ITMI932562A1 - Disposizione per la protezione di compatibilita' elettromagnetica (emv) di componenti ibridi - Google Patents

Disposizione per la protezione di compatibilita' elettromagnetica (emv) di componenti ibridi Download PDF

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Description

DESCRIZIONE
L'invenzione riguarda una disposizione perla protezione di compatibilit? elettromagnetica (EMV) di componenti ibridi, conformemente alla definizione introduttiva della rivendicazione principale.
In sensori di corsa ibridi il circuito conformemente all'alta frequenza dovr? essere cortocircuitato con una parte di massa in relazione alla protezione EMV rispetto all'irradiamento e irraggiamento di influenze perturbatrici .
E' noto il fatto di prevedere sul circuito condensatori di eliminazione dei disturbi, che tramite una connessione di massa del circuito ed una molla di pressione sono collegati con la custodia metallica. Con questa disposizione ? svantaggioso che le molle di massa occupano spazio come parti meccaniche e in seguito all'invecchiamento peggiorano il contatto delle molle rispetto alla custodia e in seguito al lungo percorso fra condensatore di eliminazione dei disturbi e parte di massa possono anche irradiare segnali parassiti.
E' inoltre noto, come ad esempio dal DE-OS 38 37 206, il fatto di prevedere fra il circuito e la custodia un collante elettroconduttivo, che collega un condensatore di eliminazione dei disturbi, a contatto passante mediante il circuito, con la custodia metallica creando cos? un accoppiamento capacitivo.
Questa variante offre in verit? un accoppiamento di frequenza sufficientemente alta di un circuito con la massa senza aggiuntive parti meccaniche, e tuttavia non ? impiegabile per circuiti ibridi ed in ogni caso richiede una custodia metallica elettroconduttiva.
L'invenzione si pone il compito di ravvisa-re una disposizione per la protezione EMV del genere secondo l'invenzione, che per l'accoppiamento ad alta frequenza del circuito fa a meno di custodia metallica per il circuito.
Secondo l'invenzione il problema viene risolto mediante le caratteristiche della rivendicazione 1.
Si ? trovato che la protezione contro l'irraggiamento diretto e contro i disturbi addotti dal cavo preformato pu? aver luogo per mezzo di filtri a condensatori Chip, che si trovano sulla piastra di supporto di ceramica ed il cui collegamento di massa ? di basso valore ornico e di bassa induttanza grazie ad una pressione di riempimento, effettuata con una pasta metallica elettroconduttiva, in rientranze nello strato di vetro isolante fra i piano di pressione oppure grazie a prese di contatto passanti in ceramica su un piano di pressione metallico di grande superficie, che si trovano sul lato del componente ibrido in caso di tecnica multistrato rispettivamente sul lato posteriore dell'ibrido.
Come ulteriore variante di protezione EMV il piano di pressione metallico pu? essere accoppiato capacitivamente con la massa di condensatore. In tal caso l'accoppiamento nella tecnica multistrato sul lato del componente ibrido risulta molto pi? efficiente grazie ai grandi valori dei condensatori di accoppiamento, che possono essere realizzati in quanto ? previsto un sottile strato di vetro isolante con un accettabile permettivit?.
Ulteriori vantaggiose esecuzioni risultano dagli accorgimenti illustrati nelle sotto-rivendicazioni.
L'invenzione verr? illustrata dettagliatamente nel seguito in esempi di realizzazione in base ai relativi disegni.
In particolare:
La fig. 1 mostra la disposizione secondo l'invenzione in sezione, nell'esempio di un componente ibrido monostrato, e
La fig. 2 mostra detta disposizione nell'e-sempio di un componente ibrido multistrato.
La fig. 1 mostra un componente ibrido 10, che ? formato da una piastra di supporto in ceramica e sul cui lato superiore ? disposto un condensatore Chip 14.
Il condensatore Chip 14 con la propria prima connessione ? collegato con una linea di segnalazione 16 stabilente il collegamento dal collettore a innesto al componente ibrido 10.
Il componente ibrido 10 in corrispondenza del proprio lato superiore 12 possiede un piano di pres-sione metallico 18 e in corrispondenza del proprio lato inferiore 20 possiede un piano di pressione 22 di grande superficie. I piani di pressione 18 e 22 tramite un contatto passante 24 sono collegati fra di loro elettroconduttivamente .
Il condensatore Chip 14 con la propria seconda connessione ? connesso al piano di pressione 18. L'intero componente ibrido 10 tramite uno strato di collante 26 ? fissato su una parte 28 di custodia.
La fig. 2 mostra un componente ibrido 32, che ? fatto di una piastra di supporto di ceramica e sul cui lato superiore ? disposto un condensatore Chip 30.
Il condensatore Chip 30 con la sua prima connessione ? collegato ad una linea di segnalazione 31 stabilente il collegamento con un punto circuitale da proteggere conformemente all'EMV. Il componente ibrido 32 in corrispondenza del proprio lato superiore possiede due piani di pressione metallici 33 e 34 disposti reciprocamente isolati mediante un piano di vetro 35. I piani di pressione 33 e 34 sono collegati elettroconduttivamente fra di loro per mezzo di una pressione di riempimento 36 della rientranza del vetro isolante, effettuata con una pasta metallica conduttrice. Il condensatore Chip 30 con la propria seconda connessione ? connesso al piano di pressione 33. L?intero componente ibrido 32 tramite uno strato di collante 37 ? fissato su una parte 38 di custodia.
I piani di pressione metallici nei due esempi in tal caso non soltanto realizzano un potenziale di riferimento per i condensatori filtro ma anche una schermatura dell'intero circuito nonch? una riduzione dell?impedenza caratteristica delle linee circuitali e conseguentemente un aumento della soglia di disturbo EMV. I valori dei condensatori Chip sono specifici dell?utilizzazione.
Non ? pi? necessario un collegamento galvanico dei piani di pressione metallici sulla custodia. La custodia pertanto non dovr? essere necessariamente metallica .

Claims (1)

  1. RIVENDICAZIONI 1. - Disposizione per la protezione di compatibilit? elettromagnetica (EMV) di componenti ibridi, con un condensatore Chip, che ? disposto sul componente ibrido e la cui prima connessione ? collegata con la connessione di entrata del circuito mentre la sua seconda connessione ? collegata alla massa, caratterizzata dal fatto che la massa viene formata da un piano di pressione metallico (18) sul lato superiore (12) del componente ibrido (10) e un piano di pressione metallico (22) di grande superficie sul lato inferiore (20) del componente ibrido (10), che sono collegati per mezzo di un contatto passante (24). 2. - Disposizione secondo la rivendicazione 1, caratterizzata dal fatto che il collegamento fra piano di pressione superiore (33) e piano di pressione inferiore (34), disposti reciprocamente isolati nel caso di componenti ibridi (32) multistrato, avviene con pressione di riempimento (36) della rientranza del vetro isolante effettuata con una pasta metallica elettroconduttiva. 3. - Disposizione secondo la rivendicazione 2, caratterizzata dal fatto che la massa viene formata da piani di pressione metallici di grande superficie disposti fra gli strati ibridi. 4. - Disposizione secondo le rivendicazioni precedenti, caratterizzata dal fatto che l'accoppiamento di massa ha luogo con basso valore ornico e con bassa induttanza. 5. - Disposizione secondo le rivendicazioni precedenti, caratterizzata dal fatto che i piani di pressione metallici (20; 34) sono accoppiati capacitivamente alla massa di condensatore . 6, - Disposizione secondo la rivendicazione 5, caratterizzata dal fatto che l'accoppiamento capacitivo avviene sul lato del componente ibrido (10; 32).
IT93MI002562A 1992-12-14 1993-12-03 Disposizione per la protezione di compatibilita' elettromagnetica (emv) di componenti ibridi IT1265377B1 (it)

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