JP2000010524A - Ｅｌ表示装置 - Google Patents
Ｅｌ表示装置Info
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- JP2000010524A JP2000010524A JP10192489A JP19248998A JP2000010524A JP 2000010524 A JP2000010524 A JP 2000010524A JP 10192489 A JP10192489 A JP 10192489A JP 19248998 A JP19248998 A JP 19248998A JP 2000010524 A JP2000010524 A JP 2000010524A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＥＬ表示装置において、定電圧駆動法によっ
ていて、しかも一定輝度を実現することである。 【解決手段】 定電圧駆動法によるＥＬ表示装置におい
て、コモン側駆動回路３５をアナログオペアンプＯＰで
構成する。オペアンプＯＰの出力はコモンライン３２に
接続されると共に−入力にフィードバック接続され、＋
入力にはコモンドライバ３７が接続される。オペアンプ
ＯＰによるフィードバック制御でコモンライン３２の電
位Ｖｃは一定に制御されるので、ＥＬ素子面積の違い、
またデータ選択数に依存することなく一定の輝度を実現
できる。
ていて、しかも一定輝度を実現することである。 【解決手段】 定電圧駆動法によるＥＬ表示装置におい
て、コモン側駆動回路３５をアナログオペアンプＯＰで
構成する。オペアンプＯＰの出力はコモンライン３２に
接続されると共に−入力にフィードバック接続され、＋
入力にはコモンドライバ３７が接続される。オペアンプ
ＯＰによるフィードバック制御でコモンライン３２の電
位Ｖｃは一定に制御されるので、ＥＬ素子面積の違い、
またデータ選択数に依存することなく一定の輝度を実現
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＥＬ（エレクトロル
ミネセンス）表示装置の定電圧駆動法の改良に係り、特
にＥＬ素子から成る全ての画素において一定の輝度で発
光可能とした定電圧駆動法に関する。
ミネセンス）表示装置の定電圧駆動法の改良に係り、特
にＥＬ素子から成る全ての画素において一定の輝度で発
光可能とした定電圧駆動法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ表示装置の駆動法としては、従来よ
り定電流駆動法と定電圧駆動法に大別される。有機ＥＬ
表示装置は幅広い電流密度領域に渡り、量子効率がほぼ
一定となる特徴を有する。そしてこれは、有機ＥＬ表示
装置の経時変化（高抵抗化、ダークスポットの増加等）
及び使用環境温度に関わらず、ほぼ安定している。従っ
て有機ＥＬ表示装置から成る全ての画素に対して定電流
駆動法を適用して電流密度が一定となるように制御する
ことによりほぼ一様な輝度にそろえることができる。
り定電流駆動法と定電圧駆動法に大別される。有機ＥＬ
表示装置は幅広い電流密度領域に渡り、量子効率がほぼ
一定となる特徴を有する。そしてこれは、有機ＥＬ表示
装置の経時変化（高抵抗化、ダークスポットの増加等）
及び使用環境温度に関わらず、ほぼ安定している。従っ
て有機ＥＬ表示装置から成る全ての画素に対して定電流
駆動法を適用して電流密度が一定となるように制御する
ことによりほぼ一様な輝度にそろえることができる。
【０００３】しかしかかる定電流駆動法には下記の欠点
がある。 （ｉ）駆動回路の構成がやや複雑になる。 （ii）トランジスタにより電流制限を行なうため、電力
損失が生じ、消費電力が大きくなる。 （iii）有機ＥＬ素子から成る全ての画素が等しい発光
面積を有する表示装置（ドットマトリクス表示装置な
ど）には適するが、各画素毎に発光面積が異なる表示装
置、例えば、デイジタル時計の８セグメント数字表示部
等には、不向きである。その理由としては、各ＥＬ素子
から成る画素毎に電流制御を行なわなくてはならず、こ
のためのデータテーブルを用意する必要が生まれ、この
ような対応をとることはコスト面及び生産管理面で困難
であるからである。有機ＥＬ素子の定電流駆動法には上
述した欠点があるため、定電圧駆動法の実用化が強く求
められるようになってきている。
がある。 （ｉ）駆動回路の構成がやや複雑になる。 （ii）トランジスタにより電流制限を行なうため、電力
損失が生じ、消費電力が大きくなる。 （iii）有機ＥＬ素子から成る全ての画素が等しい発光
面積を有する表示装置（ドットマトリクス表示装置な
ど）には適するが、各画素毎に発光面積が異なる表示装
置、例えば、デイジタル時計の８セグメント数字表示部
等には、不向きである。その理由としては、各ＥＬ素子
から成る画素毎に電流制御を行なわなくてはならず、こ
のためのデータテーブルを用意する必要が生まれ、この
ような対応をとることはコスト面及び生産管理面で困難
であるからである。有機ＥＬ素子の定電流駆動法には上
述した欠点があるため、定電圧駆動法の実用化が強く求
められるようになってきている。
【０００４】図３は従来の定電圧駆動法によるＥＬ表示
装置の一例を示す説明図である。同図において、３１は
データライン、３２はコモンライン、３３はＥＬ画素、
３４はデータ側駆動回路で、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）Ｔ1，Ｔ2及び反転ゲートＧ1から成る。３５はコモ
ン側駆動回路で、薄膜トランジスタＴ3，Ｔ4及び反転ゲ
ートＧ2から成る。３６はデータドライバ、３７はコモ
ンドライバである。Ｖｄｄは一定電圧、Ｖｃｄは電源電
圧であり、ドライバ３６，３７に入力される選択信号に
応じて対応する各ＥＬ画素３３が一定電圧Ｖｄｄで駆動
される。
装置の一例を示す説明図である。同図において、３１は
データライン、３２はコモンライン、３３はＥＬ画素、
３４はデータ側駆動回路で、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）Ｔ1，Ｔ2及び反転ゲートＧ1から成る。３５はコモ
ン側駆動回路で、薄膜トランジスタＴ3，Ｔ4及び反転ゲ
ートＧ2から成る。３６はデータドライバ、３７はコモ
ンドライバである。Ｖｄｄは一定電圧、Ｖｃｄは電源電
圧であり、ドライバ３６，３７に入力される選択信号に
応じて対応する各ＥＬ画素３３が一定電圧Ｖｄｄで駆動
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したＥＬ装置の定
電圧駆動法は前記定電流駆動法の欠点を有しないもので
あるが、実用化に当ってはなお下記の点が問題となって
いる。 （ａ）面積の異なる画素（ＥＬ素子）に同じ定電圧を印
加すると発光輝度が夫々異なってしまう。この問題の生
じる理由は、図４（ａ），（ｂ）に示されるように、互
いに異なる発光面積の各ＥＬ画素ＥＬ−１，ＥＬ−２の
内部抵抗Ｒ1，Ｒ2及びコモン側駆動回路の内部抵抗Ｒ3
等から成る抵抗回路網の中間に位置するコモンライン２
の電位Ｖｃは、電流パス及び電流値の影響を受ける「浮
動点」の電位となっているため、選択されたＥＬ画素の
面積の大きさで決まる画素の内部抵抗の値（Ｒは一定）
により電位Ｖｃがシフトしてくるからである。例えば、
コモンドライバの内部抵抗Ｒ3を５００Ω、ＥＬ−１の
面積がＥＬ−２の面積より４倍大きく、一定電圧Ｖｄｄ
が７Ｖ時に単独で選択されたＥＬ−１及びＥＬ−２の夫
々の内部抵抗Ｒ1，Ｒ2を１００ｋΩ，４００ｋΩと設定
すれば、画素ＥＬ−１のみ選択された場合（図４
（ａ））、電位ＶｃはＶｃ≒（５００／１００５００）
×７≒３５ｍＶであるのに対し、画素ＥＬ−２のみ選択
された場合（図４（ｂ））では電位ＶｃはＶｃ≒（５０
０／４００５００）×７≒９ｍＶとなる。このように定
電圧駆動をしても結果的に選択されたＥＬ素子３に応じ
て夫々に印加される分配電圧（Ｖｃ）が約２６ｍＶ変動
することになる。有機ＥＬ素子はわずかの印加分配電圧
の変化でも輝度が大きく変化してしまい表示特性上問題
がある。
電圧駆動法は前記定電流駆動法の欠点を有しないもので
あるが、実用化に当ってはなお下記の点が問題となって
いる。 （ａ）面積の異なる画素（ＥＬ素子）に同じ定電圧を印
加すると発光輝度が夫々異なってしまう。この問題の生
じる理由は、図４（ａ），（ｂ）に示されるように、互
いに異なる発光面積の各ＥＬ画素ＥＬ−１，ＥＬ−２の
内部抵抗Ｒ1，Ｒ2及びコモン側駆動回路の内部抵抗Ｒ3
等から成る抵抗回路網の中間に位置するコモンライン２
の電位Ｖｃは、電流パス及び電流値の影響を受ける「浮
動点」の電位となっているため、選択されたＥＬ画素の
面積の大きさで決まる画素の内部抵抗の値（Ｒは一定）
により電位Ｖｃがシフトしてくるからである。例えば、
コモンドライバの内部抵抗Ｒ3を５００Ω、ＥＬ−１の
面積がＥＬ−２の面積より４倍大きく、一定電圧Ｖｄｄ
が７Ｖ時に単独で選択されたＥＬ−１及びＥＬ−２の夫
々の内部抵抗Ｒ1，Ｒ2を１００ｋΩ，４００ｋΩと設定
すれば、画素ＥＬ−１のみ選択された場合（図４
（ａ））、電位ＶｃはＶｃ≒（５００／１００５００）
×７≒３５ｍＶであるのに対し、画素ＥＬ−２のみ選択
された場合（図４（ｂ））では電位ＶｃはＶｃ≒（５０
０／４００５００）×７≒９ｍＶとなる。このように定
電圧駆動をしても結果的に選択されたＥＬ素子３に応じ
て夫々に印加される分配電圧（Ｖｃ）が約２６ｍＶ変動
することになる。有機ＥＬ素子はわずかの印加分配電圧
の変化でも輝度が大きく変化してしまい表示特性上問題
がある。
【０００６】（ｂ）単純マトリクスのように１本のコモ
ンラインに複数のデータラインが対応している場合、各
画素の相対的な面積にかかわらず、ＥＬ画素の発光輝度
が複数のデータラインに出力されるデータ信号に応じて
画素の発光輝度が異なってしまう。この問題の生じる理
由は、これらデータライン３１に与えられる上記データ
信号に応じて選択されるＥＬ画素３３が異なるので、
（ａ）で説明したようにＥＬ画素３３の合成内部抵抗が
異なってきて、結局電位Ｖｃが変化するからである。例
えば、データ信号によってデータライン３１がｎ本選択
されれば、発光する全ＥＬ画素３３の面積もコモンライ
ン３１が１本選択されたときｎ倍になり、その合成内部
抵抗もｎ倍になる。したがって全体的な輝度が低くなっ
てしまう。
ンラインに複数のデータラインが対応している場合、各
画素の相対的な面積にかかわらず、ＥＬ画素の発光輝度
が複数のデータラインに出力されるデータ信号に応じて
画素の発光輝度が異なってしまう。この問題の生じる理
由は、これらデータライン３１に与えられる上記データ
信号に応じて選択されるＥＬ画素３３が異なるので、
（ａ）で説明したようにＥＬ画素３３の合成内部抵抗が
異なってきて、結局電位Ｖｃが変化するからである。例
えば、データ信号によってデータライン３１がｎ本選択
されれば、発光する全ＥＬ画素３３の面積もコモンライ
ン３１が１本選択されたときｎ倍になり、その合成内部
抵抗もｎ倍になる。したがって全体的な輝度が低くなっ
てしまう。
【０００７】本発明の目的は定電圧駆動法によりなが
ら、ＥＬ装置の各画素を均一に発光することができるよ
うに構成したＥＬ表示装置を提供することにある。
ら、ＥＬ装置の各画素を均一に発光することができるよ
うに構成したＥＬ表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、複数本のデータラインとコモンラインの
夫々がＥＬ素子を介して交叉するように配置され、上記
データラインに選択時に一定電圧を与えてＥＬ素子を駆
動するようにしたＥＬ表示装置において、上記各コモン
ラインに選択時にコモンラインの電圧を常に一定値に制
御する駆動回路を設けたことを要旨とする。
め、本発明は、複数本のデータラインとコモンラインの
夫々がＥＬ素子を介して交叉するように配置され、上記
データラインに選択時に一定電圧を与えてＥＬ素子を駆
動するようにしたＥＬ表示装置において、上記各コモン
ラインに選択時にコモンラインの電圧を常に一定値に制
御する駆動回路を設けたことを要旨とする。
【０００９】本発明のＥＬ表示装置において、上記ＥＬ
素子が有機ＥＬ素子であってもよく、また前記駆動回路
は出力がコモンラインに接続されたアナログオペアンプ
から成り、その出力が該アナログオペアンプの一方の入
力にフィードバック接続されるように構成してもよい。
素子が有機ＥＬ素子であってもよく、また前記駆動回路
は出力がコモンラインに接続されたアナログオペアンプ
から成り、その出力が該アナログオペアンプの一方の入
力にフィードバック接続されるように構成してもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明が適用される有機Ｅ
Ｌ表示装置の構成を示す。図１に示すように、透明ＥＬ
基板１７の表面（後面）に、所定方向に沿って形成さ
れ、互いに平行をなす複数の透明な前電極１８が形成さ
れている。透明ＥＬ基板１７は、透明な、ガラス又はプ
ラスチックで形成されている。前電極１８は、透明なＩ
ＴＯまたはＩｎ2Ｏ3(ＺｎＯ)ｘ（ただしｘ＞０）で形成
されている。また、透明ＥＬ基板１７及び前電極１８を
覆うように、有機ＥＬ層１９が形成されている。
Ｌ表示装置の構成を示す。図１に示すように、透明ＥＬ
基板１７の表面（後面）に、所定方向に沿って形成さ
れ、互いに平行をなす複数の透明な前電極１８が形成さ
れている。透明ＥＬ基板１７は、透明な、ガラス又はプ
ラスチックで形成されている。前電極１８は、透明なＩ
ＴＯまたはＩｎ2Ｏ3(ＺｎＯ)ｘ（ただしｘ＞０）で形成
されている。また、透明ＥＬ基板１７及び前電極１８を
覆うように、有機ＥＬ層１９が形成されている。
【００１１】有機ＥＬ層１９は、青色発光の場合、前電
極１８側から順に、N,N'-di（α-naphthyl）-N,N'-diph
enyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine（以下、α-ＮＰＤ）
からなる正孔輸送層と、９６ｗｔ％の4,4'-bis（2,2-di
phenyl vinylene）biphenyl（以下、ＤＰＶＢｉ）と４
ｗｔ％の4,4'-bis（（2-carbazole）vinylene）bipheny
l（以下、ＢＣｚＶＢｉ）とからなる発光層と、aluminu
m-tris（8-hydroxyquinolinate）（以下、Ａｌｑ３）か
らなる電子輸送層と、の３層構造となり、各層厚は４０
ｎｍ〜２５０ｎｍ程度である。このような構造の有機Ｅ
Ｌ層１９は、所定の電流が印加されると、青色に発光す
る。また、カソード電極２０とアノード電極１８との間
を、beryllinm-bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinate）
（以下、ＢｅＢｑ２）を電子輸送性発光層に、α−ＮＰ
Ｄを正孔輸送層にすれば、緑色に発光する発光層とする
ことができる。
極１８側から順に、N,N'-di（α-naphthyl）-N,N'-diph
enyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine（以下、α-ＮＰＤ）
からなる正孔輸送層と、９６ｗｔ％の4,4'-bis（2,2-di
phenyl vinylene）biphenyl（以下、ＤＰＶＢｉ）と４
ｗｔ％の4,4'-bis（（2-carbazole）vinylene）bipheny
l（以下、ＢＣｚＶＢｉ）とからなる発光層と、aluminu
m-tris（8-hydroxyquinolinate）（以下、Ａｌｑ３）か
らなる電子輸送層と、の３層構造となり、各層厚は４０
ｎｍ〜２５０ｎｍ程度である。このような構造の有機Ｅ
Ｌ層１９は、所定の電流が印加されると、青色に発光す
る。また、カソード電極２０とアノード電極１８との間
を、beryllinm-bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinate）
（以下、ＢｅＢｑ２）を電子輸送性発光層に、α−ＮＰ
Ｄを正孔輸送層にすれば、緑色に発光する発光層とする
ことができる。
【００１２】上述のように有機ＥＬ層１９は、有機電子
輸送層、有機発光層、有機正孔輸送層などからなる３層
構造のものや、有機電子輸送層または有機正孔輸送層が
有機発光層を兼ねる２層構造のものなど各種の構造を採
用することができる。有機ＥＬ層１９の発光色は、有機
ＥＬ層１９の材料を選択することにより任意に設定する
ことができる。したがって、カラーフィルタがＲ（赤）
Ｇ（緑）Ｂ（青）の各色を透過するフィルタである場
合、それぞれ対応する位置にＲ，Ｇ，Ｂ色を発光する有
機ＥＬ層１９を選択し、カラーフィルタがこの発光色の
波長域をより鋭敏にすることにより、色純度の高い表示
を行うことができる。また、バックライトとして有機Ｅ
Ｌパネル３を用いたとき、Ｒ発光層、Ｇ発光層、Ｂ発光
層のすべてを発光させ、白色表示にすることができる。
輸送層、有機発光層、有機正孔輸送層などからなる３層
構造のものや、有機電子輸送層または有機正孔輸送層が
有機発光層を兼ねる２層構造のものなど各種の構造を採
用することができる。有機ＥＬ層１９の発光色は、有機
ＥＬ層１９の材料を選択することにより任意に設定する
ことができる。したがって、カラーフィルタがＲ（赤）
Ｇ（緑）Ｂ（青）の各色を透過するフィルタである場
合、それぞれ対応する位置にＲ，Ｇ，Ｂ色を発光する有
機ＥＬ層１９を選択し、カラーフィルタがこの発光色の
波長域をより鋭敏にすることにより、色純度の高い表示
を行うことができる。また、バックライトとして有機Ｅ
Ｌパネル３を用いたとき、Ｒ発光層、Ｇ発光層、Ｂ発光
層のすべてを発光させ、白色表示にすることができる。
【００１３】さらに、有機ＥＬ層１９の表面（後面）に
は、上記した有機ＥＬ層１９を介して前電極１８の延在
する方向と直交する方向に平行に延在する、金属材料ま
たは合金でなる後電極２０が複数形成されている。な
お、本実施形態では、これら前電極１８と後電極２０と
が交差する位置が、ＥＬ画素３３であり、カラーフィル
タ層の位置に対応するように設定されている。
は、上記した有機ＥＬ層１９を介して前電極１８の延在
する方向と直交する方向に平行に延在する、金属材料ま
たは合金でなる後電極２０が複数形成されている。な
お、本実施形態では、これら前電極１８と後電極２０と
が交差する位置が、ＥＬ画素３３であり、カラーフィル
タ層の位置に対応するように設定されている。
【００１４】また、図１に示すように、透明ＥＬ基板１
７の後面側に形成された前電極１８、有機ＥＬ層１９及
び後電極２０を覆うように透明絶縁膜２１が形成されて
いる。さらに、この透明絶縁膜２１の表面（後面）に
は、光反射率の高い金属光沢表面を前面側に有する反射
層としての反射板２２が表示領域に対応する領域に亙っ
て形成されている。なお、この反射板２２は、後電極２
０と同じ金属や合金で形成するか、もしくはこれらと同
程度の分光反射率を有する材料で形成することが望まし
い。これにより、後電極２０と反射板２２とが一様な反
射板であるかのような反射機能を備えることができる。
また、反射板２２は、透明絶縁膜２１の端縁部分から露
出する前電極１８や後電極２０との短絡を防止するた
め、透明絶縁膜２１の端縁部分を覆わないように形成さ
れている。
７の後面側に形成された前電極１８、有機ＥＬ層１９及
び後電極２０を覆うように透明絶縁膜２１が形成されて
いる。さらに、この透明絶縁膜２１の表面（後面）に
は、光反射率の高い金属光沢表面を前面側に有する反射
層としての反射板２２が表示領域に対応する領域に亙っ
て形成されている。なお、この反射板２２は、後電極２
０と同じ金属や合金で形成するか、もしくはこれらと同
程度の分光反射率を有する材料で形成することが望まし
い。これにより、後電極２０と反射板２２とが一様な反
射板であるかのような反射機能を備えることができる。
また、反射板２２は、透明絶縁膜２１の端縁部分から露
出する前電極１８や後電極２０との短絡を防止するた
め、透明絶縁膜２１の端縁部分を覆わないように形成さ
れている。
【００１５】このような有機ＥＬ素子３においては、前
電極１８と後電極２０との間に電圧を印加することによ
り、有機ＥＬ層１９内に注入されたキャリアが再結合す
ることにより有機蛍光材料が励起されて発光が得られ
る。
電極１８と後電極２０との間に電圧を印加することによ
り、有機ＥＬ層１９内に注入されたキャリアが再結合す
ることにより有機蛍光材料が励起されて発光が得られ
る。
【００１６】図２は上述した有機ＥＬ表示装置の回路構
成を示し、図３と同一符号は同一又は類似の部材を表
す。図２から明かなように、本発明の装置においてデー
タ側駆動回路３４及びデータドライバ３６は図３と同様
の構成であるが、コモン側駆動回路３５は図３とは異な
る構成となっている。即ち、コモン側駆動回路３５はア
ナログオペアンプＯＰから成り、その出力はコモンライ
ン３２に接続されると共に−入力にフィードバック接続
され、＋入力にはコモンライン３２を順次走査するコモ
ン信号を出力するためコモンドライバ３７が接続されて
いる。データライン３１に出力されるデータ信号はＥＬ
画素の２階調以上の発光輝度を決定する信号である。
成を示し、図３と同一符号は同一又は類似の部材を表
す。図２から明かなように、本発明の装置においてデー
タ側駆動回路３４及びデータドライバ３６は図３と同様
の構成であるが、コモン側駆動回路３５は図３とは異な
る構成となっている。即ち、コモン側駆動回路３５はア
ナログオペアンプＯＰから成り、その出力はコモンライ
ン３２に接続されると共に−入力にフィードバック接続
され、＋入力にはコモンライン３２を順次走査するコモ
ン信号を出力するためコモンドライバ３７が接続されて
いる。データライン３１に出力されるデータ信号はＥＬ
画素の２階調以上の発光輝度を決定する信号である。
【００１７】このようにコモン側駆動回路３５が構成さ
れているので、コモンライン３２の電位Ｖｃを参照し
て、コモン側駆動回路３５の出力電圧をフィードバック
制御し、Ｖｃを予め定めた一定値に安定化する。Ｖｃの
取出点はコモン側駆動回路３５の出力点近傍でもよい
が、より高い効果を望む場合はＥＬ素子３のコモンライ
ン３２の端部からとることが望ましい。またＶｃの値
は、あまり大きな値をとりすぎると、常時電力損失が発
生するため、従来例でのＶｃの実変動幅よりやや上回る
程度に抑えることが望ましい。
れているので、コモンライン３２の電位Ｖｃを参照し
て、コモン側駆動回路３５の出力電圧をフィードバック
制御し、Ｖｃを予め定めた一定値に安定化する。Ｖｃの
取出点はコモン側駆動回路３５の出力点近傍でもよい
が、より高い効果を望む場合はＥＬ素子３のコモンライ
ン３２の端部からとることが望ましい。またＶｃの値
は、あまり大きな値をとりすぎると、常時電力損失が発
生するため、従来例でのＶｃの実変動幅よりやや上回る
程度に抑えることが望ましい。
【００１８】したがって、コモン信号により選択された
１本のコモンライン３２において、データドライバ３６
からデータライン３１に出力されるデータ信号に応じて
発光されるＥＬ画素３３の数に実質的に依存することな
くコモンライン３２の電位Ｖｃは常に一定値を保持す
る。
１本のコモンライン３２において、データドライバ３６
からデータライン３１に出力されるデータ信号に応じて
発光されるＥＬ画素３３の数に実質的に依存することな
くコモンライン３２の電位Ｖｃは常に一定値を保持す
る。
【００１９】なお、有機ＥＬ素子の場合は、データライ
ンに比べて大電流が流れるコモンラインは低抵抗である
ことが求められるため、一般に抵抗値の低いカソードを
コモンラインとして用いるのが好適である。また本発明
は単純マトリクス型に限らず、各ＥＬ素子発光ドットの
面積が異なる時計文字盤のようなセグメント表示装置に
おいても一定輝度でき、輝度のデータ依存性を解消でき
るので、階調表示等の精度を向上できる。かくしてＥＬ
素子に印加される実効電圧は常に（Ｖｄｄ−Ｖｃ）とな
るため、一定輝度を得ることができる。
ンに比べて大電流が流れるコモンラインは低抵抗である
ことが求められるため、一般に抵抗値の低いカソードを
コモンラインとして用いるのが好適である。また本発明
は単純マトリクス型に限らず、各ＥＬ素子発光ドットの
面積が異なる時計文字盤のようなセグメント表示装置に
おいても一定輝度でき、輝度のデータ依存性を解消でき
るので、階調表示等の精度を向上できる。かくしてＥＬ
素子に印加される実効電圧は常に（Ｖｄｄ−Ｖｃ）とな
るため、一定輝度を得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｅ
Ｌ素子の面積が異なる場合でも、またデータの選択数に
依存することもなく、一定輝度のＥＬ表示装置を実現す
ることができる。
Ｌ素子の面積が異なる場合でも、またデータの選択数に
依存することもなく、一定輝度のＥＬ表示装置を実現す
ることができる。
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ素子の概略構成図
である。
である。
【図２】本発明の一実施形態の回路図である。
【図３】従来のＥＬ表示装置の一例を示す回路図であ
る。
る。
【図４】（ａ）は図３の装置の動作説明図、（ｂ）は
（ａ）とは異なる図３の装置の動作説明図である。
（ａ）とは異なる図３の装置の動作説明図である。
３１ データライン ３２ コモンライン ３３ ＥＬ画素 ３４ データ側駆動回路 ３５ コモン側駆動回路 ３６ データドライバ ３７ コモンドライバ ＯＰ アナログオペアンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 複数本のデータラインとコモンラインの
夫々がＥＬ素子を介して交叉するように配置され、上記
データラインに選択時に一定電圧を与えてＥＬ素子を駆
動するようにしたＥＬ表示装置において、上記各コモン
ラインに選択時にコモンラインの電圧を常に一定値に制
御する駆動回路を設けたことを特徴とするＥＬ表示装
置。 - 【請求項２】 上記ＥＬ素子が有機ＥＬ素子であること
を特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。 - 【請求項３】 前記駆動回路は出力がコモンラインに接
続されたアナログオペアンプから成り、その出力が該ア
ナログオペアンプの一方の入力にフィードバック接続さ
れていることを特徴とする請求項１又は２記載のＥＬ表
示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192489A JP2000010524A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | Ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192489A JP2000010524A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | Ｅｌ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000010524A true JP2000010524A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16292162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192489A Pending JP2000010524A (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | Ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000010524A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100517467B1 (ko) * | 2002-03-25 | 2005-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로루미네센스 표시소자의 구동방법 및 장치 |
| KR100717334B1 (ko) * | 2002-03-25 | 2007-05-15 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로루미네센스 표시소자의 구동방법 및 장치 |
-
1998
- 1998-06-23 JP JP10192489A patent/JP2000010524A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100517467B1 (ko) * | 2002-03-25 | 2005-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로루미네센스 표시소자의 구동방법 및 장치 |
| KR100717334B1 (ko) * | 2002-03-25 | 2007-05-15 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로루미네센스 표시소자의 구동방법 및 장치 |
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