JP2000026131A - Firing treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、加工用素材の焼成
処理を行う焼成処理装置に関し、特に、プラズマディス
プレイ用の基板の加工用素材の焼成処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking apparatus for baking a processing material, and more particularly, to a baking apparatus for processing a substrate for a plasma display.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、プラズマディスプレイパネル(以
下PDPとも記す)は、その奥行きの薄いこと、軽量で
あること、更に鮮明な表示と液晶パネルに比べ視野角が
広いことにより、種々の表示装置に利用されつつある。
一般に、プラズマディスプレイパネル(PDP)は、2
枚の対向するガラス基板にそれぞれ規則的に配列した一
対の電極を設け、その間にネオン、キセノン等を主体と
するガスを封入した構造となっている。そして、これら
の電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放
電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を
行うようにしている。特に情報表示をするためには、規
則的に並んだセルを選択的に放電発光させている。2. Description of the Related Art In recent years, plasma display panels (hereinafter, also referred to as PDPs) have been used in various display devices because of their small depth, light weight, clear display, and wide viewing angle compared to liquid crystal panels. It is being used.
Generally, a plasma display panel (PDP) has two
A pair of regularly arranged electrodes are provided on a pair of opposed glass substrates, and a gas mainly containing neon, xenon, or the like is sealed between the pair of electrodes. Then, a voltage is applied between these electrodes, and a discharge is generated in minute cells around the electrodes, so that each cell emits light and display is performed. In particular, in order to display information, regularly arranged cells are selectively discharged to emit light.
【0003】ここで、PDPの構成を、図7に示すAC
型PDPの1例を挙げて説明しておく。図7はPDP構
成斜視図であるが、分かり易くするため前面板(ガラス
基板710)、背面板(ガラス基板720)とを実際よ
り離して示してある。図7に示すように、2枚のガラス
基板710、720が互いに平行に且つ対向して配設さ
れており、両者は背面板となるガラス基板720上に互
いに平行に設けられた障壁(セル障壁とも言う)730
により、一定の間隔に保持されている。前面板となるガ
ラス基板710の背面側には、放電維持電極である透明
電極740とバス電極である金属電極750とで構成さ
れる複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って、
誘電体層760が形成されており、更にその上に保護層
(MgO層)770が形成されている。また、背面板と
なるガラス基板720の前面側には前記複合電極と直交
するように障壁730間に位置してアドレス電極780
が互いに平行に形成されており、更に障壁730の壁面
とセル底面を覆うように螢光面790が設けられてい
る。障壁730は放電空間を区画するためのもので、区
画された各放電空間をセルないし単位発光領域と言う。
このAC型PDPは面放電型であって、前面板上の複合
電極間に交流電圧を印加して放電させる構造である。こ
の場合、交流をかけているために電界の向きは周波数に
対応して変化する。そして、この放電により生じる紫外
線により螢光体790を発光させ、前面板を透過する光
を観察者が視認できるものである。なお、DC型PDP
にあっては、電極は誘電体層で被膜されていない構造を
有する点でAC型と相違するが、その放電効果は同じで
ある。また、図7に示すものは、ガラス基板720の一
面に下地層767を設けその上に誘電体層765を設け
た構造となっているが、下地層767、誘電体層765
は必ずしも必要としない。Here, the configuration of the PDP is shown in FIG.
An example of the type PDP will be described. FIG. 7 is a perspective view of the PDP structure, but shows the front plate (glass substrate 710) and the rear plate (glass substrate 720) apart from the actual case for easy understanding. As shown in FIG. 7, two glass substrates 710 and 720 are disposed in parallel and opposed to each other, and both are provided on a glass substrate 720 serving as a back plate in parallel with each other (cell barrier). 730)
Are held at regular intervals. On the back side of the glass substrate 710 serving as a front plate, composite electrodes composed of a transparent electrode 740 serving as a discharge sustaining electrode and a metal electrode 750 serving as a bus electrode are formed in parallel with each other.
A dielectric layer 760 is formed, and a protective layer (MgO layer) 770 is further formed thereon. In addition, on the front side of a glass substrate 720 serving as a back plate, an address electrode 780 is positioned between barriers 730 so as to be orthogonal to the composite electrode.
Are formed in parallel with each other, and a fluorescent surface 790 is provided so as to cover the wall surface of the barrier 730 and the cell bottom surface. The barrier 730 is for defining a discharge space, and each partitioned discharge space is called a cell or a unit light emitting region.
This AC type PDP is a surface discharge type, and has a structure in which an AC voltage is applied between composite electrodes on the front panel to cause discharge. In this case, since the alternating current is applied, the direction of the electric field changes according to the frequency. Then, the phosphor 790 is caused to emit light by the ultraviolet light generated by the discharge, and the light transmitted through the front plate can be visually recognized by an observer. In addition, DC type PDP
In the above, the electrode is different from the AC type in that the electrode has a structure not coated with the dielectric layer, but the discharge effect is the same. 7 has a structure in which an underlayer 767 is provided on one surface of a glass substrate 720 and a dielectric layer 765 is provided thereon, but the underlayer 767 and the dielectric layer 765 are not provided.
Is not necessarily required.
【0004】そして、AC型のプラズマディスプレイ
(PDP)は、例えば、図6に示すようにして、作製さ
れていた。図6はAC型のPDP作製工程を示したもの
で、背面板、前面板をそれぞれ別個の工程で作製し、両
者を用いてPDPをアセンブリするものである。先ず、
背面板の作製工程を説明する。尚、S51〜S74は処
理ステップを表す。はじめに、ガラス基板を用意し(S
51)、ガラス基板上に電極配線用ペーストを一面に塗
布、乾燥し、これを製版処理を経て、所定形状に加工し
て、あるいは、ガラス基板に厚膜印刷法により電極配線
用ペーストを所定形状に印刷した後、これを焼成し、電
極配線を形成する。(S52) 次いで、形成された電極上にガラス基板面を覆うように
全面に誘電体層を形成する。(S53) 次いで、このガラス基板の誘電体層上に障壁(バリアリ
ブとも言う)を、印刷法ないしサンドブラスト法により
形成する。(S54) 印刷法の場合、ガラス基板に厚膜印刷法により障壁(バ
リアリブ)形成用ペーストを所定のパターンに印刷し、
これを乾燥する。障壁の層厚は厚く(例えば100〜2
00μmの厚さ)1回の厚膜印刷ではこの膜厚が得られ
ないため、障壁形成用ペーストの印刷および乾燥は複数
回行う。所定の膜厚が得られた後、ペーストの焼成がな
される。サンドブラスト法の場合は、障壁形成材料をガ
ラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレシストパタ
ーンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジストパターン
に対応した形状に障壁形成材料を加工して、これを焼成
して障壁を形成する。更に、障壁が形成された基板に厚
膜印刷法により蛍光体用ペースト(例えば、酸化インジ
ウム含有の螢光体用ペースト)を所定パターンに印刷
し、次いでその乾燥及び焼成を行い(S55)、背面板
を形成する。(S56)An AC type plasma display (PDP) has been manufactured, for example, as shown in FIG. FIG. 6 shows an AC type PDP manufacturing process, in which a back plate and a front plate are manufactured in separate steps, respectively, and a PDP is assembled using both. First,
The manufacturing process of the back plate will be described. Note that S51 to S74 represent processing steps. First, prepare a glass substrate (S
51) An electrode wiring paste is applied on one surface of a glass substrate, dried, and processed into a predetermined shape through a plate making process, or the electrode wiring paste is formed on a glass substrate by a thick film printing method. Then, it is baked to form an electrode wiring. (S52) Next, a dielectric layer is formed on the entire surface of the formed electrode so as to cover the glass substrate surface. (S53) Next, a barrier (also called a barrier rib) is formed on the dielectric layer of the glass substrate by a printing method or a sandblast method. (S54) In the case of the printing method, a paste for forming a barrier (barrier rib) is printed in a predetermined pattern on a glass substrate by a thick film printing method,
This is dried. The thickness of the barrier is large (for example, 100 to 2).
(Thickness of 00 μm) Since this film thickness cannot be obtained by one thick film printing, printing and drying of the barrier forming paste are performed a plurality of times. After a predetermined film thickness is obtained, the paste is fired. In the case of the sand blast method, a barrier forming material is applied on a glass substrate, and after forming a predetermined resist pattern thereon, abrasive sand is sprayed to process the barrier forming material into a shape corresponding to the resist pattern. This is fired to form a barrier. Further, a paste for a phosphor (for example, a paste for a phosphor containing indium oxide) is printed in a predetermined pattern on the substrate on which the barrier is formed by a thick film printing method, and then dried and fired (S55). Form a faceplate. (S56)
【0005】次に、前面板の作製工程を説明する。先
ず、ガラス基板を用意し(S61)、ガラス基板に例え
ばITO(Indium Tin Oxide)の蒸着
層をパターニングする。(S62) パターニングは通常のフォトリソ工程(リソグラフィー
技術)により行う。次いで、Cr−Cu−Cr(クロ
ム、銅、クロム)の3層を蒸着やスパッタリングにより
成膜し、同様にフォトリソ工程(リソグラフィー技術)
によりパターニングして、パターニングされたITO膜
とともに、放電用の電極配線を形成する。(S63) 次いで、ペースト状にした低融点ガラスのベタ印刷によ
り、透明誘電体層を形成して(S64)、前面板が得ら
れる。(S65)Next, a process for manufacturing the front plate will be described. First, a glass substrate is prepared (S61), and a deposition layer of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) is patterned on the glass substrate. (S62) The patterning is performed by a normal photolithography process (lithography technology). Next, three layers of Cr-Cu-Cr (chromium, copper, chromium) are formed by vapor deposition or sputtering, and a photolithography process (lithography technology) is performed similarly.
To form an electrode wiring for discharge together with the patterned ITO film. (S63) Next, a transparent dielectric layer is formed by solid printing of paste-like low melting point glass (S64), and a front plate is obtained. (S65)
【0006】次いで、このようにして得られた、背面
板、前面板を用い、以下のようにしてPDPを作製す
る。先ず、前面板及び背面板の位置合わせを行い、その
状態で両基板の縁部分にシール用鉛ガラスを塗布し、次
いでシールが行われる。(S71) 次に、両基板(背面板と前面板)及びシール部で囲われ
る空隙内が排気管を介して排気された後、この排気管を
介して上述の空隙に放電ガスが封入される。(S72) その後、排気管の焼きちぎり(チップオフ)を行い、ド
ライバIC取付けを行い(S73)、PDP(プラズマ
ディスプレイパネル)が得られる。(S74)上記のよ
うに、PDPの作製に際し、これに使用する背面板、前
面板は、それぞれ、各種工程を経て、電極配線部、障壁
部、螢光体部、誘電体層部等が形成され、併せてPDP
となる。Next, a PDP is manufactured using the back plate and the front plate thus obtained as follows. First, the front plate and the back plate are aligned, and in that state, lead glass for sealing is applied to the edges of both substrates, and then sealing is performed. (S71) Next, after the inside of the gap surrounded by both substrates (the back plate and the front plate) and the seal portion is exhausted through the exhaust pipe, the discharge gas is sealed in the above-mentioned gap through the exhaust pipe. . (S72) Thereafter, the exhaust pipe is burned off (chip off), and a driver IC is mounted (S73), whereby a PDP (plasma display panel) is obtained. (S74) As described above, the back plate and the front plate used for the production of the PDP are subjected to various processes to form an electrode wiring portion, a barrier portion, a phosphor portion, a dielectric layer portion, and the like. And PDP
Becomes
【0007】このようなPDPの作製においては、最近
では、生産性、品質面等から、電極配線部の形成、障壁
の形成等をサンドブラスト処理により行うようになって
きた。このサンドブラスト処理は、電極配線部、障壁形
成用の低融点ガラスペーストからなる加工用素材を、そ
れぞれ、ガラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレ
シストパターンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジス
トパターンに対応した形状に障壁形成材料を加工して、
これを焼成処理して、それぞれ、電極配線部、障壁を形
成するものである。しかし、ガラス基板上としては、ア
ニール処理された基板が用いられ、各処理を施すが、こ
のような焼成処理が、複数回行われるために、各処理に
おいても、ガラス基板自体の伸縮の管理が必要となる。
このため、ここで言う焼成処理とは、図3にその処理に
おける温度プロファイルを示すように、これら低融点ガ
ラスペーストからなる加工用素材をガラス基板上に形成
した後に、加工用素材を焼成するキープ温度Tkで、所
定時間保持した後、ガラス基板の歪点Tsまで徐冷し、
さらに常温まで冷却するのもので、これにより、各処理
におけるガラス基板自体の伸縮を制御している。図3
中、T0は常温を示している。尚、アニール工程とは、
簡単には、ガラス基板の永久歪を除去する処理である。
そして、ガラス基板の歪点とは、この温度からどんなに
急冷しても、その急冷のために新しく永久歪を生ぜしめ
る可能性が全くない温度である。歪点(温度)から常温
まで温度を急冷する際、この間でもガラス基板は縮む
が、急冷速度を一定としておけば、その縮む値を固定化
することができる。即ち、ピーク温度から歪点までの冷
却速度の値により、伸縮量を制御できる。また、焼成工
程のピーク温度は、通常、加工用素材を焼結するための
温度で、所定時間、このピーク温度で保持するため、こ
こでは、これをキープ温度とも言っている。また、通
常、電極配線形成用の導電性ペーストは、金属微粒子
(例えばAg)、低融点ガラスフリット、樹脂、溶剤か
らなり、誘電体層形成用のペーストは、低融点ガラスフ
リット、樹脂、溶剤からなり、必要に応じフィラー、顔
料等も加えたものである。また、障壁形成用のペースト
は、低融点ガラスフリット、フィラー(アルミナ、ジル
コニア等)、顔料、樹脂、溶剤からなる。これらのペー
ストは、焼成過程で流動して固着するための低融点ガラ
スフリットを主成分とし含むことから、一般に、低融点
ガラスないし低融点ガラスペーストと呼ばれる。In the production of such a PDP, formation of an electrode wiring portion, formation of a barrier, and the like have recently been performed by sandblasting in terms of productivity, quality, and the like. In this sandblasting process, a processing material composed of a low-melting glass paste for forming an electrode wiring portion and a barrier is applied onto a glass substrate, respectively, and a predetermined resist pattern is formed thereon. Processing the barrier forming material into a shape corresponding to the spray resist pattern,
This is fired to form an electrode wiring portion and a barrier, respectively. However, as the glass substrate, an annealed substrate is used, and each process is performed. Since such a baking process is performed a plurality of times, the management of expansion and contraction of the glass substrate itself is also performed in each process. Required.
For this reason, the baking treatment referred to here is a process of baking the working material after forming a working material made of these low-melting glass pastes on a glass substrate, as shown in FIG. After holding at a temperature Tk for a predetermined time, the glass substrate is gradually cooled to a strain point Ts,
Further, the glass substrate is cooled to room temperature, thereby controlling the expansion and contraction of the glass substrate itself in each process. FIG.
In the graph, T0 indicates normal temperature. In addition, the annealing step
Briefly, it is a process for removing permanent distortion of the glass substrate.
The strain point of the glass substrate is a temperature at which there is no possibility of newly generating permanent distortion due to the rapid cooling, no matter how rapidly the glass substrate is cooled from this temperature. When the temperature is rapidly cooled from the strain point (temperature) to normal temperature, the glass substrate shrinks even during this time, but if the quenching rate is kept constant, the shrinking value can be fixed. That is, the amount of expansion and contraction can be controlled by the value of the cooling rate from the peak temperature to the strain point. In addition, the peak temperature in the firing step is usually a temperature for sintering the working material, and is maintained at this peak temperature for a predetermined time. Usually, the conductive paste for forming the electrode wiring is made of metal fine particles (for example, Ag), a low-melting glass frit, a resin, and a solvent, and the paste for forming the dielectric layer is made of the low-melting glass frit, a resin, and a solvent. And fillers, pigments and the like are added as necessary. The paste for forming the barrier is made of a low-melting glass frit, a filler (alumina, zirconia, etc.), a pigment, a resin, and a solvent. These pastes are generally referred to as low-melting glass or low-melting glass paste because they contain, as a main component, a low-melting glass frit for flowing and fixing in a firing process.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】このような状況のも
と、近年のPDPの大型化、高品質化、量産化が求めら
れる中、このようなPDP作製における焼成処理を効率
的に、且つ、品質的にも満足できるように行う焼成処理
装置がますます求められるようになってきた。本発明
は、これに対応するもので、PDP用の背面板、前面板
の作製において、PDPの大型化、高品質化、量産化に
対応できる焼成処理装置を提供しようとするものであ
る。Under these circumstances, in recent years, PDPs have been required to be large-sized, high-quality, and mass-produced. There has been an increasing demand for a sintering processing apparatus that can satisfy the quality requirements. The present invention has been made to address this, and it is an object of the present invention to provide a baking treatment apparatus capable of coping with an increase in the size, quality, and mass production of a PDP in manufacturing a back plate and a front plate for a PDP.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の焼成処理装置
は、プラズマディスプレイ用の処理基板を搬送しなが
ら、処理基板の加工用素材を焼成するための焼成処理装
置であって、上段に、順に、処理基板を投入する処理基
板投入部と、処理基板の加工用素材を焼成する加熱部
と、処理基板を歪点以下まで徐冷する第1の冷却部とを
設け、下段に、第1の冷却部側から順に、処理基板の歪
点以下に達した後、処理基板をほぼ常温まで急冷する第
2の冷却部と、焼成処理後の処理基板を、適宜、少なく
とも複数の所望のスピードの1つに変速して搬送できる
スピード変速部と、処理基板をストックするバッファ部
と、処理基板の取り出し部とを設け、且つ、処理基板の
上段から下段間への移動を行う第1のエレベータを設け
ていることを特徴とするものである。そして、上記にお
いて、加熱部と第1の冷却部には、搬送方向に沿い、加
熱ヒータが複数配設されており、第2の冷却部は、冷却
用の冷却水をチューブに通して冷却するものであり、且
つ、加熱ヒータは、複数の、所定の搬送方向距離ごと
に、分割して、それぞれ別に温度制御できるものである
ことを特徴とするものである。そしてまた、上記におい
て、処理基板は耐熱ガラス基板上に載せられ、ローラー
式コンベアにより搬送されるものであることを特徴とす
るものであり、処理基板の取り出し部から、処理基板投
入部へ、処理基板ないし耐熱ガラス基板を移動する第2
のエレベータを設けていることを特徴とするものであ
る。そして、上記下段のバッファ部から、耐熱ガラス基
板を出し入れするための耐熱ガラス基板出し入れ部を設
けていることを特徴とするものである。尚、ここでは、
複数のローラーをほぼ同じ回転速度で回転させて処理基
板を搬送させる機構をローラー式コンベア、あるいは単
にコンベアといっており、通常、1つのローラー式コン
ベアは1つの駆動源により複数のローラーをほぼ同じ速
度で回転させる。A baking treatment apparatus according to the present invention is a baking treatment apparatus for baking a processing material for a processing substrate while transporting a processing substrate for a plasma display. A processing substrate input section for inputting a processing substrate, a heating section for firing a processing material of the processing substrate, and a first cooling section for gradually cooling the processing substrate to a strain point or lower. In order from the cooling unit side, after reaching the strain point of the processing substrate or less, a second cooling unit that rapidly cools the processing substrate to almost normal temperature, and a processing substrate after the baking process are appropriately subjected to at least one of a plurality of desired speeds. A speed change unit that can transfer the substrate at a single speed, a buffer unit that stocks the processing substrate, and a take-out unit for the processing substrate, and a first elevator that moves from the upper stage to the lower stage of the processing substrate. Characterized by Than it is. In the above, the heating unit and the first cooling unit are provided with a plurality of heating heaters along the transport direction, and the second cooling unit cools the cooling water through a tube. And the heater can be divided for each of a plurality of predetermined distances in the transport direction, and can separately control the temperature. Further, in the above, the processing substrate is placed on a heat-resistant glass substrate, and is transported by a roller-type conveyor. 2nd moving substrate or heat resistant glass substrate
Is provided. Further, a heat-resistant glass substrate loading / unloading section for loading / unloading the heat-resistant glass substrate from / to the lower buffer section is provided. Here,
A mechanism in which a plurality of rollers are rotated at substantially the same rotation speed to transport a processing substrate is called a roller type conveyor or simply a conveyor. Usually, one roller type conveyor uses a single drive source to make a plurality of rollers substantially the same. Rotate at speed.
【0010】[0010]
【作用】本発明の焼成処理装置は、このような構成にす
ることにより、PDP用の背面板、前面板の作製におい
て、PDPの大型化、高品質化、量産化に対応できる焼
成処理装置の提供を可能としている。具体的には、プラ
ズマディスプレイ用の処理基板を搬送しながら、処理基
板の加工用素材を焼成するための焼成処理装置であっ
て、上段に、順に、処理基板を投入する処理基板投入部
と、処理基板の加工用素材を焼成する加熱部と、処理基
板を歪点以下まで徐冷する第1の冷却部とを設け、下段
に、第1の冷却部側から順に、処理基板の歪点以下に達
した後、処理基板をほぼ常温まで急冷する第2の冷却部
と、焼成処理後の処理基板を、適宜、少なくとも複数の
所望のスピードの1つに変速して搬送できるスピード変
速部と、処理基板をストックするバッファ部と、処理基
板の取り出し部とを設け、且つ、処理基板の上段から下
段間への移動を行う第1のエレベータを設けていること
により、これを達成している。更に具体的には、加熱部
と第1の冷却部には、搬送方向に沿い、加熱ヒータが複
数配設されており、第2の冷却部は、冷却用の冷却水を
チューブに通して冷却するものであり、且つ、加熱ヒー
タは、複数の、所定の搬送方向距離ごとに、分割して、
それぞれ別に温度制御できるものであることにより、処
理基板に対し、図3に示すような、所望の焼成温度プロ
ファイルをとることを可能としている。これにより、プ
ラズマディスプレイ用のガラス基板上への電極配線形成
のための製版、障壁形成のための製版等、低融点ガラス
ペーストを塗布し、これを乾燥した後にフォトマスクを
用いて製版を行う、パターニング方法において、ガラス
基板の伸縮に起因する、フォトマスクの作製上の問題
や、管理上の問題を無くすことを可能としている。特
に、PDPにおいては、処理基板がたわむほどの温度に
上げて焼成する為、処理基板の搬送方法としては、耐熱
ガラス基板上に処理基板を載せてローラー式コンベアに
より搬送する方式が挙げられる。また、下段に、順に、
焼成処理後の処理基板を、適宜、少なくとも複数の所望
のスピードの1つに変速して搬送できるスピード変速部
と、処理基板をストックするバッファ部と、処理基板の
取り出し部とを設けていることにより、焼成処理後の基
板を適宜、早急に搬送して取り出したり、ストックして
おくことを可能としており、何らかの搬送トラブルにも
対応し易いものとしている。また、処理基板の取り出し
部から、処理基板投入部へ、処理基板ないし耐熱ガラス
基板を移動する第2のエレベータを設けていることによ
り、処理基板を載せる耐熱ガラス基板を連続して、下段
から上段へと移動できるものとしている。また、下段の
バッファ部から、耐熱ガラス基板を出し入れするための
耐熱ガラス基板取り出し入れ部を設けていることによ
り、より実用的なものとしている。The baking treatment apparatus of the present invention having such a structure can provide a baking treatment apparatus capable of coping with the increase in size, quality, and mass production of PDPs in manufacturing back and front plates for PDPs. It is possible to provide. Specifically, a baking processing apparatus for baking a processing material of the processing substrate while transporting the processing substrate for the plasma display, and a processing substrate loading unit for loading the processing substrate in order in the upper stage, A heating unit for baking the processing material of the processing substrate and a first cooling unit for gradually cooling the processing substrate to a temperature below the strain point are provided, and the lower stage is, in order from the first cooling unit side, below the strain point of the processing substrate. A second cooling unit that rapidly cools the processing substrate to approximately room temperature after reaching, a speed changing unit that can appropriately transfer the processing substrate after the firing process to at least one of a plurality of desired speeds, This is achieved by providing a buffer unit for stocking the processing substrate and a take-out unit for the processing substrate, and providing a first elevator for moving the processing substrate from the upper stage to the lower stage. More specifically, the heating unit and the first cooling unit are provided with a plurality of heating heaters along the transport direction, and the second cooling unit is provided with cooling water for cooling through a tube. And, the heater is divided for each of a plurality of predetermined distances in the transport direction,
Since the temperature can be separately controlled, it is possible to obtain a desired firing temperature profile for the processing substrate as shown in FIG. Thereby, plate making for electrode wiring formation on a glass substrate for plasma display, plate making for barrier formation, etc., apply a low melting point glass paste, and after drying, make plate making using a photomask. In the patterning method, it is possible to eliminate a problem in manufacturing a photomask and a problem in management due to expansion and contraction of a glass substrate. In particular, in the case of PDP, since the temperature of the processing substrate is raised to a temperature at which the processing substrate is deflected and baked, a method of transporting the processing substrate includes a method in which the processing substrate is placed on a heat-resistant glass substrate and transported by a roller type conveyor. Also, at the bottom,
A speed change unit that can appropriately transfer the processed substrate after baking processing to one of a plurality of desired speeds, a buffer unit that stocks the processed substrate, and a unit that takes out the processed substrate are provided. Accordingly, the substrate after the baking treatment can be appropriately transported and taken out or stocked as appropriate, and it is easy to cope with any transport trouble. Further, by providing the second elevator for moving the processing substrate or the heat-resistant glass substrate from the processing substrate take-out part to the processing substrate input part, the heat-resistant glass substrate on which the processing substrate is mounted can be continuously arranged from the lower stage to the upper stage. It can be moved to. Further, by providing a heat-resistant glass substrate taking-in / out portion for taking in / out the heat-resistant glass substrate from the lower buffer portion, it is made more practical.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】本発明の焼成処理装置の実施の形
態の1例を挙げて説明する。図1は、本発明の焼成処理
装置の実施の形態の1例の概略断面図を示したもので、
図2は上段の加熱部、第1の冷却部の加熱方法を説明す
るためのゾーン分割と、タクト搬送を簡易的に示した図
で、図3は処理基板の加熱プロファイルを示した図であ
る。尚、図1は、A1側を天(上)として各部の配置を
概略的に示したもので、り、図1中の点線矢印は、処理
時における処理基板の進行方向を示したものである。ま
た、図2中、数字1〜17は各ゾーンを示し、点線矢印
は搬送の連続動作を示し、その終点は停止位置を示す。
図1中、100は焼成処理装置、110は処理基板投入
部、120は加熱部、130は第1の冷却部、140は
第1のエレベータ、150は第2の冷却部、160はス
ピード変速部(変速搬送部)、165は搬送部、17
1、172、173はバッファ部、180は処理基板の
取り出し部、190は第2のエレベータである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A sintering apparatus according to the present invention will be described by way of an embodiment. FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an example of an embodiment of a baking treatment apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating zone division and tact transfer for explaining a heating method of an upper heating unit and a first cooling unit, and FIG. 3 is a diagram illustrating a heating profile of a processing substrate. . FIG. 1 schematically shows the arrangement of each part with the A1 side being the top (top), and the dotted arrows in FIG. 1 show the direction of movement of the processing substrate during processing. . Also, in FIG. 2, numerals 1 to 17 indicate the respective zones, dotted arrows indicate the continuous operation of transport, and the end points indicate the stop positions.
In FIG. 1, 100 is a baking processing apparatus, 110 is a processing substrate loading section, 120 is a heating section, 130 is a first cooling section, 140 is a first elevator, 150 is a second cooling section, and 160 is a speed change section. (Variable transport unit), 165 is a transport unit, 17
1, 172 and 173 are buffer units, 180 is a processing substrate take-out unit, and 190 is a second elevator.
【0012】本例は、障壁形成のための低融点ガラスペ
ーストからなる加工用素材を設けたPDP用の背面板
(処理基板)を耐熱ガラス基板上に載せ、ほぼ水平にし
て搬送しながら加工用素材を焼成するための焼成処理装
置であり、処理部を2段にして設け、その処理面積を小
とし、且つ、PDPの大型化、高品質化、量産化にも対
応できるものとしている。図1に示すように、本例の焼
成処理装置100の上段に、順に、処理基板を投入する
処理基板投入部110と、処理基板の加工用素材を焼成
する加熱部120と、処理基板を歪点まで徐冷する第1
の冷却部130とを設け、下段に、第1の冷却部130
側から順に、処理基板の歪点以下に達した後、処理基板
をほぼ常温まで急冷する第2の冷却部150と、焼成処
理後の処理基板を、適宜、少なくとも複数の所望のスピ
ードの1つに変速して搬送できるスピード変速部160
と、処理基板をストックするバッファ部170と、処理
基板の取り出し部180とを設け、且つ、処理基板の上
段から下段間への移動を行う第1のエレベータ140を
設けている。In this embodiment, a back plate (processing substrate) for a PDP provided with a processing material made of a low-melting glass paste for forming a barrier is placed on a heat-resistant glass substrate, and is processed substantially horizontally while being conveyed. This is a baking processing apparatus for baking a material. The baking processing apparatus is provided in two stages and has a small processing area, and can cope with an increase in the size, quality and mass production of a PDP. As shown in FIG. 1, a processing substrate input section 110 for inputting a processing substrate, a heating section 120 for firing a processing material of the processing substrate, and a processing substrate The first to slowly cool to the point
The first cooling unit 130 is provided at the lower stage.
In order from the side, after reaching the strain point of the processing substrate or less, the second cooling unit 150 that rapidly cools the processing substrate to almost room temperature, and the processing substrate after the baking process is appropriately subjected to at least one of a plurality of desired speeds. Speed change unit 160 that can convey while changing the speed
And a buffer section 170 for stocking the processing substrate and a take-out section 180 for processing substrate, and a first elevator 140 for moving the processing substrate from the upper stage to the lower stage.
【0013】本例の装置100においては、図2(a)
に示すように、上段は、処理基板の搬送方向に沿い、ほ
ぼ等間隔に、17ゾーンに分割されており、通常、加熱
部120には、1〜11ゾーン、第1の冷却部130に
は、12ゾーンから17ゾーンを割りふるが、これに限
定はされない。そして、1ゾーン〜10ゾーンは1つの
温度制御(加熱制御)で、11ゾーン〜17ゾーンはそ
れぞれ、単独に温度制御(加熱制御)を行うことができ
る。尚、上段の加熱部110と第1の冷却部120の搬
送方向に沿う、各ゾーンには、加熱ヒータがそれぞれ処
理基板の上下を加熱するように上下に配設されており、
温度制御は、これらの加熱ヒータを駆動させることによ
り行う。また、本例の装置100においては、図2
(b)(イ)に示すように、1ゾーン〜10ゾーン間は
所定の速度での連続搬送しかできないが、11ゾーン〜
17ゾーンの各ゾーンは、それぞれタクト搬送できるよ
うになっている。1ゾーン〜10ゾーン間は1つの駆動
源による駆動される1つのローラー式コンベア(単にコ
ンベアとも言う)で、11ゾーン〜17ゾーンは、それ
ぞれ、1つの駆動源による駆動される1つのローラー式
コンベアで、それぞれ独立に搬送制御される。勿論、必
要に応じ、図2(b)(ロ)に示すように、1ゾーン〜
17ゾーン間を所定の速度で連続搬送することもできる
ようになっている。In the apparatus 100 of this embodiment, FIG.
As shown in the figure, the upper stage is divided into 17 zones at substantially equal intervals along the transport direction of the processing substrate. Usually, the heating unit 120 has 1 to 11 zones, and the first cooling unit 130 has , 12 zones to 17 zones, but is not limited thereto. Zones 1 to 10 can perform one temperature control (heating control), and zones 11 to 17 can independently perform temperature control (heating control). Note that, in each zone along the transport direction of the upper heating unit 110 and the first cooling unit 120, heating heaters are arranged vertically so as to heat the upper and lower surfaces of the processing substrate, respectively.
Temperature control is performed by driving these heaters. Further, in the device 100 of this example, FIG.
(B) As shown in (a), only continuous conveyance at a predetermined speed can be performed between zones 1 to 10;
Each of the 17 zones can be tact-conveyed. One roller-type conveyor driven by one drive source (also simply referred to as a conveyor) between 1 zone and 10 zones, and one roller-type conveyor driven by one drive source in each of 11 zones through 17 zones , Each of which is independently controlled. Of course, if necessary, as shown in FIG.
It is also possible to continuously convey between 17 zones at a predetermined speed.
【0014】このように、ゾーン分割して、それぞれ所
定のゾーン内で温度制御(加熱制御)し、且つ、搬送方
法をタクト搬送に切り換えることができるようにしてい
る。それぞれ所定のゾーン内で温度制御(加熱制御)を
適当に行い、且つ、搬送方法を適当にとることにより、
即ち、11ゾーン〜17ゾーンの各ゾーンで(通常、除
冷を行う第1の冷却部に相当する)の各ゾーンで、それ
ぞれタクト搬送させることにより、図2(a)に示すよ
うに各ゾーンを、昇温処理、キープ温度保持処理、
徐冷処理に対応させることができ、図3に示すよう
な、所望の処理基板の焼成プロファイルを得ることがで
きる。図3については、既に説明したのでここでは、説
明を省略する。As described above, the zones are divided, and the temperature is controlled (heated) in each of the predetermined zones, and the transport method can be switched to the tact transport. By appropriately performing temperature control (heating control) in each of the predetermined zones and appropriately taking the transport method,
That is, each zone of 11 to 17 zones (usually corresponding to a first cooling section for performing cooling) is tact-conveyed to each zone, as shown in FIG. The temperature rise process, keep temperature keeping process,
It is possible to cope with the slow cooling process, and a desired firing profile of the processed substrate can be obtained as shown in FIG. Since FIG. 3 has already been described, the description is omitted here.
【0015】加熱ヒータとしては、遠赤外線ヒータが防
塵効果の点から好ましいが、これに限定はされない。搬
送するローラー式コンベアのローラーの材質や壁部の材
質としては、焼成処理温度に耐えることが必要で、ここ
では、ステンレスローラーを用い、セッターとの接触部
はセラミックとしている。また壁部はガラス繊維として
いる。尚、ここで言うタクト搬送とは、処理基板を各ゾ
ーンから隣接する次のゾーンへの搬送を行い、所定時間
停止させるような搬送方法である。また、処理基板の材
質、サイズ、焼成する加工用素材の種類等に合わせ、各
コンベアの搬送速度、加熱条件、冷却条件等、種々の装
置条件を設定するが、PDP用の処理基板として、80
0mm×1000mm、厚さ2.8mmのソーダガラス
を用い、低融点ガラスからなる障壁形成用の加工素材を
焼成する場合には、装置全長を25m程度にすると、各
部を充分機能するように配置することができる。As the heater, a far-infrared heater is preferable from the viewpoint of dustproof effect, but is not limited thereto. The material of the roller and the material of the wall of the roller-type conveyor to be conveyed must withstand the baking treatment temperature. Here, a stainless roller is used, and the contact portion with the setter is made of ceramic. The wall is made of glass fiber. Here, the tact transfer is a transfer method in which the processing substrate is transferred from each zone to the next adjacent zone, and is stopped for a predetermined time. In addition, various apparatus conditions such as a conveyor speed, heating conditions, and cooling conditions are set according to the material and size of the processing substrate, the type of the processing material to be fired, and the like.
When soda glass having a size of 0 mm × 1000 mm and a thickness of 2.8 mm is used and a processing material for forming a barrier made of low-melting glass is fired, if the overall length of the apparatus is set to about 25 m, the components are arranged so as to function sufficiently. be able to.
【0016】本例の装置100では、第2の冷却部は、
冷却用の冷却水をチューブに通して冷却するものであ
る。In the device 100 of the present embodiment, the second cooling unit
Cooling water for cooling is passed through a tube to cool.
【0017】本装置100では、図4(a)に示すよう
に、処理基板200は、第2のエレベータ190の載置
台191にセットされ、その位置をコンベア221位置
に合わせた状態で、コンベア221にて搬送されて、上
段のコンベア211へと投入される。また、処理済の処
理基板200は、下段のコンベア216からコンベア2
22にて、取り出され、更に、その位置をコンベア22
2の位置に合わせた状態で、ローラー(図示していな
い)付きの第2のエレベータ190の載置台191に、
ローラーを介して送られ、ここで、処理済みの処理基板
は外部へと取り出される。In the apparatus 100, as shown in FIG. 4A, the processing substrate 200 is set on the mounting table 191 of the second elevator 190, and the position of the processing substrate 200 is adjusted to the position of the conveyor 221. And is fed into the upper conveyor 211. Further, the processed substrate 200 is transferred from the lower conveyor 216 to the conveyor 2.
At 22, it is taken out, and its position is
In the state adjusted to the position of No. 2, the mounting table 191 of the second elevator 190 with a roller (not shown)
It is sent via a roller, where the processed substrate is taken out.
【0018】また、処理基板200の、上段のコンベア
212から第1のエレベータ140への搭載、および第
1のエレベータ140からの下段のコンベア215への
移動は、適宜、所定の方向に、第1のエレベータ140
に付いているローラー(図示していない)を回転させて
行う。即ち、処理基板200は、図4(b)に示すよう
に、第1のエレベータ140の載置台141の位置を上
段のコンベア212に合わせた状態で、上段のコンベア
212から、第1のエレベータ140の載置台141へ
と搭載され、第1のエレベータ140の載置台141の
位置を下段のコンベア215の位置に合わせた状態で、
第1のエレベータ140の載置台141から、下段のコ
ンベア215へと移動される。The loading of the processing substrate 200 from the upper conveyor 212 to the first elevator 140 and the movement of the processing substrate 200 from the first elevator 140 to the lower conveyor 215 are appropriately performed in the predetermined direction. Elevator 140
The roller (not shown) attached to is rotated. That is, as shown in FIG. 4B, the processing board 200 is moved from the upper conveyor 212 to the first elevator 140 with the mounting table 141 of the first elevator 140 being aligned with the upper conveyor 212. In the state where the position of the mounting table 141 of the first elevator 140 is adjusted to the position of the lower conveyor 215,
From the mounting table 141 of the first elevator 140, it is moved to the lower conveyor 215.
【0019】また、図5に示すように、下段のバッファ
部171から、耐熱ガラス基板を取り出すための耐熱ガ
ラス基板205の取り出し部230を設けている。本装
置100では、処理基板200をセットするためのセッ
ターとなる耐熱ガラス基板205の出し入れを、下段の
バッファ部171の側面に設けた、コンベア241を介
して行うことができる。コンベア241から更に台車2
45へと耐熱ガラス基板205は運ばれる。これによ
り、処理の搬送トラブル等にも対応できるものとしてい
る。As shown in FIG. 5, a take-out portion 230 for taking out the heat-resistant glass substrate 205 for taking out the heat-resistant glass substrate from the lower buffer portion 171 is provided. In the present apparatus 100, the heat-resistant glass substrate 205 serving as a setter for setting the processing substrate 200 can be taken in and out via a conveyor 241 provided on the side surface of the lower buffer unit 171. Conveyor 241 and cart 2
The heat-resistant glass substrate 205 is carried to 45. Thereby, it is possible to cope with transport troubles of the processing.
【0020】スピード変速部160は、搬送を高速にし
たり、低速にしたりすることができる搬送部で、コンベ
アの速度を切り換えるものである。続く搬送部165と
は、独立に搬送速度を制御することができる。本装置1
00においては、スピード変速部160に続き、搬送の
速度を切り換えることができない搬送部165を設けて
いる。そして、搬送部165に続き、それぞれ、搬送を
独立して行えるバッファ部171、172、173を設
けている。これにより、処理済の処理基板の取り出し
を、必要に応じて、適宜、行えるものとしており、且
つ、搬送トラブルにも対応できるものとしている。The speed change section 160 is a transfer section that can change the speed of the conveyor, and can change the speed of the conveyor. The transport speed can be controlled independently of the subsequent transport unit 165. This device 1
In 00, a transport unit 165 that cannot switch the transport speed is provided following the speed change unit 160. Following the transport section 165, buffer sections 171, 172, and 173 capable of independently performing transport are provided. Thus, it is possible to appropriately take out the processed substrate as needed, and to cope with a transport trouble.
【0021】図1に示す例は、本発明の1実施の形態
で、これに限定されるものではない。例えば、搬送方法
も複数のコンベアによる搬送に限定れさないし、本例で
は、耐熱ガラス基板をセッターとして、処理基板を搬送
したが、別の耐熱性のセッターを用いても良い。The example shown in FIG. 1 is an embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to this. For example, the transfer method is not limited to the transfer using a plurality of conveyors. In this example, the heat-resistant glass substrate is used as the setter to transfer the processing substrate. However, another heat-resistant setter may be used.
【0022】[0022]
【発明の効果】本発明は、上記のように、PDP作製に
おける、加工用素材の焼成処理を効率的に、且つ、品質
的にも満足できるように行う焼成処理装置の提供を可能
とした。結果、PDPの大型化、高品質化、量産化に対
応できるものとした。As described above, the present invention makes it possible to provide a baking treatment apparatus for performing a baking treatment of a processing material in PDP production so as to be efficient and satisfy the quality. As a result, the PDP can respond to the increase in size, quality, and mass production of PDPs.
【図1】本発明の焼成処理装置の実施の形態の1例をし
めした概略図FIG. 1 is a schematic view showing an example of an embodiment of a baking treatment apparatus of the present invention.
【図2】上段のゾーン分割とタクト搬送とを簡易的に示
した図FIG. 2 is a diagram simply showing upper zone division and tact transfer.
【図3】処理基板の加熱プロファイルを示した図FIG. 3 is a diagram showing a heating profile of a processing substrate.
【図4】エレベータの動作を説明するための概略図FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the operation of the elevator.
【図5】耐熱ガラス基板の出し入れ部を説明するための
図FIG. 5 is a diagram for explaining a portion where a heat-resistant glass substrate is inserted and removed.
【図6】PDPの製造工程を説明するための工程図FIG. 6 is a process chart for explaining a PDP manufacturing process.
【図7】PDP基板を説明するための図FIG. 7 is a diagram illustrating a PDP substrate.
100 焼成処理装置 110 処理基板投入部 120 加熱部 130 第1の冷却部 140 第1のエレベータ 141 載置台 150 第2の冷却部 160 スピード変速部(変速搬
送部) 165 搬送部 171、172、173 バッファ部 180 処理基板の取り出し部 190 第2のエレベータ 191 載置台 200 処理基板 205 耐熱ガラス基板(セッタ
ーとも言う) 211、212、221、222、215、216
コンベア 240 耐熱ガラス基板の出し入
れ部 241 コンベア 245 台車REFERENCE SIGNS LIST 100 Baking processing apparatus 110 Processing substrate input section 120 Heating section 130 First cooling section 140 First elevator 141 Mounting table 150 Second cooling section 160 Speed shift section (shifting transfer section) 165 Transfer section 171, 172, 173 Buffer Unit 180 Processing substrate take-out unit 190 Second elevator 191 Mounting table 200 Processing substrate 205 Heat-resistant glass substrate (also referred to as setter) 211, 212, 221, 222, 215, 216
Conveyor 240 Heat-resistant glass substrate loading / unloading section 241 Conveyor 245 Cart
フロントページの続き Fターム(参考) 3K058 BA19 CB12 4G015 CA08 CA10 CB02 CC02 GA01 4K050 AA04 BA17 CA13 CD06 CF06 CF16 CG04 CG06 5C012 AA09 BD05 5C040 FA01 JA22 MA22 MA24 MA25Continued on the front page F term (reference) 3K058 BA19 CB12 4G015 CA08 CA10 CB02 CC02 GA01 4K050 AA04 BA17 CA13 CD06 CF06 CF16 CG04 CG06 5C012 AA09 BD05 5C040 FA01 JA22 MA22 MA24 MA25
Claims (5)
送しながら、処理基板の加工用素材を焼成するための焼
成処理装置であって、上段に、順に、処理基板を投入す
る処理基板投入部と、処理基板の加工用素材を焼成する
加熱部と、処理基板を歪点以下まで徐冷する第1の冷却
部とを設け、下段に、第1の冷却部側から順に、処理基
板の歪点以下に達した後、処理基板をほぼ常温まで急冷
する第2の冷却部と、焼成処理後の処理基板を、適宜、
少なくとも複数の所望のスピードの1つに変速して搬送
できるスピード変速部と、処理基板をストックするバッ
ファ部と、処理基板の取り出し部とを設け、且つ、処理
基板の上段から下段間への移動を行う第1のエレベータ
を設けていることを特徴とする焼成処理装置。1. A baking processing apparatus for baking a processing material of a processing substrate while transporting a processing substrate for a plasma display, comprising: a processing substrate loading section for loading a processing substrate in order in an upper stage; A heating unit for baking the processing material of the processing substrate and a first cooling unit for gradually cooling the processing substrate to a temperature below the strain point are provided, and the lower stage is, in order from the first cooling unit side, below the strain point of the processing substrate. After the temperature reaches the second cooling unit for rapidly cooling the processing substrate to almost room temperature,
A speed shifting unit capable of shifting at least one of a plurality of desired speeds for conveyance, a buffer unit for stocking a processing substrate, and a processing substrate take-out unit are provided, and the processing substrate is moved from an upper stage to a lower stage. A sintering processing apparatus, comprising a first elevator for performing the following.
部には、搬送方向に沿い、加熱ヒータが複数配設されて
おり、第2の冷却部は、冷却用の冷却水をチューブに通
して冷却するものであり、且つ、加熱ヒータは、複数
の、所定の搬送方向距離ごとに、分割して、それぞれ別
に温度制御できるものであることを特徴とする焼成処理
装置。2. A heating device according to claim 1, wherein the heating unit and the first cooling unit are provided with a plurality of heating heaters along the transport direction, and the second cooling unit supplies cooling water for cooling to a tube. Wherein the heating heater is divided for each of a plurality of predetermined distances in the conveying direction and can be separately temperature-controlled.
耐熱ガラス基板上に載せられ、ローラー式コンベアによ
り搬送されるものであることを特徴とする焼成処理装
置。3. The baking processing apparatus according to claim 1, wherein the processing substrate is placed on a heat-resistant glass substrate and transported by a roller type conveyor.
部から、処理基板投入部へ、処理基板ないし耐熱ガラス
基板を移動する第2のエレベータを設けていることを特
徴とする焼成処理装置。4. The baking processing apparatus according to claim 3, further comprising a second elevator for moving the processing substrate or the heat-resistant glass substrate from the processing substrate take-out section to the processing substrate loading section.
ファ部から、耐熱ガラス基板を出し入れするための耐熱
ガラス基板出し入れ部を設けていることを特徴とする焼
成処理装置。5. The baking treatment apparatus according to claim 3, further comprising a heat-resistant glass substrate loading / unloading section for loading and unloading a heat-resistant glass substrate from a lower puffer section.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19480098A JP4204019B2 (en) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | Firing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19480098A JP4204019B2 (en) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | Firing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000026131A true JP2000026131A (en) | 2000-01-25 |
JP4204019B2 JP4204019B2 (en) | 2009-01-07 |
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ID=16330479
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100387921C (en) * | 2002-04-30 | 2008-05-14 | 松下电器产业株式会社 | Baking system for plasma display board and laying-out method of said system |
-
1998
- 1998-07-09 JP JP19480098A patent/JP4204019B2/en not_active Expired - Fee Related
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CN100387921C (en) * | 2002-04-30 | 2008-05-14 | 松下电器产业株式会社 | Baking system for plasma display board and laying-out method of said system |
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