ITMI950188A1 - Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato compatto ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e - Google Patents
Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato compatto ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e Download PDFInfo
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Abstract
Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato a potenza elevata compatto, molto efficiente e di peso ridotto che comprende, in combinazione tra loro, un'unità di controllo, un'unità per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi che riceve un segnale dall'unità di controllo e genera energia elettrica, un'unità d'accumulo dell'energia elettrica, un'unità comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo che emette luce laser quando l'energia elettrica è stata accumulata nell'unità d'accumulo dell'energia, un'unità di commutazione a semiconduttore attivata dalla luce laser che converte l'energia accumulata in un impulso di corrente elevata, ed un sistema laser a potenza elevata che converte l'impulso di corrente in un impulso ottico d'uscita a potenza elevata.L'unità d'accumulo dell'energia comprende un condensatore d'accumulo dell'energia avente una struttura a microstriscia non uniforme con impedenza molto bassa.
Description
DISPOSITIVO DI CONTROLLO PER LASER A SEMICONDUTTORE IMPULSATO. COMPATTO, AD ELEVATA FREQUENZA DI RIPETIZIONE DEGLI IMPULSI E POTENZA ELEVATA.
Campo dell'invenzione
La presente invenzione si riferisce ad un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore e pi? precisamente ad un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata.
Descrizione della tecnica anteriore
In genere i dispositivi di controllo per laser sono essenzialmente classificati in laser a gas, laser allo stato solido e laser a semiconduttore. Bench? generino un'elevata potenza d'uscita, i laser a gas e quelli allo stato solido sono voluminosi, pesanti e costosi. Inoltre, essi presentano un peggioramento dell'efficienza. D'altra parte i laser a semiconduttore sono compatti, leggeri, poco costosi e molto efficienti. In virt? di tali vantaggi, l'utilizzazione di laser a semiconduttore si va sempre pi? diffondendo.
Il dispositivo di controllo convenzionale per laser a semiconduttore a potenza elevata ha un'impedenza circuitale molto elevata. A causa del notevole disadattamento d'impedenza tra il circuito di controllo {impedenza elevata) ed il sistema laser (impedenza estremamente bassa), buona parte dell'energia elettrica utilizzata per far funzionare il laser a semiconduttore viene perduta sotto forma di calore. Tuttavia, per il funzionamento del laser a semiconduttore a potenza elevata si dovrebbe fornire al laser a semiconduttore una corrente superiore al livello di soglia. L'energia perduta sotto forma di calore deve essere perci? compensata aumentando la tensione di polarizzazione ad impulsi.
Il dispositivo di controllo convenzionale impulsato a potenza elevata ? perci? progettato con una caratteristica di potenza molto elevata. Ci? richiede anche un commutatore a semiconduttore a potenza elevata.
Nel dispositivo di controllo convenzionale impulsato a potenza elevata, se l'energia perduta aumenta la caratteristica di potenza richiesta al commutatore a semiconduttore aumenta rapidamente. Di conseguenza, le caratteristiche del dispositivo di controllo per laser come il tempo di salita, quello di discesa, la durata e la frequenza di ripetizione (PRF) dell'impulso laser di uscita peggiorano rapidamente, mentre le dimensioni ed il peso del dispositivo di controllo aumentano rapidamente.
Un parametro critico nel funzionamento del laser a semiconduttore ? il livello della corrente di alimentazione. A bassi livelli di corrente, ossia sotto il livello di corrente di soglia, i laser a semiconduttore generano alcune emissioni spontanee senza segnale d'uscita laser (luce laser). Al crescere del livello di corrente i laser a semiconduttore passano una soglia dove la popolazione nel substrato del laser a semiconduttore si inverte ed inizia l'effetto laser.
Sotto la corrente di soglia viene perci? emessa molto poca luce laser e la sua efficienza di emissione ? molto bassa. Quando il livello di corrente supera la soglia la luce d'uscita cresce rapidamente.
Laser a semiconduttore a potenza elevata, detti strisce laser a semiconduttore o sistemi laser, vengono prodotti realizzando un gran numero di laser a semiconduttore su un singolo substrato. Il livello di potenza d'uscita del laser ? proporzionale al numero di laser a semiconduttore nel sistema laser. Ovvi vantaggi di questa tecnica di fabbricazione sono il basso costo di produzione, la produzione in serie, la miniaturizzazione e l'affidabilit? elevata. Lo svantaggio ? una resistenza di funzionamento del dispositivo estremamente bassa (molto inferiore ad 1 ?).
Poich? i sistemi laser sono fabbricati collegando in parallelo numerosi dispositivi a giunzione p-n polarizzati direttamente, ossia laser a semiconduttore, la resistenza di funzionamento dei sistemi laser diminuisce quando il numero del laser a semiconduttore del sistema aumenta. Tipicamente la resistenza di funzionamento dei sistemi laser a potenza elevata ? compresa tra pochi Ohm e meno di 0,01 Ohm. Tuttavia quando il livello della potenza di uscita dei sistemi laser aumenta (il numero di laser a semiconduttore del sistema aumenta), il livello di corrente di soglia di questi laser cresce rapidamente.
Lo schema di modulazione per il funzionamento del laser a potenza elevata impulsato ? una modulazione diretta in cui la luce laser ? modulata controllando il flusso di corrente nel sistema laser. Per il funzionamento di un laser impulsato ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata, il dispositivo di controllo del laser deve generare un impulso di corrente molto elevata ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi ed inviarlo ad un carico esterno di impedenza estremamente bassa (sistema laser).
Le caratteristiche dei dispositivi di controllo convenzionali per laser impulsato a potenza elevata dipendono in primo luogo dalla caratteristiche dei commutatori a semiconduttore a potenza elevata (come raddrizzatore controllato al silicio, SCR), transistore ad effetto di campo di potenza (FET di potenza), transistore bipolare a "gate" isolato (IGBT) e transistore bipolare di potenza.
Il dispositivo di controllo convenzionale di un laser impulsato a potenza elevata (che utilizza una topologia circuitale in cui il condensatore ad alta tensione ? polarizzato ad impulsi e l?energia elettrica viene successivamente scaricata attivando il commutatore a semiconduttore di potenza) ha un'impedenza circuitale molto elevata. A causa del notevole disadattamento d'impedenza tra il circuito di controllo (impedenza elevata) ed il sistema laser (impedenza estremamente bassa), buona parte dell'energia elettrica utilizzata per far funzionare il sistema laser viene perduta sotto forma di calore. L'entit? del calore prodotto ? cos? grande che ? necessario installare un ventilatore per asportare tale calore dal dispositivo di controllo. Inoltre (poich? il funzionamento di un sistema laser richiede un certo livello di corrente) si deve compensare l'energia perduta aumentando la tensione di polarizzazione.
Quando aumenta la caratteristica di gestire potenza del dispositivo di controllo convenzionale per laser, altre caratteristiche (come i tempi di salita e di discesa, la durata e la frequenza di ripetizione dell'impulso laser di uscita) del dispositivo di controllo per laser peggiorano rapidamente, mentre le dimensioni ed il peso del dispositivo di controllo aumentano rapidamente.
Di conseguenza, i dispositivi di controllo convenzionali impulsati a potenza elevata sono pesanti e molto voluminosi se confrontati con i sistemi laser, e le loro caratteristiche, come i tempi di salita e di discesa e la frequenza di ripetizione degli impulsi sono drasticamente limitate.
Oltre alla caratteristica della potenza di uscita di picco del laser, altri parametri importanti e critici del dispositivo di controllo per laser impulsato sono velocit? di modulazione (elevata frequenza di ripetizione degli impulsi), durata degli impulsi, efficienza, peso e compattezza. Non ? disponibile un dispositivo di controllo per laser impulsato che produca un impulso luminoso con elevata potenza di picco, durata ridotta ed elevata frequenza di ripetizione pur mantenendo efficienza elevata, peso ridotto e compattezza.
Sommario dell'invenzione
Costituisce perci? uno scopo dell'invenzione fornire un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato a potenza elevata che mantiene efficienza elevata, peso ridotto e compattezza per la presenza di un condensatore d'accumulo dell'energia avente una struttura a microstriscia non uniforme con bassa impedenza.
Secondo la presente invenzione, tale scopo viene raggiunto mediante un dispositivo di controllo per laser semiconduttore comprendente mezzi di controllo per controllare un segnale di controllo d'ingresso, mezzi per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi per ricevere detto segnale di controllo controllato in detti mezzi di controllo e generare cos? un'energia elettrica, mezzi d'accumulo dell'energia per ricevere detta energia elettrica da detti mezzi per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi ed accumulare l'energia elettrica ricevuta, mezzi comprendenti una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo per generare una luce laser ottica a bassa potenza quando l'energia elettrica ? stata accumulata nei mezzi d'accumulo dell'energia, mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente per convertire l'energia elettrica accumulata capacitivamente in un impulso di corrente elevata, ed un sistema laser a potenza elevata per convertire detto impulso di corrente elevata ricevuto da detti mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente in un impulso d'uscita ottico a potenza elevata, dove detti mezzi d'accumulo dell'energia comprendono un condensatore d'accumulo dell?energia con impedenza molto bassa.
Elenco delle figure
Altri scopi ed aspetti dell'invenzione risulteranno evidenti dalla seguente descrizione di forme preferite di realizzazione con riferimento alle figure allegate, dove
la figura 1 mostra uno schema a blocchi di un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore realizzato secondo il trovato;
le figure 2a) e 2b) mostrano, rispettivamente, una vista dall'alto ed una vista in sezione di un condensatore d'accumulo dell'energia avente una struttura a microstriscia non uniforme a forma di ventaglio;
le figure 3a) e 3b) mostrano, rispettivamente, una vista dall'alto ed una vista in sezione di un condensatore d'accumulo dell'energia avente una struttura a microstriscia non uniforme a forma di striscia concentrica;
la figura 4 mostra uno schema a blocchi del circuito posto tra il condensatore d'accumulo dell'energia di cui alla presente invenzione ed un sistema laser;
le figure da 5a) a 5c) mostrano grafici che illustrano rispettivamente sequenze del flusso d'energia del dispositivo di controllo.
Descrizione dettagliata della forma di realizzazione preferita La figura 1 mostra uno schema a blocchi di un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato, compatto, ad elevata frequenza di ripetizione degli impulsi e potenza elevata, realizzato secondo il trovato. Come illustrato in figura 1, il dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato comprende un'unit? di controllo 100, un'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi, un'unit? d'accumulo dell'energia 300, un'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo, un'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500 ed un sistema laser a potenza elevata 600.
L'unit? di controllo 100 controlla un segnale introdotto da uno stadio d'ingresso ed invia il segnale controllato all'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi. L'unit? di controllo 100 invia un segnale all'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo.
L'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi regola l'energia elettrica primaria prelevata dalla rete di alimentazione in corrente alternata oppure da batteria dal segnale inviato dall'unit? di controllo ICO ed invia poi parte dell'energia all'unit? d'accumulo dell'energia 300? L'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi invia inoltre parte dell'energia all'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo.
L'unit? d'accumulo dell'energia 300 comprende un condensatore a bassa impedenza avente una struttura a microstriscia non uniforme ed accumula l'energia ricevuta dall'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi.
L'unit? 400 (comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo) comprende una sorgente di luce di attivazione che serve ad emettere luce laser ottica a bassa (o media) potenza in risposta al segnale di controllo ricevuto dall'unit? di controllo 100 quando ? completato l'accumulo dell'energia nell?unit? d'accumulo dell'energia 300.
L'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500 ? un tipo di commutatore attivato otticamente come un tiristore, un commutatore p-i-n, un commutatore all'arseniuro di gallio, al silicio o all'indio-fosforo, e cos? via. L'unit? di commutazione 500 ? attivata dalla luce laser ricevuta dall'unit? 400 (comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo) per convertire l'energia elettrostatica accumulata capacitivamente nell'impulso di corrente elevata.
Quando la luce ottica proveniente dall'unit? 400 (comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo) ? introdotta nell'unit? di commutazione a semiconduttore attivata otticamente 500. l'energia elettrostatica accumulata capacitivamente ? convertita sotto forma di un impulso di corrente elevata. Allora il sistema laser a potenza elevata 600 emette impulsi ottici a potenza elevata.
Il circuito di controllo impulsato a potenza elevata proposto usa elementi circuitali innovativi e principi operativi radicalmente diversi. Invece di utilizzare un condensatore a tensione elevata ed un commutatore a semiconduttore a potenza elevata per modulare i sistemi laser, usando la struttura a microstriscia non uniforme come condensatore d'accumulo dell'energia si ottiene flessibilit? di progetto, elevata efficienza circuitale, peso ridotto e compattezza. In particolare con questa struttura a microstriscia diventa molto facile progettare un condensatore d'accumulo dell'energia con impedenza circuitale molto bassa. Usando il commutatore a semiconduttore attivato da un laser a semiconduttore, si superano facilmente le limitazioni critiche dei commutatori a semiconduttore di potenza come tempi di salita e di discesa lenti, bassa frequenza di ripetizione degli impulsi e durata degli impulsi lunga. La vantaggiosa combinazione del condensatore d'accumulo dell'energia a bassa impedenza e del commutatore a semiconduttore attivato da un laser a semiconduttore a bassa (o media) potenza si traduce in un dispositivo di controllo per laser a semiconduttore impulsato compatto capace di generare impulsi luminosi con potenza di picco elevata, durata estremamente breve ed elevata frequenza di ripetizione.
L'unit? d'accumulo dell'energia 300 ? realizzata mediante strutture a microstriscia a impedenza non uniforme come quelle a forma di ventaglio o di striscia concentrica, illustrate rispettivamente nelle figure 2a), 2b), 3a) e 3b). La capacit? e l'impedenza caratteristica della microstriscia sono:
dove C ? la capacit?, A ? l'area dell'elettrodo del condensatore, ?Q ? la costante dielettrica del vuoto, t ? lo spessore del dielettrico, ?r ? la costante dielettrica del dielettrico, Z0 ? l'impedenza caratteristica della microstriscia e w ? la larghezza dell'elettrodo della microstriscia.
Sfruttando gli effetti geometrici della struttura a microstriscia non uniforme si ottiene un condensatore d'accumulo dell'energia con un'impedenza molto bassa.
Quando l'energia elettrica viene trasferita dal condensatore a bassa impedenza al sistema laser a potenza elevata, la maggior parte dell'energia viene utilizzata per far funzionare il sistema laser. Di conseguenza, il condensatore a bassa impedenza riduce notevolmente l'energia perduta durante il trasferimento dell'energia dal condensatore al sistema laser.
La funzione principale dell'unit? d'accumulo dell'energia 300 ? conservare temporaneamente l'energia elettrica sotto forma di energia elettrostatica. Tuttavia, quando il commutatore che blocca l'energia viene attivato, la condizione al contorno del condensatore d'accumulo dell'energia nell'area di contatto con il condensatore viene cambiata dallo stato "aperto" allo stato "chiuso". Non appena la condizione al contorno ? cambiata, l'energia elettrostatica accumulata nel condensatore diventa un'onda progressiva ed inizia a fluire verso il carico attraverso il commutatore.
In particolare, quando il condensatore d'accumulo dell'energia ? collegato all'impedenza di carico adattata mostrata in figura 4, esso si comporta come la linea di trasmissione. Vengono prodotti impulsi di corrente con fronti di salita e di discesa rapidi invece che forme d'onda di scarica con curva di discesa a costante di tempo RC. La durata di questi impulsi ? circa eguale al tempo di transito dell'onda che muove nelle due direzioni nel condensatore d'accumulo dell'energia. L'ampiezza dell'impulso di corrente ? maggiore dell'ampiezza di corrente ottenuta dalla microstriscia a impedenza uniforme a causa del fattore di guadagno associato alla trasformazione d'impedenza.
L'ampiezza della corrente generata ? la seguente:
dove g ? il fattore di guadagno dovuto alla trasformazione d'impedenza tra le impedenze caratteristiche interne ed esterne della struttura a microstriscia non uniforme (il valore del fattore g ? compreso tra 1 e 2), Rm ? l?impedenza esterna adattata comprendente l'impedenza di funzionamento del sistema laser, V ? la tensione polarizzata ad impulsi, Zin ? l'impedenza caratteristica interna della microstriscia e Ron ? l'impedenza di funzionamento del commutatore a semiconduttore. Nel caso di un'impedenza ideale adattata, in cui Ron ? trascurabile e Zin e Rm sono eguali, l?ampiezza della corrente generata diviene:
Questo ? molto simile alla ben definita microstriscia uniforme adattata tranne il fattore di guadagno g, che migliora ulteriormente l'efficienza del circuito. Usando la struttura a microstriscia a bassa impedenza non uniforme come condensatore d'accumulo dell'energia si ottiene perci? un'efficienza circuitale estremamente elevata.
L?azione del dispositivo di controllo inizia fornendo l'istruzione operativa all'unit? di controllo 100 che avvia una sequenza di azioni. Per prima cosa viene attivata l'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi. La potenza primaria prelevata dalla rete di alimentazione in corrente alternata oppure da una batteria viene regolata dall'unit? 200 per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi attivata ed usata per caricare ad impulsi il condensatore dell'unit? d'accumulo dell'energia 300. Quando la tensione di polarizzazione ad impulsi del condensatore raggiunge la tensione di picco.
l'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo ? attivata dal segnale di controllo emesso dall'unit? di controllo 100.
L'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo genera un impulso ottico con tempo di salita veloce e frequenza di ripetizione molto elevata e lo trasmette all'unit? di commutazione a semiconduttore 500.
L'impulso ottico generato dall'unit? 400 comprendente una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo ? trasferito negli spezzoni di fibra ottica, trasmesso attraverso gli spezzoni di fibra ottica ed usato per attivare l'unit? di commutazione a semiconduttore 500.
La luce ottica d'attivazione attraversa poi l'area attiva del commutatore a semiconduttore. Quando la luce ottica d?attivazione ? penetrata nell'area attiva del commutatore a semiconduttore, produce un numero di coppie fotone-lacuna sufficiente a far passare lo stato del commutatore da completamente aperto (non conduttore) a completamente chiuso (conduttore).
Quando il commutatore ? attivato, l'energia elettrostatica accumulata nel condensatore dell'unit? d'accumulo dell'energia 300 viene scaricata sotto forma di brevi impulsi di corrente. Quando gli impulsi di corrente, molto superiori al livello di soglia, sono fluiti nel sistema laser 600, vengono generati impulsi di luce laser a potenza elevata con tempi di salita e di discesa veloci.
Le sequenze grafiche del flusso di energia in tale dispositivo di controllo sono riportate nelle figure 5a), 5b) e 5c). Quando il commutatore a semiconduttore ? attivato, la forma dell'impulso ottico generato ? molto simile a quella dell'impulso di corrente di controllo salvo il fatto che il tempo di salita dell?impulso laser di uscita ? pi? veloce di quello dell'impulso di corrente di controllo. Tuttavia, la durata degli impulsi di corrente generati ed il tempo di transito dell'onda che muove nelle due direzioni nel condensatore d'accumulo dell'energia sono determinati dalla durata degli impulsi ottici di attivazione.
In caso di impedenza ben adattata, la durata dell'impulso della luce laser d'uscita sar? circa eguale al tempo di transito dell'onda che muove nelle due direzioni nel condensatore d'accumulo dell'energia, come indicato dalla seguente espressione:
In caso di un notevole disadattamento d'impedenza, la durata dell'impulso della luce laser d'uscita sar? molto simile a quella dell'impulso ottico d'attivazione. Ci? ? principalmente dovuto alle riflessioni multiple dell'onda progressiva causate dal notevole disadattamento d'impedenza.
Per il commutatore a semiconduttore di potenza, quando la sua caratteristica di gestire potenza aumenta, sia il tempo di salita sia quello di discesa del commutatore rallentano ed il suo tempo di attivazione diventa pi? lungo. Di conseguenza la caratteristica "frequenza di ripetizione degli impulsi" del commutatore a semiconduttore di potenza scende rapidamente quando la caratteristica di gestire potenza di questi commutatori aumenta lentamente.
Invece di produrre impulsi di corrente mediante il commutatore a semiconduttore a potenza elevata generando un impulso ottico con tempo di salita veloce dal laser a semiconduttore a bassa (o media) potenza ed usarlo come luce di attivazione, il dispositivo di guida per laser a semiconduttore ? atto a generare impulsi di corrente elevata con tempo di salita veloce.
Di conseguenza, l'effetto geometrico della struttura a microstriscia non uniforme consente di progettare un condensatore d'accumulo d'energia compatto con impedenza molto bassa. Questo condensatore a bassa impedenza riduce notevolmente la perdita d'energia durante il trasferimento dell'energia dal condensatore al sistema laser.
A differenza del dispositivo di controllo tradizionale per laser impulsato a potenza elevata, il dispositivo di controllo impulsato risultante, che ? molto efficiente, elimina la necessit? di un'alimentazione a potenza elevata e di un ventilatore di raffreddamento.
Come risulta dalla precedente descrizione, la presente invenzione fornisce un dispositivo di controllo per laser impulsato a potenza elevata che comprende un condensatore d'accumulo dell'energia avente una struttura a microstriscia non uniforme a bassa impedenza. E' perci? possibile ridurre notevolmente la perdita d'energia elettrica del sistema laser pur mantenendo efficienza elevata, peso ridotto e compattezza.
Bench? le forme di realizzazione preferite dell'invenzione siano state descritte a puro titolo d'esempio, i tecnici del ramo possono rilevare che sono possibili varie modifiche, aggiunte e sostituzioni senza uscire dallo scopo e dallo spirito del trovato, quali risultano dalle rivendicazioni allegate.
Claims (2)
- RIVENDICAZIONI 1. Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore comprendente mezzi di controllo per controllare un segnale di controllo d'ingresso, mezzi per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi per ricevere detto segnale di controllo controllato in detti mezzi di controllo e generare cos? un'energia elettrica, mezzi d'accumulo dell'energia per ricevere detta energia elettrica da detti mezzi per regolare la potenza elettrica e caricare ad impulsi ed accumulare l'energia elettrica ricevuta, mezzi comprendenti una sorgente di luce di attivazione e mezzi di controllo per generare una luce laser ottica a bassa potenza quando l'energia elettrica ? stata accumulata nei mezzi d'accumulo dell'energia, mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente per convertire l'energia elettrica accumulata capacitivamente in un impulso di corrente elevata, ed un sistema laser a potenza elevata per convertire detto impulso di corrente elevata ricevuto da detti mezzi di commutazione a semiconduttore attivati otticamente in un impulso ottico a potenza elevata destinato ad essere emesso, dove detti mezzi d'accumulo dell'energia comprendono un condensatore d'accumulo dell'energia con impedenza molto bassa.
- 2. Dispositivo di controllo per laser a semiconduttore come alla rivendicazione 1, dove detto condensatore d'accumulo dell'energia ha una struttura a microstriscia con impedenza non uniforme.
Applications Claiming Priority (1)
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