JP2000021338A - Image display device and manufacture thereof - Google Patents

Image display device and manufacture thereof

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JP2000021338A
JP2000021338A JP10184986A JP18498698A JP2000021338A JP 2000021338 A JP2000021338 A JP 2000021338A JP 10184986 A JP10184986 A JP 10184986A JP 18498698 A JP18498698 A JP 18498698A JP 2000021338 A JP2000021338 A JP 2000021338A
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JP
Japan
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electron
image display
emitting device
display device
evaporable getter
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JP10184986A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaaki Ogura
全昭 小倉
Hidehiko Fujimura
秀彦 藤村
Toru Ariga
亨 有賀
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the image display device of a long lifetime without any unevenness in luminance while maintaining high electron emitting efficiency by preventing any outgassing, any breakage of an electron emitting element caused by electrode discharge due to the outgassing, and adhesion or adsorption of gas onto an electrode. SOLUTION: In this image display device comprising at least: an envelope consisting of a rear plate 80 having an electron emitting element thereon, a face plate 70 against which an electron emitted from the electron emitting element and a support frame 75; and a non-evaporating type getter 55 for maintaining a vacuum degree inside the envelope, the electron emitting element paired with the non-evaporating type getter 55 is disposed in a matrix fashion in each pixel, wherein the electron emitting element activates the nonevaporating type getter 55 and displays an image.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多数の電子放出素
子からの電子放出により、画像を表示させる平板型の画
像表示装置及びその製造方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a flat panel type image display device for displaying an image by emitting electrons from a large number of electron-emitting devices and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、多数の電子放出素子を蛍光体
の励起源とする平板型の画像表示装置の技術について
は、多数の報告がなされている。図6は、その1例を示
す断面図である(特開平8−167394号公報を参
照)。ここで、符号4はリアプレートと呼ぶ絶縁物から
なる基板であり、リアプレート4上には、表面伝導型電
子放出素子3がマトリックス状に配置されている。一
方、ガラス基板12上に蛍光材13、メタルバック14
の順で形成した構成のフェイスプレート1は、支持枠2
を介して、リアプレート4に対向して、配置されてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, many reports have been made on the technology of a flat panel type image display device using a large number of electron-emitting devices as a phosphor excitation source. FIG. 6 is a cross-sectional view showing one example (see JP-A-8-167394). Here, reference numeral 4 denotes a substrate made of an insulator called a rear plate, and the surface conduction electron-emitting devices 3 are arranged on the rear plate 4 in a matrix. On the other hand, a fluorescent material 13 and a metal back 14
The face plate 1 formed in the order of
, And is disposed so as to face the rear plate 4.

【0003】リアプレート4、フェイスプレート1、支
持枠2は、低融点ガラスでもって、互いに接合、固着さ
れ、外囲器を構成する。なお、符号11は外囲器内を真
空に排気するための排気管であり、リアプレート4とフ
ェイスプレート1と支持枠2との相互の固着の後、前記
外囲器は、排気管11を介して、外部排気装置(図示せ
ず)にて真空に排気される。
[0003] The rear plate 4, the face plate 1, and the support frame 2 are joined and fixed to each other with low-melting glass to form an envelope. Reference numeral 11 denotes an exhaust pipe for evacuating the inside of the envelope to a vacuum. After the rear plate 4, the face plate 1, and the support frame 2 are fixed to each other, the envelope is connected to the exhaust pipe 11. Then, the air is evacuated to a vacuum by an external exhaust device (not shown).

【0004】なお、符号8は、排気管11の封止後、外
囲器内の真空度を維持するための非蒸発型ゲッタであ
り、5はゲッタ8を活性化させるための電子放出素子で
ある。ゲッタ活性化用電子放出素子5は、対向する電極
である正極7と負極6との間に電圧を印加することで、
電子を放出し、放出電子をゲッタ8の表面に衝突させて
活性化させるためのものである。また、ゲッタ8には電
源(図示せず)より正電圧を印加して、ゲッタ活性化用
電子放出素子5から放出された電子をゲッタ8へ加速さ
せている。
[0004] Reference numeral 8 denotes a non-evaporable getter for maintaining the degree of vacuum in the envelope after sealing the exhaust pipe 11, and reference numeral 5 denotes an electron-emitting device for activating the getter 8. is there. The getter activating electron-emitting device 5 applies a voltage between the positive electrode 7 and the negative electrode 6 which are opposite electrodes,
This is for emitting electrons and causing the emitted electrons to collide with the surface of the getter 8 to be activated. In addition, a positive voltage is applied to the getter 8 from a power supply (not shown) to accelerate electrons emitted from the getter activating electron-emitting device 5 to the getter 8.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このような従来の技術
において、非蒸発型ゲッタを活性化させるために、非蒸
発型ゲッタ活性化用の電子放出素子を設ける必要があ
る。然るに、画像表示装置の大面積化を図った場合、電
子衝撃によってフェイスプレートから発生したガスがゲ
ッタによって直ちに吸着されず、外囲器内で拡散して、
画像表示領域の周囲に設けられたゲッタに吸着される。
In such a conventional technique, it is necessary to provide an electron-emitting device for activating the non-evaporable getter in order to activate the non-evaporable getter. However, when the area of the image display device is increased, the gas generated from the face plate due to the electron impact is not immediately adsorbed by the getter, but diffuses in the envelope,
It is attracted to a getter provided around the image display area.

【0006】しかし、この拡散の間、外囲器内面の、例
えば、アノード電極(メタルバック)や電子放出素子が
ガスで汚染され、電子放出素子の寿命を縮めたり、放電
による電子放出素子の破損といった問題を引き起こす。
また、このようなガス放出は、外囲器の間隔が狭くてガ
スの流動性も悪いために、外囲器内の真空度にムラを生
じさせ、電子放出素子に局所的な劣化などを招くという
問題も、引き起こしてしまう。
However, during this diffusion, for example, the anode electrode (metal back) or the electron-emitting device on the inner surface of the envelope is contaminated with gas, shortening the life of the electron-emitting device, or damaging the electron-emitting device due to discharge. Cause such problems.
In addition, such gas emission causes unevenness in the degree of vacuum in the envelope due to a small space between the envelopes and poor gas flowability, and causes local deterioration of the electron-emitting device. The problem is also caused.

【0007】一方で、電子放出素子の近傍にゲッタを配
置すると、画素サイズを大きくすることにもなり、画像
の高精細化を困難にすることになる。また、非蒸発型ゲ
ッタを活性化させる際に、ゲッタから放出されるガス
が、素子電極の表面に付着または吸着して、電極の仕事
関数を変化させ、電子放出効率を低下させてしまう。
On the other hand, if a getter is arranged in the vicinity of the electron-emitting device, the pixel size will be increased, and it will be difficult to improve the definition of an image. Further, when the non-evaporable getter is activated, the gas released from the getter adheres or adsorbs to the surface of the element electrode, changes the work function of the electrode, and lowers the electron emission efficiency.

【0008】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、主として、高精細かつ大画面の画像表示装
置において、ガス放出や、ガス放出による放電に起因す
る電子放出素子の破損をもたらすことなく、しかも、電
極表面にガスを付着または吸着させずに、電子放出効率
が高く維持し、輝度ムラのない、長寿命の画像表示装置
を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of such circumstances, and mainly causes a gas discharge and a damage of an electron-emitting device due to a discharge due to the gas discharge in a high-definition and large-screen image display device. It is an object of the present invention to provide a long-life image display device that maintains a high electron emission efficiency without causing gas to adhere or adsorb to the electrode surface without causing a gas to adhere to or adhere to the electrode surface, and has no luminance unevenness.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、電子放出素子が設けられているリアプ
レートと、前記電子放出素子から放出された電子が衝突
するフェイスプレート及び支持枠からなる外囲器と、前
記外囲器内の真空度を維持する非蒸発型ゲッタとを少な
くとも有する画像表示装置において、前記外囲器内に電
子放出素子と非蒸発型ゲッタとが対をなして、各画素毎
にマトリックス状に配置され、かつ、前記電子放出素子
が、非蒸発型ゲッタの活性化及び画像表示の双方を行う
ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a rear plate provided with an electron-emitting device, a face plate and a support frame against which electrons emitted from the electron-emitting device collide. And an image display apparatus having at least a non-evaporable getter for maintaining a degree of vacuum in the envelope, wherein the electron-emitting device and the non-evaporable getter form a pair in the envelope. The electron emission elements are arranged in a matrix for each pixel, and both the activation of the non-evaporable getter and the image display are performed.

【0010】この場合、本発明の実施の形態において
は、前記画像表示装置は、非蒸発型ゲッタを活性化する
際に、電子放出素子の両電極間に印加する電圧の極性
を、画像表示の際に印加する電圧の極性とは逆極性にす
ること、また、前記電子放出素子が、互いに絶縁層を挟
んで積層された第1の素子電極と第2の素子電極とで構
成され、第1及び第2の素子電極の積層された面と垂直
方向に延びる面との上に導電性薄膜が形成されているこ
と、前記非蒸発型ゲッタに負の電圧を、また、フェイス
プレート上のアノード電極へ正の電圧をそれぞれ印加し
つつ、前記外囲器内に不活性ガスを導入し、表面伝導型
電子放出素子より放出される電子によって、導入した不
活性ガスをイオン化させ、その不活性ガスイオンによっ
て、非蒸発型ゲッタを活性化させること、更には、前記
電子放出素子が表面伝導型電子放出素子であることを、
好ましい形態とする。
In this case, in the embodiment of the present invention, when activating the non-evaporable getter, the image display device changes the polarity of the voltage applied between the two electrodes of the electron-emitting device by changing the polarity of the image display. The electron emission element is composed of a first element electrode and a second element electrode stacked with an insulating layer interposed therebetween. A conductive thin film is formed on a surface on which the second device electrode is laminated and a surface extending in the vertical direction; a negative voltage is applied to the non-evaporable getter; While applying a positive voltage to each of the above, an inert gas is introduced into the envelope, and the introduced inert gas is ionized by electrons emitted from the surface conduction electron-emitting device. The non-evaporable getter Thereby activatable, that further, the electron-emitting device is a surface conduction electron-emitting device,
This is a preferred mode.

【0011】また、上述の構成からなる画像表示装置を
製造する際に、前述した非蒸発型ゲッタの活性化工程
を、外囲器の加熱排気工程中、または、加熱排気工程後
期に行うことも、また、本発明の特徴である。
Further, when manufacturing the image display device having the above-described configuration, the above-described activation step of the non-evaporable getter may be performed during the heating and exhausting step of the envelope or at a later stage of the heating and exhausting step. This is also a feature of the present invention.

【0012】このような構成では、各画素内に非蒸発型
ゲッタ及び電子放出素子の対を配置し、まず、電子放出
素子から放出された電子を、非蒸発型ゲッタに印加され
た電圧によって引き寄せ、非蒸発型ゲッタの材料に衝突
させてこれを活性化させる。その後、非蒸発型ゲッタに
0ボルト以下の電圧を、また、フェイスプレート上に形
成されているアノード電極にプラス数キロボルトの電圧
を印加することで、電子放出素子から放出される電子を
フェイスプレートへ加速させて、画像を表示させるが、
この際、活性化された非蒸発型ゲッタは、画像表示時に
蛍光体並びにアノード電極に衝突する電子によって放出
されるガス分子を、速やかに吸着し、外囲器内の圧力ム
ラを防ぐ。このため、非画像領域のゲッタ量を低減させ
ることができ、非画像領域を小さくすることができる。
In such a configuration, a pair of a non-evaporable getter and an electron-emitting device are arranged in each pixel, and first, electrons emitted from the electron-emitting device are attracted by a voltage applied to the non-evaporable getter. Then, the material is activated by colliding with the material of the non-evaporable getter. Thereafter, by applying a voltage of 0 volt or less to the non-evaporable getter and a voltage of several kilovolts to the anode electrode formed on the face plate, electrons emitted from the electron-emitting device are applied to the face plate. Accelerate and display the image,
At this time, the activated non-evaporable getter quickly adsorbs gas molecules emitted by electrons colliding with the phosphor and the anode electrode during image display, thereby preventing pressure unevenness in the envelope. Therefore, the amount of getter in the non-image area can be reduced, and the non-image area can be reduced.

【0013】また、非蒸発型ゲッタを活性化する際に発
生する気体分子や1部の正イオンは素子電極の陰極表面
に付着並びに吸着して、陰極表面の仕事関数を変化さ
せ、電子放出効率を低下させるが、非蒸発型ゲッタを活
性化させる際に、電子放出素子の両電極間に印加する電
圧を、画像表示の際に印加する電圧の極性と逆極性とす
ることで、放出放出効率が低下することなく、輝度ムラ
及び寿命ムラのない優れた画像表示装置を提供できる。
Further, gas molecules and a part of positive ions generated when activating the non-evaporable getter adhere and adsorb to the cathode surface of the device electrode, change the work function of the cathode surface, and increase the electron emission efficiency. When activating the non-evaporable getter, the voltage applied between the two electrodes of the electron-emitting device is made to have the opposite polarity to the polarity of the voltage applied during image display, so that the emission-emission efficiency is reduced. And an excellent image display device without luminance unevenness and lifetime unevenness can be provided.

【0014】さらに、電子放出素子を、絶縁物からなる
基板上に、絶縁層を介して積層した第1の素子電極と第
2の素子電極とで構成し、第1及び第2の素子電極の積
層された面と垂直に延びる方向の面との上に、導電性薄
膜を形成することで、各画素のサイズをさらに小さくで
き、高精細化が達成され、または、各画素のサイズを広
げずに、各画素に設置可能な非蒸発型ゲッタの量を多く
とることが可能となる。加えて、非蒸発型ゲッタ活性化
時に、両素子電極間へ印加する電圧を低くすることがで
き、活性化時の消費電力を低減させることにもなる。
Further, the electron-emitting device is composed of a first device electrode and a second device electrode laminated on a substrate made of an insulating material via an insulating layer. By forming a conductive thin film on the stacked surface and the surface extending in the direction perpendicular to the surface, the size of each pixel can be further reduced, and high definition is achieved, or the size of each pixel is not increased. Furthermore, it is possible to increase the amount of the non-evaporable getter that can be installed in each pixel. In addition, the voltage applied between the two device electrodes during activation of the non-evaporable getter can be reduced, and the power consumption during activation can be reduced.

【0015】その上、外囲器内へ不活性ガスを導入し、
電子放出素子からの電子放出で、導入した不活性ガスを
イオン化させ、非蒸発型ゲッタへ衝突させることで、時
間の短縮も図れる。また、前述した画像表示装置の製造
において、全ての非蒸発型ゲッタの活性化工程を、外囲
器の排気、加熱工程中に、または、加熱工程の後期にお
いて行うことで、活性化に必要な電流量及び不活性ガス
の導入量を減らすことが可能となり、非蒸発型ゲッタの
活性化時間の短縮が図れ、強いてはコストの低減にもつ
ながる。
In addition, an inert gas is introduced into the envelope,
The time can be shortened by ionizing the introduced inert gas by electron emission from the electron emission element and colliding the ionized inert gas with the non-evaporable getter. In the manufacture of the above-described image display device, the activation step of all the non-evaporable getters is performed during the exhaustion of the envelope, the heating step, or at a later stage of the heating step. The amount of current and the amount of inert gas introduced can be reduced, and the activation time of the non-evaporable getter can be shortened, which in turn leads to cost reduction.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
1ないし図5を参照して具体的に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to FIGS.

【0017】(第1の実施の形態)本発明の第1の実施
の形態として、表面伝導型電子放出素子と非蒸発型ゲッ
タの対を、画像表示装置内にマトリックス状に配置した
ものについて説明する。図1において、符号51、52
は素子配線であり、53は表面伝導型電子放出素子であ
る。また、符号55は非蒸発型ゲッタで、表面伝導型電
子放出素子53と非蒸発型ゲッタ55は対をなして、マ
トリックス状に配置されている。なお、符号57は非蒸
発型ゲッタ55に電圧を印加するための配線であり、す
べての配線を共通とした。また、符号50はガラスなど
の絶縁物からなる基板であり、その基板50と素子配線
51、52及び表面伝導型電子放出素子53などを含め
て、リアプレート80と称す。
(First Embodiment) As a first embodiment of the present invention, a description will be given of a case where a pair of a surface conduction electron-emitting device and a non-evaporable getter are arranged in a matrix in an image display device. I do. In FIG. 1, reference numerals 51 and 52
Denotes an element wiring, and 53 denotes a surface conduction electron-emitting element. Reference numeral 55 denotes a non-evaporable getter, and the surface conduction electron-emitting device 53 and the non-evaporable getter 55 are arranged in a matrix in pairs. Reference numeral 57 denotes a wiring for applying a voltage to the non-evaporable getter 55, and all the wirings are common. Reference numeral 50 denotes a substrate made of an insulating material such as glass. The substrate 50, the element wirings 51 and 52, the surface conduction electron-emitting device 53, and the like are referred to as a rear plate 80.

【0018】また、符号60はガラスなどの絶縁物から
なる基板であり、61は電子によって励起される蛍光
材、62は電子を引き寄せるための導電性薄膜からなる
メタルバックである。これら基板60、蛍光材61、メ
タルバック62をあわせて、フェイスプレート70と称
す。
Reference numeral 60 denotes a substrate made of an insulating material such as glass, 61 denotes a fluorescent material excited by electrons, and 62 denotes a metal back made of a conductive thin film for attracting electrons. The substrate 60, the fluorescent material 61, and the metal back 62 are collectively referred to as a face plate 70.

【0019】これら、フェイスプレート70とリアプレ
ート80は、厚さ:4mmの支持枠75を介して、低融
点ガラスで固着され、外囲器を構成する。支持枠75
は、前記リアプレート80と対向して配置されるフェイ
スプレート70との間隔を、外囲器内を真空に排気した
後でも、保つためのものである。
The face plate 70 and the rear plate 80 are fixed with a low-melting glass via a support frame 75 having a thickness of 4 mm to form an envelope. Support frame 75
Is for maintaining the distance between the rear plate 80 and the face plate 70 disposed opposite to the rear plate 80 even after the inside of the envelope is evacuated to a vacuum.

【0020】この実施の形態において用いた表面伝導型
電子放出素子を、図2に基づいて、以下に具体的に説明
する。図2には表面伝導型電子放出素子の構成が示され
ており、ここでは、絶縁物からなる基板101上に、互
いに間隔をおいて、2つの素子電極102、103が配
置されていて、各素子電極102、103をつないで導
電性薄膜104が設けられている。この素子電極材とし
ては、例えば、Ni、Pd、Cr、Au、Mo、Alな
どが用いられる。また、符号105は導電性薄膜104
に形成された電子放出部である。
The surface conduction electron-emitting device used in this embodiment will be specifically described below with reference to FIG. FIG. 2 shows a configuration of a surface conduction electron-emitting device. In this example, two device electrodes 102 and 103 are arranged on a substrate 101 made of an insulator at an interval from each other. A conductive thin film 104 is provided by connecting the device electrodes 102 and 103. As the element electrode material, for example, Ni, Pd, Cr, Au, Mo, Al, or the like is used. Reference numeral 105 denotes a conductive thin film 104.
This is the electron emission portion formed on the substrate.

【0021】全ての部材が固着された後、電子放出部1
05を形成し、外囲器内を排気管79によって排気す
る。前記外囲器内が約10-7Torr程度に達したら、
加熱装置(図示せず)によって、前記外囲器全体を25
0℃に加熱しつつ、約15時間をかけて排気を続ける。
その後、前記外囲器が室温に達したところで、外囲器内
を排気しながら、配線57に+200ボルトを印加し、
かつ、表面伝導型電子放出素子53の両素子電極間に2
0ボルトの矩形電圧を印加して、表面伝導型電子放出素
子53から電子を引き出し、非蒸発型ゲッタ55へ衝突
させて、これを活性化させた。そして、非蒸発型ゲッタ
55の活性化後、排気管79を封止し、気密容器を完成
させた。さらに、気密容器へ駆動回路(図示せず)など
を接続して画像表示装置を構成した。
After all the members are fixed, the electron emission portion 1
05 is formed, and the inside of the envelope is exhausted by the exhaust pipe 79. When the inside of the envelope reaches about 10 -7 Torr,
A heating device (not shown) allows the entire envelope to be
Continue evacuation over about 15 hours while heating to 0 ° C.
Thereafter, when the envelope reaches room temperature, +200 volts is applied to the wiring 57 while evacuating the interior of the envelope,
In addition, between the two device electrodes of the surface conduction electron-emitting device 53, 2
By applying a rectangular voltage of 0 volts, electrons were extracted from the surface conduction electron-emitting device 53 and collided with the non-evaporable getter 55 to activate it. After the activation of the non-evaporable getter 55, the exhaust pipe 79 was sealed to complete an airtight container. Further, a drive circuit (not shown) and the like were connected to the airtight container to constitute an image display device.

【0022】この画像表示装置の完成後、外部駆動回路
(図示せず)によって、電子放出を行わせる際には、非
蒸発型ゲッタ55の活性化時に、素子電極に印加した極
性と逆極性で駆動して、画像を表示させた。この際、メ
タルバック62には、DCで4キロボルトを、また、表
面伝導型電子放出素子の両素子電極間には矩形波で、1
6ボルトを印加した。その結果、上述の画像表示装置で
は、従来の画像表示装置でみられた、画像表示における
画像表示領域での表面伝導型電子放出素子の局所的な劣
化や、輝度ムラがなく、良好な状態が保たれた。また、
従来に比べて、非画像領域のゲッタ量を減らすことがで
き、その領域も小さくなった。
After the completion of the image display device, when an external drive circuit (not shown) emits electrons, when the non-evaporable getter 55 is activated, it has a polarity opposite to the polarity applied to the element electrodes. It was driven to display an image. At this time, 4 kilovolts DC is applied to the metal back 62, and a rectangular wave is applied between both device electrodes of the surface conduction electron-emitting device.
6 volts was applied. As a result, in the above-described image display device, there is no local deterioration of the surface conduction electron-emitting device in the image display region in the image display and the unevenness in brightness, which is observed in the conventional image display device, and a favorable state. Was kept. Also,
Compared with the related art, the amount of getter in the non-image area can be reduced, and the area becomes smaller.

【0023】なお、本発明は、非蒸発型ゲッタの種類ま
たは材料は、上述の実施の形態によって限定されるもの
ではなく、例えば、Fe,Ni,V,Zrなどの金属
や、これらの金属を主成分とする合金を用いてもよい。
また、その形成方法も、例えば、フォトリソグラフィ
ー、印刷などの手法に限定されるものではない。
In the present invention, the type or material of the non-evaporable getter is not limited to the above-described embodiment. For example, metals such as Fe, Ni, V, and Zr, and metals such as these may be used. An alloy as a main component may be used.
Further, the forming method is not limited to a method such as photolithography and printing.

【0024】表面伝導型電子放出素子についても、本実
施の形態では、パラジウム薄膜を用いたが、SnO2
Au、Pt、Ru、Ta、Ni、PdO、Inなど、微
粒子により薄膜の形成がなされる材料であれば、特に限
定されない。
In this embodiment, a palladium thin film is used for the surface conduction electron-emitting device, but SnO 2 ,
The material is not particularly limited as long as a thin film is formed by fine particles, such as Au, Pt, Ru, Ta, Ni, PdO, and In.

【0025】(第2の実施の形態)図3は本発明の第2
の実施の形態を示す構成図であり、同図の(a)は部分
平面図、(b)は部分断面図である。その構成は、第1
の実施の形態と同じであるが、ここで、符号201は基
板であり、202、203は素子電極である。また、符
号206はSiO2 などからなる絶縁層であり、符号2
04が導電性薄膜であり、符号205が電子放出部であ
る。
(Second Embodiment) FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention.
1A is a partial plan view, and FIG. 2B is a partial cross-sectional view. The configuration is the first
In this embodiment, reference numeral 201 denotes a substrate, and reference numerals 202 and 203 denote device electrodes. Reference numeral 206 denotes an insulating layer made of SiO 2 or the like.
04 is a conductive thin film, and 205 is an electron emission part.

【0026】なお、本実施の形態では、フェイスプレー
ト170、支持枠175及びリアプレート180で構成
される外囲器内に、排気管179を介して、アルゴンガ
スを導入し、表面伝導型電子放出素子153から放出さ
れる電子でもって、導入したアルゴンガスをイオン化
し、非蒸発型ゲッタ155を活性化させた。
In this embodiment, an argon gas is introduced into an envelope constituted by a face plate 170, a support frame 175, and a rear plate 180 via an exhaust pipe 179, and the surface conduction electron emission is performed. The introduced argon gas was ionized by the electrons emitted from the element 153, and the non-evaporable getter 155 was activated.

【0027】非蒸発型ゲッタ155には−100ボルト
を、フェイスプレート上のアノード電極へは+2キロボ
ルトの電圧を、それぞれ印加し、また、アルゴンを、外
囲器内の圧力が0.5mTorrとなるように導入し
た。ゲッタ155の活性化後、外囲器を排気しながら、
250℃で、15時間かけてベーキングし、室温に下げ
て、排気管179を封止した。
A voltage of -100 volts is applied to the non-evaporable getter 155, a voltage of +2 kilovolts is applied to the anode electrode on the face plate, argon is supplied, and the pressure in the envelope becomes 0.5 mTorr. So introduced. After activating the getter 155, while evacuating the envelope,
Baking was performed at 250 ° C. for 15 hours, the temperature was lowered to room temperature, and the exhaust pipe 179 was sealed.

【0028】なお、この実施の形態では、不活性ガスと
してアルゴンを用いたが、非蒸発型ゲッタと化学的に反
応しないガス種であれば、これに限定されるものではな
い。また、本実施の形態で得られた画像表示装置は、第
1の実施の形態での効果に加えて、表面伝導型電子放出
素子の構成が、図4に示すような構成となっているため
に、第1の実施の形態と同じ非蒸発型ゲッタの数量を変
えずに、各画素のサイズを小さくすることが可能となっ
た。また、図2に記載した表面伝導型電子放出素子より
も、ゲッタ155への電子の衝突量、ならびに、アノー
ド電極への電流量も、多くとることができ、非蒸発型ゲ
ッタの活性化時の消費電力の低減、並びに、輝度の向上
が図れた。
In this embodiment, argon is used as the inert gas. However, the present invention is not limited to such a gas type as long as it does not chemically react with the non-evaporable getter. Further, in the image display device obtained in the present embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the configuration of the surface conduction electron-emitting device is as shown in FIG. In addition, the size of each pixel can be reduced without changing the number of non-evaporable getters as in the first embodiment. Further, the amount of collision of electrons to the getter 155 and the amount of current to the anode electrode can be larger than those of the surface conduction electron-emitting device shown in FIG. The power consumption was reduced and the luminance was improved.

【0029】(第3の実施の形態)本発明の第3の実施
の形態は、第1の実施の形態と同様な構成であって、非
蒸発型ゲッタの活性化を、外囲器を排気管にて排気しな
がら加熱する工程中に行った。図5は、その加熱排気工
程を示しており、縦軸を温度、横軸を時間にとってあ
る。ここでは、外囲器の加熱排気工程の温度を300℃
に、時間を10時間に設定し、非蒸発型ゲッタの活性化
は、加熱排気工程の後期(300℃保持後、9時間目)
に行った。
(Third Embodiment) A third embodiment of the present invention has a configuration similar to that of the first embodiment, in which the activation of the non-evaporable getter is performed and the envelope is evacuated. This was performed during the step of heating while evacuating the tube. FIG. 5 shows the heating and exhausting process, in which the vertical axis represents temperature and the horizontal axis represents time. Here, the temperature of the heating and exhausting step of the envelope is set to 300 ° C.
The time is set to 10 hours, and the activation of the non-evaporable getter is performed in the latter half of the heating and exhausting process (9 hours after holding at 300 ° C.)
I went to.

【0030】従って、第1及び第2の実施の形態での活
性化では、ゲッタ材の活性化に若干のムラが生じたり、
活性化が不十分で、排気特性が規格より低下する現象
が、生じる場合があったが、非蒸発型ゲッタの活性化工
程を、外囲器の加熱排気工程中に行うことで、活性化の
不良がみられない、良好なゲッタ特性が得られた。
Therefore, in the activation in the first and second embodiments, the activation of the getter material may be slightly uneven,
Insufficient activation may cause a phenomenon in which the exhaust characteristics are lower than the standard, but the activation process of the non-evaporable getter is performed during the heating and exhausting process of the envelope. Good getter characteristics without defects were obtained.

【0031】このため、得られた画像表示装置は、第1
及び第2の実施の形態で得られた画像表示装置以上の寿
命を有し、かつ、これらの実施の形態で要していた非蒸
発型ゲッタの活性化時間が不要となり、製造時間の短
縮、強いては、コストの低減にも結び付いた。
For this reason, the obtained image display device is the first
And has a longer service life than the image display device obtained in the second embodiment, and the activation time of the non-evaporable getter required in these embodiments is not required, shortening the manufacturing time, If it was, it also led to cost reduction.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子放出素子と非蒸発型ゲッタの対を各画素毎に配置
し、かつ、電子放出素子が非蒸発型ゲッタの活性化と画
像表示との双方を兼ねることで、画像表示時にフェイス
プレートから放出されるガスが速やかに吸着され、画像
表示装置内の圧力ムラの少ない、長寿命で、かつ、非画
像表示領域の小さい画像表示装置が得られる。
As described above, according to the present invention,
A pair of an electron-emitting device and a non-evaporable getter is arranged for each pixel, and the electron-emitting device serves both for activating the non-evaporable getter and for displaying an image. Gas is quickly adsorbed, and an image display device having a long life and a small non-image display area with less pressure unevenness in the image display device can be obtained.

【0033】また、非蒸発型ゲッタを活性化する際の電
子放出素子に印加する電圧の極性を、画像表示の際に印
加する電圧の極性と逆極性にすることで、電子放出素子
の素子電極表面へのガス吸着による仕事関数の変化で引
き起こされる輝度ムラのない画像表示装置を得ることが
できる。
Further, the polarity of the voltage applied to the electron-emitting device when activating the non-evaporable getter is set to be opposite to the polarity of the voltage applied when displaying an image, so that the device electrode of the electron-emitting device is activated. An image display device free from luminance unevenness caused by a change in work function due to gas adsorption on the surface can be obtained.

【0034】さらに、電子放出素子は、絶縁物からなる
基板上に、互いに絶縁層を挟んで積層した第1の素子電
極と第2の素子電極とを構成することで、第1及び第2
の素子電極の積層された面と垂直な方向の面と上に、導
電性薄膜を形成する構造とすることで、各画素のサイズ
を、さらに小さくでき、高精細の画像表示装置を得るこ
とができる。
Further, the electron-emitting device has a structure in which a first device electrode and a second device electrode are laminated on an insulating substrate with an insulating layer interposed therebetween, so that the first and second device electrodes are formed.
With the structure in which the conductive thin film is formed on the surface in the direction perpendicular to the surface on which the element electrodes are stacked, the size of each pixel can be further reduced, and a high-definition image display device can be obtained. it can.

【0035】その上、外囲器内へ不活性ガスを導入し、
電子放出素子からの電子放出で導入した不活性ガスをイ
オン化させ、非蒸発型ゲッタへ衝突させることで時間の
短縮も図れる。
In addition, an inert gas is introduced into the envelope,
The time can be reduced by ionizing the inert gas introduced by the electron emission from the electron-emitting device and colliding it with the non-evaporable getter.

【0036】また、前述した全ての非蒸発型ゲッタの活
性化工程を、外囲器の排気かつ加熱工程中または加熱工
程の後期に行うことで、活性化に必要な電流量及び不活
性ガスの導入量を減らすことが可能となり、非蒸発型ゲ
ッタの活性化時間の短縮が図れ、強いては、コストの低
減にもつながる。
In addition, by performing the above-described activation step of all the non-evaporable getters during the exhausting of the envelope and during the heating step or at a later stage of the heating step, the amount of current required for activation and the inert gas The amount of introduction can be reduced, the activation time of the non-evaporable getter can be shortened, and the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態における画像表示装
置を、(a)において部分平面で、また、(b)におい
て部分断面で、それぞれ、示す図である。
FIGS. 1A and 1B are diagrams illustrating an image display device according to a first embodiment of the present invention in a partial plane in FIG. 1A and a partial cross section in FIG.

【図2】同じく、これに用いる表面伝導型電子放出素子
の構成を、(a)において平面で、また、(b)におい
て断面で、それぞれ、示す図である。
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a configuration of a surface conduction electron-emitting device used for the same, in a plan view in FIG. 2A and in a cross section in FIG.

【図3】本発明の第2の実施の形態における画像表示装
置を、(a)において部分平面で、また、(a)におい
て部分断面で、それぞれ、示す図である。
FIGS. 3A and 3B are diagrams illustrating an image display device according to a second embodiment of the present invention in a partial plane in FIG. 3A and a partial cross section in FIG.

【図4】同じく、これに用いる表面伝導型電子放出素子
の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a surface conduction electron-emitting device used for the same.

【図5】本発明における第3の実施の形態での作業工程
を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a working process in a third embodiment of the present invention.

【図6】従来の画像表示装置の事例を示す断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional image display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、70、170 フェイスプレート 2、75、175 支持枠 4、80、180 リアプレート 11、79、179 排気管 3 電子源 5、53、153 表面伝導型電子放出素子 51、52、151、152 素子配線 102、103、202、203 素子電極 104、204 導電性薄膜 105、205 電子放出部 8、55、155 非蒸発型ゲッタ 57、157 配線 12、50、60、150、160、201 基板 4、80、180 リアプレート 1、70、170 フェイスプレート 13、61、161 蛍光材 14、62、162 メタルバック 206 絶縁層 1, 70, 170 Face plate 2, 75, 175 Support frame 4, 80, 180 Rear plate 11, 79, 179 Exhaust pipe 3 Electron source 5, 53, 153 Surface conduction electron-emitting device 51, 52, 151, 152 device Wirings 102, 103, 202, 203 Device electrodes 104, 204 Conductive thin film 105, 205 Electron emitting portions 8, 55, 155 Non-evaporable getters 57, 157 Wirings 12, 50, 60, 150, 160, 201 Substrates 4, 80 , 180 Rear plate 1, 70, 170 Face plate 13, 61, 161 Fluorescent material 14, 62, 162 Metal back 206 Insulation layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有賀 亨 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 5C012 AA01 5C031 DD09 5C032 AA01 JJ08 5C036 EF01 EF06 EG02 EG12 EG50 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Tohru Ariga 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 5C012 AA01 5C031 DD09 5C032 AA01 JJ08 5C036 EF01 EF06 EG02 EG12 EG50

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子放出素子が設けられているリアプレ
ートと、前記電子放出素子から放出された電子が衝突す
るフェイスプレート及び支持枠からなる外囲器と、前記
外囲器内の真空度を維持する非蒸発型ゲッタとを少なく
とも有する画像表示装置において、 前記外囲器内に電子放出素子と非蒸発型ゲッタとが対を
なして、各画素毎にマトリックス状に配置され、かつ、
前記電子放出素子が、非蒸発型ゲッタの活性化及び画像
表示の双方を行うことを特徴とする画像表示装置。
1. An enclosure comprising a rear plate provided with an electron-emitting device, a face plate and a support frame against which electrons emitted from the electron-emitting device collide, and a degree of vacuum in the envelope. An image display device having at least a non-evaporable getter to maintain, wherein the electron-emitting device and the non-evaporable getter form a pair in the envelope, are arranged in a matrix for each pixel, and
An image display device, wherein the electron-emitting device performs both activation of a non-evaporable getter and image display.
【請求項2】 前記電子放出素子は一対の電極間に電子
放出部を有する電子放出素子であって、前記非蒸発型ゲ
ッタを活性化する際には、電子放出素子の両電極間に印
加する電圧の極性を、画像表示の際に印加する電圧の極
性と逆極性にすることを特徴とする請求項1に記載の画
像表示装置。
2. An electron-emitting device having an electron-emitting portion between a pair of electrodes, wherein when activating the non-evaporable getter, a voltage is applied between both electrodes of the electron-emitting device. 2. The image display device according to claim 1, wherein the polarity of the voltage is opposite to the polarity of the voltage applied during image display.
【請求項3】 前記電子放出素子が、互いに絶縁層を挟
んで積層された第1の素子電極と第2の素子電極とで構
成され、前記第1及び第2の素子電極の積層された面お
よび垂直方向の延びる面上に導電性薄膜が形成されてい
ることを特徴とする請求項1もしくは2に記載の画像表
示装置。
3. The device according to claim 1, wherein the electron-emitting device includes a first device electrode and a second device electrode stacked with an insulating layer interposed therebetween, and a surface on which the first and second device electrodes are stacked. The image display device according to claim 1, wherein a conductive thin film is formed on a surface extending in a vertical direction.
【請求項4】 前記非蒸発型ゲッタに負の電圧を、ま
た、フェイスプレート上のアノード電極へ正の電圧を、
それぞれ印加しつつ、前記外囲器内に不活性ガスを導入
し、この際、電子放出素子より放出される電子によっ
て、導入不活性ガスをイオン化させ、この不活性ガスイ
オンによって、非蒸発型ゲッタを活性化させることを特
徴とする請求項1ないし3の何れかに記載の画像表示装
置。
4. A negative voltage is applied to the non-evaporable getter, and a positive voltage is applied to an anode electrode on the face plate.
While applying each, an inert gas is introduced into the envelope. At this time, the introduced inert gas is ionized by electrons emitted from the electron-emitting device, and the non-evaporable getter is ionized by the inert gas ions. The image display device according to claim 1, wherein the image display device is activated.
【請求項5】 請求項1ないし4に記載の画像表示装置
において、前記電子放出素子は表面電動型電子放出素子
であることを特徴とする画像表示装置。
5. The image display device according to claim 1, wherein said electron-emitting device is a surface-driven electron-emitting device.
【請求項6】 請求項1ないし5に記載の画像表示装置
において、前記非蒸発型ゲッタの活性化工程を、外囲器
の加熱排気工程中、または、加熱排気工程後期において
行うことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
6. The image display device according to claim 1, wherein the activation step of the non-evaporable getter is performed during a heating and exhausting step of the envelope or at a later stage of the heating and exhausting step. Of manufacturing an image display device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100498740B1 (en) * 2001-08-27 2005-07-01 캐논 가부시끼가이샤 Wiring substrate, manufacturing method therefor, and image display device

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