JPH1064429A - Manufacture of image display device - Google Patents

Manufacture of image display device

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Publication number
JPH1064429A
JPH1064429A JP21458096A JP21458096A JPH1064429A JP H1064429 A JPH1064429 A JP H1064429A JP 21458096 A JP21458096 A JP 21458096A JP 21458096 A JP21458096 A JP 21458096A JP H1064429 A JPH1064429 A JP H1064429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
airtight container
image display
baking
display device
getter
Prior art date
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Pending
Application number
JP21458096A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hidehiko Fujimura
秀彦 藤村
Masaaki Ogura
全昭 小倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP21458096A priority Critical patent/JPH1064429A/en
Publication of JPH1064429A publication Critical patent/JPH1064429A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To maintain the vacuum condition of a sealed container for a long time, and to prevent the deterioration in electron-emitting performance by releasing air through plural air evacuated pipes connected to a sealed container, while performing baking, and thereafter, sealing the evacuated pipes except for one evacuated pipe, and flashing type getter arranged inside of the sealed container. SOLUTION: Plural evacuated pipes 8, 9 are connected to a sealed container formed by connecting a face plate 1, a rear plate 2 and an insulating outer frame 3 with the low-melting point glass. The residual gas inside the sealed container is evacuated through these evacuated pipes 8, 9 to 1×10<-5> Torr or lower, and foaming is performed so as to form a (Pbo) thin film 14 with an electron-emitting part 15. Active gas is led through the evacuated pipe 8 so as to activated element electrodes 12, 13, and thereafter, vacuum high- temperature baking is performed so as to seal the evacuated pipe 8. After the baking, the evaluated pipe 9 is sealed, and thereafter induction heating is performed so as to activate the getter 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームを利用
した画像表示装置の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an image display device using an electron beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、平板型画像表示装置としては、液
晶表示装置、EL表示装置、プラズマディスプレイパネ
ル(PDP)が実用化されている。しかし、これらの画
像表示装置は視野角、コントラスト比、輝度の点で一般
に使われている陰極線管(CRT)に比較すると劣って
いる。
2. Description of the Related Art Conventionally, liquid crystal display devices, EL display devices, and plasma display panels (PDPs) have been put to practical use as flat-panel image display devices. However, these image display devices are inferior to commonly used cathode ray tubes (CRTs) in view angle, contrast ratio, and luminance.

【0003】このため、画像表示装置としては、電子ビ
ーム加速型の平板型ディスプレイが幾つか提案されてい
る。その中で、簡単な構造で電子の放出が得られる素子
として、例えば、エム・アイ・エリンソン(M.I.E
linson)等によって発表された冷陰極素子が知ら
れている[ラジオ・エンジニアリング・エレクトロン・
フィジッス(Radio.Eng.Electron.
Phys.)第10巻、1290〜1296頁、196
5年]。
For this reason, as an image display device, several electron beam acceleration type flat panel displays have been proposed. Among them, as an element capable of obtaining electron emission with a simple structure, for example, MI Elinson (MIE)
Linson) et al. are known [Radio Engineering Electron.
Physis (Radio. Eng. Electron.
Phys. ) Volume 10, pages 1290-1296, 196
5 years].

【0004】これは、基板上に形成された小面積の薄膜
に、膜面に平行に電流を流すことによって、電子放出が
生じる現象を利用するもので、一般には表面伝導形電子
放出素子と呼ばれている。
This utilizes a phenomenon in which an electron is emitted when a current flows in a thin film having a small area formed on a substrate in parallel with the film surface, and is generally called a surface conduction electron-emitting device. Have been.

【0005】この表面伝導形電子放出素子としては、前
記エリンソン等によって開発されたSnO2薄膜を用い
たものやカ−ボン薄膜によるもの[荒木久他:”真
空”、第26巻、第1号、22頁、(1983年)]等
が報告されている。
As the surface conduction electron-emitting device, a device using a SnO 2 thin film developed by Elinson et al. Or a carbon thin film [Hisashi Araki et al .: “Vacuum”, Vol. 26, No. 1, , P. 22, (1983)].

【0006】これらの表面伝導形電子放出素子は、構造
が簡単なため、製造が容易であり、基体上に多数の素子
を配置した大面積の電子源に適する等の利点を有する。
[0006] These surface conduction electron-emitting devices have the advantages that they have a simple structure, are easy to manufacture, and are suitable for large-area electron sources in which a large number of devices are arranged on a substrate.

【0007】以下、前記表面伝導形電子放出素子である
面状冷陰極を使用した、平板型画像表示装置の従来の製
造方法を説明する。上記画像表示装置の製造方法を示す
前に、その構造について図面を参照しながら説明する。
A conventional method for manufacturing a flat panel type image display device using a planar cold cathode as the surface conduction electron-emitting device will be described below. Before showing a method of manufacturing the image display device, its structure will be described with reference to the drawings.

【0008】図2は、表面伝導形電子放出素子を使用し
た画像表示装置である。この画像表示装置は図に示すよ
うに、ガラス等の絶縁物からなる画像表示面としてのフ
ェイスプレート1と、フェイスプレート1と対向して配
置されたリアプレート2と、ガラス等からなる絶縁性の
外枠3とを、フェイスプレート1及びリアプレート2の
周辺部分において低融点ガラスで接合し、気密容器を形
成する。外部から気密容器にかかる圧力は前記の外枠3
と大気圧支持支柱7で支持され、フェイスプレート1と
リアプレート2間の間隔を一定に保つ。フェイスプレー
ト1上には蛍光体4とアルミ薄膜5が形成されており、
アルミ薄膜5には外部高圧電源(不図示)により1kV
乃至10kVの高圧が印加される。8は活性化処理時に
導入するガスの導入管であるとともに気密容器内の排気
も行う排気管である。導入された活性化ガスは電子放出
素子6を活性化させる。9は前記気密容器を排気する排
気管であり、バルブを介して真空ポンプに接続してあ
る。10は気密容器封止後、容器内の真空度を保つため
に設けたゲッタであり、11はゲッタ材をフラッシュ
(活性化)させたときに、ゲッタ材が画像表示領域に拡
散するのを防止するための遮蔽板である。
FIG. 2 shows an image display device using a surface conduction electron-emitting device. As shown in the figure, this image display device has a face plate 1 as an image display surface made of an insulating material such as glass, a rear plate 2 arranged opposite to the face plate 1, and an insulating material made of glass or the like. The outer frame 3 is joined with low-melting glass at the peripheral portions of the face plate 1 and the rear plate 2 to form an airtight container. The pressure applied to the airtight container from outside is determined by the outer frame 3
And the atmospheric pressure support column 7 to keep the distance between the face plate 1 and the rear plate 2 constant. On the face plate 1, a phosphor 4 and an aluminum thin film 5 are formed.
1 kV by an external high voltage power supply (not shown)
A high voltage of ~ 10 kV is applied. Reference numeral 8 denotes an exhaust pipe for introducing a gas to be introduced at the time of the activation process and also for exhausting the airtight container. The introduced activation gas activates the electron-emitting device 6. Reference numeral 9 denotes an exhaust pipe for exhausting the airtight container, which is connected to a vacuum pump via a valve. Reference numeral 10 denotes a getter provided to maintain the degree of vacuum in the container after sealing the airtight container, and 11 denotes preventing the getter material from diffusing into the image display area when the getter material is flashed (activated). It is a shielding plate for performing.

【0009】図3に画像表示装置の電子源である表面伝
導形電子放出素子を示す。電子源はリアプレート2上に
素子電極12および13が形成されており、電極間は一
定の間隔(2μm程度)で配置されている。素子電極1
2および13上に有機パラジウム薄膜14が形成されて
おり、有機パラジム薄膜の中央部に形成されている亀裂
部が電子放出部15となっている。
FIG. 3 shows a surface conduction electron-emitting device which is an electron source of an image display device. The electron source has device electrodes 12 and 13 formed on a rear plate 2, and the electrodes are arranged at a constant interval (about 2 μm). Element electrode 1
An organic palladium thin film 14 is formed on 2 and 13, and a crack formed in a central portion of the organic palladium thin film serves as an electron emitting portion 15.

【0010】上述した画像表示装置の製造方法について
説明する。リアプレート2にはあらかじめ素子部を形成
する。素子部とは、配線、素子電極12及び13、Pd
O(酸化パラジウム)薄膜14からなるものである。素
子部が形成されたリアプレート2上に低融点ガラスを焼
成させてゲッタ10及び大気圧支持支柱7を固着させ
る。電子放出素子6、ゲッタ10及び、大気圧支持支柱
7が形成されたリアプレート2と、蛍光体4、アルミ薄
膜5が形成されたフェイスプレート1との周辺部と、外
枠3との接合部分に低融点ガラスを塗布しておく。ま
た、外枠3の周囲にはガスを導入又は排気する管8と管
9の配置部が設けられており、前記設置部にも低融点ガ
ラスが塗布されている。これら部材を低融点ガラスを焼
成することにより封着させ気密容器を完成させる。
A method for manufacturing the above-described image display device will be described. An element portion is formed on the rear plate 2 in advance. The element portion includes wiring, element electrodes 12 and 13, Pd
It is composed of an O (palladium oxide) thin film 14. The getter 10 and the atmospheric pressure support column 7 are fixed by firing low-melting glass on the rear plate 2 on which the element section is formed. A junction between the rear plate 2 on which the electron-emitting device 6, the getter 10 and the atmospheric pressure support column 7 are formed, the peripheral portion of the face plate 1 on which the phosphor 4 and the aluminum thin film 5 are formed, and the outer frame 3 Is coated with a low melting glass. Around the outer frame 3, there are provided pipes 8 and 9 for introducing or exhausting gas, and a low-melting glass is also applied to the installation sections. These members are sealed by firing the low-melting glass to complete an airtight container.

【0011】封着からゲッタフラッシュ工程を経て、画
像表示装置を完成させる製造工程を示すフローチャート
を図5に示す。
FIG. 5 is a flowchart showing a manufacturing process for completing the image display device through the getter flash process after sealing.

【0012】全ての部材の封着後、管8及び管9より気
密容器内の残留気体を排気する。気密容器内の圧力がお
よそ1×10-5Torr以下に達したら、フォーミング
処理(素子電極12、13に電圧印加)を行いPdO薄
膜14に電子放出部15を形成する。その後、気密容器
内の圧力がおよそ5×10-7Torr以下に達したら、
気密容器内の圧力が4×10-6Torrとなるように活
性化ガスを管8より導入し管9より排気し、素子の活性
化処理を行う。活性化処理とは、気密容器内に活性化ガ
スを導入し素子電極間にパルス電圧を印加する処理であ
る。この活性化処理を行うことにより電子放出が増大
し、画像表示装置の輝度が向上する。素子の活性化後脱
ガス処理を行うため真空高温ベーキング処理を行う。気
密容器を200℃迄昇温し、5時間から10時間保持す
る。その後室温まで降温する。その後、管8及び管9を
封止した後、ゲッタ10を誘導加熱によってフラッシュ
(活性化)させる。ゲッタ10は排気効果をもたせるも
のであり、このゲッタ10を活性化することにより気密
容器内の残留ガスは捕獲され、気密容器内が長期にわた
り高真空に維持される。
After all the members are sealed, the residual gas in the airtight container is exhausted from the pipes 8 and 9. When the pressure in the hermetic container reaches about 1 × 10 −5 Torr or less, a forming process (voltage application to the device electrodes 12 and 13) is performed to form the electron emission portions 15 on the PdO thin film 14. Thereafter, when the pressure in the airtight container reaches about 5 × 10 −7 Torr or less,
An activation gas is introduced through the pipe 8 and exhausted from the pipe 9 so that the pressure in the airtight container becomes 4 × 10 −6 Torr, and the element is activated. The activation process is a process of introducing an activation gas into an airtight container and applying a pulse voltage between device electrodes. By performing this activation process, electron emission increases, and the luminance of the image display device improves. After the activation of the device, a vacuum high-temperature baking process is performed to perform a degassing process. The temperature of the airtight container is raised to 200 ° C. and maintained for 5 to 10 hours. Thereafter, the temperature is lowered to room temperature. Then, after sealing the tubes 8 and 9, the getter 10 is flashed (activated) by induction heating. The getter 10 has an exhausting effect. By activating the getter 10, the residual gas in the hermetic container is captured, and the inside of the hermetic container is maintained at a high vacuum for a long time.

【0013】前記の画像表示装置が長時間安定に動作さ
せるためには、気密容器内の真空をできるだけ高真空に
長時間維持する必要がある。
In order for the above-mentioned image display device to operate stably for a long time, it is necessary to maintain the vacuum in the hermetic container as high as possible for as long as possible.

【0014】ゲッタの総排気量には限界があるため、気
密容器内の真空維持時間をできるだけ延ばすためには、
ゲッタフラッシュ時における気密容器内の放出ガス量を
できるだけ低減することが重要である。さらに、ゲッタ
フラッシュ時の放出ガスをできるだけ低減する必要があ
る。一般に、ゲッタ材に吸着されているガスを追い出す
ために、ゲッタ材を真空排気状態で300〜350℃で
数分間加熱処理を施す方法が採用されている。さらに、
ゲッタフラッシュ時の放出ガス(特にArなどの希ガ
ス)をできるだけ低減し、気密容器内の真空維持時間を
長時間維持する方法が特開平4−277440に記載さ
れている。これは、高温ベーキング排気中にゲッタを気
密容器の最高温度より高温、かつ、ゲッタの活性化温度
よりも低温で加熱処理を行い、ゲッタに吸着されている
アルゴン等の希ガスを脱離排気する方法である。これに
より封止切り後のゲッタ活性時のアルゴン等の希ガスの
発生を防止する。
Since the total exhaust amount of the getter is limited, in order to extend the vacuum maintenance time in the airtight container as much as possible,
It is important to minimize the amount of gas released from the hermetic container during a getter flush. Further, it is necessary to reduce the gas emitted during getter flash as much as possible. Generally, in order to drive out the gas adsorbed on the getter material, a method is employed in which the getter material is heated at 300 to 350 ° C. for several minutes in an evacuated state. further,
Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-277440 describes a method for reducing the amount of gas released during a getter flash (especially a rare gas such as Ar) as much as possible and maintaining the vacuum maintenance time in an airtight container for a long time. This is because the getter is heated at a temperature higher than the maximum temperature of the airtight container and lower than the activation temperature of the getter during the high-temperature baking exhaust, and the rare gas such as argon adsorbed on the getter is desorbed and exhausted. Is the way. This prevents generation of a rare gas such as argon when the getter is activated after the sealing is cut.

【0015】一般に、気密容器を真空排気する排気管は
1本であるが、場合によっては前述画像表示装置のよう
に排気管を2本以上設ける。これは、排気のコンダクタ
ンスを向上させ高真空状態への排気時間の短縮を図った
り、ガスを気密容器に導入する際に、ガス導入を容易に
するためである。
In general, there is one exhaust pipe for evacuating the airtight container, but in some cases, two or more exhaust pipes are provided as in the above-described image display device. This is to improve the conductance of the exhaust to shorten the exhaust time to a high vacuum state, or to facilitate the gas introduction when introducing the gas into the airtight container.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】前述したような(ガス
導入用を含めて)排気管が2本以上ある場合には、排気
管が1本に比べて排気管の封止切り回数が増加し、それ
により封止切り工程で発生する放出ガスも増加する。当
然、封止切り工程で発生したガスは気密容器内に付着し
て、せっかくベーキング処理によって脱ガス処理を施し
た気密容器が汚染されてしまう。ガスの発生が多い分、
ゲッタの量を多くすれば良いが、ゲッタは通常ゲッタフ
ラッシュ領域にできるだけ多く組み込まれていることが
多いので、ゲッタの量を多くすることは画像表示装置全
体を大きくすることとなる。画像表示装置ではできるだ
け小型化、軽量化したいので、排気管の本数が増加して
も、封止切り工程に伴う気密容器内のガスの付着量を増
加させないことが必要である。さらに、表面伝導形放出
素子を利用した画像表示装置の製造において、有機系ガ
スを導入し活性化処理を施し、電子を放出し易く処理を
行った電子源は、封止切り工程で発生する酸素、水等の
反応性の高いガスによって劣化し、電子の放出が抑制さ
れ画像表示能力が低下してしまう等の問題も発生する。
長時間ゲッタによる排気で気密容器内の酸素、水等の反
応性の高いガスを吸着排気できるが、表面伝導形電子素
子の電子放出特性が劣化しない状態になるためには、か
なりの時間が必要である。
In the case where there are two or more exhaust pipes (including gas introduction) as described above, the number of times of sealing the exhaust pipe is increased as compared with one exhaust pipe. This also increases the amount of outgassed gas generated in the sealing and cutting process. Naturally, the gas generated in the sealing and cutting step adheres to the inside of the airtight container, and the airtight container that has been degassed by the baking process is contaminated. As much gas is generated,
It is sufficient to increase the amount of the getter, but since the getter is usually incorporated in the getter flash area as much as possible, increasing the amount of the getter increases the size of the entire image display device. In order to reduce the size and weight of the image display device as much as possible, even if the number of exhaust pipes increases, it is necessary not to increase the amount of gas adhering in the airtight container accompanying the sealing and cutting process. Furthermore, in the manufacture of an image display device using a surface conduction electron-emitting device, an electron source that has been subjected to an activation process by introducing an organic gas and subjected to an activation process to easily emit electrons is an oxygen source generated in a sealing and cutting process. In addition, problems such as deterioration due to highly reactive gas such as water, emission of electrons being suppressed, and deterioration of image display capability also occur.
A highly reactive gas such as oxygen or water in an airtight container can be adsorbed and exhausted by exhausting with a getter for a long time, but a considerable amount of time is required before the electron emission characteristics of the surface conduction type electronic element do not deteriorate. It is.

【0017】そこで、本発明では封止切り工程で発生す
るガスが気密容器に付着し、それによってゲッタの吸着
量を制限し、気密容器内の高真空維持時間が短縮される
ようなことがなく、かつ画像表示装置の電子源にとって
劣化の原因となっているガスの発生をできるだけなくす
画像表示装置の製造方法を提供するものである。
Therefore, in the present invention, the gas generated in the sealing and cutting step adheres to the hermetic container, thereby limiting the amount of getter adsorbed, and the time for maintaining a high vacuum in the hermetic container is not shortened. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an image display device that minimizes generation of gas that causes deterioration of an electron source of the image display device.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本願
の発明は次のようである。 1.気密容器を備えた画像表示装置の製造方法におい
て、気密容器に接続されている排気管を通して気密容器
内を排気しながらベーキングする工程、排気管を封止す
る工程、および気密容器内に配置されているゲッタをフ
ラッシュする工程を含み、前記排気管は複数本が気密容
器に接続され、ベーキング工程中にその少なくとも1本
を残して封止され、ベーキング工程終了後に封止残しの
排気管が封止され、その後ゲッタをフラッシュする工程
により容器の真空を維持することを特徴とする画像装置
の製造方法。 2.気密容器を備えた画像表示装置の製造方法におい
て、気密容器に接続されている排気管を通して気密容器
内を排気しながらベーキングする工程、排気管を封止す
る工程、および気密容器内に配置されているゲッタをフ
ラッシュする工程を含み、前記排気管は複数本が気密容
器に接続され、ベーキング工程中にその少なくとも1本
を残して封止され、ベーキング工程終了後にゲッタをフ
ラッシュし、ついで封止残しの排気管を封止することに
より容器の真空を維持することを特徴とする画像装置の
製造方法。 3.ベーキング工程前に上記排気管から活性化ガスを気
密容器に導入する工程を含むことを特徴とする、前記1
または2に記載の画像装置の製造方法。 4.ベーキング工程中に行われる封止が、100℃以上
の温度で行われることを特徴とする前記1ないし3のい
ずれか一つに記載の画像装置の製造方法。 5.排気管がガラス管であり、ベーキング中に封止を行
わない排気管の封止箇所をそのガラスの軟化点以下、1
00℃以上の温度でベーキング脱ガス処理を行うことを
特徴とする前記1ないし4のいずれか一つに記載の画像
装置の製造方法。
Means for Solving the Problems The present invention for solving the above problems is as follows. 1. In a method of manufacturing an image display device having an airtight container, a step of baking while exhausting the inside of the airtight container through an exhaust pipe connected to the airtight container, a step of sealing the exhaust pipe, and a step of being disposed in the airtight container Flushing the getter, wherein a plurality of the exhaust pipes are connected to the airtight container, and at least one of the exhaust pipes is sealed during the baking step, and the remaining exhaust pipe is sealed after the baking step. And then maintaining the vacuum in the container by a step of flashing the getter. 2. In a method of manufacturing an image display device having an airtight container, a step of baking while exhausting the inside of the airtight container through an exhaust pipe connected to the airtight container, a step of sealing the exhaust pipe, and a step of being disposed in the airtight container Flushing the getter, wherein a plurality of the exhaust pipes are connected to the hermetic container, and at least one of the exhaust pipes is sealed during the baking step, and after the baking step is completed, the getter is flushed and then the sealing is left. A method of manufacturing an image apparatus, comprising: maintaining a vacuum in a container by sealing an exhaust pipe of (1). 3. A step of introducing an activating gas into the hermetic container from the exhaust pipe before the baking step.
Or the method for manufacturing an image device according to item 2. 4. 4. The method for manufacturing an image device according to any one of the above items 1 to 3, wherein the sealing performed during the baking step is performed at a temperature of 100 ° C. or higher. 5. The exhaust pipe is a glass pipe, and the sealing portion of the exhaust pipe that is not sealed during baking is set at a temperature lower than the softening point of the glass.
5. The method for manufacturing an image device according to any one of 1 to 4, wherein the baking degassing is performed at a temperature of 00 ° C. or higher.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】上記本発明は、実施例により詳細
に説明する。本発明の画像表示装置の製造方法によれ
ば、気密容器に接続されている排気管の本数を増加させ
て排気時間の短縮化やガス導入を容易にさせることがで
き、封止切り(チップオフ)工程で発生するガスのチッ
プオフ完了時に気密容器内に付着残留する量を最小限に
低減できるため、高真空維持を長時間達成し、かつ表面
伝導形電子放出素子の電子放出性能を劣化させない画像
表示装置を提供できる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail with reference to embodiments. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the manufacturing method of the image display device of this invention, the number of exhaust pipes connected to the airtight container can be increased to shorten the exhaust time and facilitate gas introduction. ) The amount of gas generated in the process, which remains in the airtight container when the chip-off is completed, can be minimized, so that a high vacuum can be maintained for a long time and the electron emission performance of the surface conduction electron-emitting device does not deteriorate. An image display device can be provided.

【0020】[0020]

【実施例】【Example】

実施例1 図1に本発明による画像表示装置の製造工程の内、封着
からゲッタフラッシュ工程までのフローチャートを示
す。前述の図2において、フェイスプレート1とリアプ
レート2の間隔を10mmとし全ての部材の封着後、管
8及び管9より気密容器内の残留気体を排気する。気密
容器内の圧力がおよそ1×10-5Torr以下に達した
ら、フォーミング処理(素子電極12、13に電圧印
加)を行いPdO薄膜14に電子放出部15を形成す
る。その後、気密容器内の圧力がおよそ5×10-7以下
に達したら、気密容器内の圧力が4×10ー6Torrと
なるようにn−ヘキサンを管8より導入し管9より排気
し、素子の活性化処理を行う。本実施例および後述の実
施例では、電子放出素子の活性化ガスとしてn−ヘキサ
ンを用いたが、本発明は電子放出素子を活性化させるガ
スであれば特に限定されるものではない。活性化ガス種
としては、特に有機系ガスが有効である。素子の活性後
脱ガス処理を行うため真空高温ベーキング処理を行う。
気密容器を200℃迄昇温し、通常5時間から10時
間、本例では10時間保持した。降温直前に、管8を封
止切りする。ベーキング工程中に行うこの第1の封止切
り工程は、必ずしも高温保持時間中にする必要はなく、
画像表示装置の温度が100℃以上であれば効果があ
る。その後室温まで降温する。その後、管9を封止した
後、ゲッタ10を誘導加熱によってフラッシュ(活性
化)させる。ゲッタ10は排気効果をもたせるものであ
り、このゲッタ10を活性化することにより気密容器内
の残留ガスは捕獲され、気密容器内が長期にわたり高真
空に維持される。また、本実施例および後述の実施例で
はゲッタ材としてBa−Al−Niの蒸発型を用いた
が、たとえばTi(チタン)、Zr(ジルコニウム)、
Fe(鉄)、Ni(ニッケル)、V(バナジウム)等を
主成分とするゲッタ等でもよく、これらに限定されるも
のではない。以上で画像表示装置を完成させる。
Embodiment 1 FIG. 1 shows a flowchart from the sealing process to the getter flash process in the manufacturing process of the image display device according to the present invention. In FIG. 2 described above, the gap between the face plate 1 and the rear plate 2 is set to 10 mm, and after all the members are sealed, the residual gas in the hermetic container is exhausted from the pipes 8 and 9. When the pressure in the hermetic container reaches about 1 × 10 −5 Torr or less, a forming process (voltage application to the device electrodes 12 and 13) is performed to form the electron emission portions 15 on the PdO thin film 14. Thereafter, when the pressure in the airtight container reaches about 5 × 10 −7 or less, n-hexane is introduced from the tube 8 and exhausted from the tube 9 so that the pressure in the airtight container becomes 4 × 10 −6 Torr, The device is activated. In this embodiment and the later-described embodiments, n-hexane is used as the activation gas for the electron-emitting device. However, the present invention is not particularly limited as long as the gas activates the electron-emitting device. As the activating gas species, an organic gas is particularly effective. After the activation of the device, a vacuum high-temperature baking process is performed to perform a degassing process.
The temperature of the airtight container was raised to 200 ° C., and the temperature was usually maintained for 5 to 10 hours, in this example, 10 hours. Immediately before cooling, the tube 8 is sealed off. This first sealing and cutting step performed during the baking step does not necessarily need to be performed during the high-temperature holding time,
If the temperature of the image display device is 100 ° C. or higher, there is an effect. Thereafter, the temperature is lowered to room temperature. Then, after sealing the tube 9, the getter 10 is flashed (activated) by induction heating. The getter 10 has an exhausting effect. By activating the getter 10, the residual gas in the hermetic container is captured, and the inside of the hermetic container is maintained at a high vacuum for a long time. Further, in the present embodiment and later-described embodiments, the Ba-Al-Ni evaporation type is used as the getter material. For example, Ti (titanium), Zr (zirconium),
A getter or the like containing Fe (iron), Ni (nickel), V (vanadium) or the like as a main component may be used, but is not limited thereto. Thus, the image display device is completed.

【0021】上述したように構成された画像表示装置の
動作について、以下に説明する。所定の真空度に維持さ
れた画像表示装置において、外部駆動回路(不図示)に
よって電子放出素子部の素子電極12、13に駆動パル
ス電圧を印加すると、電子放出部15から電子が放出さ
れる。放出された電子は、蛍光体4及びアルミ薄膜5に
印加された電圧(1kV〜10kV)によって加速さ
れ、アルミ薄膜5に衝突する。この衝突により蛍光体4
が励起され、画像表示面に画像が表示される。
The operation of the image display device configured as described above will be described below. When a driving pulse voltage is applied to the element electrodes 12 and 13 of the electron-emitting device section by an external drive circuit (not shown) in the image display device maintained at a predetermined degree of vacuum, electrons are emitted from the electron-emitting section 15. The emitted electrons are accelerated by the voltage (1 kV to 10 kV) applied to the phosphor 4 and the aluminum thin film 5 and collide with the aluminum thin film 5. This collision causes the phosphor 4
Is excited, and an image is displayed on the image display surface.

【0022】上述した本実施例の製造方法で作成した画
像表示装置を、前述の従来の製造方法で作成した画像表
示装置と比較するために、素子特性の評価を行った。
In order to compare the image display device manufactured by the above-described manufacturing method of the present embodiment with the image display device manufactured by the above-described conventional manufacturing method, the element characteristics were evaluated.

【0023】素子電極間の駆動電圧を15V、パルス幅
100μA,周期10mSの短形波を印加した。また、
蛍光体及びアルミ薄膜に4kVの加速電圧を印加した。
このときの一定時間駆動した後の1素子当りの放出電流
Ieの測定結果を表1に示す。
A drive voltage between the device electrodes was 15 V, a pulse width of 100 μA, and a cycle of 10 mS was applied. Also,
An acceleration voltage of 4 kV was applied to the phosphor and the aluminum thin film.
Table 1 shows the measurement results of the emission current Ie per element after driving for a certain time at this time.

【0024】[0024]

【表1】 この結果から、本実施例の製造方法で作成された画像表
示装置の素子特性は従来例に比べて画像の輝度に寄与す
るIeが改善されいるのが解る。これは、従来例の画像
表示装置においてゲッタのガスの吸着能力が排気管の封
止切りによるガス発生分だけ余分に消費されたため長時
間駆動後ゲッタの排気能力が低下し、真空度が劣化した
ことと、酸素、水等の反応性ガスが電子源の性能を悪化
させたためと考えられる。これらの値から、本発明によ
る画像表示装置の製造方法の効果は明らかである。
[Table 1] From this result, it can be seen that in the element characteristics of the image display device manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, Ie which contributes to the luminance of the image is improved as compared with the conventional example. This is because, in the conventional image display device, the getter's gas adsorbing ability was consumed excessively by the amount of gas generated by the sealing cut of the exhaust pipe, so that the getter's exhaust ability was reduced after a long time driving, and the degree of vacuum was deteriorated. It is considered that the reactive gas such as oxygen and water deteriorated the performance of the electron source. From these values, the effect of the method for manufacturing an image display device according to the present invention is clear.

【0025】実施例2 図4に本発明による画像表示装置の製造工程の内、封着
からチップオフ完了までのフローチャートを示す。前述
の図2において、フェイスプレート1とリアプレート2
の間隔を10mmとし全ての部材の封着後、管8及び管
9より気密容器内の残留気体を排気する。気密容器内の
圧力がおよそ1×10-5Torr以下に達したら、フォ
ーミング処理(素子電極12、13に電圧印加)を行い
PdO薄膜14に電子放出部15を形成する。その後、
気密容器内の圧力がおよそ5×10-7Torr以下に達
したら、気密容器内の圧力が4×10-6Torrとなる
ようにn−ヘキサンを管8より導入し管9より排気し、
素子の活性化処理を行う。素子の活性化後脱ガス処理を
行うため、真空高温ベーキング処理を行う。気密容器を
200℃迄昇温し、10時間保持した。降温直前に管8
を封止切りする。その後室温まで降温する。ゲッタ10
は、実施例1と同じものを用い、誘導加熱によってフラ
ッシュ(活性化)させる。ゲッタ10は排気効果をもた
せるものであり、このゲッタ10を活性化することによ
り気密容器内の残留ガスは捕獲され、気密容器内が長期
にわたり高真空に維持される。フラッシュ完了から数分
〜1時間経過後、管9を封止しチップオフ完了とする。
以上で画像表示装置を完成させる。
Embodiment 2 FIG. 4 shows a flowchart from the sealing to the completion of chip-off in the manufacturing process of the image display device according to the present invention. In FIG. 2 described above, the face plate 1 and the rear plate 2
Is set to 10 mm, and after all the members are sealed, the gas remaining in the airtight container is exhausted from the tubes 8 and 9. When the pressure in the hermetic container reaches about 1 × 10 −5 Torr or less, a forming process (voltage application to the device electrodes 12 and 13) is performed to form the electron emission portions 15 on the PdO thin film 14. afterwards,
When the pressure in the airtight container reaches about 5 × 10 −7 Torr or less, n-hexane is introduced from the pipe 8 and exhausted from the pipe 9 so that the pressure in the airtight container becomes 4 × 10 −6 Torr,
The device is activated. After the activation of the device, a vacuum high-temperature baking process is performed to perform a degassing process. The temperature of the airtight container was raised to 200 ° C. and maintained for 10 hours. Tube 8 immediately before cooling
Is cut off. Thereafter, the temperature is lowered to room temperature. Getter 10
Is flashed (activated) by induction heating using the same as in Example 1. The getter 10 has an exhausting effect. By activating the getter 10, the residual gas in the hermetic container is captured, and the inside of the hermetic container is maintained at a high vacuum for a long time. After a lapse of several minutes to one hour from the completion of the flush, the tube 9 is sealed to complete the chip-off.
Thus, the image display device is completed.

【0026】上述した本実施例の製造方法で作成した画
像表示装置を、前述の従来の製造方法で作成した画像表
示装置と比較するために、実施例1と同様な条件で素子
特性の評価を行った。測定結果を表2に示す。
In order to compare the image display device manufactured by the above-described manufacturing method of the present embodiment with the image display device manufactured by the above-described conventional manufacturing method, the element characteristics were evaluated under the same conditions as in the first embodiment. went. Table 2 shows the measurement results.

【0027】[0027]

【表2】 この結果から、本実施例の製造方法で作成された画像表
示装置の素子特性は従来例に比べて画像の輝度に寄与す
るIeが改善されているのが解る。これは、従来例の画
像表示装置においてゲッタのガスの吸着能力が排気管の
封止切りによるガス発生分だけ余分に消費されたため長
時間駆動後ゲッタの排気能力が低下し、真空度が劣化し
たことと、酸素、水等の反応性ガスが電子源の性能を悪
化させたためと考えられる。これらの値から、本発明に
よる画像表示装置の製造方法の効果は明らかである。
[Table 2] From this result, it can be seen that the element characteristics of the image display device manufactured by the manufacturing method of the present embodiment have improved Ie that contributes to the luminance of the image as compared with the conventional example. This is because, in the conventional image display device, the getter's gas adsorbing ability was consumed excessively by the amount of gas generated by the sealing cut of the exhaust pipe, so that the getter's exhaust ability was reduced after a long time driving, and the degree of vacuum was deteriorated. It is considered that the reactive gas such as oxygen and water deteriorated the performance of the electron source. From these values, the effect of the method for manufacturing an image display device according to the present invention is clear.

【0028】実施例3 図5に本発明による画像表示装置の製造工程の内、封着
からゲッタフラッシュ工程までのフローチャートを示
す。前述の図2において、フェイスプレート1とリアプ
レート2の間隔を10mmとし全ての部材の封着後、管
8及び管9より気密容器内の残留気体を排気する。気密
容器内の圧力がおよそ1×10-5Torr以下に達した
ら、フォーミング処理(素子電極12、13に電圧印
加)を行いPdO薄膜14に電子放出部15を形成す
る。その後、気密容器内の圧力がおよそ5×10-7To
rr以下に達したら、気密容器内の圧力が4×10-6
orrとなるようにn−ヘキサンを管8より導入し管9
より排気し、素子の活性化処理を行う。素子の活性後脱
ガス処理を行うため真空高温ベーキング処理を行う。気
密容器を200℃迄昇温し、10時間保持した。降温直
前にまず高温ベーキング中に封止切り工程を施さない管
9のチップオフ箇所を400℃で2時間脱ガス処理を実
施する。その後管9のチップオフ箇所の温度を200℃
迄降温し、続いて管8を封止切りする。その後気密容器
全体を室温まで降温する。その後、管9を封止した後、
ゲッタ10(実施例1と同じものを使用)を誘導加熱に
よってフラッシュ(活性化)させる。ゲッタ10は排気
効果をもたせるもであり、このゲッタ10を活性化する
ことにより気密容器内の残留ガスは捕獲され、気密容器
内が長期にわたり高真空に維持される。以上で画像表示
装置を完成させる。
Embodiment 3 FIG. 5 shows a flowchart from the sealing to the getter flash step in the manufacturing process of the image display device according to the present invention. In FIG. 2 described above, the gap between the face plate 1 and the rear plate 2 is set to 10 mm, and after all the members are sealed, the residual gas in the hermetic container is exhausted from the pipes 8 and 9. When the pressure in the hermetic container reaches about 1 × 10 −5 Torr or less, a forming process (voltage application to the device electrodes 12 and 13) is performed to form the electron emission portions 15 on the PdO thin film 14. Thereafter, the pressure in the airtight container is reduced to about 5 × 10 −7 To.
When the pressure reaches rr or less, the pressure in the airtight container is 4 × 10 −6 T
n-hexane was introduced through tube 8 so that
The air is further exhausted, and the element is activated. After the activation of the device, a vacuum high-temperature baking process is performed to perform a degassing process. The temperature of the airtight container was raised to 200 ° C. and maintained for 10 hours. Immediately before the temperature is lowered, first, a degassing process is performed at 400 ° C. for 2 hours at a chip-off portion of the pipe 9 which is not subjected to the sealing and cutting process during the high temperature baking. Thereafter, the temperature at the tip-off point of the tube 9 is set to 200 ° C.
Then, the tube 8 is sealed off. Thereafter, the temperature of the whole airtight container is lowered to room temperature. Then, after sealing the pipe 9,
The getter 10 (the same one as in Example 1) is flashed (activated) by induction heating. The getter 10 has an exhausting effect. By activating the getter 10, the residual gas in the hermetic container is captured, and the inside of the hermetic container is maintained at a high vacuum for a long time. Thus, the image display device is completed.

【0029】上述した本実施例の製造方法で作成した画
像表示装置を、前述の従来の製造方法で作成した画像表
示装置と比較するために、実施例1と同様の条件で素子
特性の評価を行った。測定結果を表3に示す。
In order to compare the image display device manufactured by the above-described manufacturing method of the present embodiment with the image display device manufactured by the above-described conventional manufacturing method, the element characteristics were evaluated under the same conditions as in the first embodiment. went. Table 3 shows the measurement results.

【0030】[0030]

【表3】 この結果から、本実施例の製造方法で作成された画像表
示装置の素子特性は従来例に比べて画像の輝度に寄与す
るIeが改善されているのが解る。これは、従来例の画
像表示装置においてゲッタのガスの吸着能力が排気管の
封止切りによるガス発生分だけ余分に消費されたため長
時間駆動後ゲッタの排気能力が低下し、真空度が劣化し
たことと、酸素、水等の反応性ガスが電子源の性能を悪
化させたためと考えられる。これらの値から、本発明に
よる画像表示装置の製造方法の効果は明らかである。
[Table 3] From this result, it can be seen that the element characteristics of the image display device manufactured by the manufacturing method of the present embodiment have improved Ie that contributes to the luminance of the image as compared with the conventional example. This is because, in the conventional image display device, the getter's gas adsorbing ability was consumed excessively by the amount of gas generated by the sealing cut of the exhaust pipe, so that the getter's exhaust ability was reduced after a long time driving, and the degree of vacuum was deteriorated. It is considered that the reactive gas such as oxygen and water deteriorated the performance of the electron source. From these values, the effect of the method for manufacturing an image display device according to the present invention is clear.

【0031】さらに、ベーキング中に封止切りを行わな
い排気管の封止切り箇所を排気管のガラスの軟化点以下
の温度でベーキング脱ガス処理を行うことにより、第2
封止切りによって発生するガスも低減できるため、さら
に長時間の特性向上が見られることも確認できた。また
第1の排気管の封止工程は、必ずしもベーキング処理中
の高温保持工程に実施する必要はなく、画像表示装置の
温度が100℃以上であれば、降温工程中に実施しても
良い。
Further, by performing baking degassing at a temperature lower than the softening point of the glass of the exhaust pipe, the second portion of the exhaust pipe, which is not subjected to the sealing and cutting during baking, is subjected to baking degassing.
Since the gas generated by the sealing and cutting can be reduced, it was also confirmed that the characteristics were further improved for a long time. The first exhaust pipe sealing step does not necessarily need to be performed during the high-temperature holding step during the baking process, and may be performed during the cooling step if the temperature of the image display device is 100 ° C. or higher.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、気密容器
に接続されている排気管の本数を増加させて、排気時間
の短縮化やガス導入を容易にさせる等の利点を持ち合わ
せかつ比較的簡単に高真空維持を長時間達成でき、画像
表示装置として電子源の劣化が少なく、長時間使用でき
る画像表示装置の製造方法を提供できる。
According to the present invention described in detail above, the number of exhaust pipes connected to the hermetic container is increased, so that there are advantages such as shortening of exhaust time and facilitation of gas introduction and the like. It is possible to provide a method for manufacturing an image display device which can easily maintain a high vacuum for a long period of time, reduce deterioration of an electron source as an image display device, and can be used for a long time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の画像表示装置の製造工程を例示するフ
ローチャートである。
FIG. 1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an image display device of the present invention.

【図2】画像表示装置の構成を例示する概略図である。FIG. 2 is a schematic view illustrating the configuration of an image display device.

【図3】画像表示装置の表面伝導形電子放出素子の概略
図である。
FIG. 3 is a schematic view of a surface conduction electron-emitting device of the image display device.

【図4】本発明の画像表示装置の製造工程を例示するフ
ローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the image display device of the present invention.

【図5】本発明の画像表示装置の製造工程を例示するフ
ローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the image display device of the present invention.

【図6】従来の画像表示装置の製造工程を例示するフロ
ーチャートである。
FIG. 6 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a conventional image display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フェイスプレート 2 リアプレート 3 外枠 4 蛍光体 5 アルミ薄膜 6 電子放出素子 7 大気圧支持支柱 8 管(排気およびガス導入用) 9 管(排気およびガス導入用) 10 ゲッタ 11 遮蔽板 12、13 素子電極 14 パラジウム薄膜 15 電子放出部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Face plate 2 Rear plate 3 Outer frame 4 Phosphor 5 Aluminum thin film 6 Electron emission element 7 Atmospheric pressure support column 8 Tube (for exhaust and gas introduction) 9 Tube (for exhaust and gas introduction) 10 Getter 11 Shield plate 12, 13 Device electrode 14 Palladium thin film 15 Electron emission part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01J 29/86 H01J 29/86 Z 31/12 31/12 C ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical indication location H01J 29/86 H01J 29/86 Z 31/12 31/12 C

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 気密容器を備えた画像表示装置の製造方
法において、気密容器に接続されている排気管を通して
気密容器内を排気しながらベーキングする工程、排気管
を封止する工程、および気密容器内に配置されているゲ
ッタをフラッシュする工程を含み、前記排気管は複数本
が気密容器に接続され、ベーキング工程中にその少なく
とも1本を残して封止され、ベーキング工程終了後に封
止残しの排気管が封止され、その後ゲッタをフラッシュ
する工程により容器の真空を維持することを特徴とする
画像装置の製造方法。
1. A method for manufacturing an image display device having an airtight container, wherein a step of baking while exhausting the inside of the airtight container through an exhaust pipe connected to the airtight container, a step of sealing the exhaust pipe, and an airtight container Flushing a getter disposed therein, wherein a plurality of the exhaust pipes are connected to an airtight container, and at least one of the exhaust pipes is sealed during a baking step, and the exhaust pipe is left unsealed after the baking step. A method for manufacturing an image device, wherein an exhaust pipe is sealed, and thereafter, a vacuum of a container is maintained by a step of flashing a getter.
【請求項2】 気密容器を備えた画像表示装置の製造方
法において、気密容器に接続されている排気管を通して
気密容器内を排気しながらベーキングする工程、排気管
を封止する工程、および気密容器内に配置されているゲ
ッタをフラッシュする工程を含み、前記排気管は複数本
が気密容器に接続され、ベーキング工程中にその少なく
とも1本を残して封止され、ベーキング工程終了後にゲ
ッタをフラッシュし、ついで封止残しの排気管を封止す
ることにより容器の真空を維持することを特徴とする画
像装置の製造方法。
2. A method for manufacturing an image display device provided with an airtight container, a step of baking while exhausting the inside of the airtight container through an exhaust pipe connected to the airtight container, a step of sealing the exhaust pipe, and a method of sealing the airtight container. Flushing the getters disposed therein, wherein a plurality of the exhaust pipes are connected to the airtight container, and at least one of the exhaust pipes is sealed during the baking step, and the getters are flushed after the baking step is completed. And a method of manufacturing the image device, wherein a vacuum is maintained in the container by sealing the remaining exhaust pipe.
【請求項3】 ベーキング工程前に上記排気管から活性
化ガスを気密容器に導入する工程を含むことを特徴とす
る請求項1または2に記載の画像装置の製造方法。
3. The method according to claim 1, further comprising a step of introducing an activation gas into the airtight container from the exhaust pipe before the baking step.
【請求項4】 ベーキング工程中に行われる封止が、1
00℃以上の温度で行われることを特徴とする請求項1
ないし3のいずれか一つに記載の画像装置の製造方法。
4. The encapsulation performed during the baking step comprises:
2. The method according to claim 1, wherein the heating is performed at a temperature of 00 ° C. or more.
4. The method for manufacturing an image device according to any one of items 3 to 3.
【請求項5】 排気管がガラス管であり、ベーキング中
に封止を行わない排気管の封止箇所をそのガラスの軟化
点以下、100℃以上の温度でベーキング脱ガス処理を
行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つ
に記載の画像装置の製造方法。
5. The exhaust pipe is a glass pipe, and a sealed portion of the exhaust pipe not sealed during baking is subjected to a baking degassing process at a temperature equal to or lower than the softening point of the glass and equal to or higher than 100 ° C. The method for manufacturing an image device according to claim 1, wherein
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7545538B2 (en) 2000-09-27 2009-06-09 Ricoh Company, Ltd. Image-processing apparatus, image-processing method and recording medium
WO2019082981A1 (en) * 2017-10-26 2019-05-02 アイリスオーヤマ株式会社 Cooker
JP2019103783A (en) * 2017-10-26 2019-06-27 アイリスオーヤマ株式会社 Cooking device

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WO2019082981A1 (en) * 2017-10-26 2019-05-02 アイリスオーヤマ株式会社 Cooker
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