JP2000013101A

JP2000013101A - 高周波回路

Info

Publication number: JP2000013101A
Application number: JP10172419A
Authority: JP
Inventors: Ushio Sagawa; 潮寒川; Taku Fujita; 卓藤田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-06-19
Filing date: 1998-06-19
Publication date: 2000-01-14

Abstract

(57)【要約】【課題】主にマイクロ波、ミリ波帯の無線通信技術に
おける高周波回路に関し、容易かつ安価に信号線の交差
部分を実現した高周波回路を提供することを目的とす
る。【解決手段】複数の独立な回路とそれらを接続する配
線から構成される高周波回路において、配線はマイクロ
ストリップ線路２３から構成される２次元的配線構造と
セミリジッドケーブル２２から構成される３次元的配線
構造の両方を具有し、それらの構造を用いて配線同士の
交差構造を実現することにより、綿密な設計と高い加工
精度を必要としない、安価で高安定性・高感度な高周波
回路を提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主にマイクロ波、
ミリ波帯の無線通信技術における高周波回路に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、無線通信技術における周波数資源
の枯渇にともない、新しく通信システムを構築する場合
に利用可能な周波数域は、日増しに高周波域へと移り変
わってきている。このような状況のもと、マイクロ波・
ミリ波の通信システムへの展開は国内外とも官民共同で
強力に推進されており、例えば、無線ＬＡＮ、ＩＴＳ
（ＩｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔＴｒａｎｓｐｏｒｔＳｙｓ
ｔｅｍ）で開発されている各種通信システムにおいて
は、数ＧＨｚから約１００ＧＨｚまでという高い周波数
域における使用周波数帯の割り当てが決定されている。

【０００３】以上のような利用周波数の高周波化のな
か、マイクロ波・ミリ波帯で充分機能する信頼性の高い
高周波回路の開発が望まれている。ところが、周波数が
高くなるに従い、今まで使用可能とされていた回路構成
・実装技術が十分に機能しなくなる場合があり、新しい
回路構成が必要とされている。以下に、従来の高周波回
路構成の中で、特に配線部の構造について図９及び図１
０を参照しながら説明する。

【０００４】図９は従来の高周波回路の配線構造を示す
概念図である。図９において、１１は回路Ａ１、１２は
回路Ａ２、１３は回路Ｂ、１４は回路Ｃ、１５は回路
Ｄ、１６は信号線群を示し各々の回路を接続している。
１１回路Ａ１と１２回路Ａ２からはそれぞれ３本づつ信
号線がのびており、各信号線は１３回路Ｂ、１４回路
Ｃ、１５回路Ｄに分配されている。すなわち、１３回路
Ｂ、１４回路Ｃ、１５回路Ｄはそれぞれ１１回路Ａ１と
１２回路Ａ２に結線されている。この配線構造におい
て、１２回路Ａ２から１３回路Ｂと１４回路Ｃへの信号
線は、１１回路Ａ１から１４回路Ｃと１５回路Ｄへ伸び
る信号線と交差する。

【０００５】そこで、信号線の交差部分を実現するため
に、信号線群１６は多層基板を用いた２層の信号線群か
ら構成されており、図９においてそれぞれ実線と破線で
表現されている。すなわち、１２回路Ａ２から１３回路
Ｂ及び１４回路Ｃへの結線は、スルーホールを通じて下
層信号線に結線され、上層にある１１回路Ａ１から１４
回路Ｃ及び１５回路Ｄへの信号線の下を通過したのち、
再びスルーホールによって上層信号線に結線される。

【０００６】以上のように構成された高周波回路におい
て、特に配線構造についてその具体的な構成について説
明する。実装・加工方法および製造コストの削減などの
要請から、通常、高周波回路の信号線はマイクロストリ
ップ線路が用いられる。

【０００７】図１０に、マイクロストリップ線路の断面
構造を表す概念図を示す。図１０に示したようにマイク
ロストリップ線路は、下面を金属導体層で覆われた誘電
体平行平板基板の上面に、必要とされる電気特性に応じ
た幅を有するライン状の導体薄膜を配置することにより
構成される。

【０００８】しかし、マイクロストリップ線路を伝達す
る電気信号は、マイクロストリップ線路上のみを伝達し
ているのではなく、周囲の空間をも伝わっている。その
ため、マイクロストリップ線路同士の交差を、低い周波
数域で使用されるような簡単なジャンパー線で実現する
ことは不可能である。ゆえに、信号線間に電気的な干渉
が発生しないよう、図９に示したように、多層基板を用
いて配線することによって交差部分を実現する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の配線構造を、マイクロ波・ミリ波帯で実現しよう
とすると、電磁界解析を主体とした配線交差部の綿密な
設計が必要とされるだけでなく、高い加工精度が必要と
なり、コストが増加するという課題を有していた。

【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、容易かつ安価に信号線の交差部分を実現した高周波
回路を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の高周波回路は、信号線の交差部分をマイク
ロストリップ線路とセミリジッドケーブルのように屈曲
可能で低損失な伝送路を積極的に利用した３次元立体配
線構造を有するものである。

【００１２】この構成によって、綿密な設計と高い加工
精度を必要としない、安価で高安定性・高感度な高周波
回路を提供することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、複数の独立な回路と前記回路の間を接続する配線か
ら構成され、前記配線は２次元的配線構造と３次元的配
線構造の両方を具有することを特徴とする高周波回路で
あり、複雑な配線が必要な場合でも自由な接続が容易に
なるという作用を有する。

【００１４】請求項２に記載の発明は、配線は、２次元
的配線構造と３次元的配線構造とを用いた交差構造を有
することを特徴とする請求項１記載の高周波回路であ
り、交差配線が必要な複雑な配線でも容易に接続が可能
となるという作用を有する。

【００１５】請求項３に記載の発明は、２次元的配線構
造はマイクロストリップ線路を用いて構成され、３次元
的配線構造はセミリジッドケーブルを用いて構成される
請求項１または２記載の高周波回路であり、３次元的配
線構造を任意の形状に形成させることができ、交差配線
における設計を必要とせずに複雑な配線が容易となると
いう作用を有する。

【００１６】請求項４に記載の発明は、３次元的配線構
造は、セミリジッドケーブルとコネクタとを用いて予め
形成された１つのユニットであることを特徴とする請求
項１から３のいずれかに記載の高周波回路であり、複雑
な配線が必要な場合でも回路との結線作業が容易になる
という作用を有する。

【００１７】請求項５に記載の発明は、セミリジッドケ
ーブルと回路との接続は、マイクロストリップ線路を介
して行われることを特徴とする請求項３または４記載の
高周波回路であり、信号の伝送損失が低くなるという作
用を有する。

【００１８】請求項６に記載の発明は、セミリジッドケ
ーブルとマイクロストリップ線路との接続は、前記セミ
リジッドケーブルの心線先端をテーパ状に加工し、前記
マイクロストリップ線路に電気的に接続させたことを特
徴とする請求項３または５記載の高周波回路であり、マ
イクロストリップ線路とセミリジッドケーブルとの接続
による伝送損失が低減されるという作用を有する。

【００１９】請求項７に記載の発明は、コネクタは、導
電性を有する固定台にセミリジッドケーブルを固定した
ものであることを特徴とする請求項４記載の高周波回路
であり、セミリジッドケーブルの信号線周囲が確実に接
地でき、他配線による電磁場の影響を受けないという作
用を有する。

【００２０】請求項８に記載の発明は、コネクタは、固
定台上に形成された接続用マイクロストリップ線路を有
し、セミリジッドケーブルの心線を前記接続用マイクロ
ストリップ線路に接続したことを特徴とする請求項７に
記載の高周波回路であり、セミリジッドケーブルの心線
を直接回路に接続できない場合でも容易に接続が可能と
なるという作用を有する。

【００２１】請求項９に記載の発明は、請求項１から８
のいずれかに記載の高周波回路を用いたことを特徴とす
る無線通信装置であり、回路に高い実装精度が要求され
ない安価な装置を作製することができるという作用を有
する。

【００２２】以下、本発明の実施について図面を参照し
ながら説明する。（実施の形態１）図１は本実施の形態による高周波回路
の配線を示す概念図である。本高周波回路は５つの独立
な回路から構成され、各々の回路は信号線で接続されて
いる。図１において、１１は回路Ａ１、１２は回路Ａ
２、１３は回路Ｂ、１４は回路Ｃ、１５は回路Ｄ、１６
は信号線群をあらわす。１１回路Ａ１、１２回路Ａ２か
らそれぞれ３本の信号線が出ており、それぞれ１３回路
Ｂ、１４回路Ｃ、１５回路Ｄに接続されている。

【００２３】図１に示したように、この配線構造で一平
面上に回路を構成しようとすると信号線の交差部分が発
生するが、本実施の形態では、交差部分を、セミリジッ
ドケーブルとマイクロストリップ線路による立体配線を
積極的に利用することにより実現する。セミリジッドケ
ーブルの構造は、図２に示したように、パイプ状の外部
導体の中に、心線と呼ばれる線状導体が誘電体で絶縁さ
れ、封入されている。セミリジッドケーブルはそれ単体
で優れた信号の通過特性を有し、任意の形状に屈曲可能
な伝送線路である。

【００２４】図３は本実施に形態による高周波回路の配
線構造を示す概念図である。図３において、１７はキャ
リアＡ、１８はキャリアＢ、１９はキャリアＣ、２０は
キャリアＤ、２１はベース板、２２はセミリジッドケー
ブル、２３はマイクロストリップ線路である。各々のキ
ャリア、ベース板は金属板、あるいはそれに同等な導電
性に優れた部材で作成される。各々の回路とマイクロス
トリップ線路による配線はキャリア上に形成され、それ
らは最終的にベース板２１に固定され全体の回路を構成
するとともに、ベース板２１を通して全ての回路の接地
が電気的に共通に取れる構造となっている。

【００２５】本実施の形態では、１１回路Ａ１と１２回
路Ａ２は１７キャリアＡ上に、１３回路Ｂは１８キャリ
アＢ上に、１４回路Ｃは１９キャリアＣ上に、１５回路
Ｄは２０キャリアＤ上に構成される。１１回路Ａ１と回
路Ｂ、Ｃ、Ｄ、及び、１２回路Ａ２と１５回路Ｄとはマ
イクロストリップ線路２３で接続され、１２回路Ａ２と
回路Ｂ、回路Ｃとはセミリジッドケーブル群２２で接続
され、セミリジッドケーブルの外部導体は接地されてい
る。

【００２６】セミリジッドケーブル２２とマイクロスト
リップ線路２３の距離は、回路の実装条件が許す限り広
くとり、マイクロストリップ線路周辺に形成される電磁
場分布がセミリジッド配線により乱さないように考慮し
てある。そのため、セミリジッドケーブル２２により生
じるマイクロストリップ線路２３の伝送損失は無視でき
る。

【００２７】また、上述したように、セミリジッドケー
ブルは信号線周囲が接地されたパイプ状の導体で完全に
覆われているため、マイクロストリップ線路２３の影響
によって、信号線である心線の通過損失は生じ得ない。

【００２８】図１と図３において、一例として回路数と
それらの信号線数を規定したが、本実施の形態の回路の
特徴はセミリジッドケーブルによる立体配線を積極的に
用いた回路構成であり、回路数と配線数に特に規定はな
く、自由な回路構成をとる事が可能である。また、セミ
リジッドケーブルは、外部への電磁界漏洩がなく伝送損
失の少ない屈曲加工可能な他の伝送線路に置き換えても
よいことは言うまでもない。

【００２９】次に、図４を用いて本実施の形態のセミリ
ジッドケーブル配線部の構成について説明する。図４は
セミリジッド配線部の構成を示す概略図である。図４に
おいて２４はコネクタＡ、２５はコネクタＢを表す。セ
ミリジッドケーブル２２は、コネクタＡ２４とコネクタ
Ｂ２５とを半田付け、あるいは導電性に優れた接着剤な
どで固定し、セミリジッドケーブル配線部のみで一つの
ユニットを構成するようになっている。配線部を１つの
ユニットにしたことによって、他の回路との結線作業が
容易になるという利点が生じる。

【００３０】図４において、セミリジッドケーブルの両
端はコネクタＡ２４、コネクタＢ２５が接続されている
が、他の回路との接続方法においてそれらは互いに異な
った構造を持っており、それぞれ図５及び図６を用いて
構成を説明する。

【００３１】図５（ａ）はコネクタＡ２４の概観図、図
５（ｂ）は視点Ｉから眺めたコネクタＡ２４の概略構成
図である。図５において２６はセミリジッドケーブル２
２の心線、２７は固定台である。導電性に優れた部材で
作られた固定台２７にはセミリジッドケーブル固定用の
２段穴が加工されており、心線を若干残して外部導体と
誘電体を除去したセミリジッドケーブルを挿入すると、
心線２６のみ固定台から突出し、他の回路との接続が可
能な構造をとる。セミリジッドケーブル挿入後、半田づ
け、あるいは導電性に優れた接着剤等で固定することに
より、機械的強度の確保、及びセミリジッドケーブルの
外部導体と固定台２７との電気的接触が実現される。こ
こで、２段穴の径の小さい方の穴の径は、心線と穴、及
び両者に囲まれる空間とで構成される電送線路の特性イ
ンピーダンスが通常５０Ωになるように決定される。こ
れは、セミリジッドケーブルから心線を通して接続され
る他の線路まで間の特性インピーダンスの不連続性をな
くし、異種の線路変換で必ず発生する信号の伝送損失を
低減するためである。

【００３２】コネクタＡ２４は心線を回路接続側に突出
した構造となっているが、これは接続される回路の伝送
線路に直接心線が接続されるため、回路とコネクタ間に
余計なインピーダンス変換が発生せず、信号の伝送損失
が低くなるという利点がある。ただし、突出している心
線の長さは他の回路との電気的接触が十分に取れれば長
くする必要はなく、特に高い周波数の信号を伝送する場
合にはむしろ出来るだけ短くするほうが損失も少なく好
ましい。

【００３３】次に、コネクタＢの構成について図６を参
照しながら説明する。図６（ａ）はコネクタＢ２５の概
観図、図６（ｂ）は視点Ｊから眺めたコネクタＢ２５の
概略構成図である。図６において、２８は誘電体基板、
２９はマイクロストリップ線路である。固定台２７はコ
ネクタＡ２４同様に導電性に優れた部材で作成されてお
り、半田付けなどによってセミリジッドケーブル２２の
外部導体と同電位になるようになっている。心線のみ露
出したセミリジッドケーブル２２が挿入されるコネクタ
Ｂの固定台２７の２段穴加工は、コネクタ２４と同様な
概念で構成されている。

【００３４】コネクタＢ２５がコネクタＡ２４と異なる
ところは、マイクロストリップ線路２９を形成する誘電
体基板２８が、固定台２７上に固定されている点であ
る。セミリジッドケーブル２２を上記２段穴に挿入する
と、心線２６がちょうどマイクロストリップ線路２９の
中央に位置するようになっており、心線２６とマイクロ
ストリップ線路２９、固定台２７とセミリジッドケーブ
ル２２の外部導体を、半田付けあるいは導電性のある接
着剤等でそれぞれ固定することにより、各々が同電位と
なる。

【００３５】コネクタＢ２５を介して外部回路と接続す
る場合、外部回路と心線の間にマイクロストリップ線路
が挿入された構造となる。そのため、コネクタＡに比べ
若干の信号の伝送損失が生じるのであるが、実装工法上
他の回路に直接心線を接続できない場合には大変便利な
コネクタ構造となる。更に、回路の交換が生じた場合、
セミリジッドケーブル配線部に影響を与えないで交換作
業ができるという利点もあるなど、この構造を採択する
ことにより有益な点が多く得られる。

【００３６】心線２６とマイクロストリップ線路２９と
の接続部においても、２４コネクタＡと同様な理由か
ら、電気的接触が十分にとれるならば、高周波数信号の
効率のよい伝送の為には出来る限り心線の露出部分をで
きる限り短くとることが望ましい。また、心線２６とマ
イクロストリップ線路２９との接続部において使用され
る半田、あるいは導電性に優れた接着剤の量は、高周波
信号の伝送損失を軽減する為に出来る限り少なくするほ
うが望ましい。

【００３７】図４において、セミリジッドケーブル配線
部は、セミリジッドケーブル２２の両端に２種類のコネ
クタを配しているが、配線部に接続される回路の種類に
よりこれらコネクタの組み合わせが自由に選択できるこ
とは言うまでもない。

【００３８】次にセミリジッド配線部の加工法について
図７を参照しながら説明する。図７はセミリジッド配線
部の加工手順フローチャートである。作成は、（１）セ
ミリジッドケーブルの曲げ加工、（２）仮焼成、（３）
外部導体除去と心線出し、（４）アセンブリーの４つの
工程に別れる。以下、各工程について説明する。

【００３９】まず、（１）セミリジッドケーブルの曲げ
加工について説明する。セミリジッドケーブルの屈曲加
工は、信号の通過特性など電気特性の再現性を確保する
ため、治具を用いて正確に曲げ加工を行なう。治具に
は、予め必要な曲げ形状が刻まれており、プレス加工と
同様に、適当な長さに切り出された未加工のセミリジッ
ドケーブルを治具で押さえつけると、正確な曲げ加工が
できるようになっている。

【００４０】次に、（２）仮焼成について説明する。仮
焼成とは、曲げ加工後のセミリジッドケーブルを炉やホ
ットプレート等で一定時間昇温する工程をさす。この加
温工程が必要な理由を以下に述べる。図２で述べたよう
に、セミリジッドケーブル内は、心線と外部導体間の絶
縁と電力電送の役割を果たす誘電体が充填されている。
実装工法や回路構成にも依存するが、回路を作成する工
程の中にはある程度高い温度が回路全体に加えなければ
ならないものもある。その場合セミリジッドケーブル全
体に熱が加わることになるが、誘電体の熱膨張率は大変
大きく、誘電体がセミリジッドケーブルの外部導体の外
部にまで溢れ出すことがある。この誘電体の熱膨張は、
時としてセミリジッドケーブルと接続回路間の断線や信
号の通過特性の変化を生じさせることがある。そこで、
これらの電気特性の劣化を未然に防ぐため、予めセミリ
ジッドケーブルを加温し絶縁体材に熱履歴を与えておく
のである。本工程の加温温度は回路の組み立て時にセミ
リジッドケーブルが経るであろう最高温度に設定する。
焼成時間は、セミリジッドケーブルの切断部から、膨張
した誘電体の伸びが観測されなくなるまでとする。極端
に長時間の焼成は、冷却時に外部導体と絶縁体材間に間
隙を生じさせるため好ましくない。

【００４１】（２）の仮焼成後、必要な寸法に合わせ
て、外部導体と誘電体を剥離し心線を露出させる工程
（３）を行なう。心線出しは、心線表面に傷を生じさせ
ないこと、及び外部導体と誘電体の除去面を一致させる
ことに特に注意して、パイプカッターなどの専用工具を
用いて行う。２４コネクタＡ，２５コネクタＢの構成の
説明においても詳述したが、露出させる心線の長さはセ
ミリジッドケーブルと接続する回路との結線に支障がな
い限り短くする。また、心線の先端を図８に示すように
テーパ形状３０に加工すると、特にマイクロストリップ
線路との接続の際に伝送損失が少なくなるという利点が
ある。

【００４２】心線２６の長さとテーパ形状３０に注意を
払うことによって、例えば周波数２６ＧＨｚにおいて、
外径１．２ｍｍ、長さ５０ｍｍのセミリジッドケーブル
を長さ１０ｍｍのマイクロストリップ線路に接続した場
合、屈曲部分の伝送損失とマイクロストリップ線路の伝
送損失を含めて全体の伝送損失を約０．８ｄＢと低く抑
えることができた。

【００４３】外部導体の除去と心線の加工（３）が終了
すると、次はセミリジッドケーブルと固定台の接続工程
（４）に移る。この工程においても、セミリジッド配線
部が１つのユニットとして正確にアセンブリーされる必
要があるので、治具などを用いて正確に行なう。例え
ば、実際にセミリジッドケーブル配線部が接続される回
路構造と同様な固定治具を作成し、その上に固定台とセ
ミリジッドケーブルを配置し、それぞれの形状を設計ど
おり充分正確に組み上げた後、固定台とセミリジッドケ
ーブルを半田付けなどで固定する。

【００４４】以上、本実施の形態の回路構成について、
特にその中でもセミリジッドケーブル配線部に重点を置
き説明した。

【００４５】次に、本実施の形態の回路を作る為に必要
な洗浄工程と、回路の保護の為に必要な被覆膜について
述べる。

【００４６】半田づけを行なう場合、半田の接着領域へ
の濡れ性向上のため、半田付け個所にフラックスを塗布
したり、あるいは、フラックス入りの半田を用いる事が
ほとんどである。回路の実装工程にも依存するが、半田
付け後の残余のフラックスを除去する必要性が生じるこ
とがある。フラックスの除去は通常、回路をアセトンや
イソプロピルアルコール等の有機溶媒の中に浸すことに
よっておこなわれるが、これらの洗浄法によるフラック
スの完全除去は困難である。また、通常の洗浄法では表
面被覆のない高周波用ＩＣ表面を汚染し、ボンディング
などの配線が困難になったり電気特性が期待できなくな
る場合がある。そこで、本実施の形態の回路洗浄には、
超音波洗浄浴を用いたトルエン浴５分→アセトン浴５分
→イソプロピルアルコール浴５分という工程を選択し
た。これにより、ＩＣチップ表面を汚染する事なく洗浄
することが可能となった。

【００４７】高周波回路を製造する際、ボンディングワ
イヤなどの力学的に弱い部分の固定と耐環境性を向上す
る目的のため、絶縁性に富む樹脂で局所的あるいは全面
を被覆するいわゆる「ポッティング」工程が必要になる
ことがある。上述したが、高周波信号は回路を構成する
導体内を伝わるのではなく、電力のほとんどが導体周囲
の空間を通して伝わっている。その為、樹脂を被覆した
ことによって導体周囲の誘電率の分布が大きく変化する
と回路の特性が劣化する。本実施の形態では、この問題
を回避するため、比誘電率が低く、高い硬化・焼成温度
を必要としないフッ素系の被覆材をポッティング樹脂と
して用いた。また、被覆膜の厚さは力学的強度が期待し
うる範囲で出来る限り薄くし、またポッティング領域も
必要最小限に狭くした。

【００４８】以上のように、洗浄法と被覆膜に注意を払
うことにより、安定性と経時変化の少ない回路を得るこ
とが出来る。

【００４９】以上のように本実施の形態によれば、高周
波回路中の信号線の交差部分に、マイクロストリップ線
路とセミリジッドケーブルのような屈曲可能な低損失伝
送路の立体配線構造を設ける事によって、電磁界解析を
主体とした詳細な設計が必要とされず、また、高い実装
精度が要求されない上に、配線部における伝送損失の少
ない交差部分が実現された高周波回路を提供する事が可
能となる。

【００５０】

【実施例】次に、本発明の具体例を説明する。

【００５１】図４に示すセミリジッドケーブル配線部の
ユニットを形成し、別途用意したマイクロストリップ線
路に接続した場合の伝送特性を測定した。ユニットは、
特性測定のために、セミリジッドケーブルの両端にコネ
クタＡ２４を接続したものを作製した。具体的には、セ
ミリジッドケーブル２２として、中心導体外径０．２８
８ｍｍ、絶縁体材外径０．９４１ｍｍ、外部導体外径
１．２０７ｍｍ、長さ２５ｍｍを用意し、その両端にコ
ネクタＡ２４を介して長さ７ｍｍの５０Ωのマイクロス
トリップ線路を接続した回路により特性を評価した。

【００５２】このような評価回路において、周波数２
６．５ＧＨｚでの伝送過損は０．６ｄＢであった。ま
た、この配線の中央部にＲ１．５ｍｍ、角度９０°の屈
曲加工を２個所施して伝送損失測定を行なっても特に顕
著な変化は観測されなかった。これは、同じ周波数にお
ける、貫通コンデンサとマイクロストリップ線路を用い
た配線の伝送損失が数ｄＢ以上あることから考えても、
伝送損失の極めて小さな配線であることを示している。
この配線を利用する事により得られる利得の数ｄＢは、
同周波数における増幅器１段に匹敵し、回路構成の簡略
化・素子数の低減が可能となる。

【００５３】したがってこの結果から、本発明により、
回路の安定性の確保と実装・調整の容易さにおいて極め
て有効な効果が得られ、安価に信頼性の高い高周波回路
が得られることが確認できた。

【００５４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、高周波回
路中の信号線の交差部分に、マイクロストリップ線路と
セミリジッドケーブルのような屈曲可能な低損失伝送路
の立体配線構造を設ける事によって、詳細な特性解析や
設計が必要とされず、また、高い実装精度が要求されな
い、安価で高安定性・高感度の高周波回路を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による高周波回路の配線
を示す概念図

【図２】本発明の一実施の形態によるセミリジッドケー
ブルの構造を示す概略図

【図３】本発明の一実施の形態による高周波回路の配線
構造を示す概略図

【図４】本発明の一実施の形態によるセミリジッド配線
部の構成を示す概略図

【図５】（ａ）本発明の一実施の形態によるコネクタＡ
の接続部を示す斜視図（ｂ）本発明の一実施の形態によ
るコネクタＡを視点Ｉから見たときの概略図

【図６】（ａ）本発明の一実施の形態によるコネクタＢ
の接続部を示す斜視図（ｂ）本発明の一実施の形態によ
るコネクタＢを視点Ｉから見たときの概略図

【図７】本発明の一実施の形態によるセミリジッド配線
部の加工手順を示すフローチャート

【図８】本発明の一実施の形態によるセミリジッドケー
ブル心線の先端加工を示す概略図

【図９】従来の高周波回路の配線を示す概念図

【図１０】従来の高周波回路によるマイクロストリップ
線路の構造を示す概略図

【符号の説明】

１１回路Ａ１１２回路Ａ２１３回路Ｂ１４回路Ｃ１５回路Ｄ１６信号線群１７キャリアＡ１８キャリアＢ１９キャリアＣ２０キャリアＤ２１ベース板２２セミリジッドケーブル２３、２９マイクロストリップ線路２４コネクタＡ２５コネクタＢ２６心線２７固定台２８誘電体基板３０テーパ形状

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の独立な回路と前記回路の間を接続
する配線から構成され、前記配線は２次元的配線構造と
３次元的配線構造の両方を具有することを特徴とする高
周波回路。
【請求項２】配線は、２次元的配線構造と３次元的配
線構造とを用いた交差構造を有することを特徴とする請
求項１記載の高周波回路。
【請求項３】２次元的配線構造はマイクロストリップ
線路を用いて構成され、３次元的配線構造はセミリジッ
ドケーブルを用いて構成される請求項１または２記載の
高周波回路。
【請求項４】３次元的配線構造は、セミリジッドケー
ブルとコネクタとを用いて予め形成された１つのユニッ
トであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに
記載の高周波回路。
【請求項５】セミリジッドケーブルと回路との接続
は、マイクロストリップ線路を介して行われることを特
徴とする請求項３または４記載の高周波回路。
【請求項６】セミリジッドケーブルとマイクロストリ
ップ線路との接続は、前記セミリジッドケーブルの心線
先端をテーパ状に加工し、前記マイクロストリップ線路
に電気的に接続させたことを特徴とする請求項３または
５記載の高周波回路。
【請求項７】コネクタは、導電性を有する固定台にセ
ミリジッドケーブルを固定したものであることを特徴と
する請求項４記載の高周波回路。
【請求項８】コネクタは、固定台上に形成された接続
用マイクロストリップ線路を有し、セミリジッドケーブ
ルの心線を前記接続用マイクロストリップ線路に接続し
たことを特徴とする請求項７に記載の高周波回路。
【請求項９】請求項１から８のいずれかに記載の高周
波回路を用いたことを特徴とする無線通信装置。