JP2001110313A - Baking treatment apparatus - Google Patents

Baking treatment apparatus

Info

Publication number
JP2001110313A
JP2001110313A JP28802399A JP28802399A JP2001110313A JP 2001110313 A JP2001110313 A JP 2001110313A JP 28802399 A JP28802399 A JP 28802399A JP 28802399 A JP28802399 A JP 28802399A JP 2001110313 A JP2001110313 A JP 2001110313A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
air
cooling
heating
processing
baking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28802399A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Fujii
英明 藤井
Hide Kurosawa
秀 黒澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP28802399A priority Critical patent/JP2001110313A/en
Publication of JP2001110313A publication Critical patent/JP2001110313A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a baking treatment apparatus that can cope with scale enlargement, quality improvement and expanding production of PDP in fabrication of a back plate and a front plate for PDP. SOLUTION: This is a batch-type baking treatment apparatus that conducts baking treatment to bake raw materials for fabricating processing substrate at once for a plurality of processing substrates in a single furnace. It is equipped with many stages of air dispersing plates, that have air-feed holes that supply heating or cooling air on the surface of processing substrates, with prescribed separation nearly at a level. Each processing substrate is mounted on the air dispersing plate described above and is subjected to heating or cooling treatment by blowing heating or cooling air from the dispersing plate onto the processing substrate. Further, heating and cooling portions that control heating and cooling of the fed air, respectively, are equipped.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、加工用素材の焼成
処理を行う焼成処理装置に関し、特に、プラズマディス
プレイ用の基板の加工用素材の焼成処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking apparatus for baking a processing material, and more particularly, to a baking apparatus for processing a substrate for a plasma display.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、プラズマディスプレイパネル(以
下PDPとも記す)は、その奥行きの薄いこと、軽量で
あること、更に鮮明な表示と液晶パネルに比べ視野角が
広いことにより、種々の表示装置に利用されつつある。
一般に、プラズマディスプレイパネル(PDP)は、2
枚の対向するガラス基板にそれぞれ規則的に配列した一
対の電極を設け、その間にネオン、キセノン等を主体と
するガスを封入した構造となっている。そして、これら
の電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放
電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を
行うようにしている。特に情報表示をするためには、規
則的に並んだセルを選択的に放電発光させている。
2. Description of the Related Art In recent years, plasma display panels (hereinafter, also referred to as PDPs) have been used in various display devices because of their small depth, light weight, clear display, and wide viewing angle compared to liquid crystal panels. It is being used.
Generally, a plasma display panel (PDP) has two
A pair of regularly arranged electrodes are provided on a pair of opposed glass substrates, and a gas mainly containing neon, xenon, or the like is sealed between the pair of electrodes. Then, a voltage is applied between these electrodes, and a discharge is generated in minute cells around the electrodes, so that each cell emits light and display is performed. In particular, in order to display information, regularly arranged cells are selectively discharged to emit light.

【0003】ここで、PDPの構成を、図5に示すAC
型PDPの1例を挙げて説明しておく。図5はPDP構
成斜視図であるが、分かり易くするため前面板(ガラス
基板410)、背面板(ガラス基板420)とを実際よ
り離して示してある。図5に示すように、2枚のガラス
基板410、420が互いに平行に且つ対向して配設さ
れており、両者は背面板となるガラス基板420上に互
いに平行に設けられた障壁(セル障壁とも言う)430
により、一定の間隔に保持されている。前面板となるガ
ラス基板410の背面側には、放電維持電極である透明
電極440とバス電極である金属電極450とで構成さ
れる複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って、
誘電体層460が形成されており、更にその上に保護層
(MgO層)470が形成されている。また、背面板と
なるガラス基板420の前面側には前記複合電極と直交
するように障壁430間に位置してアドレス電極480
が互いに平行に形成されており、更に障壁430の壁面
とセル底面を覆うように螢光面490が設けられてい
る。障壁430は放電空間を区画するためのもので、区
画された各放電空間をセルないし単位発光領域と言う。
このAC型PDPは面放電型であって、前面板上の複合
電極間に交流電圧を印加して放電させる構造である。こ
の場合、交流をかけているために電界の向きは周波数に
対応して変化する。そして、この放電により生じる紫外
線により螢光体490を発光させ、前面板を透過する光
を観察者が視認できるものである。なお、DC型PDP
にあっては、電極は誘電体層で被膜されていない構造を
有する点でAC型と相違するが、その放電効果は同じで
ある。また、図5に示すものは、ガラス基板420の一
面に下地層467を設けその上に誘電体層465を設け
た構造となっているが、下地層467、誘電体層465
は必ずしも必要としない。
Here, the structure of the PDP is shown in FIG.
An example of the type PDP will be described. FIG. 5 is a perspective view of the PDP structure, but shows the front plate (glass substrate 410) and the rear plate (glass substrate 420) apart from the actual case for easy understanding. As shown in FIG. 5, two glass substrates 410 and 420 are disposed in parallel and opposed to each other, and both are barriers (cell barriers) provided in parallel on a glass substrate 420 serving as a back plate. 430)
Are held at regular intervals. On the back side of the glass substrate 410 serving as the front plate, composite electrodes composed of a transparent electrode 440 serving as a discharge sustaining electrode and a metal electrode 450 serving as a bus electrode are formed in parallel with each other.
A dielectric layer 460 is formed, and a protective layer (MgO layer) 470 is further formed thereon. In addition, on the front side of the glass substrate 420 serving as a back plate, an address electrode 480 is positioned between the barriers 430 so as to be orthogonal to the composite electrode.
Are formed in parallel with each other, and a fluorescent surface 490 is provided so as to cover the wall surface of the barrier 430 and the cell bottom surface. The barrier 430 divides the discharge space, and each of the divided discharge spaces is called a cell or a unit light emitting region.
This AC type PDP is a surface discharge type, and has a structure in which an AC voltage is applied between composite electrodes on the front panel to cause discharge. In this case, since the alternating current is applied, the direction of the electric field changes according to the frequency. Then, the fluorescent material 490 is caused to emit light by the ultraviolet light generated by the discharge, and the light transmitted through the front plate can be visually recognized by an observer. In addition, DC type PDP
In the above, the electrode is different from the AC type in that the electrode has a structure not coated with the dielectric layer, but the discharge effect is the same. 5 has a structure in which an underlayer 467 is provided on one surface of a glass substrate 420 and a dielectric layer 465 is provided thereon, but the underlayer 467 and the dielectric layer 465 are provided.
Is not necessarily required.

【0004】そして、AC型のプラズマディスプレイ
(PDP)は、例えば、図4に示すようにして、作製さ
れていた。図4はAC型のPDP作製工程を示したもの
で、背面板、前面板をそれぞれ別個の工程で作製し、両
者を用いてPDPをアセンブリするものである。先ず、
背面板の作製工程を説明する。尚、S31〜S54は処
理ステップを表す。はじめに、ガラス基板を用意し(S
31)、ガラス基板上に電極配線用ペーストを一面に塗
布、乾燥し、これを製版処理を経て、所定形状に加工し
て、あるいは、ガラス基板に厚膜印刷法により電極配線
用ペーストを所定形状に印刷した後、これを焼成し、電
極配線を形成する。(S32) 次いで、形成された電極上にガラス基板面を覆うように
全面に誘電体層を形成する。(S33) 次いで、このガラス基板の誘電体層上に障壁(バリアリ
ブとも言う)を、印刷法ないしサンドブラスト法により
形成する。(S34) 印刷法の場合、ガラス基板に厚膜印刷法により障壁(バ
リアリブ)形成用ペーストを所定のパターンに印刷し、
これを乾燥する。障壁の層厚は厚く(例えば100〜2
00μmの厚さ)1回の厚膜印刷ではこの膜厚が得られ
ないため、障壁形成用ペーストの印刷および乾燥は複数
回行う。所定の膜厚が得られた後、ペーストの焼成がな
される。サンドブラスト法の場合は、障壁形成材料をガ
ラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレシストパタ
ーンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジストパターン
に対応した形状に障壁形成材料を加工して、これを焼成
して障壁を形成する。更に、障壁が形成された基板に厚
膜印刷法により蛍光体用ペースト(例えば、酸化インジ
ウム含有の螢光体用ペースト)を所定パターンに印刷
し、次いでその乾燥及び焼成を行い(S35)、背面板
を形成する。(S36)
An AC type plasma display (PDP) has been manufactured, for example, as shown in FIG. FIG. 4 shows an AC type PDP manufacturing process, in which a back plate and a front plate are manufactured in separate steps, respectively, and a PDP is assembled using both. First,
The manufacturing process of the back plate will be described. Note that S31 to S54 represent processing steps. First, prepare a glass substrate (S
31) An electrode wiring paste is applied on one side of a glass substrate, dried, processed into a predetermined shape through a plate making process, or the electrode wiring paste is formed on a glass substrate by a thick film printing method. Then, it is baked to form an electrode wiring. (S32) Next, a dielectric layer is formed on the entire surface of the formed electrode so as to cover the glass substrate surface. (S33) Next, a barrier (also referred to as a barrier rib) is formed on the dielectric layer of the glass substrate by a printing method or a sandblast method. (S34) In the case of a printing method, a barrier (barrier rib) forming paste is printed in a predetermined pattern on a glass substrate by a thick film printing method,
This is dried. The thickness of the barrier is large (for example, 100 to 2).
(Thickness of 00 μm) Since this film thickness cannot be obtained by one thick film printing, printing and drying of the barrier forming paste are performed a plurality of times. After a predetermined film thickness is obtained, the paste is fired. In the case of the sand blast method, a barrier forming material is applied on a glass substrate, and after forming a predetermined resist pattern thereon, abrasive sand is sprayed to process the barrier forming material into a shape corresponding to the resist pattern. This is fired to form a barrier. Further, a paste for a phosphor (for example, a paste for a phosphor containing indium oxide) is printed in a predetermined pattern on the substrate on which the barrier is formed by a thick film printing method, and then dried and fired (S35). Form a faceplate. (S36)

【0005】次に、前面板の作製工程を説明する。先
ず、ガラス基板を用意し(S41)、ガラス基板に例え
ばITO(Indium Tin Oxide)の蒸着
層をパターニングする。(S42) パターニングは通常のフォトリソ工程(リソグラフィー
技術)により行う。次いで、Cr−Cu−Cr(クロ
ム、銅、クロム)の3層を蒸着やスパッタリングにより
成膜し、同様にフォトリソ工程(リソグラフィー技術)
によりパターニングして、パターニングされたITO膜
とともに、放電用の電極配線を形成する。(S43) 次いで、ペースト状にした低融点ガラスのベタ印刷によ
り、透明誘電体層を形成して(S44)、前面板が得ら
れる。(S45)
Next, a process for manufacturing the front plate will be described. First, a glass substrate is prepared (S41), and a deposition layer of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) is patterned on the glass substrate. (S42) The patterning is performed by a normal photolithography process (lithography technology). Next, three layers of Cr-Cu-Cr (chromium, copper, chromium) are formed by vapor deposition or sputtering, and a photolithography process (lithography technology) is performed similarly.
To form an electrode wiring for discharge together with the patterned ITO film. (S43) Next, a transparent dielectric layer is formed by solid printing of the paste-like low melting point glass (S44), and the front plate is obtained. (S45)

【0006】次いで、このようにして得られた、背面
板、前面板を用い、以下のようにしてPDPを作製す
る。先ず、前面板及び背面板の位置合わせを行い、その
状態で両基板の縁部分にシール用鉛ガラスを塗布し、次
いでシールが行われる。(S51) 次に、両基板(背面板と前面板)及びシール部で囲われ
る空隙内が排気管を介して排気された後、この排気管を
介して上述の空隙に放電ガスが封入される。(S52) その後、排気管の焼きちぎり(チップオフ)を行い、ド
ライバIC取付けを行い(S53)、PDP(プラズマ
ディスプレイパネル)が得られる。(S54) 上記のように、PDPの作製に際し、これに使用する背
面板、前面板は、それぞれ、各種工程を経て、電極配線
部、障壁部、螢光体部、誘電体層部等が形成され、併せ
てPDPとなる。
Next, a PDP is manufactured using the back plate and the front plate thus obtained as follows. First, the front plate and the back plate are aligned, and in that state, lead glass for sealing is applied to the edges of both substrates, and then sealing is performed. (S51) Next, after the inside of the space surrounded by both substrates (the back plate and the front plate) and the seal portion is evacuated through the exhaust pipe, the discharge gas is sealed in the above-mentioned gap via the exhaust pipe. . (S52) Thereafter, the exhaust pipe is burned off (chip off), and a driver IC is mounted (S53), and a PDP (plasma display panel) is obtained. (S54) As described above, the back plate and the front plate used for the production of the PDP are formed with an electrode wiring portion, a barrier portion, a phosphor portion, a dielectric layer portion and the like through various processes. In addition, it becomes a PDP.

【0007】このようなPDPの作製においては、最近
では、生産性、品質面等から、電極配線部の形成、障壁
の形成等をサンドブラスト処理により行うようになって
きた。このサンドブラスト処理は、電極配線部、障壁形
成用の低融点ガラスペーストからなる加工用素材を、そ
れぞれ、ガラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレ
シストパターンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジス
トパターンに対応した形状に障壁形成材料を加工して、
これを焼成処理して、それぞれ、電極配線部、障壁を形
成するものである。しかし、ガラス基板上としては、ア
ニール処理された基板が用いられ、各処理を施すが、こ
のような焼成処理が、複数回行われるために、各処理に
おいても、ガラス基板自体の伸縮の管理が必要となる。
このため、ここで言う焼成処理とは、図3にその処理に
おける温度プロファイルを示すように、これら低融点ガ
ラスペーストからなる加工用素材をガラス基板上に形成
した後に、加工用素材を焼成するキープ温度Tkで、所
定時間保持した後、ガラス基板の歪点Tsまで徐冷し、
さらに常温まで冷却するのもので、これにより、各処理
におけるガラス基板自体の伸縮を制御している。図3
中、T0は常温を示している。尚、アニール工程とは、
簡単には、ガラス基板の永久歪を除去する処理である。
そして、ガラス基板の歪点とは、この温度からどんなに
急冷しても、その急冷のために新しく永久歪を生ぜしめ
る可能性が全くない温度である。歪点(温度)から常温
まで温度を急冷する際、この間でもガラス基板は縮む
が、急冷速度を一定としておけば、その縮む値を固定化
することができる。即ち、ピーク温度から歪点までの冷
却速度の値により、伸縮量を制御できる。また、焼成工
程のピーク温度は、通常、加工用素材を焼結するための
温度で、所定時間、このピーク温度で保持するため、こ
こでは、これをキープ温度とも言っている。また、通
常、電極配線形成用の導電性ペーストは、金属微粒子
(例えばAg)、低融点ガラスフリット、樹脂、溶剤か
らなり、誘電体層形成用のペーストは、低融点ガラスフ
リット、樹脂、溶剤からなり、必要に応じフィラー、顔
料等も加えたものである。また、障壁形成用のペースト
は、低融点ガラスフリット、フィラー(アルミナ、ジル
コニア等)、顔料、樹脂、溶剤からなる。これらのペー
ストは、焼成過程で流動して固着するための低融点ガラ
スフリットを主成分とし含むことから、一般に、低融点
ガラスないし低融点ガラスペーストと呼ばれる。
In the production of such a PDP, formation of an electrode wiring portion, formation of a barrier, and the like have recently been performed by sandblasting in terms of productivity, quality, and the like. In this sandblasting process, a processing material composed of a low-melting glass paste for forming an electrode wiring portion and a barrier is applied onto a glass substrate, respectively, and a predetermined resist pattern is formed thereon. Processing the barrier forming material into a shape corresponding to the spray resist pattern,
This is fired to form an electrode wiring portion and a barrier, respectively. However, as the glass substrate, an annealed substrate is used, and each process is performed. Since such a baking process is performed a plurality of times, the management of expansion and contraction of the glass substrate itself is also performed in each process. Required.
For this reason, the baking treatment referred to here is a process of baking the working material after forming a working material made of these low-melting glass pastes on a glass substrate, as shown in FIG. After holding at a temperature Tk for a predetermined time, the glass substrate is gradually cooled to a strain point Ts,
Further, the glass substrate is cooled to room temperature, thereby controlling the expansion and contraction of the glass substrate itself in each process. FIG.
In the graph, T0 indicates normal temperature. In addition, the annealing step
Briefly, it is a process for removing permanent distortion of the glass substrate.
The strain point of the glass substrate is a temperature at which there is no possibility of newly generating permanent distortion due to the rapid cooling, no matter how rapidly the glass substrate is cooled from this temperature. When the temperature is rapidly cooled from the strain point (temperature) to normal temperature, the glass substrate shrinks even during this time, but if the quenching rate is kept constant, the shrinking value can be fixed. That is, the amount of expansion and contraction can be controlled by the value of the cooling rate from the peak temperature to the strain point. In addition, the peak temperature in the firing step is usually a temperature for sintering the working material, and is maintained at this peak temperature for a predetermined time. Usually, the conductive paste for forming the electrode wiring is made of metal fine particles (for example, Ag), a low-melting glass frit, a resin, and a solvent, and the paste for forming the dielectric layer is made of the low-melting glass frit, a resin, and a solvent. And fillers, pigments and the like are added as necessary. The paste for forming the barrier is made of a low-melting glass frit, a filler (alumina, zirconia, etc.), a pigment, a resin, and a solvent. These pastes are generally referred to as low-melting glass or low-melting glass paste because they contain, as a main component, a low-melting glass frit for flowing and fixing in a firing process.

【0008】尚、従来のPDP用の背面板、前面板の作
製における焼成処理装置としては、目的とする焼成プロ
ファイルを得て、連続処理ができる、長い炉内に処理基
板を搬送させながら加熱処理、冷却処理を行う方式(ロ
ーラーハース式とも言う)連続焼成炉(図示していな
い)が用いられていた。しかし、この方式の焼成処理装
置には、設置スペースが大きくなり、搬送に対応したク
リーン化や、炉内のクリーン化が難しいと言う本質的な
問題があり、PDP用の背面板、前面板の作製におい
て、PDPの大型化、高品質化、量産化に対応できる焼
成処理装置とは言えるものではなかった。
A conventional baking apparatus for producing a back plate and a front plate for a PDP includes a heating process while transferring a processing substrate into a long furnace capable of obtaining a desired baking profile and performing a continuous process. A continuous firing furnace (not shown) for performing a cooling process (also referred to as a roller hearth type) has been used. However, this type of sintering processing apparatus has an essential problem that the installation space is large, and it is difficult to clean the furnace for transport and the inside of the furnace. In the production, it could not be said that it was a firing treatment apparatus that could respond to the increase in size, quality, and mass production of PDPs.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】このような状況のも
と、近年のPDPの大型化、高品質化、量産化が求めら
れる中、このようなPDP作製における焼成処理を効率
的に、且つ、品質的にも満足できるように行う焼成処理
装置がますます求められるようになってきた。本発明
は、これに対応するもので、PDP用の背面板、前面板
の作製において、PDPの大型化、高品質化、量産化に
対応できる焼成処理装置を提供しようとするものであ
る。
Under these circumstances, in recent years, PDPs have been required to be large-sized, high-quality, and mass-produced. There has been an increasing demand for a sintering processing apparatus that can satisfy the quality requirements. The present invention has been made to address this, and it is an object of the present invention to provide a baking treatment apparatus capable of coping with an increase in the size, quality, and mass production of a PDP in manufacturing a back plate and a front plate for a PDP.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の焼成処理装置
は、処理基板の加工用素材を焼成する焼成処理を、1つ
の炉内において、複数の処理基板に対し一度に行うため
のバッチ型の焼成処理装置であって、加熱用のエアーあ
るいは冷却用のエアーを処理基板面に供給するエアー供
給孔を設けたエアー分散板をほぼ水平に所定の間隔をあ
け多段に設けたもので、各処理基板を前記エアー分散板
上に搭載して、加熱用のエアーあるいは冷却用のエアー
をエアー分散板から処理基板に吹き付けて、加熱処理あ
るいは冷却処理を行うものであることを特徴とするもの
である。そして、上記において、供給するエアーを制御
して加熱する加熱部、及び制御して冷却する冷却部を備
えていることを特徴とするものである。そしてまた、上
記において、炉内の壁部に加熱用ヒータを配設している
ことを特徴とするものである。また、上記において、処
理基板がプラズマディスプレイ用の背面板で、加工用素
材が、障壁形成用素材、あるいは電極形成用素材、ある
いは蛍光体形成用素材であることを特徴とするものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION A baking treatment apparatus according to the present invention is a batch-type baking apparatus for baking a processing material of a processing substrate in a single furnace for a plurality of processing substrates at once. A sintering processing apparatus, in which air dispersion plates provided with air supply holes for supplying heating air or cooling air to the processing substrate surface are provided at a predetermined interval substantially horizontally and in multiple stages, and each processing is performed. A substrate is mounted on the air dispersion plate, and air for heating or air for cooling is blown from the air dispersion plate to the processing substrate to perform a heating process or a cooling process. . In the above, a heating unit that controls and heats the supplied air and a cooling unit that controls and cools the air are provided. Further, in the above, a heater for heating is provided on a wall portion in the furnace. In the above, the processing substrate is a back plate for a plasma display, and the processing material is a material for forming a barrier, a material for forming an electrode, or a material for forming a phosphor.

【0011】[0011]

【作用】本発明の焼成処理装置は、このような構成にす
ることにより、PDP用の背面板、前面板の作製におけ
る焼成工程に対応できるバッチ型の焼成処理装置の提供
を可能としている。即ち、所望の温度プロファイルを得
ることができ、且つ、従来の連続焼成炉(ローラーハー
ス式とも言う)に比べ、設置スペースは小さくなり、ク
リーン化も容易で、結果、PDPの大型化、高品質化、
量産化に対応できるものとしている。具体的には、処理
基板の加工用素材を焼成する焼成処理を、1つの炉内に
おいて、複数の処理基板に対し一度に行うためのバッチ
型の焼成処理装置であって、加熱用のエアーあるいは冷
却用のエアーを処理基板面に供給するエアー供給孔を設
けたエアー分散板をほぼ水平に所定の間隔をあけ多段に
設けたもので、各処理基板を前記エアー分散板上に搭載
して、加熱用のエアーあるいは冷却用のエアーをエアー
分散板から処理基板に吹き付けて、加熱処理あるいは冷
却処理を行うものであることにより、更には、供給する
エアーを制御して加熱する加熱部、及び制御して冷却す
る冷却部を備えていることにより、これを達成してい
る。即ち、エアー分散板から処理基板面に、加熱用のエ
アーあるいは冷却用のエアーを吹き付けて、処理基板の
加工用素材の、加熱処理あるいは冷却処理を温度制御性
良く行うことを可能としており、処理基板に対し、図3
に示すような、所望の焼成温度プロファイルを採ること
を可能としている。
The firing apparatus of the present invention having such a structure makes it possible to provide a batch-type firing apparatus capable of coping with a firing step in the production of a back panel and a front panel for a PDP. That is, a desired temperature profile can be obtained, and the installation space is small and the cleanliness is easy, as compared with the conventional continuous firing furnace (also referred to as a roller hearth type). ,
It is said that it can respond to mass production. Specifically, a batch-type baking treatment apparatus for performing a baking treatment for baking a processing material of a processing substrate on a plurality of processing substrates at one time in one furnace, and using heating air or An air distribution plate provided with an air supply hole for supplying cooling air to the processing substrate surface is provided in multiple stages at predetermined intervals substantially horizontally, and each processing substrate is mounted on the air distribution plate, Heating or cooling processing is performed by blowing heating air or cooling air from the air dispersion plate onto the processing substrate to perform heating processing or cooling processing. This is achieved by providing a cooling unit that cools down. In other words, air for heating or air for cooling is blown from the air dispersion plate to the surface of the substrate to be processed, so that the material for processing the substrate to be processed can be heated or cooled with good temperature controllability. Fig. 3
It is possible to take a desired firing temperature profile as shown in FIG.

【0012】そして、炉内の壁部に加熱用ヒータを配設
していることにより、処理基板の加熱を短時間の内に精
度良く行うことを可能にしている。
Further, the provision of the heater for heating on the wall in the furnace makes it possible to heat the processing substrate accurately in a short time.

【0013】また、処理基板がプラズマディスプレイ用
の背面板で、加工用素材が、障壁形成用素材、あるいは
電極形成用素材、あるいは蛍光体形成用素材である場合
には、特に有効である。
It is particularly effective when the processing substrate is a back plate for a plasma display and the processing material is a material for forming a barrier, a material for forming an electrode, or a material for forming a phosphor.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の焼成処理装置の実施の形
態の1例を図に基づいて説明する。図1は本発明の焼成
処理装置の実施の形態の1例の断面図で、図2(a)は
エアー分散板を処理基板搭載側から見た図で、図2
(b)は図2(a)のA1−A2断面の一部である。図
1、図2中、110は焼成炉、120はエアー分散板、
121はガラス部、125は(吹き出し用の)孔部、1
26は(エアー供給用の)孔部、130は処理基板、1
40はエアー供給部、140Aは供給用エアー、141
はエアー供給口、145はエアー排出部、145Aは排
出用エアー、146はエアー排出口、150は加熱部、
155は加熱エアー、160は冷却部、165は冷却エ
アー、170は給気経路、171〜174はバルブ、1
80はブロアー、190はヒータである。図1に示す実
施の形態の1例は、プラズマディスプレイパネル用の背
面板の作製における電極配線の形成(図3のS32に相
当)、障壁の形成(図3のS33に相当)に用いられる
加工用素材(ペースト)の焼成工程等に用いられる焼成
処理装置で、処理基板130の加工用素材を焼成する焼
成処理を、1つの炉内において、複数の処理基板130
に対し一度に行うためのバッチ型の焼成処理装置であ
る。そして、加熱用のエアーあるいは冷却用のエアーを
処理基板面に供給するエアー供給孔125、126を設
けたエアー分散板120をほぼ水平に所定の間隔をあけ
多段に設けたもので、各処理基板130を前記エアー分
散板120上に搭載して、加熱用のエアーあるいは冷却
用のエアーをエアー分散板120から処理基板130に
吹き付けて、加熱処理あるいは冷却処理を行うものであ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One example of an embodiment of a baking treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of an example of an embodiment of a baking treatment apparatus according to the present invention, and FIG. 2A is a view of an air dispersion plate viewed from a processing substrate mounting side.
(B) is a part of the A1-A2 cross section of FIG. 2 (a). 1 and 2, 110 is a baking furnace, 120 is an air dispersion plate,
121 is a glass part, 125 is a hole (for blowing out), 1
26 is a hole (for air supply), 130 is a processing substrate, 1
40 is an air supply unit, 140A is supply air, 141
Is an air supply port, 145 is an air discharge section, 145A is discharge air, 146 is an air discharge port, 150 is a heating section,
155 is heating air, 160 is a cooling unit, 165 is cooling air, 170 is an air supply path, 171 to 174 are valves, 1
80 is a blower and 190 is a heater. One example of the embodiment shown in FIG. 1 is a process used for forming an electrode wiring (corresponding to S32 in FIG. 3) and forming a barrier (corresponding to S33 in FIG. 3) in manufacturing a back plate for a plasma display panel. A baking process for baking a processing material of the processing substrate 130 is performed by a baking processing apparatus used for a baking process of a processing material (paste) in a single furnace.
This is a batch-type baking treatment apparatus for performing the same at once. An air distribution plate 120 provided with air supply holes 125 and 126 for supplying heating air or cooling air to the surface of the processing substrate is provided substantially horizontally and in multiple stages at predetermined intervals. 130 is mounted on the air dispersion plate 120, and heating or cooling air is blown from the air dispersion plate 120 to the processing substrate 130 to perform a heating process or a cooling process.

【0015】本例では、エアー分散板120は、耐熱ガ
ラス基板からなり、処理基板130をその上に載せると
ともに、図2(a)に示すように、エアー供給口141
からのエアーを孔126を介して吹き出し用の孔部12
5へと供給するものである。吹き出し用の孔部125は
搭載する処理基板130側、即ち上側に設けられてお
り、A1―A2における断面の一部は図2(b)のよう
になる。ガラス部121Aとガラス部121Bとは別体
のものを重ね合わせた構造のものである。吹き出し用の
孔部125から加熱用ないし冷却用のエアーが吹き出て
いる間、処 基板130は、その下側からエアーにより
押され浮くこともあるため、ここでは図示していない
が、水平方向の大きな位置ずれを防止する位置固定部を
エアー分散板120の上面の所定位置に設けている。
In this embodiment, the air dispersion plate 120 is made of a heat-resistant glass substrate, on which the processing substrate 130 is placed, and as shown in FIG.
Holes 12 for blowing air from the air through holes 126
5 is supplied. The blowing holes 125 are provided on the side of the processing substrate 130 to be mounted, that is, on the upper side, and a part of the cross section along A1-A2 is as shown in FIG. 2B. The glass part 121A and the glass part 121B have a structure in which separate parts are overlapped. While the air for heating or cooling is being blown out from the hole 125 for blowing out, the substrate 130 may be pushed and floated by the air from the lower side thereof. A position fixing portion for preventing a large displacement is provided at a predetermined position on the upper surface of the air distribution plate 120.

【0016】エアー供給部140は、各エアー供給口1
41へ加熱用ないし冷却用のエアーを供給する部分で、
加熱エアー155、冷却エアー165、あるいは、加熱
エアー155、冷却エアー165の混合したエアーを加
熱部150およびまたは冷却部160から受ける。加熱
部150は、バルブ171、172を開くことにより、
ブロアー180からのエアーを加熱し、加熱エアー15
5をエアー供給部140へと供給するもので、給気経路
170周囲にヒータを設け、エアーに加熱を行う。尚、
161、162は冷却水で、矢印は流れる方向を示して
いる。冷却部160は、バルブ173、174を開くこ
とにより、ブロアー180からのエアーを冷却し、冷却
エアー165をエアー供給部140へと供給するもの
で、給気経路170周囲に冷却水を流し、エアーの冷却
を行う。勿論、必要に応じて、加熱エアー155と冷却
用エアー165とを混合した状態で使用される。図示し
ていないが、焼成炉内に供給するエアーについては、ブ
ロアー180直後にHEPAフィルターを通過させるこ
とにより、クリーンなエアーを供給することが可能とな
る。
The air supply section 140 is provided at each air supply port 1.
A part for supplying air for heating or cooling to 41,
The heating unit 155 and / or the cooling unit 160 receive the heating air 155, the cooling air 165, or the mixed air of the heating air 155 and the cooling air 165. The heating unit 150 opens the valves 171 and 172,
The air from the blower 180 is heated and heated air 15
5 is supplied to the air supply unit 140, and a heater is provided around the air supply path 170 to heat the air. still,
Reference numerals 161 and 162 denote cooling water, and arrows indicate the flowing directions. The cooling unit 160 cools the air from the blower 180 by opening the valves 173 and 174, and supplies the cooling air 165 to the air supply unit 140. To cool down. Of course, if necessary, the heating air 155 and the cooling air 165 are used in a mixed state. Although not shown, the air to be supplied into the firing furnace can be supplied with clean air by passing through a HEPA filter immediately after the blower 180.

【0017】本例では、処理基板130への加熱をより
容易とするため、炉の壁部111の内側面全体にわたり
ヒータ190を設けている。ヒータ190としては、詳
しく図示していないが、熱源からの熱を送風により処理
基板130へ送る方式のものである。
In the present embodiment, a heater 190 is provided over the entire inner surface of the furnace wall 111 in order to facilitate heating of the processing substrate 130. Although not shown in detail, the heater 190 is of a type that sends heat from a heat source to the processing substrate 130 by blowing air.

【0018】尚、壁部111、エアー供給部140、各
エアー供給口141、エアー排出部145、エアー排出
口146、給気経路170を形成する材質としては、通
常使用されている断熱材が、適用できる。
The wall 111, the air supply section 140, the respective air supply ports 141, the air discharge section 145, the air discharge port 146, and the air supply path 170 may be formed of a commonly used heat insulating material. Applicable.

【0019】尚、図示していないが、温度センサーが各
部に設けられており、温度センサーからの情報に基づ
き、加熱部150のバルブ171、172、冷却部16
0のバルブ173、174、そしてブロアー180、あ
るいとヒータ190を制御する機構を備えている。
Although not shown, a temperature sensor is provided in each section, and the valves 171 and 172 of the heating section 150 and the cooling section 16 are provided based on information from the temperature sensor.
A mechanism for controlling the zero valves 173 and 174, the blower 180, and the heater 190 is provided.

【0020】ここでは、図3に基づいて、焼成処理装置
の概略動作の1例を説明する。図3は、焼成工程におい
て目的とするガラス基板の温度と時間との関係のプロフ
ァイルの概略図を示したもので、このように焼成処理を
施す。図3中、T0は焼成前後の温度、Tkはキープ温
度、Tsは歪点(温度)、310は昇温処理、320は
温度保持処理、330は徐冷処理、340は急冷処理で
ある。先ず、エアー供給部140へ、加熱エアー155
のみを供給する状態で、且つ、ヒータ190をつけた状
態で、昇温処理310を行う。次いで、エアー供給部1
40へ、加熱エアー155と冷却用エアー165を混合
して供給する状態で、且つ、ヒータ190を昇温処理3
10よりもその加熱効果を弱くした状態で温度保持処理
320を行う。次いで、温度保持処理320よりもその
加熱効果を弱くしエアー供給部140へ、加熱エアー1
55と冷却用エアー165を混合して供給する状態で、
且つ、ヒータ190を温度保持処理320よりもその加
熱効果を弱くした状態で徐冷処理330を行う。次い
で、エアー供給部140へ、冷却エアー165のみを供
給する状態で、且つ、ヒータ190をつけない状態で、
急冷処理340を行う。
Here, an example of the schematic operation of the baking apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic view showing a profile of the relationship between the temperature and time of the target glass substrate in the firing step, and the firing process is performed in this manner. In FIG. 3, T0 is a temperature before and after firing, Tk is a keep temperature, Ts is a strain point (temperature), 310 is a temperature raising process, 320 is a temperature holding process, 330 is a slow cooling process, and 340 is a rapid cooling process. First, the heating air 155 is supplied to the air supply unit 140.
The temperature increase process 310 is performed in a state in which only the heater 190 is supplied and the heater 190 is turned on. Next, the air supply unit 1
40, the heating air 155 and the cooling air 165 are mixed and supplied, and the heater 190 is heated 3
The temperature holding process 320 is performed in a state where the heating effect is weaker than 10. Next, the heating effect is weakened as compared with the temperature holding process 320, and the heated air 1 is supplied to the air supply unit 140.
55 and the cooling air 165 are mixed and supplied.
In addition, the slow cooling process 330 is performed while the heating effect of the heater 190 is weaker than that of the temperature holding process 320. Next, in a state where only the cooling air 165 is supplied to the air supply unit 140 and in a state where the heater 190 is not attached,
A quenching process 340 is performed.

【0021】簡単には、上記のように、各部を動作させ
て、各処理を行い、処理基板130の温度を制御する
が、各処理における、エアーの供給量や加熱エアー15
5と冷却用エアー165の混合具合、ヒータ190の加
熱程度については、所定の位置に温度センサーを配置し
ておき、各センサーからの情報に基づき自動調整するこ
とにより、精度良く、目的とするプロファイルを得るこ
とができる。例えば、あらかじめ、テスト基板を用いて
目的とするプロファイルを得る条件を掴んでおき、この
条件を基本条件として、処理基板130を処理する際、
各温度センサーからの情報に基づき、さらに処理条件を
決めても良い。
Briefly, as described above, each part is operated to perform each processing and control the temperature of the processing substrate 130. In each processing, the supply amount of air and the heating air 15 are controlled.
The degree of mixing of the cooling air 165 and the cooling air 165 and the degree of heating of the heater 190 are precisely adjusted by automatically arranging a temperature sensor based on information from each sensor. Can be obtained. For example, in advance, conditions for obtaining a target profile using a test substrate are grasped, and when processing the processing substrate 130 based on these conditions as basic conditions,
Processing conditions may be further determined based on information from each temperature sensor.

【0022】尚、ここでは、焼成前後の温度T0とは、
22°C前後の一定の温度で、ここではこれを常温とも
言う。また、キープ温度Tkとは、使用するペーストを
焼成するための温度であり、焼成工程のピーク温度でも
ある。前述した通り、歪点(温度)Tsとは、この温度
からどんなに急冷しても、その急冷のために新しく永久
歪みを生ぜしめる可能性が全くない温度である。即ち、
歪点(温度)Tsから常温まで温度を急冷しても、ガラ
ス基板の伸縮をほぼ無視することができる。そして、徐
冷とは、緩やかに(通常、2時間以上かけて)キープ温
度Tkから歪点(温度)Tsまで下げる冷却方法で、徐
冷速度の大小は、ガラス基板の伸縮に影響する。また、
一般には、ガラス基板を成形後、再び加熱して、軟化点
近くまで温度を上げ、それから十分緩やかに冷却する操
作をアニール処理(Annealin)と称する。そし
て、アニール処理の温度(徐冷温度とも言う)の上限を
徐冷点(Annealing point)と言う。こ
の温度は、一般には、15分間に歪みが消失する温度と
するLittletonの定義が広く用いられている。
Here, the temperature T0 before and after the firing is defined as
At a constant temperature of about 22 ° C., this is also referred to as room temperature. The keep temperature Tk is a temperature for firing the paste to be used, and is also a peak temperature in the firing step. As described above, the strain point (temperature) Ts is a temperature at which there is no possibility of causing any new permanent deformation due to the rapid cooling, no matter how rapid cooling is performed from this temperature. That is,
Even if the temperature is rapidly cooled from the strain point (temperature) Ts to room temperature, the expansion and contraction of the glass substrate can be almost ignored. Slow cooling is a cooling method that gradually (usually takes 2 hours or more) from the keep temperature Tk to the strain point (temperature) Ts. The magnitude of the slow cooling rate affects the expansion and contraction of the glass substrate. Also,
Generally, an operation of heating the glass substrate again after forming, raising the temperature to near the softening point, and then cooling sufficiently slowly is referred to as annealing treatment (annealin). Then, the upper limit of the annealing temperature (also referred to as annealing temperature) is referred to as annealing point. In general, the definition of Littleton as the temperature at which the strain disappears in 15 minutes is widely used.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明は、上記のように、処理基板の加
工用素材を焼成する焼成処理を、1つの炉内において、
複数の処理基板に対し一度に行うためのバッチ型の焼成
処理装置であって、プラズマディスプレイ用のガラス基
板上への電極配線形成のための製版、障壁形成のための
製版等の、焼成処理を所定の温度プロファイルで行うこ
とができるものの提供を可能とした。これにより、従来
の長い炉内に処理基板を搬送させながら焼成処理を行う
方式(ローラーハース式とも言う)連続焼成炉に比べ、
設置スペースを小さくでき、クリーン化も容易となり、
PDP用の背面板、前面板の作製において、PDPの大
型化、高品質化、量産化に対応できる焼成処理装置の提
供を可能とした。
According to the present invention, as described above, the firing process for firing the processing material of the processing substrate is performed in one furnace.
A batch-type baking processing apparatus for performing a batch process on a plurality of processing substrates at once, and performs baking processes such as plate making for forming electrode wiring on a glass substrate for plasma display and plate making for forming a barrier. It is possible to provide a product that can be performed with a predetermined temperature profile. As a result, compared to a conventional continuous firing furnace (also referred to as a roller hearth type) in which a processing substrate is transferred while being transported into a long furnace.
Installation space can be reduced, cleanliness is easy, and
In manufacturing back and front plates for PDPs, it has become possible to provide a baking treatment apparatus that can respond to the increase in size, quality, and mass production of PDPs.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の焼成処理装置の実施の形態の1例の断
面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of an example of an embodiment of a baking treatment apparatus of the present invention.

【図2】図2(a)はエアー分散板を処理基板搭載側か
ら見た図で、図2(b)は図2(a)のA1−A2断面
の一部を示した図である。
FIG. 2A is a diagram of the air dispersion plate viewed from a processing substrate mounting side, and FIG. 2B is a diagram illustrating a part of a cross section taken along line A1-A2 of FIG. 2A.

【図3】焼成処理の温度プロファイルを示した図FIG. 3 is a diagram showing a temperature profile of a baking process;

【図4】PDPの製造工程を説明するための工程図FIG. 4 is a process chart for explaining a PDP manufacturing process.

【図5】PDP基板を説明するための図FIG. 5 is a diagram illustrating a PDP substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110 焼成炉 120 エアー分散板 121 ガラス部 125 (吹き出し用の)孔部 126 (エアー供給用の)孔部 130 処理基板 140 エアー供給部 140A 供給用エアー 141 エアー供給口 145 エアー排出部 145A 排出用エアー 146 エアー排出口 150 加熱部 155 加熱エアー 160 冷却部 165 冷却エアー 170 給気経路 171〜174 バルブ 180 ブロアー 190 ヒータ 310 昇温処理 320 温度保持処理 330 徐冷処理 340 急冷処理 T0 焼成前後の温度 Tk キープ温度 Ts 歪点(温度) 110 firing furnace 120 air dispersion plate 121 glass part 125 hole part (for blowing out) 126 hole part (for air supply) 130 processing substrate 140 air supply part 140A supply air 141 air supply port 145 air discharge part 145A discharge air 146 Air outlet 150 Heating section 155 Heating air 160 Cooling section 165 Cooling air 170 Air supply path 171 to 174 Valve 180 Blower 190 Heater 310 Heat-up processing 320 Temperature holding processing 330 Slow cooling processing 340 Rapid cooling processing T0 Temperature before and after firing Tk Keep Temperature Ts Strain point (temperature)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理基板の加工用素材を焼成する焼成処
理を、1つの炉内において、複数の処理基板に対し一度
に行うためのバッチ型の焼成処理装置であって、加熱用
のエアーあるいは冷却用のエアーを処理基板面に供給す
るエアー供給孔を設けたエアー分散板をほぼ水平に所定
の間隔をあけ多段に設けたもので、各処理基板を前記エ
アー分散板上に搭載して、加熱用のエアーあるいは冷却
用のエアーをエアー分散板から処理基板に吹き付けて、
加熱処理あるいは冷却処理を行うものであることを特徴
とする焼成処理装置。
1. A batch type baking apparatus for performing a baking process for baking a processing material of a processing substrate on a plurality of processing substrates at once in a single furnace. An air distribution plate provided with an air supply hole for supplying cooling air to the processing substrate surface is provided in multiple stages at predetermined intervals substantially horizontally, and each processing substrate is mounted on the air distribution plate, Air for heating or air for cooling is blown from the air dispersion plate to the processing substrate,
A baking treatment apparatus for performing a heating treatment or a cooling treatment.
【請求項2】 請求項1において、供給するエアーを制
御して加熱する加熱部、及び制御して冷却する冷却部を
備えていることを特徴とする焼成処理装置。
2. The baking treatment apparatus according to claim 1, further comprising a heating unit for controlling and heating the supplied air, and a cooling unit for controlling and cooling.
【請求項3】 請求項1ないし2において、炉内の壁部
に加熱用ヒータを配設していることを特徴とする焼成処
理装置。
3. The baking treatment apparatus according to claim 1, wherein a heater for heating is provided on a wall in the furnace.
【請求項4】 請求項1ないし3において、処理基板が
プラズマディスプレイ用の背面板で、加工用素材が、障
壁形成用素材、あるいは電極形成用素材、あるいは蛍光
体形成用素材であることを特徴とする焼成処理装置。
4. The method according to claim 1, wherein the processing substrate is a back plate for a plasma display, and the processing material is a barrier forming material, an electrode forming material, or a phosphor forming material. Baking treatment device.
JP28802399A 1999-10-08 1999-10-08 Baking treatment apparatus Pending JP2001110313A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28802399A JP2001110313A (en) 1999-10-08 1999-10-08 Baking treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28802399A JP2001110313A (en) 1999-10-08 1999-10-08 Baking treatment apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001110313A true JP2001110313A (en) 2001-04-20

Family

ID=17724824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28802399A Pending JP2001110313A (en) 1999-10-08 1999-10-08 Baking treatment apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001110313A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100433247C (en) * 2004-07-29 2008-11-12 东京応化工业株式会社 Substrate processing equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100433247C (en) * 2004-07-29 2008-11-12 东京応化工业株式会社 Substrate processing equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101169106B1 (en) Multi-stage baking apparatus for plasma display panel
JP3953687B2 (en) Baking treatment method and baking furnace
JP2001110313A (en) Baking treatment apparatus
US7083489B2 (en) Plasma display panels manufacturing method and sintering device
JP3935603B2 (en) Manufacturing method of back plate or front plate for plasma display panel
KR100710333B1 (en) Burning apparatus for plasma display panel and manufacturing method of plasma display panel using the same
JP4204019B2 (en) Firing equipment
CN100578720C (en) Manufacturing method of plasma display panel and baking device
JP2001002440A (en) Process and equipment for firing treatment
JP4207463B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
JP4082082B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
JP2000304458A (en) Baking setter and method for baking
JP4036029B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
JP2000106084A (en) Manufacture of plasma display panel and management of firing plate for manufacturing plasma display panel
JP2002373572A (en) Calcining treatment method
JPH11306968A (en) Manufacture of back plate and front plate for plasma display panel
JP2001153564A (en) Continuous heating furnace for substrate, utilizing radiant tube burner
US7063584B2 (en) Method of manufacturing gas discharge display panel, support table, and method of manufacturing support table
KR100659010B1 (en) Method for manufacturing plasma display panel
JP4029501B2 (en) Method for manufacturing substrate for plasma display
KR20010004235A (en) Method for forming of barrier rib of Plasma Display Panel
JP2009266404A (en) Manufacturing method of image display device
JP2010048513A (en) Burning device and method of manufacturing flat panel display
JP2000260309A (en) Manufacture of gas discharge panel
JP2001143609A (en) Method of forming barrier rib in plasma display panel

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20050603

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Effective date: 20070702

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080805

A02 Decision of refusal

Effective date: 20081209

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02