JP2000012748A - Electronic circuit device - Google Patents
Electronic circuit deviceInfo
- Publication number
- JP2000012748A JP2000012748A JP10174324A JP17432498A JP2000012748A JP 2000012748 A JP2000012748 A JP 2000012748A JP 10174324 A JP10174324 A JP 10174324A JP 17432498 A JP17432498 A JP 17432498A JP 2000012748 A JP2000012748 A JP 2000012748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- electronic circuit
- circuit device
- lsi
- solder material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ材料および
それを用いて接続した電子回路装置に係り、特に熱伝導
に優れたはんだ材料およびこれを用いて冷却特性を向上
させた電子回路装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solder material and an electronic circuit device connected using the same, and more particularly to a solder material having excellent heat conduction and an electronic circuit device using the same to improve cooling characteristics.
【０００２】[0002]
【従来の技術】LSIを効率よく冷却するために、LSIもし
くはそのパッケージ部品（以下LSIと呼ぶ）をヒートシ
ンクにはんだで接続する構造が知られている。これはた
とえば特開平7-106477号公報，特開平6-77362号公報な
どに記載されている。LSIと基板のはんだ接続後に当該
部分をはんだ接続するため、使用はんだは、LSIと基板
との接続に用いるはんだよりも融点の低いものが適し、
たとえば、４８重量パーセント錫−５２重量パーセント
インジウム（Sn-52In，融点１１７度）、４３重量パー
セント錫−５７重量パーセントビスマス（Sn-57Bi，融
点１３９度）、インジウム（In，融点１５６度）などが
用いられる。2. Description of the Related Art In order to efficiently cool an LSI, a structure is known in which the LSI or its package component (hereinafter referred to as LSI) is connected to a heat sink by soldering. This is described in, for example, JP-A-7-106477 and JP-A-6-77362. After solder connection between the LSI and the board, the part is soldered, so the solder used should be lower in melting point than the solder used to connect the LSI to the board.
For example, 48 weight percent tin-52 weight percent indium (Sn-52In, melting point 117 degrees), 43 weight percent tin-57 weight percent bismuth (Sn-57Bi, melting point 139 degrees), indium (In, melting point 156 degrees), and the like. Used.
【０００３】LSIと基板を通常のはんだよりも融点の高
いはんだで接続した場合、当該はんだには、常用の６３
重量パーセント錫−３７重量パーセント鉛はんだ（Sn-3
7Pb，融点１８３度）を用いることもできる。はんだは
金属であるため、熱伝導性のグリスなどよりも熱伝導率
が大きく、効率的な冷却性能が得られる。When an LSI and a substrate are connected by a solder having a higher melting point than ordinary solder, the usual 63
Weight percent tin-37 weight percent lead solder (Sn-3
7Pb, melting point: 183 degrees) can also be used. Since the solder is a metal, the solder has a higher thermal conductivity than the thermally conductive grease or the like, so that efficient cooling performance can be obtained.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、はんだの熱伝
導率は、 Sn-37Pbはんだ（融点１８３度）が55W/mK， S
n-52パーセントIn（融点１１９度）が43W/mK， Sn-57Bi
（融点１３９度）が35W/mK， Ｉｎ（融点１３０度）が2
3W/mKなどであり、通常ヒートシンク材料として用いら
れる銅(熱伝導率390W/mK)，アルミニウム(熱伝導率200W
/mK)などと比較して非常に小さい。However, the thermal conductivity of Sn-37Pb solder (melting point: 183 degrees) is 55 W / mK, S
43W / mK, Sn-57Bi with n-52% In (melting point 119 degree)
(Melting point 139 degrees) 35 W / mK, In (melting point 130 degrees) 2
3W / mK, etc. Copper (thermal conductivity 390W / mK), aluminum (thermal conductivity 200W)
/ mK).
【０００５】本発明が解決しようとする課題は、はんだ
材料の熱伝導率を向上させ、LSIとヒートシンク間のは
んだ接続部の熱伝導を良好にし、冷却効率に優れた電子
回路装置を実現することである。An object of the present invention is to provide an electronic circuit device which improves the thermal conductivity of a solder material, improves the thermal conductivity of a solder connection between an LSI and a heat sink, and has excellent cooling efficiency. It is.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この課題は、従来はんだ
に、はんだ材料自身よりも熱伝導率の大きい金属もしく
はセラミックの粒を混入させることにより達成される。This object is achieved by mixing metal or ceramic particles having a higher thermal conductivity than the solder material itself into the conventional solder.
【０００７】即ち、LSIに発生した熱ははんだ接続部を
介してヒートシンクに伝わり、この結果LSIは冷却され
る。本発明によるはんだ接続部には、はんだ材料自身よ
りも熱伝導率が大きい金属もしくはセラミックの粒が存
在するため、より良好な熱伝導が得られ、良好な冷却特
性が実現できる。That is, the heat generated in the LSI is transmitted to the heat sink via the solder connection, and as a result, the LSI is cooled. In the solder connection portion according to the present invention, metal or ceramic particles having higher thermal conductivity than the solder material itself are present, so that better heat conduction is obtained and good cooling characteristics can be realized.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の
形態の例を図面を参照しながら説明する。(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【０００９】まず熱伝導に優れたはんだシートを以下の
手順により作成する。純度99.9パーセントの錫と純度9
9.9パーセントの鉛及び直径３０ミクロンの銅球に、ニ
ッケルメッキを厚さ１ミクロン施したものを多数個準備
した。まず錫６３重量パーセント、鉛３７重量パーセン
トとなるように真空溶解炉で溶解して混合し、はんだ合
金を作成した。これにはんだ合金の重量に対して、４０
重量パーセントの、ニッケルメッキつき銅球を混合し、
短時間で溶融して均一分散させた。これを圧延により厚
さ１００ミクロンのシートを形成した。このようにして
融点１８３度のSn-37Pbはんだに、ニッケルメッキつき
銅粒子が混合されたはんだシートが作成される。このは
んだシートの断面の概念を図２に示す。First, a solder sheet having excellent heat conductivity is prepared by the following procedure. 99.9% purity tin and 9 purity
A large number of 9.9% lead and copper balls having a diameter of 30 μm and plated with nickel having a thickness of 1 μm were prepared. First, a solder alloy was prepared by melting and mixing in a vacuum melting furnace so as to be 63% by weight of tin and 37% by weight of lead. The weight of the solder alloy is 40
Weight percent, nickel-plated copper balls mixed,
It was melted and dispersed uniformly in a short time. This was rolled to form a sheet having a thickness of 100 microns. In this way, a solder sheet in which nickel-plated copper particles are mixed with Sn-37Pb solder having a melting point of 183 degrees is prepared. FIG. 2 shows the concept of the cross section of the solder sheet.
【００１０】次にLSIパッケージに９７重量パーセント
の錫−３重量パーセントの銀（Sn-3Ag，融点２２１度）
からなるはんだバンプを形成し、これをセラミックモジ
ュール基板に溶融接続した。次にこのLSIパッケージの
背面に、さきに作成した銅粒子入りはんだシートをLSI
パッケージの背面領域に対応して切断したものを置き、
ヒートシンクとはんだ接続した。このようにして作成し
た電子回路装置の断面概念図を図１に示す。Next, in the LSI package, 97% by weight of tin-3% by weight of silver (Sn-3Ag, melting point: 221 degrees)
Was formed and fused to a ceramic module substrate. Next, on the back of this LSI package, place the solder sheet containing copper particles
Place the cut one corresponding to the back area of the package,
Solder connection with heat sink. FIG. 1 shows a conceptual cross-sectional view of the electronic circuit device thus prepared.
【００１１】本発明による接続方式の冷却性能向上を確
認する実験を以下に行った。比較のために、従来から用
いられているSn-37Pbはんだ（銅粒子なし）を用いて同
様の電子回路装置を組み立てた。両者にパワーを投入
し、あらかじめLSIに埋め込んである感熱ダイオードに
より、LSIの温度を測定した。その結果、通常のSn-37Pb
はんだを用いて接続した電子回路装置のLSI温度は８３
度であったのに対し、本発明による電子回路のLSI温度
は７９度であった。これにより本発明の有効性が証明さ
れた。An experiment for confirming the improvement of the cooling performance of the connection system according to the present invention was conducted below. For comparison, a similar electronic circuit device was assembled using a conventionally used Sn-37Pb solder (without copper particles). The power was applied to both, and the temperature of the LSI was measured by a thermal diode embedded in the LSI in advance. As a result, normal Sn-37Pb
The LSI temperature of an electronic circuit device connected using solder is 83
In contrast, the LSI temperature of the electronic circuit according to the present invention was 79 degrees. This proved the effectiveness of the present invention.
【００１２】ここで、はんだ合金に混入させる銅粒子の
直径は３０ミクロンに限らない。大きさの異なる複数の
粒子を混合させてもよい。たとえば直径４０ミクロンの
銅粒子と５ミクロンのニッケルめっき付き銅粒子をはん
だ材料に混入させてもよい。このはんだ材料の断面の概
念図を図３に示す。Here, the diameter of the copper particles to be mixed into the solder alloy is not limited to 30 microns. A plurality of particles having different sizes may be mixed. For example, copper particles having a diameter of 40 microns and nickel particles with nickel plating having a diameter of 5 microns may be mixed into the solder material. FIG. 3 shows a conceptual diagram of a cross section of this solder material.
【００１３】（実施の形態２）通常に市販されているSn
-37Pbはんだペースト（６３重量パーセントの錫と３７
重量パーセントの鉛からなる合金を数十ミクロンの微細
ボールに形成したものとフラックスを混合させたもの）
を準備した。また、直径３０ミクロンのニッケルめっき
付き銅粒子と直径５ミクロンのニッケルめっき付き銅粒
子をそれぞれ多数個準備した。これを直径３０ミクロン
の銅粒子がはんだペースト重量の２５パーセントになる
ように、また直径５ミクロンの銅粒子がはんだペースト
の重量の２５パーセントになるようにSn-37Pbはんだペ
ーストに攪拌混合させた。(Embodiment 2) Sn which is usually commercially available
-37Pb solder paste (63 weight percent tin and 37
An alloy composed of a weight percent of lead in the form of fine balls of several tens of microns mixed with flux)
Was prepared. Also, a large number of nickel-plated copper particles having a diameter of 30 μm and nickel-plated copper particles having a diameter of 5 μm were prepared. This was mixed with the Sn-37Pb solder paste so that copper particles having a diameter of 30 microns accounted for 25% of the weight of the solder paste and copper particles having a diameter of 5 microns accounted for 25% of the weight of the solder paste.
【００１４】次にLSIパッケージに９７重量パーセント
の錫−３重量パーセントの銀（Sn-3Ag，融点２２１度）
からなるはんだバンプを形成し、これをセラミックモジ
ュール基板に溶融接続した。次にこのLSIパッケージの
背面に、さきに作成した銅粒子入りはんだペーストをLS
Iパッケージの背面領域に対応して塗布し、加熱、リフ
ローすることによりヒートシンクとはんだ接続した。Next, in the LSI package, 97% by weight of tin-3% by weight of silver (Sn-3Ag, melting point: 221 degrees)
Was formed and fused to a ceramic module substrate. Next, on the back of this LSI package, apply the solder paste containing copper particles
It was applied to the back area of the I package, heated, and reflowed to make a solder connection to the heat sink.
【００１５】本発明による接続方式の冷却性能向上を確
認する実験を以下に行った。比較のために、従来から用
いられているSn-37Pbはんだペースト（銅粒子なし）を
用いて同様の電子回路装置を組み立てた。両者にパワー
を投入し、あらかじめLSIに埋め込んである感熱ダイオ
ードにより、LSIの温度を測定した。その結果、通常のS
n-37Pbはんだを用いて接続した電子回路装置のLSI温度
は８３度であったのに対し、本発明による電子回路のLS
I温度は７７度であった。これにより本発明の有効性が
証明された。An experiment for confirming the improvement of the cooling performance of the connection system according to the present invention was conducted below. For comparison, a similar electronic circuit device was assembled using a conventionally used Sn-37Pb solder paste (without copper particles). The power was applied to both, and the temperature of the LSI was measured by a thermal diode embedded in the LSI in advance. As a result, the normal S
The LSI temperature of the electronic circuit device connected using n-37Pb solder was 83 degrees, while the LSI temperature of the electronic circuit device according to the present invention was 83 degrees.
The I temperature was 77 degrees. This proved the effectiveness of the present invention.
【００１６】ここで、はんだ合金に混入させる粒子は直
径は３０ミクロンの銅粒子に限らない。大きさの異なる
複数の粒子を混合させてもよい。たとえば直径４０ミク
ロンのアルミニウム粒子と５ミクロンのアルミニウム粒
子をはんだ材料に混入させてもよい。Here, the particles to be mixed into the solder alloy are not limited to copper particles having a diameter of 30 microns. A plurality of particles having different sizes may be mixed. For example, aluminum particles having a diameter of 40 microns and aluminum particles having a diameter of 5 microns may be mixed into the solder material.
【００１７】[0017]
【発明の効果】本発明による接続構造を用いれば、従来
のはんだ材料を用いた接続構造と比較して冷却性能に優
れた電子回路装置を容易に作成することができる。By using the connection structure according to the present invention, an electronic circuit device having excellent cooling performance can be easily produced as compared with a connection structure using a conventional solder material.
【図１】本発明の一実施例である電子回路装置の断面の
概念図。FIG. 1 is a conceptual diagram of a cross section of an electronic circuit device according to an embodiment of the present invention.
【図２】銅フィラー入りはんだシートの断面の概念図。FIG. 2 is a conceptual diagram of a cross section of a solder sheet containing a copper filler.
【図３】銅フィラー入りはんだシートの断面の概念図。FIG. 3 is a conceptual diagram of a cross section of a solder sheet containing a copper filler.
１…ヒートシンク、 ２…電子回路基板、３…
LSIパッケージ、 ４…ＣＣＢはんだ、５…入出
力ピン、 ６…ヒートシンク接続はんだ、７
…はんだベース、 ８…銅フィラー、９…はん
だベース、 １０…銅フィラー。1 ... heat sink, 2 ... electronic circuit board, 3 ...
LSI package, 4 CCB solder, 5 I / O pins, 6 Heat sink connection solder, 7
... solder base, 8 ... copper filler, 9 ... solder base, 10 ... copper filler.
フロントページの続き (72)発明者 笠井 憲一 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 大黒 崇弘 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 根津 利忠 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 宇田 隆之 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 白井 貢 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB05 BC06 BC33 BD01 BD14 Continuing from the front page (72) Inventor Kenichi Kasai 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Prefecture General Computer Division, Hitachi, Ltd. (72) Inventor, Toshitada Nezu 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Prefecture, Hitachi, Ltd.General-purpose Computer Business Division (72) Inventor Takayuki Uda 1-Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Prefecture, Hitachi, Ltd. Person Mitsuru Shirai 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa F-term in Hitachi Computer, Ltd. General Computer Division 5F036 AA01 BB05 BC06 BC33 BD01 BD14
Claims (10)
よりも熱伝導率が大きい金属粒もしくはセラミック粒を
混在させたはんだにより接続した部分を有することを特
徴とする電子回路装置。1. An electronic circuit device comprising: a solder material having a portion connected by solder mixed with metal particles or ceramic particles having a higher thermal conductivity than that of the solder material itself.
ニウム、銀またはそのいずれかの合金であることを特徴
とする請求項１記載の電子回路装置。2. The electronic circuit device according to claim 1, wherein the metal particles to be mixed are copper, nickel, aluminum, silver or an alloy thereof.
ムであることを特徴とする請求項１記載の電子回路装
置。3. The electronic circuit device according to claim 1, wherein the ceramic particles to be mixed are aluminum nitride.
ッケルめっきを施した粒であることを特徴とする請求項
１記載の電子回路装置。4. The electronic circuit device according to claim 1, wherein the mixed metal particles are copper or copper alloy plated with nickel.
ウムにニッケルめっきを施した粒であることを特徴とす
る請求項１記載の電子回路装置。5. The electronic circuit device according to claim 1, wherein the ceramic particles to be mixed are particles obtained by subjecting aluminum nitride to nickel plating.
よりも熱伝導率が大きい金属粒もしくはセラミック粒を
混在させたはんだ材料を有することを特徴とする電子回
路装置。6. An electronic circuit device comprising a solder material in which metal particles or ceramic particles having a higher thermal conductivity than the solder material itself are mixed in the solder material.
ニウム、銀またはそのいずれかの合金であることを特徴
とする請求項６記載のはんだ材料を有することを特徴と
する電子回路装置。7. An electronic circuit device comprising the solder material according to claim 6, wherein the metal particles to be mixed are copper, nickel, aluminum, silver or an alloy thereof.
ッケルめっきを施した粒であることを特徴とする請求項
６記載のはんだ材料を有することを特徴とする電子回路
装置。8. An electronic circuit device comprising the solder material according to claim 6, wherein the metal particles to be mixed are particles obtained by applying nickel plating to copper or a copper alloy.
ムであることを特徴とする請求項６記載のはんだ材料を
有することを特徴とする電子回路装置。9. An electronic circuit device comprising the solder material according to claim 6, wherein the ceramic particles to be mixed are aluminum nitride.
ニウムにニッケルめっきを施した粒であることを特徴と
する請求項６記載のはんだ材料を有することを特徴とす
る電子回路装置。10. An electronic circuit device comprising the solder material according to claim 6, wherein the ceramic particles to be mixed are particles obtained by subjecting aluminum nitride to nickel plating.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10174324A JP2000012748A (en) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | Electronic circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10174324A JP2000012748A (en) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | Electronic circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012748A true JP2000012748A (en) | 2000-01-14 |
Family
ID=15976659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10174324A Pending JP2000012748A (en) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | Electronic circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012748A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020093258A (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | ball grid array type package and method of fabricating the same |
| JP2007005670A (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Fujitsu Ltd | Electronic part package and bonding assembly |
| JP2008538660A (en) * | 2005-04-22 | 2008-10-30 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | Chip scale package |
| JP2013001968A (en) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Thermally conductive sheet and method of manufacturing the same |
| JP2013042025A (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Semiconductor device |
| JP2014209655A (en) * | 2007-08-28 | 2014-11-06 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | Electrochemically deposited indium composites |
| WO2015030239A1 (en) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | 日本碍子株式会社 | Thermal diode |
-
1998
- 1998-06-22 JP JP10174324A patent/JP2000012748A/en active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020093258A (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | ball grid array type package and method of fabricating the same |
| JP2008538660A (en) * | 2005-04-22 | 2008-10-30 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | Chip scale package |
| US8466546B2 (en) | 2005-04-22 | 2013-06-18 | International Rectifier Corporation | Chip-scale package |
| JP2007005670A (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Fujitsu Ltd | Electronic part package and bonding assembly |
| JP2014209655A (en) * | 2007-08-28 | 2014-11-06 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | Electrochemically deposited indium composites |
| JP2013001968A (en) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Thermally conductive sheet and method of manufacturing the same |
| JP2013042025A (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Semiconductor device |
| WO2015030239A1 (en) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | 日本碍子株式会社 | Thermal diode |
| EP3043136A1 (en) * | 2013-09-02 | 2016-07-13 | NGK Insulators, Ltd. | Thermal diode |
| EP3043136A4 (en) * | 2013-09-02 | 2017-05-03 | NGK Insulators, Ltd. | Thermal diode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5739586A (en) | Heat sink assembly including a printed wiring board and a metal case | |
| US20070013054A1 (en) | Thermally conductive materials, solder preform constructions, assemblies and semiconductor packages | |
| US6793011B2 (en) | Folded fin heat sink assembly | |
| US20070278212A1 (en) | Electronic device and method of manufacturing and electronic device | |
| US6154364A (en) | Circuit board assembly with IC device mounted thereto | |
| JP4093316B2 (en) | Manufacturing method of heat radiation fin | |
| JP6569314B2 (en) | Substrate heat dissipation structure and assembly method thereof | |
| JP2653703B2 (en) | COMPOSITE MATERIALS, HEAT DISTRIBUTION MEMBER USING THE MATERIAL IN CIRCUIT SYSTEM, CIRCUIT SYSTEM, AND PROCESS FOR PRODUCING THEM | |
| JP2000012748A (en) | Electronic circuit device | |
| JP2011508449A (en) | Method of forming a heat sink | |
| TW526697B (en) | Heat sink | |
| JP2008199057A (en) | Electronic equipment and method of manufacturing the same | |
| JPH05267362A (en) | Packaging structure for semiconductor device | |
| JPS6057944A (en) | Semiconductor device | |
| JP2008103773A (en) | Heat dissipation fin | |
| JPH0677347A (en) | Substrate | |
| JP2521624Y2 (en) | Semiconductor device | |
| US20080035703A1 (en) | Oxidation resistant solder preform | |
| CN211828737U (en) | Power device assembly and electrical equipment | |
| JP2002324880A (en) | Heat sink | |
| JPH05160306A (en) | Heat radiation structure | |
| JP2804765B2 (en) | Substrate for mounting electronic components | |
| JP2798464B2 (en) | Power amplification module structure | |
| JP2524733Y2 (en) | Semiconductor device | |
| JP3865179B2 (en) | Power electronic circuit device and manufacturing method thereof |