ITTO20110565A1 - Struttura multistrato avente un canale microfluidico e un sistema di rilevamento di perdite dal canale microfluidico e metodo per rilevare perdite in un dispositivo microfluidico - Google Patents

Struttura multistrato avente un canale microfluidico e un sistema di rilevamento di perdite dal canale microfluidico e metodo per rilevare perdite in un dispositivo microfluidico Download PDF

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Description

DESCRIZIONE
“STRUTTURA MULTISTRATO AVENTE UN CANALE MICROFLUIDICO E UN SISTEMA DI RILEVAMENTO DI PERDITE DAL CANALE MICROFLUIDICO E METODO PER RILEVARE PERDITE IN UN DISPOSITIVO MICROFLUIDICOâ€
La presente invenzione à ̈ relativa a una struttura multistrato avente un canale microfluidico e un sistema di rilevamento di perdite dal canale microfluidico e a un metodo per rilevare perdite in un dispositivo microfluidico.
Come à ̈ noto, numerosi dispositivi microfluidici utilizzano canali microfluidici incorporati (“embedded†) per spostare quantità di fluido in condizioni controllate, secondo le operazioni che devono essere eseguite. Esempi di dispositivi microfluidici provvisti di canali microfluidici incorporati sono microreattori per analisi biochimiche (ad esempio per l’analisi di acidi nucleici), attuatori microfluidici, dispositivi microelettromeccanici, valvole, testine di stampa per dispositivi di stampa a getto di inchiostro e così via.
Per il corretto funzionamento dei dispositivi, à ̈ necessario che i canali siano perfettamente sigillati e non vi siano perdite, in modo che il passaggio di fluido avvenga esclusivamente attraverso ingressi e uscite dei canali. Una fuoriuscita di fluido non prevista potrebbe infatti causare malfunzionamenti e contaminazione dei dispositivi o dell’ambiente circostante. Quest’ultima evenienza può rivelarsi particolarmente grave nel caso di microreattori in cui vengono trattati campioni biologici contenenti agenti patogeni infettivi o sostanze tossiche.
I dispositivi microfluidici vengono testati utilizzando appositi strumenti e metodi, allo scopo di individuare eventuali perdite.
Un procedimento noto permette di eseguire prove con perdite di elio (“Helium Leak Test†). Un dispositivo microfluidico viene introdotto in una camera e i canali microfluidici vengono connessi a un’apparecchiatura di test attraverso una linea fluidica esterna a tenuta.
I canali microfluidici vengono portati in condizioni di forte depressione rispetto all’ambiente nella camera (pressione inferiore a 1 mTorr) utilizzando pompe a vuoto. Quindi, mediante una linea di alimentazione separata, viene introdotto elio nella camera in prossimità del dispositivo microfluidico. Più precisamente, un sottile ago viene utilizzato per iniettare elio attorno al dispositivo, in prossimità di ciascuna giunzione del sistema microfluidico. Uno spettrometro di massa misura la portata di elio che trafila dalla camera attraverso i canali microfluidici.
Un diverso procedimento consiste invece nel pressurizzare i canali microfluidici mediante una pompa a siringa. I canali microfluidici sono sigillati con una membrana, in modo che il sistema formato dai canali, dalla pompa e dai condotti di connessione sia chiuso. La pressione nei canali e le deformazioni della membrana vengono misurate e confrontate con pressioni e deformazioni teorici determinati in base alla massa d’aria iniettata e alle leggi dei gas ideali. Gli scostamenti rispetto ai valori teorici sono indicativi delle perdite. In alternativa, à ̈ possibile effettuare un bilancio fra il flusso d’aria in ingresso e il flusso d’aria in uscita, che devono essere uguali se la tenuta à ̈ efficiente. La presenza di perdite fa sì che il flusso d’aria in uscita sia inferiore al flusso d’aria in ingresso.
I metodi e gli strumenti noti consentono di caratterizzare con buona precisione le perdite nei dispositivi microfluidici, ma soffrono di alcune limitazioni.
Principalmente, le prove possono essere eseguite solo su dispositivi finiti e assemblati nei rispettivi incapsulamenti (“packages†). In molti casi, tuttavia, i dispositivi microfluidici sono prodotti sfruttando tecniche di lavoro tipiche della microelettronica o comunque assemblando fette di vari materiali, che vengono suddivise in numerosi esemplari. Sarebbe quindi auspicabile disporre di procedure di test applicabili a livello di fetta, in modo molto più economico. I procedimenti di test attuali, invece, sono molto lenti e quindi costosi.
Scopo della presente invenzione à ̈ fornire una struttura multistrato e un metodo per rilevare perdite in un dispositivo microfluidico che permettano di superare le limitazioni descritte.
Secondo la presente invenzione vengono realizzati una struttura multistrato e un metodo per rilevare perdite in un dispositivo microfluidico come definiti rispettivamente nelle rivendicazioni 1 e 16.
Per una migliore comprensione dell’invenzione, ne verranno ora descritte alcune forme di realizzazione, a puro titolo di esempio non limitativo e con riferimento ai disegni allegati, nei quali:
- la figura 1 à ̈ una vista in pianta dall’alto di una struttura multistrato in accordo a una prima forma di realizzazione della presente invenzione;
- la figura 2 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso la struttura multistrato di figura 1, presa secondo la linea II-II di figura 1;
- la figura 3 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso la struttura multistrato di figura 1, presa secondo la linea III-III di figura 1;
- la figura 4 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso la struttura multistrato di figura 1, presa secondo la linea IV-IV di figura 1;
- la figura 5 à ̈ una vista in pianta dall’alto di un dispositivo microfluidico ottenuto dal taglio della struttura multistrato di figura 1;
- la figura 6 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso il dispositivo microfluidico di figura 1, presa secondo la linea VI-VI di figura 5;
- la figura 7 à ̈ una vista in pianta dall’alto della struttura multistrato di figura 1 in una fase di test;
- la figura 8 Ã ̈ uno schema a blocchi semplificato incorporante il dispositivo microfluidico di figura 5;
- la figura 9 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso una struttura multistrato in accordo a una seconda forma di realizzazione della presente invenzione;
- la figura 10 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso una struttura multistrato in accordo a una terza forma di realizzazione della presente invenzione;
- la figura 11 à ̈ una vista in pianta dall’alto di una struttura multistrato in accordo a una quarta forma di realizzazione della presente invenzione;
- la figura 12 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso la struttura multistrato di figura 11, presa secondo la linea XII-XII di figura 11;
- la figura 13 à ̈ una vista in pianta dall’alto di una struttura multistrato in accordo a una quinta forma di realizzazione della presente invenzione;
- la figura 14 mostra un particolare ingrandito della struttura multistrato di figura 13;
- la figura 15 à ̈ una vista in pianta dall’alto di una struttura multistrato in accordo a una sesta forma di realizzazione della presente invenzione;
- la figura 16 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso la struttura multistrato di figura 15, presa secondo la linea XVI-XVI di figura 15;
- la figura 17 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso la struttura multistrato di figura 15, presa secondo la linea XVII-XVII di figura 15;
- la figura 18 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso una struttura multistrato in accordo a una settima forma di realizzazione della presente invenzione.
Le figure 1-4 mostrano una porzione di una struttura multistrato, indicata nel suo complesso con il numero di riferimento 1. La struttura multistrato 1 incorpora una pluralità di dispositivi microfluidici 2, uno solo dei quali à ̈ illustrato nelle figure 1-4.
I dispositivo microfluidici 2 possono essere, ad esempio e non esclusivamente, dispositivi per analisi biochimiche, microreattori, testine di stampa per dispositivo di stampa a getto di inchiostro, ecc. Per semplicità, nel seguito si farà riferimento a tale singolo dispositivo microfluidico, con ciò intendendo che quanto descritto e illustrato si applica a tutti gli esemplari presenti nella struttura multistrato 1.
La struttura multistrato 1 comprende una prima fetta (“wafer†) 3 e una seconda fetta 5, fra le quali à ̈ definito il dispositivo microfluidico 2. La prima fetta 3 e la seconda fetta 5 possono essere realizzate in vari materiali, tra cui, ad esempio, silicio, vetro, ceramica e materiali polimerici. Nella forma di realizzazione mostrata nelle figure 1-4, in particolare, la prima fetta 3 e la seconda fetta 5 sono in un materiale polimerico non conduttivo.
Il dispositivo microfluidico 2 comprende un circuito microfluidico 6, qui esemplificativamente rappresentato mediante un singolo canale microfluidico, una camera a tenuta 7 e un sensore di pressione 8.
Più in dettaglio, il circuito microfluidico 6 e la camera a tenuta 7 sono definiti da facce 3a, 5a rispettivamente della prima fetta 3 e della seconda fetta 5, da una prima struttura sigillante 10 e da una seconda struttura sigillante 11.
La prima struttura sigillante 10 e la seconda struttura sigillante 11 sono pareti disposte fra la prima fetta 3 e la seconda fetta 5, alle quali entrambe sono accoppiate a tenuta di fluido, e fungono inoltre da elementi distanziali. In una forma di realizzazione, la prima struttura sigillante 10 e la seconda struttura sigillante 11 sono realizzate in materiale polimerico, in particolare fotoresist. In alternativa, possono essere utilizzati anche, ma non esclusivamente, differenti materiali polimerici (come poliestere, polietilene, poliimmide) o materiali quali metalli (ad esempio oro, rame o alluminio), leghe eutettiche, silicio policristallino, ossido di silicio, fibra di vetro, resina, resina epossidica. Nel caso di materiali metallici, le strutture sigillanti possono essere ottenute mediante saldatura per termocompressione o bonding eutettico. In generale, le prima struttura sigillante 10 e la seconda struttura sigillante 11 possono essere ottenute da un unico strato unito alla prima fetta 3 o alla seconda fetta 5, che funge da supporto, e quindi definito per asportazione di materiale, ad esempio utilizzando tecniche fotolitografiche. L’unione dello strato alla fetta che funge da supporto può essere realizzata ad esempio mediante incollaggio, saldatura, laminazione o deposizione diretta di materiale. Ancora, ad esempio nel caso in cui la fetta che funge da supporto sia di materiale semiconduttore, lo strato può essere cresciuto sulla fetta e quindi definito mediante attacco umido o secco.
La prima struttura sigillante 10 e la seconda struttura sigillante 11 si estendono lungo rispettive linee chiuse e la seconda struttura sigillante 11 racchiude la prima struttura sigillante 10.
La prima struttura sigillante 10 delimita al suo interno il circuito microfluidico 6, che à ̈ provvisto, a opposte estremità, di un ingresso 6a e di un’uscita 6b rispettivamente realizzati nella prima fetta 3 e nella seconda fetta 5.
La camera a tenuta 7 à ̈ definita nello spazio compreso fra la prima fetta 3, la seconda fetta 5, la prima struttura sigillante 10 e la seconda struttura sigillante 11. Il dispositivo microfluidico 2 à ̈ realizzato in modo che la pressione all’interno della camera a tenuta 7 à ̈ significativamente diversa dalla pressione esterna (circa 1 atm = 101325 Pa). In una forma di realizzazione, la pressione interna alla camera a tenuta 7 à ̈ inferiore della pressione esterna ed à ̈ pari, ad esempio, a circa 10<-3>atm. In una differente forma di realizzazione, invece, la pressione interna alla camera a tenuta 7 à ̈ maggiore della pressione esterna ed à ̈ pari, ad esempio, a circa 2 atm. La pressione desiderata nella camera a tenuta 7 à ̈ ottenuta completando il processo di unione della prima fetta 3, della seconda fetta 5, della prima struttura sigillante 10 e della seconda struttura sigillante 11 in condizioni controllate di pressione. Si noti che la stessa pressione controllata può essere ottenuta anche nel caso in cui l’unione di porzioni (dice) delle fette 3, 5 e delle strutture sigillanti 10, 11 sia eseguito a livello di dispositivo (“chip-to-chip bonding†) o intermedio (“chipto-wafer bonding†), anziché a livello di fetta (“wafer bonding†).
Il sensore di pressione 8 à ̈ collocato sulla prima fetta 3 all’interno della camera a tenuta 7 ed à ̈ un sensore microelettromeccanico a membrana capacitivo o piezoresistivo, ad esempio del tipo descritto in EP-A-1 577 656, a nome della richiedente. Il sensore di pressione 8, in particolare, fornisce un segnale indicativo della differenza di pressione fra una camera di riferimento, delimitata da una membrana, e l’ambiente attorno al sensore (in questo caso, la camera a tenuta 7). La pressione nella camera di riferimento à ̈ costante e quindi variazioni di pressione all’esterno della camera di riferimento modificano lo stato di deformazione della membrana. La deformazione della membrana può essere rilevata mediante l’accoppiamento capacitivo con la faccia opposta della camera di riferimento oppure realizzando elementi piezoresistivi sulla membrana stessa.
Il sensore di pressione 8 à ̈ collegato a piazzole di contatto 12 attraverso linee di connessione elettrica 13, qui mostrate solo in parte. Nella forma di realizzazione descritta, le linee di connessione elettrica 13 corrono sulla faccia 3a della fetta, attraversando la seconda struttura sigillante 11. Se la seconda struttura sigillante 11 à ̈ metallica, le linee di connessione elettrica 13 sono convenientemente isolate. Le piazzole di contatto 12 sono accessibili dall’esterno attraverso un’apertura 15 nella seconda fetta 5, per consentire la connessione con il sensore di pressione 8, ad esempio allo scopo di effettuare test a livello di fetta.
La struttura multistrato 1 à ̈ destinata a essere divisa in porzioni, ciascuna delle quali à ̈ ancora una struttura multistrato e contiene un singolo dispositivo microfluidico 2, definito fra una prima piastrina (“chip†) 17, ricavata dalla prima fetta 3, e una seconda piastrina 18, ricavata dalla seconda fetta 5 (figure 5 e 6).
I test possono essere eseguiti a livello di fetta, connettendo un’unità di controllo 17 esterna al sensore di pressione 8 come mostrato schematicamente in figura 7, oppure sul singolo dispositivo, anche immediatamente prima o durante il suo utilizzo. In questo caso (figura 8), il dispositivo microfluidico 2 à ̈ integrato in un sistema 20 comprendente un’unità di controllo 21 e attuatori 22, comandati dall’unità di controllo 21 per la movimentazione di fluidi nel circuito microfluidico 6 e per eseguire funzioni supplementari necessarie per l’operatività del dispositivo microfluidico 2.
La pressione interna alla camera a tenuta 7 di ciascun dispositivo viene misurata mediante il rispettivo sensore di pressione 8. In assenza di perdite, la pressione interna delle camere a tenuta 7 si mantiene stabilmente al valore iniziale, che à ̈ significativamente diverso rispetto alla pressione atmosferica. Se il circuito microfluidico 6 non à ̈ perfettamente sigillato, il trafilamento di fluido fra il circuito microfluidico 6 e la camera a tenuta 7 causa una variazione della pressione interna che viene rilevata dal sensore di pressione 8. Le rilevazioni di pressione possono essere effettuate sia in fabbrica, in fase di validazione del dispositivo microfluidico 2, sia in uso. In particolare, i valori di pressione possono essere periodicamente misurati e confrontati con una valore di riferimento memorizzato nell’unità di controllo 21. Se lo scostamento della pressione interna alla camera a tenuta 7 supera una soglia, l’unità di controllo 21 genera un messaggio di avviso relativo a possibili malfunzionamenti dovuti a difetti nella tenuta del circuito microfluidico 6.
Nella forma di realizzazione illustrata in figura 9, la prima fetta 103 à ̈ in silicio. Piazzole di contatto 112 e porzioni di linee di connessione elettrica 113 e sono realizzate su una faccia 103b della prima fetta 103 opposta alla faccia 103a dove à ̈ posto il sensore di pressione 8. Le linee di connessione elettrica 113 comprendono inoltre vie passanti 114 perpendicolari alle facce 103a, 103b della prima fetta 103 e da essa isolate.
In un’ulteriore forma di realizzazione, illustrata in figura 10, la prima fetta 203 à ̈ in silicio e linee di connessione elettrica 213 sono sepolte (“embedded†) in essa. Le linee di connessione elettrica 213 possono essere realizzate in metallo (ad esempio rame o alluminio) oppure in polisilicio drogato.
Nelle forme di realizzazione delle figure 9 e 10, l’adesione della prima struttura sigillante e della seconda struttura sigillante alla prima fetta à ̈ facilitata, perché viene evitata l’intersezione con le linee di connessione elettrica.
Secondo la forma di realizzazione illustrata nelle figure 11 e 12, come sensore di pressione 308 per la rilevazione della pressione nella camera a tenuta 7 viene utilizzato un sensore di Pirani. In particolare, il sensore di pressione 308 comprende una striscia di metallo, ad esempio platino, deposta all’interno della camera a tenuta 7 sulla faccia 303a della prima fetta 303, che à ̈ di silicio. Attraverso vie passanti 313 terminali 314 del sensore di pressione 308 sono connessi a piazzole di contatto 312 che sono disposte sulla faccia 303b della prima fetta 303. Il sensore di pressione 308 à ̈ inoltre alimentato da una sorgente di tensione 309.
Un sensore di Pirani fornisce una misura indiretta di pressione, sfruttando il diverso scambio termico con l’ambiente circostante per effetto della maggiore o minore densità del gas in cui il sensore à ̈ immerso. Più in dettaglio, la striscia metallica che definisce il sensore di pressione 308 si riscalda per effetto Joule quando à ̈ attraversata da corrente. La dissipazione di calore à ̈ dovuta, oltre che all’irraggiamento, à ̈ dovuta agli impatti con le molecole del gas attorno al il sensore di pressione 308. Maggiori sono la pressione e la densità del gas, maggiore à ̈ la dissipazione di calore e quindi minore la temperatura il sensore di pressione 308. A sua volta, la temperatura del sensore ne influenza la resistività, che quindi à ̈ indicativa della pressione nella camera a tenuta 7 e può essere facilmente misurata. Poiché eventuali variazioni della temperatura ambientale esterna possono esser agevolmente compensate, le variazioni di pressione sono essenzialmente causate da trafilamenti attraverso il circuito microfluidico 6.
Le figure 13 e 14 illustrano un’ulteriore forma di realizzazione dell’invenzione, in cui l’integrità della sigillatura del circuito microfluidico 6 viene verificata utilizzando sensori di presenza di liquido 408 disposti attorno al circuito microfluidico 6, a breve distanza dalla prima struttura sigillante 10.
Uno dei sensori di presenza di liquido 408 à ̈ mostrato più in dettaglio in figura 14 e comprende regioni conduttive adiacenti fra loro e alla prima struttura sigillante 10, elettricamente isolate le une dalle altre e polarizzate a rispettive tensioni distinte, in modo che la presenza di un liquido conduttivo che trafila dal circuito microfluidico 6 provochi un corto circuito e quindi un elevato passaggio di corrente. Nella forma di realizzazione illustrata, in particolare, ciascun sensore di presenza di liquido 408 comprende una prima regione conduttiva 408a e una seconda regione conduttiva 408b, che possono essere realizzate in metallo o in polisilicio drogato. La prima regione conduttiva 408a e la seconda regione conduttiva 408b sono poste a breve distanza l’una dall’altra sulla prima fetta 403, la cui superficie 403a à ̈ elettricamente isolante. Ad esempio, la superficie 403a à ̈ di silicio intrinseco oppure di ossido di silicio. La prima regione conduttiva 408a e la seconda regione conduttiva 408b sono prive di copertura isolante e l’isolamento elettrico à ̈ ottenuto attraverso la superficie 403a della prima fetta 403.
La prima regione conduttiva 408a e la seconda regione conduttiva 408b sono entrambe conformate a pettine e presentano ciascuna un dorso e una pluralità di denti 408c, 40d. Inoltre, i denti 408c della prima regione conduttiva 408a e i denti 408d della seconda regione conduttiva 408b sono intercalati, mentre alle estremità dei dorsi sono formati rispettivi terminali 408e, 408f per la connessione a una sorgente di tensione 409.
In caso di perdite di liquido (indicato con 401 in figura 14) dal circuito microfluidico 6, alcuni denti della prima regione conduttiva 408a e della seconda regione conduttiva 408b vengono ricoperti e posti in corto circuito, provocando una scarica. Naturalmente, il liquido nel canale microfluidico 6 deve essere elettricamente conduttivo, come di fatto accade in numerosissime applicazioni (ad esempio, i campioni biologici trattati nei microreattori per analisi biochimiche e gli inchiostri nelle testine di dispositivi di stampa a getto di inchiostro hanno una base acquosa e sono conduttivi).
Un’ulteriore forma di realizzazione dell’invenzione à ̈ illustrata nelle figure 15-17. In questo caso, una struttura multistrato 500 incorpora una pluralità di dispositivi microfluidici 502, uno solo dei quali à ̈ illustrato. Più in dettaglio, la struttura multistrato 500 comprende una prima fetta 503, una seconda fetta 505 e una fetta intermedia 504, fra le quali à ̈ definito il dispositivo microfluidico 502.
Il dispositivo microfluidico 502 comprende un circuito microfluidico 506, qui esemplificativamente rappresentato mediante un singolo canale microfluidico, una camera a tenuta 507 e un sensore di pressione 508.
Il circuito microfluidico 506 comprende un primo canale microfluidico 506a, definito fra una faccia 503a della prima fetta 503 e una faccia 504a della fetta intermedia 504, e un secondo canale microfluidico 506b, definito fra una faccia 505a della seconda fetta 505 e una faccia 504b della fetta intermedia 504.
Inoltre, il primo canale microfluidico 506a à ̈ delimitato lateralmente da una struttura sigillante 510a, che si estende lungo una linea chiusa, à ̈ unita a tenuta di fluido alla prima fetta 503 e alla fetta intermedia 504 e funge da distanziale fra di esse; e il secondo canale microfluidico 506b à ̈ delimitato lateralmente da una struttura sigillante 510b, che si estende lungo una linea chiusa, à ̈ unita a tenuta di fluido alla seconda fetta 505 e alla fetta intermedia 504 e funge da distanziale fra di esse. Un ingresso 506c e un’uscita 506d sono realizzate a rispettive estremità del primo canale microfluidico 506a e del secondo canale microfluidico 506b, rispettivamente attraverso la prima fetta 503 e attraverso la seconda fetta 505. Il primo canale microfluidico 506a e il secondo canale microfluidico 506b sono inoltre fluidicamente accoppiati attraverso un passaggio 506e e realizzato nella fetta intermedia 504.
La camera a tenuta 507 comprende una prima porzione 507a, definita fra la prima fetta 503 e la fetta intermedia 504, e una seconda porzione 507b, definita fra la seconda fetta 504 e la fetta intermedia 504.
Inoltre, la prima porzione 507a della camera a tenuta 507 à ̈ delimitata lateralmente da una struttura sigillante 511a, che si estende lungo una linea chiusa circondante il primo canale microfluidico 506a, à ̈ unita a tenuta di fluido alla prima fetta 503 e alla fetta intermedia 504 e funge da distanziale fra di esse; e la seconda porzione 507b della camera a tenuta 507 à ̈ delimitata lateralmente da una struttura sigillante 511b, che si estende lungo una linea chiusa circondante il secondo canale microfluidico 506b, à ̈ unita a tenuta di fluido alla seconda fetta 505 e alla fetta intermedia 504 e funge da distanziale fra di esse. La struttura multistrato 500 à ̈ ottenuta mediante unione a livello di fetta (“wafer bonding†) delle fette 503, 504, 505 e delle strutture sigillanti 510a, 510b, 511a, 511b (ad esempio mediante bonding oro-oro simultaneo a tre fette). In alternativa, à ̈ possibile anche in questo caso sfruttare processi di unione a livello di dispositivo (“chip-to-chip bonding†) o intermedio (“chip-to-wafer bonding†).
La prima pozione 507a e la seconda porzione 507b della camera a tenuta 507 comunicano fluidicamente attraverso un passaggio 507c nella fetta intermedia 504.
Nella forma di realizzazione qui descritta, il sensore di pressione 508 à ̈ un sensore microelettromeccanico a membrana ed à ̈ collocato nella prima porzione 507a della camera a tenuta 507, sulla prima fetta 503.
Nella forma di realizzazione di figura 18, una prima camera a tenuta 607a e una seconda camera a tenuta 607b sono definite rispettivamente fra la prima fetta 603 e la fetta intermedia 604 e fra la seconda fetta 605 e la fetta intermedia 604. La prima camera a tenuta 607a e la seconda camera a tenuta 607b sono fluidicamente disaccoppiate l’una dall’altra e circondano rispettivamente il primo canale microfluidico 606a e il secondo canale microfluidico 606b.
la figura 17 mostra anche una struttura sigillante 610a e una struttura sigillante 610b, che delimitano rispettivamente il primo canale microfluidico 606a e il secondo canale microfluidico 606b; una struttura sigillante 611a, che si estende attorno al primo canale microfluidico 606a e delimita lateralmente la prima camera a tenuta 607a; e una struttura sigillante 611b, che si estende attorno al secondo canale microfluidico 606b e delimita lateralmente la seconda camera a tenuta 607b.
In questo caso, un primo sensore di pressione 608a e un secondo sensore di pressione 608b sono rispettivamente disposti nella prima camera a tenuta 607a (ad esempio sulla prima fetta 603) e nella seconda camera a tenuta 607b (ad esempio sulla fetta intermedia 604).
Alla struttura multistrato e al metodo descritti possono essere apportate modifiche e varianti, senza uscire dall’ambito della presente invenzione, come definita nelle rivendicazioni allegate.

Claims (18)

  1. RIVENDICAZIONI 1. Struttura multistrato comprendente: un circuito microfluidico (6; 506; 606) delimitato almeno in parte da una prima struttura sigillante (10; 510a, 510b; 610a, 610b); una camera a tenuta di fluido (7; 507; 607a, 607b) delimitata in parte da una seconda struttura sigillante (11; 511a, 511b; 611a, 611b) e in parte dalla prima struttura sigillante (10; 510a, 510b); un sensore (8; 308; 408; 508; 608a, 608b), disposto nella camera a tenuta di fluido (7; 507; 607a, 607b) e configurato per fornire un segnale indicativo di trafilamenti tra il circuito microfluidico (6; 506; 606) e la camera a tenuta di fluido (7; 507; 607a, 607b).
  2. 2. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 1, in cui il sensore (8; 308; 508; 608a, 608b) Ã ̈ un sensore di pressione.
  3. 3. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 2, in cui in cui il sensore (8; 508; 608a, 608b) Ã ̈ un sensore microelettromeccanico.
  4. 4. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 2, in cui il sensore (308) Ã ̈ un sensore di Pirani.
  5. 5. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 2, in cui il sensore (408) Ã ̈ un sensore di presenza di liquido.
  6. 6. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 5, in cui il sensore comprende una prima regione conduttiva (408a) e una seconda regione conduttiva (408b) adiacenti fra loro e alla prima struttura sigillante (10), elettricamente isolate l’una dall’altra e accoppiate a una sorgente di alimentazione (409) per essere polarizzate a rispettive tensioni distinte, in modo che la presenza di un liquido conduttivo trafilato dal circuito microfluidico (6) provochi un corto circuito fra la prima regione conduttiva (408a) e la seconda regione conduttiva (408b).
  7. 7. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 6, in cui la prima regione conduttiva (408a) e la seconda regione conduttiva (408b) sono conformate a pettine e presentano ciascuna un dorso e una pluralità di denti e in cui i denti della prima regione conduttiva (408a) e i denti della seconda regione conduttiva (408b) sono intercalati.
  8. 8. Struttura multistrato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, comprendente una prima lastra (3, 17; 103; 203; 303; 403; 503; 603) e una seconda lastra (5, 18; 105; 205; 305; 405; 505; 605) e in cui la prima struttura sigillante e la seconda struttura sigillante sono interposte fra la prima lastra e la seconda lastra e sono unite a tenuta alla prima lastra e alla seconda lastra.
  9. 9. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 8, in cui la prima struttura sigillante (10; 510a, 510b; 610a, 610b) e la seconda struttura sigillante (11; 511a, 511b; 611a, 611b) si estendono lungo rispettive linee chiuse e la seconda struttura sigillante (11; 511a, 511b; 611a, 611b) racchiude la prima struttura sigillante (10; 510a, 510b; 610a, 610b).
  10. 10. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 8 o 9, comprendente una terza lastra (504; 604), interposta fra la prima lastra (503; 603) e la seconda lastra (505; 605), e in cui il circuito microfluidico (506; 606) comprende un primo canale microfluidico (506a; 606a), definito fra la prima lastra (503; 603) e la terza lastra (504; 604) e delimitato lateralmente dalla prima struttura sigillante (510a; 610a), e un secondo canale microfluidico (506b; 606b), fluidicamente accoppiato al primo canale microfluidico (506a; 606a), definito fra la seconda lastra (505; 605) e la terza lastra (504; 604) e delimitato lateralmente da una terza struttura sigillante (510b; 610b).
  11. 11. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 10, in cui la camera a tenuta di fluido (507) comprende una prima porzione (507a), definita fra la prima lastra (503) e la terza lastra (504) e delimitata lateralmente dalla seconda struttura sigillante (511a), e una seconda porzione (507b), fluidicamente accoppiata alla prima porzione (507a), definita fra la seconda lastra (505) e la terza lastra (504) e delimitata lateralmente da una quarta struttura sigillante (511b), che circonda la terza struttura sigillante (510b).
  12. 12. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 10, comprendente una prima camera a tenuta di fluido (607a), definita fra la prima lastra (603) e la terza lastra (604) e delimitata lateralmente dalla seconda struttura sigillante (611a), e una seconda camera a tenuta di fluido (607b), fluidicamente disgiunta dalla prima porzione (607a), definita fra la seconda lastra (605) e la terza lastra (604) e delimitata lateralmente da una quarta struttura sigillante (611b), che circonda la terza struttura sigillante (610b).
  13. 13. Struttura multistrato secondo la rivendicazione 12, comprendente un primo sensore (608a), disposto nella prima camera a tenuta di fluido (607a) e configurato per fornire un segnale indicativo di trafilamenti tra il primo canale microfluidico (606a) e la prima camera a tenuta di fluido (607a), e un secondo sensore (608b), disposto nella seconda camera a tenuta di fluido (607b) e configurato per fornire un segnale indicativo di trafilamenti tra il secondo canale microfluidico (606b) e la seconda camera a tenuta di fluido (607b).
  14. 14. Dispositivo microfluidico comprendente una struttura multistrato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti.
  15. 15. Sistema comprendente un dispositivo microfluidico secondo la rivendicazione 14 e un’unità di controllo (21) accoppiata al dispositivo microfluidico.
  16. 16. Metodo per rilevare perdite in un dispositivo microfluidico, avente un circuito microfluidico (6; 506; 606) e una camera a tenuta di fluido (7; 507; 607a, 607b) adiacente al circuito microfluidico (6; 506; 606); il metodo comprendendo rilevare una grandezza relativa alla camera a tenuta di fluido (7; 507; 607a, 607b) e indicativa di trafilamenti tra il circuito microfluidico (6; 506; 606) e la camera a tenuta di fluido (7; 507; 607a, 607b).
  17. 17. Metodo secondo la rivendicazione 16, comprendente rilevare una pressione nella camera a tenuta di fluido (7; 507; 607a, 607b).
  18. 18. Metodo secondo la rivendicazione 16, comprendente rilevare la presenza di liquidi nella camera a tenuta di fluido (7).
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6197263B2 (ja) * 2012-02-06 2017-09-20 ソニー株式会社 マイクロチップ
JP2015202461A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 セイコーエプソン株式会社 化学合成装置、及び化学合成装置の製造方法
US20180223234A1 (en) * 2015-09-18 2018-08-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electrochemical measurement device and electrochemical measurement system
EP3353280A4 (en) 2015-09-24 2019-02-20 Baird, Zane MASS LABEL ANALYSIS FOR RARE CELLS AND MOLECULES WITHOUT CELLS
EP3301438B1 (en) * 2016-09-30 2020-09-02 Roche Diagniostics GmbH Method for detecting a state of a fluid within a microwell plate
US11351541B2 (en) 2017-04-06 2022-06-07 Illumina, Inc. In-situ fluidic inspection
JP2017203776A (ja) * 2017-06-21 2017-11-16 ソニー株式会社 マイクロチップ
JP6658857B2 (ja) * 2018-12-27 2020-03-04 ソニー株式会社 マイクロチップ
US11235326B1 (en) * 2019-02-21 2022-02-01 Facebook Technologies, Llc Fluidic control: clamped membrane structure
JP2023005959A (ja) * 2021-06-30 2023-01-18 株式会社Screenホールディングス 流路型デバイス

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000180092A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Hitachi Ltd 熱交換器
WO2007012632A1 (de) * 2005-07-25 2007-02-01 Siemens Aktiengesellschaft Mikrofluidiksystem
DE102005051637A1 (de) * 2005-10-26 2007-05-03 Atotech Deutschland Gmbh Reaktorsystem mit einem mikrostrukturierten Reaktor sowie Verfahren zur Durchführung einer chemischen Reaktion in einem solchen Reaktor
EP1955762A1 (en) * 2007-01-16 2008-08-13 Hitachi Plant Technologies, Ltd. Substance manufacturing apparatus and chemical reactors with the apparatus

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6945116B2 (en) * 2003-03-19 2005-09-20 California Institute Of Technology Integrated capacitive microfluidic sensors method and apparatus
EP1577656B1 (en) 2004-03-19 2010-06-09 STMicroelectronics Srl Method for manufacturing a semiconductor pressure sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000180092A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Hitachi Ltd 熱交換器
WO2007012632A1 (de) * 2005-07-25 2007-02-01 Siemens Aktiengesellschaft Mikrofluidiksystem
DE102005051637A1 (de) * 2005-10-26 2007-05-03 Atotech Deutschland Gmbh Reaktorsystem mit einem mikrostrukturierten Reaktor sowie Verfahren zur Durchführung einer chemischen Reaktion in einem solchen Reaktor
EP1955762A1 (en) * 2007-01-16 2008-08-13 Hitachi Plant Technologies, Ltd. Substance manufacturing apparatus and chemical reactors with the apparatus

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