JP2000022245A - 光ファイバ―反射器を備えた外部空洞を有するレ―ザ―モジュ―ル - Google Patents

光ファイバ―反射器を備えた外部空洞を有するレ―ザ―モジュ―ル

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 空洞の全体長を短縮しうるレーザーモジュ
ールを提供すること。 【解決手段】 レーザーモジュール(1)は、反射防止
膜を支持するフェーセット(3)を備えたファブリ・ペ
ロー空洞能動素子(2)と、低反射率の光ファイバーブ
ラッググレーティング(5)により作られた外部空洞と
を含む。このグレーティング(5)は、グレーティング
の長さ方向において非対称的でかつ非一様的な屈折率の
変調プロファイルを示し、それにより、等価ミラー面の
位置は、能動素子(2)に近い方のグレーティング
(5)端に向かってオフセットする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システム用
光源に関し、特に、光ファイバーブラッググレーティン
グにより作られた外部空洞を有するレーザーに関する。
このような装置は、当該技術においてはHDBR(ハイ
ブリッド分布型ブラッグ反射器(Hybrid Distributed Br
agg Reflector))レーザー又はファイバーグレーティン
グ(Fibre Grating:FG) レーザーとして公知である。
【0002】
【従来の技術】一般に、このような装置は、反射防止膜
を支持する端末フェーセットを備えたファブリ・ペロー
半導体能動素子(レーザーダイオード)を含み、該能動
素子は、一方の端がテーパーした光ファイバーの長さ方
向に書き込まれたグレーティングに連結され、該グレー
ティングは、反射防止膜を支持するフェーセットに隣接
したテーパー端に配置される。文献に記載のように、こ
の種のレーザーは、ポンプ放射の光源、光通信システム
用単一モード光源、特に、波長分割多重化システム、広
周波数レンジ内でのパルス発生用モードロックレーザー
などとして使用するのに非常によく適合する。このよう
なレーザーの応用を概観するには、例えば、C.R.Gi
les による論文「ファイバーブラッググレーティングの
光波応用(Lightwave Applications ofFiber Bragg Grat
ings)」、Journal of Lightwave Technology 、Vo
l.15、No.8、1997年8月、1391頁以
降、及び同書のJ.Archambault とS.G.Grubb によ
る「レーザー及び増幅器におけるファイバーグレーティ
ング(Fiber Gratings in Lasers and Amplifiers) 」、
1379頁以降が参照できる。
【0003】上記レーザーの幾つかの特性が、空洞の全
体長に関係していることは周知である。空洞の全体長
は、ハイブリッドレーザーの場合、能動素子の空洞長
と、反射防止膜付きフェーセットとテーパー付きファイ
バー先端の間の距離と、最後に該先端とグレーティング
の等価ミラー面の間のファイバー部分の長さとの総和に
より与えられる。周知のように、等価ミラー面とは、光
源により送出されミラーにより反射されたパルスが、グ
レーティング内に送出されたパルスが戻ってくるであろ
のと同時に光源に戻ってくるようにするために、ミラー
を配置しなけらばならない面をいう。特に、レーザーの
空洞が短くなればなるほど、得られる変調帯域は広くな
り、モード分離もより良好となる。変調帯域とモード分
離に関して良い特性が得られることは、通信システム用
光源としてレーザーを使用する上で特に興味深いことは
明らかである。ハイブリッドレーザーの外部空洞を形成
するのに現在使用されている従来型の低反射ブラッググ
レーティング(70%のオーダーの出力反射率を有す)
は、グレーティングの中心点に対して対称的な屈折率の
変調プロファイルを有し、よって、等価ミラー面は、実
質的にグレーティングの中心に配置される。一方、高反
射グレーティング(実質的に100%の反射率を有す)
は、たとえそれら自体が一方の端にオフセットした等価
ミラー面を有するとしても、レーザーの外部空洞に使用
できない。というのは、それらはファイバー内で十分な
パワーを有することを許容しないからである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これらの用途に使用さ
れるグレーティングは、センチメートルのオーダーの長
さを有し、よって、外部空洞の長さが、全空洞長のほと
んど全てを構成する。というのは、能動素子は、200
μmのオーダーの空洞長を有するからである。従来型の
グレーティングを使用すると、空洞長は、レーザー用の
満足な特性を得るべく十分には短縮され得ない。ファイ
バーの端部にグレーティングを書き込むことによりこの
欠点を抑えることも考えられるが、そうすると、ファイ
バーがモジュールの支持台上に樹脂により固定される際
に別の問題が生じる。能動素子とファイバー間の定常的
な整列を保証するべく固定点の一つは上記端部に対応し
なければならず、このような条件下では、樹脂はグレー
ティングと相互作用することは明らかである。経験によ
ると、樹脂は硬化する際にグレーティングの構造を改変
してしまい、よって、この解決策を実行不可能とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】これらの問題は、本発明
によるレーザーにより解決される。その外部空洞は、等
価グレーティング長を短縮する一方で低反射率は維持す
るような屈折率の変調プロファイルを有するファイバー
グレーティングを利用する。この様にして、空洞の全体
長もまた十分に制限される。
【0006】
【発明の実施の形態】より詳細には、提供されるレーザ
ーモジュールは、反射防止膜の処理が施されたフェーセ
ットを有するファブリ・ペロー空洞能動素子と、低反射
率光ファイバーグレーティングにより作られた外部空洞
とを含む。このグレーティングは、長さ方向において非
一様で非対称的な屈折率の変調プロファイルを示す。こ
の屈折率の変調プロファイルは、等価ミラー面の位置が
グレーティングの一方の端に向けてオフセットするよう
なものであり、グレーティングは、前記端がレーザーに
最も近いグレーティング端となるように設けられる。好
適実施態様では、この変調プロファイルは、実質的に零
の最小値を有し且つ最大値まで徐々に単調増加する曲線
により表される。この最小値は、レーザーからより離れ
た方のグレーティング端に対応し、実質的に水平な接線
を有し、最大値は、グレーティングのもう一方の端に対
応して到達し、実質的に水平な接線を有し、ここで、曲
線は、実質的に垂直な勾配にて最小値に戻る。限定的で
ない例として、徐々に変化する部分において屈折率の変
調プロファイルは、次の関数:y=exp(-x2)、y=sin2x 、
y=tanh xのうちの一つにより表し得る。
【0007】
【実施例】図1に示されるように、参照番号1によりそ
の全体が示されたハイブリッドレーザーは、半導体材料
により作られ且つ反射防止膜を支持する端末フェーセッ
ト3を有するファブリ・ペロー空洞能動素子2と、グレ
ーティング5が書き込まれる一定長の光ファイバー4と
を含む。例として、能動素子2は、10GHz以上のオ
ーダーの変調帯域を有するInGaAsP:InP,S
I−BH(半絶縁埋込み型ヘテロ接合(Semi-Insulating
Buried Heterostructure))レーザーとし得る。ファイ
バー4は、能動素子2のフェーセット3に隣接して配置
されたテーパー付き端6にて終端する。完全に従来の様
式では、能動素子2とファイバー4は、8で示されたよ
うな樹脂(特にアクリル樹脂)により共通の支持台7
(例えばモジュールのパッケージに属する)上に固定さ
れる。ファイバー4を能動素子2の端末フェーセット3
と適切に整列することを保証するためには、樹脂は、テ
ーパー端6を含むファイバー4の端部全体を固持しなけ
ればならない。しかし、本明細書の導入部にて説明した
理由により、グレーティングは、固定領域の外になけれ
ばならない。
【0008】ファイバーを支持台7上に固定するに際
し、環境条件と機械的応力がグレーティングのピッチを
変動し得、それにより、モジュールの放出波長が影響さ
れ得ることを考慮すべきである。このような変動は、特
に温度変化による支持台7の変形又は単にファイバーテ
イル4’に加えられる引張り力を原因として起こり得
る。グレーティングピッチのこのような変動を避けるた
めに、ファイバー4は、さらに8’で示されたように支
持台の端(パッケージの端壁)に対応して固定され、グ
レーティング領域は、グレーティング領域自身における
如何なる応力も減衰すべく僅かに曲げられる。上記述べ
たように、テーパー部6に隣接したファイバー4の端部
は、グレーティングを書き込むのには使用できない。従
って、テーパー部端とグレーティング5の等価ミラー面
の間に亘る部分全体のファイバーが、レーザー空洞の全
長に寄与する。外部空洞の全長を短縮するため、本発明
によるレーザーにおいて使用されるグレーティング5
は、能動素子に近い方の端に向かってオフセットした等
価ミラー面を有するグレーティングである。
【0009】図2は、等価ミラー面を一方のグレーティ
ング端の方にシフトできる屈折率の変調プロファイルの
例を示す。このプロファイルは、非対称で非一様なプロ
ファイルであり、実質的に零の最小値を有し最大値に到
達するまで徐々に単調増加し実質的に垂直な勾配にて実
質的に零の値に戻る曲線により表される。この最小値
は、ファイバーのテーパーから遠い方のグレーティング
端に対応し、水平な接線を有し、最大値は、テーパーに
近い方のグレーティング端に対応して到達し、これも実
質的に水平な接線を有する。この図では、描画を明瞭に
するため、グレーティング5のピッチは、現実より誇張
して長くしてある。本発明の要求を満たす屈折率の変調
プロファイルは、例えば、ガウシアン曲線、すなわちy
=exp(−x2 )型の曲線、又はy=sin2 x型の
曲線、又はy=tanh x型の曲線の半分に対応する
ものである。図2は、半ガウシアンプロファイルの場合
を示す。この種のグレーティングを製造できる方法は、
同じ出願人によりこれと同時に提出した特許出願(名
称)「オフセット等価ミラー面を有するファイバーブラ
ッググレーティング及びその製造方法」の主題である。
【0010】L.A.Coldren とS.W.Corzine によ
る「ダイオードレーザーと光集積回路(Diode lasers an
d photonic integrated circuits) 」、Wiley & Sons、
1995年、85頁以降の記載から容易に明らかとなる
ように、また、行われた測定により確認されるように、
このタイプのプロファイルは、等価ミラー面をグレーテ
ィングの一方の端に向けて実際に移動させる。例として
図2に示されるような半ガウシアンプロファイルを考え
ると、長さが約1cmで反射率が70%のオーダー(こ
れらの用途に対しては一般的な値である)のグレーティ
ングは、約2mmの等価長を有する。比較として、同じ
長さで同様の反射率を有する従来のグレーティングは、
約5mmの等価長を有する。固定するのに利用可能に残
されたファイバー端部が3mmのオーダーであり得るこ
とを考慮すると、本発明により、樹脂固定に固有の問題
ゆえに使用できないファイバー部分に実際に対応する量
だけレーザー空洞を短くできる。当業者なら、このよう
な空洞長の短縮が帯域幅やモード分離に関して与える効
果を、周知の関係を適用することにより評価できる。
【0011】図3〜図5のグラフにより、本発明のレー
ザーの性能が評価できる。特に、図3は、ファイバー出
力でのパワー−電流特性であり、本発明が良好な線形性
を有するのを示す。図4は、振幅−波長特性であり、レ
ーザーの良好な単一モード性能を示す。最後に、図5
は、本発明により非常に広い変調帯域を得ることができ
ることを示す。上記説明は単に非制限的な例として与え
られていること、及び本発明の範囲から逸脱することな
く変形や変更が可能なことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図1】ハイブリッドレーザーの概略図である。
【図2】外部空洞を形成するのに用いられるグレーティ
ングの屈折率の変調プロファイルを示す。
【図3】本発明によるレーザーの性能を評価し得るグラ
フである。
【図4】本発明によるレーザーの性能を評価し得るグラ
フである。
【図5】本発明によるレーザーの性能を評価し得るグラ
フである。
【符号の説明】
1 ハイブリッドレーザー 2 ファブリ・ペロー空洞能動素子 3 フェーセット 4 光ファイバー 5 グレーティング 6 テーパー端 7 支持台 8 樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マリナ・メリガ イタリー国 10051 アヴイグリアナ(ト リノ)、ヴイア・エツセ.・スダリオ 12 /エー (72)発明者 ロベルト・パオレツテイ イタリー国 10060 アイラスカ(トリ ノ)、ヴイ.・ボジオ 11ビー (72)発明者 マルコ・スコフイート イタリー国 10086 リヴアロロ・カン. セ(トリノ)、ヴイア・マストリ 2、レ ジヨーネ・ボナウデイ (72)発明者 ルイジ・タルローネ イタリー国 12034 パエサナ(シーエ ヌ)、ヴイア・ヴイラツジオ・ベルヴエデ ーレ 2

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ファブリ・ペロー空洞能動素子(2)と
    外部空洞とを含むハイブリッドレーザーであって、 ファブリ・ペロー空洞能動素子(2)は、反射防止膜処
    理がなされたフェーセット(3)を備え、外部空洞は、
    前記フェーセット(3)に隣接配置された端を有する一
    定長さの光ファイバー(4)内にて得られる低反射率グ
    レーティング(5)により作られ、 前記グレーティング(5)は、長さ方向において非一様
    で非対称な屈折率の変調プロファイルを有し、それによ
    り、等価ミラー面の位置を能動素子(2)に近い方のグ
    レーティング端に向けてオフセットさせることを特徴と
    するハイブリッドレーザー。
  2. 【請求項2】 前記変調プロファイルは、曲線により表
    され、この曲線は、能動素子(2)から遠い方のグレー
    ティング(5)の端に対応して実質的に零の最小値を有
    しかつ実質的に水平の接線を有し、グレーティング
    (5)のもう一方の端に対応して到達する実質的に水平
    接線を有する最大値まで徐々に単調増加し、実質的に垂
    直な勾配にて最小値に戻ることを特徴とする請求項1記
    載のレーザー。
  3. 【請求項3】 前記曲線が、次の曲線 y=exp(−x2 ),y=sin2 x,y=tanh
    x から選択されることを特徴とする請求項2記載のレーザ
    ー。
  4. 【請求項4】 前記一定長さの光ファイバー(4)は、
    グレーティングを含んだファイバー部分が僅かに曲がる
    ように、グレーティング(5)の両側にて支持台(7)
    上に固定されることを特徴とする請求項1〜請求項3の
    いずれか一項に記載のレーザー。
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