JP2000012287A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP2000012287A JP2000012287A JP10180835A JP18083598A JP2000012287A JP 2000012287 A JP2000012287 A JP 2000012287A JP 10180835 A JP10180835 A JP 10180835A JP 18083598 A JP18083598 A JP 18083598A JP 2000012287 A JP2000012287 A JP 2000012287A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- plasma
- plasma processing
- antennas
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャンバー外側にプラズマ発生用のアンテナ
を巻回したプラズマ処理装置のプラズマ発生を容易にし
且つ基板に与えるダメージを少なくする。 【解決手段】 チャンバー３の小径部３ａ外側には２本
のアンテナ７ａ，７ｂ，７ｃを螺旋状に巻回している。
アンテナ７ａ，７ｂ，７ｃは断面円形をなし、互いの間
隔を維持するためにチャンバー３とアンテナ７ａ，７
ｂ，７ｃとの間には絶縁体からなるスペーサ８を介在せ
しめ、更にアンテナ７ａ，７ｂ，７ｃの上端部は平面視
で互いに１２０°位相をずらせ、その上端部を高周波電
源との接続部（給電部）としている。
を巻回したプラズマ処理装置のプラズマ発生を容易にし
且つ基板に与えるダメージを少なくする。 【解決手段】 チャンバー３の小径部３ａ外側には２本
のアンテナ７ａ，７ｂ，７ｃを螺旋状に巻回している。
アンテナ７ａ，７ｂ，７ｃは断面円形をなし、互いの間
隔を維持するためにチャンバー３とアンテナ７ａ，７
ｂ，７ｃとの間には絶縁体からなるスペーサ８を介在せ
しめ、更にアンテナ７ａ，７ｂ，７ｃの上端部は平面視
で互いに１２０°位相をずらせ、その上端部を高周波電
源との接続部（給電部）としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハやガ
ラス基板等に対しエッチング、アッシング、ＣＶＤ処
理、イオン注入処理等を行うプラズマ処理装置に関す
る。
ラス基板等に対しエッチング、アッシング、ＣＶＤ処
理、イオン注入処理等を行うプラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ処理装置としてはチャンバー内
に一対の電極を配置した平行平板型の装置と、チャンバ
ーの外側にプラズマ発生用のアンテナ（電極）を設けた
プラズマ処理装置がある。後者の装置としては更に、チ
ャンバーの外周に一対のシート状電極を対向配置し、こ
れら一対のシート状電極の一方に高周波電源を接続し、
他方を接地したタイプと、チャンバーの周囲に螺旋状若
しくは環状のコイル電極を配置し、このコイル電極に高
周波電源を接続したタイプがある。
に一対の電極を配置した平行平板型の装置と、チャンバ
ーの外側にプラズマ発生用のアンテナ（電極）を設けた
プラズマ処理装置がある。後者の装置としては更に、チ
ャンバーの外周に一対のシート状電極を対向配置し、こ
れら一対のシート状電極の一方に高周波電源を接続し、
他方を接地したタイプと、チャンバーの周囲に螺旋状若
しくは環状のコイル電極を配置し、このコイル電極に高
周波電源を接続したタイプがある。
【０００３】また、高周波を印加することで発生するプ
ラズマには、容量結合型プラズマ(CCP:Capacitive Coup
led Plasma)と誘導結合型プラズマ(ICP:Inductive Coup
ledPlasma)があり、シート状電極を用いたプラズマ処理
装置にあっては容量結合型プラズマが主に発生し、コイ
ルアンテナを用いたプラズマ処理装置にあっては誘導結
合型プラズマが主に発生する。
ラズマには、容量結合型プラズマ(CCP:Capacitive Coup
led Plasma)と誘導結合型プラズマ(ICP:Inductive Coup
ledPlasma)があり、シート状電極を用いたプラズマ処理
装置にあっては容量結合型プラズマが主に発生し、コイ
ルアンテナを用いたプラズマ処理装置にあっては誘導結
合型プラズマが主に発生する。
【０００４】容量結合型プラズマは基板にダメージを与
えるので、誘導結合型プラズマの方が好ましいことが判
明している。そこで、コイル電極を用いたプラズマ処理
装置であって、更に容量結合型プラズマの発生を抑制す
る先行技術として、特開平５−５０２９７１号公報、特
開平８−５０９９６号公報或いは特開平８−８８２２０
号公報に開示されるものがある。これら先行技術は、い
ずれもアンテナ（コイル電極）とプラズマ処理用チャン
バーとの間にファラデーシールドを配置し、アンテナの
軸方向電場を電気的に短絡して容量結合型プラズマを抑
制するというものである。
えるので、誘導結合型プラズマの方が好ましいことが判
明している。そこで、コイル電極を用いたプラズマ処理
装置であって、更に容量結合型プラズマの発生を抑制す
る先行技術として、特開平５−５０２９７１号公報、特
開平８−５０９９６号公報或いは特開平８−８８２２０
号公報に開示されるものがある。これら先行技術は、い
ずれもアンテナ（コイル電極）とプラズマ処理用チャン
バーとの間にファラデーシールドを配置し、アンテナの
軸方向電場を電気的に短絡して容量結合型プラズマを抑
制するというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように容量結
合型プラズマは基板にダメージを与えるのであるが、完
全に容量結合型プラズマを排除すると今度はチャンバー
内でプラズマが発生しなくなる。つまり容量結合型プラ
ズマはプラズマを発生させるための火種のようなもので
あり、効率のよいプラズマ処理を行うには、容量結合型
プラズマの発生をコントロールすることが肝心である。
しかしながら、上述したファラデーシールドを配置した
先行技術にあっては、容量結合型プラズマの発生のコン
トロールが困難である。
合型プラズマは基板にダメージを与えるのであるが、完
全に容量結合型プラズマを排除すると今度はチャンバー
内でプラズマが発生しなくなる。つまり容量結合型プラ
ズマはプラズマを発生させるための火種のようなもので
あり、効率のよいプラズマ処理を行うには、容量結合型
プラズマの発生をコントロールすることが肝心である。
しかしながら、上述したファラデーシールドを配置した
先行技術にあっては、容量結合型プラズマの発生のコン
トロールが困難である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、処理用チャンバーの周囲にプラズマ発生用のア
ンテナ（電極）を設けたプラズマ処理装置において、前
記アンテナを複数本とし、各アンテナは一端が高周波電
源に接続され、更に各アンテナは互いに接触しないよう
に位相をずらせてプラズマ処理用チャンバーの周囲に螺
旋状に巻回された構成とした。このように、給電位置を
周方向において複数箇所とすることで、容量結合型プラ
ズマがチャンバーの内周部に沿って発生し、チャンバー
の中央部で誘導結合型プラズマが発生する。
発明は、処理用チャンバーの周囲にプラズマ発生用のア
ンテナ（電極）を設けたプラズマ処理装置において、前
記アンテナを複数本とし、各アンテナは一端が高周波電
源に接続され、更に各アンテナは互いに接触しないよう
に位相をずらせてプラズマ処理用チャンバーの周囲に螺
旋状に巻回された構成とした。このように、給電位置を
周方向において複数箇所とすることで、容量結合型プラ
ズマがチャンバーの内周部に沿って発生し、チャンバー
の中央部で誘導結合型プラズマが発生する。
【０００７】尚、前記アンテナとしては、例えば断面円
形若しくはシート状をなし、上端部が高周波電源に接続
されたものが適当である。また、プラズマ処理用チャン
バーとアンテナとの間には、アンテナ同士の間隔を維持
するための絶縁体からなるスペーサを設けることが可能
である。
形若しくはシート状をなし、上端部が高周波電源に接続
されたものが適当である。また、プラズマ処理用チャン
バーとアンテナとの間には、アンテナ同士の間隔を維持
するための絶縁体からなるスペーサを設けることが可能
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
プラズマ処理装置の一部切欠側面図、図２は図１に示し
たプラズマ処理装置の平面図である。
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
プラズマ処理装置の一部切欠側面図、図２は図１に示し
たプラズマ処理装置の平面図である。
【０００９】プラズマ処理装置はベース１に形成した開
口２を覆うように石英等を材料としたチャンバー３が設
けられている。チャンバー３としては、上部チャンバー
と下部チャンバーに分け、上部チャンバーを石英やセラ
ミックス製とし、下部チャンバーをアルミニウム合金製
としたものでもよい。
口２を覆うように石英等を材料としたチャンバー３が設
けられている。チャンバー３としては、上部チャンバー
と下部チャンバーに分け、上部チャンバーを石英やセラ
ミックス製とし、下部チャンバーをアルミニウム合金製
としたものでもよい。
【００１０】前記開口２の内周には排気リング４が設け
られ、この排気リング４の内側にステージ５が昇降可能
に臨んでいる。尚、排気リング４は発生したプラズマが
飛ばないように絶縁処理を施すことが好ましい。
られ、この排気リング４の内側にステージ５が昇降可能
に臨んでいる。尚、排気リング４は発生したプラズマが
飛ばないように絶縁処理を施すことが好ましい。
【００１１】一方、チャンバー３は上半部を小径部３
ａ、下半部を大径部３ｂとし、小径部３ａ内をプラズマ
発生空間、大径部３ｂ内を発生したプラズマによって半
導体ウェーハ等の処理基板Ｗにエッチングやアッシング
等を行う処理空間とし、小径部３ａの上端には反応ガス
導入管６を設け、更に、チャンバー３の小径部３ａ外側
には２本のアンテナ７ａ，７ｂを螺旋状に巻回してい
る。
ａ、下半部を大径部３ｂとし、小径部３ａ内をプラズマ
発生空間、大径部３ｂ内を発生したプラズマによって半
導体ウェーハ等の処理基板Ｗにエッチングやアッシング
等を行う処理空間とし、小径部３ａの上端には反応ガス
導入管６を設け、更に、チャンバー３の小径部３ａ外側
には２本のアンテナ７ａ，７ｂを螺旋状に巻回してい
る。
【００１２】アンテナ７ａ，７ｂは断面円形をなし、互
いの間隔を維持するためにチャンバー３とアンテナ７
ａ，７ｂとの間には絶縁体からなるスペーサ８を介在せ
しめ、更にアンテナ７ａ，７ｂの上端部は平面視で互い
に１８０°位相をずらせ、その上端部を高周波電源との
接続部（給電部）としている。また、アンテナ７ａ，７
ｂの下端部も平面視で互いに１８０°位相をずらせ接地
している。尚、アンテナ７ａ，７ｂとしては図３に示す
ようにシート状をなすものでもよい。
いの間隔を維持するためにチャンバー３とアンテナ７
ａ，７ｂとの間には絶縁体からなるスペーサ８を介在せ
しめ、更にアンテナ７ａ，７ｂの上端部は平面視で互い
に１８０°位相をずらせ、その上端部を高周波電源との
接続部（給電部）としている。また、アンテナ７ａ，７
ｂの下端部も平面視で互いに１８０°位相をずらせ接地
している。尚、アンテナ７ａ，７ｂとしては図３に示す
ようにシート状をなすものでもよい。
【００１３】図４は別実施例に係るプラズマ処理装置の
一部切欠側面図、図５は図４に示したプラズマ処理装置
の平面図であり、この実施例にあっては３本のアンテナ
７ａ，７ｂ，７ｃを互いに接触しないようにスペーサ８
を介してチャンバー３の外側に螺旋状に巻回し、更に各
アンテナ７ａ，７ｂ，７ｃの上端部が平面視で等間隔
（１２０°）位相をずらし、その位相をずらした上端部
に高周波電源を接続している。
一部切欠側面図、図５は図４に示したプラズマ処理装置
の平面図であり、この実施例にあっては３本のアンテナ
７ａ，７ｂ，７ｃを互いに接触しないようにスペーサ８
を介してチャンバー３の外側に螺旋状に巻回し、更に各
アンテナ７ａ，７ｂ，７ｃの上端部が平面視で等間隔
（１２０°）位相をずらし、その位相をずらした上端部
に高周波電源を接続している。
【００１４】以上において、高周波電源を各アンテナ７
ａ，７ｂ（７ｃ）に印加すると、給電部に近い領域にお
いてプラズマ発生の火種となる容量結合型プラズマが発
生する。即ち、本発明にあっては図６に示すようにチャ
ンバー３の小径部３ａの上部内周に沿った部分に容量結
合型プラズマが発生し、チャンバー３の小径部３ａの中
央部に誘導結合型プラズマが発生し、この誘導結合型プ
ラズマがチャンバー３の大径部３ｂ内に導かれ、基板Ｗ
をプラズマ処理する。
ａ，７ｂ（７ｃ）に印加すると、給電部に近い領域にお
いてプラズマ発生の火種となる容量結合型プラズマが発
生する。即ち、本発明にあっては図６に示すようにチャ
ンバー３の小径部３ａの上部内周に沿った部分に容量結
合型プラズマが発生し、チャンバー３の小径部３ａの中
央部に誘導結合型プラズマが発生し、この誘導結合型プ
ラズマがチャンバー３の大径部３ｂ内に導かれ、基板Ｗ
をプラズマ処理する。
【００１５】尚、図示例では、アンテナの本数を２本ま
たは３本としたものを示したが、勿論これ以上であって
もよい。アンテナの本数を４本，５本或いはそれ以上に
増やすことで、チャンバーの内周部に沿って発生する容
量結合型プラズマがより均一になる。
たは３本としたものを示したが、勿論これ以上であって
もよい。アンテナの本数を４本，５本或いはそれ以上に
増やすことで、チャンバーの内周部に沿って発生する容
量結合型プラズマがより均一になる。
【００１６】また、もしも容量結合型プラズマが及ぼす
基板へのダメージが大きい場合には、各アンテナより上
側に図３に示すように接地電極９を設けた方がよい。
基板へのダメージが大きい場合には、各アンテナより上
側に図３に示すように接地電極９を設けた方がよい。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
処理用チャンバーの周囲に螺旋状に設けるプラズマ発生
用のアンテナを複数本とし、各アンテナを高周波電源に
接続し、更に各アンテナは互いに接触しないように位相
をずらせてプラズマ処理用チャンバーの周囲に螺旋状に
巻回された構成としたので、給電位置が周方向において
複数箇所となって、容量結合型プラズマがチャンバーの
内周部に沿って発生し、チャンバーの中央部で誘導結合
型プラズマが発生する。したがって、プラズマの発生が
容易で、しかも基板に与えるダメージが少ない処理装置
とすることができる。
処理用チャンバーの周囲に螺旋状に設けるプラズマ発生
用のアンテナを複数本とし、各アンテナを高周波電源に
接続し、更に各アンテナは互いに接触しないように位相
をずらせてプラズマ処理用チャンバーの周囲に螺旋状に
巻回された構成としたので、給電位置が周方向において
複数箇所となって、容量結合型プラズマがチャンバーの
内周部に沿って発生し、チャンバーの中央部で誘導結合
型プラズマが発生する。したがって、プラズマの発生が
容易で、しかも基板に与えるダメージが少ない処理装置
とすることができる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の一部切欠側面
図
図
【図２】図１に示したプラズマ処理装置の平面図
【図３】別実施例に係るプラズマ処理装置の一部切欠側
面図
面図
【図４】別実施例に係るプラズマ処理装置の一部切欠側
面図
面図
【図５】図４に示したプラズマ処理装置の平面図
【図６】容量結合型プラズマと誘導結合型プラズマの発
生領域を示す図
生領域を示す図
１…ベース、２…開口、３…チャンバー、３ａ…チャン
バーの小径部、３ｂ…チャンバーの大径部、４…排気リ
ング、５…ステージ、６…反応ガス導入管、７ａ，７
ｂ，７ｃ…アンテナ、８…スペーサ、Ｗ…基板。
バーの小径部、３ｂ…チャンバーの大径部、４…排気リ
ング、５…ステージ、６…反応ガス導入管、７ａ，７
ｂ，７ｃ…アンテナ、８…スペーサ、Ｗ…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA06 FA04 KA05 KA30 KA34 4K057 DA02 DA16 DB20 DD01 DM28 DM33 DN01 5F004 AA06 BA20 BB13 BD01 BD04 BD06 5F045 AA08 DP03 EH02 EH04 EH11 EH12 EH20
Claims (4)
- 【請求項１】 プラズマ処理用チャンバーと、このプラ
ズマ処理用チャンバーの周囲に設けられるアンテナとか
らなるプラズマ処理装置において、前記アンテナは複数
本設けられ、各アンテナは一端が高周波電源に接続さ
れ、更に各アンテナは互いに接触しないように位相をず
らせてプラズマ処理用チャンバーの周囲に螺旋状に巻回
されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、前記アンテナは、断面円形若しくはシート状をな
すことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、前記アンテナは、上端部が高周波電源に接続され
ていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３に記載のプラズマ
処理装置において、前記プラズマ処理用チャンバーとア
ンテナとの間には、アンテナ同士の間隔を維持するため
の絶縁体からなるスペーサが設けられていることを特徴
とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180835A JP2000012287A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180835A JP2000012287A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012287A true JP2000012287A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16090199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10180835A Pending JP2000012287A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012287A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006236697A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Mitsui Chemicals Inc | 放電プラズマ形成用電極 |
| JP2007234273A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ反応装置 |
| US20160013029A1 (en) * | 2014-07-08 | 2016-01-14 | Psk Inc. | Apparatus For Generating Plasma Using Dual Plasma Source And Apparatus For Treating Substrate Including The Same |
| JP2016018727A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP2019033059A (ja) * | 2017-08-09 | 2019-02-28 | ピーエスケー インコーポレイテッド | 基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニット |
| JP2020188229A (ja) * | 2019-05-17 | 2020-11-19 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| WO2023095374A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
-
1998
- 1998-06-26 JP JP10180835A patent/JP2000012287A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006236697A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Mitsui Chemicals Inc | 放電プラズマ形成用電極 |
| JP2007234273A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ反応装置 |
| US20160013029A1 (en) * | 2014-07-08 | 2016-01-14 | Psk Inc. | Apparatus For Generating Plasma Using Dual Plasma Source And Apparatus For Treating Substrate Including The Same |
| JP2016018727A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP2019033059A (ja) * | 2017-08-09 | 2019-02-28 | ピーエスケー インコーポレイテッド | 基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニット |
| US10395898B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-08-27 | Psk Inc. | Substrate treating apparatus, substrate treating method, and plasma generating unit |
| JP2020188229A (ja) * | 2019-05-17 | 2020-11-19 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| WO2023095374A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20230031368A1 (en) | Filter device and plasma processing apparatus | |
| JP5561812B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US11043361B2 (en) | Symmetric VHF source for a plasma reactor | |
| KR100328135B1 (ko) | 플라즈마점화를향상시키기위한전극을가지는유도결합된플라즈마반응로 | |
| KR101505228B1 (ko) | 하이브리드 용량성-커플링 및 유도성-커플링 플라즈마 프로세싱 시스템에 대한 방법 및 장치 | |
| US7854213B2 (en) | Modulated gap segmented antenna for inductively-coupled plasma processing system | |
| JP4646272B2 (ja) | プラズマ加工装置 | |
| JP5546216B2 (ja) | エッチング速度の均一性を改善する装置及び方法 | |
| KR100294529B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
| US8343309B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| TW564574B (en) | Method and apparatus for producing uniform process rates | |
| JP3714924B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2007317661A (ja) | プラズマ反応器 | |
| JP2001118834A (ja) | 調整可能な一様性及び統計的電子過熱を有し、ガス・クラッキングを低減する高密度プラズマ・ツール | |
| TWI279169B (en) | Plasma processing apparatus capable of performing uniform plasma treatment by preventing drift in plasma discharge current | |
| JP4540797B2 (ja) | 基板処理チャンバ及び基板処理チャンバ用のアンテナコイルアセンブリ | |
| JP2003086577A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| WO2003052806A1 (fr) | Appareil de traitement par plasma et procede de production de plasma | |
| JP2000012287A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH1064697A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2004014904A (ja) | 同時放電化装置 | |
| JP4302630B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ発生装置 | |
| CN105789011B (zh) | 感应耦合型等离子体处理装置 | |
| JP3460113B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2679756B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050118 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050215 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050802 |