JP1722001S - 半導体処理装置用基台 - Google Patents
半導体処理装置用基台Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
Abstract
本願に係る物品(以下、「本物品」という。)は、例えば、半導体の製造に用いられるプラズマ処理装置において処理を対象となる半導体を搭載するために基台であり、平面に環状および放射状の溝を備えている。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021025608F JP1722001S (ja) | 2021-11-19 | 2021-11-19 | 半導体処理装置用基台 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2021025608F JP1722001S (ja) | 2021-11-19 | 2021-11-19 | 半導体処理装置用基台 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP1722001S true JP1722001S (ja) | 2022-08-09 |
Family
ID=82749065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2021025608F Active JP1722001S (ja) | 2021-11-19 | 2021-11-19 | 半導体処理装置用基台 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP1722001S (ja) |
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2021
- 2021-11-19 JP JP2021025608F patent/JP1722001S/ja active Active
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