ITTO20020118A1 - Dispositivo integrante una matrice di memoria non volatile e una matrice di memoria volatile. - Google Patents

Dispositivo integrante una matrice di memoria non volatile e una matrice di memoria volatile.

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ITTO20020118A1
ITTO20020118A1 IT2002TO000118A ITTO20020118A ITTO20020118A1 IT TO20020118 A1 ITTO20020118 A1 IT TO20020118A1 IT 2002TO000118 A IT2002TO000118 A IT 2002TO000118A IT TO20020118 A ITTO20020118 A IT TO20020118A IT TO20020118 A1 ITTO20020118 A1 IT TO20020118A1
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IT
Italy
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volatile memory
memory matrix
integrating device
non volatile
matrix
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IT2002TO000118A
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Raffaele Zambrano
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St Microelectronics Srl
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/005—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor comprising combined but independently operative RAM-ROM, RAM-PROM, RAM-EPROM cells
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7554855B2 (en) * 2006-12-20 2009-06-30 Mosaid Technologies Incorporated Hybrid solid-state memory system having volatile and non-volatile memory
US7869335B2 (en) * 2007-10-09 2011-01-11 Seagate Technology Llc Multiple ferroelectric films
US9761312B1 (en) 2016-03-16 2017-09-12 Micron Technology, Inc. FeRAM-DRAM hybrid memory
US10282108B2 (en) * 2016-08-31 2019-05-07 Micron Technology, Inc. Hybrid memory device using different types of capacitors
KR102362622B1 (ko) * 2018-02-23 2022-02-14 삼성전자주식회사 서로 다른 종류의 메모리 셀들을 갖는 반도체 소자

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5768182A (en) * 1991-05-21 1998-06-16 The Regents Of The University Of California Ferroelectric nonvolatile dynamic random access memory device
JPH05175460A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Sharp Corp 半導体メモリ
US5539279A (en) * 1993-06-23 1996-07-23 Hitachi, Ltd. Ferroelectric memory
US5675547A (en) * 1995-06-01 1997-10-07 Sony Corporation One time programmable read only memory programmed by destruction of insulating layer
US6265738B1 (en) * 1997-03-03 2001-07-24 Matsushita Electronics Corporation Thin film ferroelectric capacitors having improved memory retention through the use of essentially smooth bottom electrode structures
US6441415B1 (en) * 1999-06-25 2002-08-27 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric and paraelectric thin film devices using dopants which eliminate ferroelectricity
US6141238A (en) * 1999-08-30 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Dynamic random access memory (DRAM) cells with repressed ferroelectric memory methods of reading same, and apparatuses including same
US6337805B1 (en) * 1999-08-30 2002-01-08 Micron Technology, Inc. Discrete devices including EAPROM transistor and NVRAM memory cell with edge defined ferroelectric capacitance, methods for operating same, and apparatuses including same

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