イメージセンサを備えたX線パネル
センサにおいて、前記MOS型イメージセンサがその上
側に固定される第1配線基板と、グランド電位を有する
第1金属薄膜をその上下面間に有し、前記第1配線基板
の下側に対向すると共に前記第1配線基板に電気的に接
続されるように配置された第2配線基板と、前記第1及
び第2配線基板間に介在しグランド電位を有するX線遮
蔽板と、前記第2配線基板の上面側に設けられ前記MO
S型イメージセンサからの出力信号をアナログ処理する
アナログ回路と、前記第2配線基板の下面側に設けられ
前記MOS型イメージセンサの駆動信号のタイミングを
生成するデジタル回路と、を備えることを特徴とするX
線パネルセンサ。
1. An X-ray panel sensor comprising: a scintillator for converting an incident X-ray image into a fluorescent image; and a MOS image sensor for capturing a fluorescent image converted by the scintillator, wherein the MOS image sensor is positioned above the X-ray panel sensor. And a first metal thin film having a ground potential between the upper and lower surfaces thereof, facing a lower side of the first wiring substrate and electrically connected to the first wiring substrate. A second wiring board, an X-ray shielding plate having a ground potential interposed between the first and second wiring boards, and an MO provided on the upper surface side of the second wiring board.
An analog circuit that performs analog processing on an output signal from the S-type image sensor, and a digital circuit that is provided on a lower surface side of the second wiring board and generates a timing of a drive signal of the MOS-type image sensor. X to do
Line panel sensor.
【請求項2】 前記第2配線基板はグランド電位を有す
る第2金属薄膜をその上下面間に有し、前記第1及び第
2金属薄膜はそれぞれ前記アナログ回路及び前記デジタ
ル回路のグランドにそれぞれ電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項1に記載のX線パネルセンサ。
2. The second wiring board has a second metal thin film having a ground potential between upper and lower surfaces thereof, and the first and second metal thin films are electrically connected to grounds of the analog circuit and the digital circuit, respectively. The X-ray panel sensor according to claim 1, wherein the X-ray panel sensor is electrically connected.
【請求項3】 前記第1及び第2配線基板間に介在して
前記第1配線基板を前記第2配線基板上に支持すると共
に、前記MOS型イメージセンサの出力信号を前記アナ
ログ回路に伝送し、前記デジタル回路の出力信号を前記
MOS型イメージセンサに伝送するコネクタを更に備え
ることを特徴とする請求項1に記載のX線パネルセン
サ。
3. The method according to claim 1, wherein the first wiring board is supported on the second wiring board while being interposed between the first and second wiring boards, and an output signal of the MOS image sensor is transmitted to the analog circuit. The X-ray panel sensor according to claim 1, further comprising a connector for transmitting an output signal of the digital circuit to the MOS image sensor.
【請求項4】 前記シンチレータと前記MOS型イメー
ジセンサとの間に介在し、鉛を含有するファイバオプテ
ィカルプレートを更に備えることを特徴とする請求項1
に記載のX線パネルセンサ。
4. The apparatus according to claim 1, further comprising a lead-containing fiber optical plate interposed between the scintillator and the MOS image sensor.
2. An X-ray panel sensor according to claim 1.
【請求項5】 前記第1配線基板上に配置される前記M
OS型イメージセンサのための電子素子と、前記ファイ
バオプティカルプレートの周囲に配置され、前記電子素
子を入射X線像のX線から遮蔽する枠体を更に備えるこ
とを特徴とする請求項4に記載のX線パネルセンサ。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein said M is disposed on said first wiring board.
5. The electronic device for an OS type image sensor, further comprising a frame disposed around the fiber optical plate and shielding the electronic device from X-rays of an incident X-ray image. X-ray panel sensor.
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