ITMI20100670A1 - Manufatto cementizio adatto un particolare quale supporto per un modulo fotovoltaico a film sottile, e metodo per la sua produzione - Google Patents
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Description
Descrizione del brevetto per invenzione industriale dal titolo:
“MANUFATTO CEMENTIZIO ADATTO IN PARTICOLARE QUALE SUPPORTO PER UN MODULO FOTOVOLTAICO A FILM SOTTILE, E METODO PER LA SUA PRODUZIONEâ€
Descrizione
La presente invenzione riguarda manufatti adatti in particolare ad essere rivestiti da un film sottile per comporre un modulo fotovoltaico.
Un modulo fotovoltaico a film sottile, applicato ad un supporto o substrato di sostegno, converte l'energia solare in energia elettrica mediante effetto fotovoltaico. In particolare e ad esempio, CIGS Ã ̈ una tecnologia fotovoltaica a film sottile che utilizza diselenuri di rame, indio, gallio, ritenuta molto promettente dal punto di vista delle prestazioni.
In vista dell’applicazione di un film fotovoltaico del tipo CIGS, i substrati, generalmente in materiale plastico o vetroso, devono presentare proprietà adatte specialmente qualora si ricorra ad una tecnica di applicazione del film sotto vuoto e ad alta temperatura. Condizioni essenziali per un buon risultato sono la deposizione di un film continuo, omogeneo e il più sottile possibile, anche in considerazione di un risparmio di materiale con proprietà fotovoltaiche, visti i costi molto elevati.
Scopo principale della presente invenzione à ̈ di proporre un substrato idoneo ad essere rivestito con un film sottile con proprietà fotovoltaiche così da comporre un modulo fotovoltaico con film continuo, omogeneo e il più sottile possibile, idealmente compatibile, sia funzionalmente sia esteticamente, con il contesto architettonico in cui viene inserito.
A tale scopo, la presente invenzione propone un supporto adatto a comporre un modulo fotovoltaico a film sottile, caratterizzato dal fatto di essere un manufatto cementizio, in particolare una lastra, in cui la superficie da rivestire con detto film sottile presenta rugosità media Ra non superiore a 500 nm (nanometri).
Detta rugosità superficiale media Ra à ̈ preferibilmente non superiore a 350 nm, e più preferibilmente non superiore a 200 nm.
L’invenzione ha anche per oggetto un modulo fotovoltaico a film sottile caratterizzato dal fatto di comprendere quale supporto per l’applicazione del film stesso un manufatto cementizio, in particolare una lastra, con rugosità superficiale media Ra non superiore a 500 nm.
La sopra definita critica rugosità media del supporto o substrato per gli scopi dell'invenzione risulta così generalmente inferiore allo spessore medio del film sottile con proprietà fotovoltaiche da applicare a tale substrato, che à ̈ nell’ordine dei micron, rendendo con ciò possibile produrre moduli fotovoltaici a film sottile, quali CIGS, continui ed omogenei con ridotto impiego di materiale con proprietà fotovoltaiche.
Secondo l’invenzione, per modulo fotovoltaico a film sottile si intende qualunque modulo realizzato secondo la tecnologia dei film sottili, ad esempio basata su silicio amorfo, CIS o CIGS e CdTe oppure su componenti di natura organica o ibrida organico-inorganica.
Una forma preferita dell'invenzione prevede l'applicazione del manufatto cementizio quale substrato per la tecnologia CIGS.
Riguardo a detto supporto, si tratta in particolare di manufatti prefabbricati in cemento per l’uso nel settore delle costruzioni, preferibilmente per applicazioni non strutturali come elementi di rivestimento e copertura, sia di tipo orizzontale sia di tipo verticale, quali lastre a basso spessore.
Tali substrati cementizi risultano particolarmente adatti al campo del cosiddetto building integration photovoltaic (BIPV) per una ideale integrazione dei moduli fotovoltaici nel contesto architettonico urbano. Esempi applicativi di manufatti e lastre per sistemi fotovoltaici sono: pannelli di rivestimento per facciate, pannelli per recinzioni, pensiline, lastre e piastrelle per pavimentazione, elementi frangisole, e più in generale sistemi di protezione solare.
Nell’ambito della presente invenzione, si intendono adatti quali substrati corpi tridimensionali prefabbricati da utilizzare nel campo delle costruzioni, costituiti da un materiale solido ottenuto dall’idratazione di impasti cementizi, ossia di miscele comprendenti i seguenti componenti:
I. un legante idraulico
II. uno o più aggregati
III. un modificatore di reologia
IV. un additivo superfluidificante
V. acqua.
Secondo l'invenzione, i manufatti cementizi vengono ottenuti mediante un metodo di formatura comprendente fasi di intimo mescolamento dei detti componenti da I a V, preferibilmente tramite calandratura, e successivo stampaggio degli impasti così mescolati a manufatti finiti con spessori sottili e di peso ridotto. Lo stampaggio può essere condotto mediante qualsiasi opportuno mezzo di formatura del materiale per ottenere manufatti cementizi di forma ben definita, applicando pressione e temperatura per un tempo variabile in funzione dei parametri del processo, compattando la miscela allo stato plastico in uno stampo che conferisca al manufatto finale geometria e profilo di rugosità superficiale desiderati.
Preferibilmente lo stampaggio à ̈ condotto per compressione.
Sono così prodotti manufatti cementizi di spessore generalmente compreso tra 1 e 10 mm, preferibilmente 2-7 mm e più preferibilmente 3-6 mm.
Oggetto della presente invenzione à ̈ anche un modulo fotovoltaico a film sottile applicato ad un supporto costituito dal detto manufatto cementizio con rugosità superficiale media Ra non superiore a 500 nm come sopra descritto. Per potere procedere correttamente alla deposizione del film fotovoltaico, il manufatto cementizio formato come sopra descritto à ̈ sottoposto ad un test di resistenza alle condizioni di vuoto richieste dal processo di deposizione come più avanti descritto. Si descrivono ora in dettaglio i detti componenti da I a V secondo la presente invenzione.
I. Per legante idraulico si intende un materiale polverizzato allo stato solido secco che, miscelato con acqua, fornisce impasti plastici in grado di far presa e di indurire, anche sott’acqua, quale un cemento. Un clinker utilizzabile per la preparazione di un legante per la presente invenzione à ̈ un qualsiasi clinker di cemento Portland come definito secondo la norma UNI EN 197.1, cioà ̈ un materiale idraulico composto da almeno due terzi in massa di silicati di calcio (3Ca0<«>Si02) e (2Ca0<«>Si02), la parte rimanente essendo Al203, Fe203e altri ossidi.
NeH’ampia definizione di legante idraulico secondo la presente invenzione si comprendono sia i cementi bianchi, grigi o pigmentati definiti secondo la già citata norma UNI EN 197.1, sia i cosiddetti cementi per sbarramenti di ritenuta, gli agglomeranti cementizi e le calci idrauliche come definiti nella Legge italiana 26 Maggio 1965 N. 595, e i silicati inorganici.
Per formare un substrato secondo la presente invenzione, possono essere utilizzati leganti a base di solfoalluminosi di calcio, quali i composti descritti nei brevetti e/o domande di brevetto WO2006/18569, EP-A-1306356 e EP-A-0181739, così come quelli derivati dai clinker solfoalluminosi di calcio descritti nella Review “Green Chemistry for sustainable cement production and Use†di John W. Phair Green Chem., 2006, 8, 763-780, in particolare nel capitolo 5.3 a pagina 776, e anche dai clinker solfoalluminosi di calcio descritti neH’articolo "Calcium sulfoaluminates cements-low energy cements, special cements†J.H. Sharp et al., Advances in Cement Research, 1999, 11, n.1, pp. 3-13. Alternativamente possono essere opportunamente utilizzati anche cementi alluminosi, solfo-ferro alluminosi come descritto in Advances in Cement Research, 1999, 11, No. 1, Jan., 15-21.
In una forma preferita dell’invenzione sono usati in qualità di legante il cemento solfo-alluminoso Alipre® Cement di Italcementi e il cemento Portland Ultracem® 52, 5R di Italcementi.
II. Gli aggregati o inerti, definiti anche aggregati inerti, secondo la presente invenzione possono essere aggregati fini quali sabbia, e filler definiti nella normativa UNI EN 206. La granulometria, ovvero il diametro massimo degli aggregati, deve essere inferiore allo spessore finale del manufatto; ai fini della critica rugosità superficiale del substrato che debbono formare, tale granulometria deve essere inferiore a 1 mm, preferibilmente a 500 Î1⁄4Πτι e più preferibilmente inferiore a 250 Î1⁄4ιτι.
Gli aggregati possono essere opportunamente scelti tra aggregati calcarei, di quarzo o silico-calcarei, di qualsiasi forma (frantumati, sferici) e anche di tipo alleggerito per ridurre il peso finale del manufatto.
Opzionalmente, la miscela può anche contenere una o più sostanze ausiliarie usuali nel campo, quali cariche di origine mineraria o pozzolanica, pigmenti di natura organica e/o inorganica o altro. Per cariche minerali o pozzolaniche si intendono microsilice, fumo di silice, loppa, ceneri volanti, meta caolino, pozzolane naturali, calcari naturali e carbonati di calcio precipitati.
In un aspetto preferito dell'invenzione si impiegano in qualità di componente II il filler Cugini (<250 pm), l'impalpabile Maccarini (<250 pm), l’aggregato Cugini (0.8-1.4 mm).
III. Ai fini della realizzazione del manufatto secondo la presente invenzione la miscela cementizia deve contenere almeno un modificatore di reologia che conferisca un comportamento di tipo plastico durante la calandratura e lo stampaggio. Tali agenti modificatori di reologia includono una varietà di derivati deH’amido, delle proteine e degli eteri di cellulosa; secondo la presente invenzione si utilizzano di preferenza eteri di cellulosa, modificati e non, con valori di viscosità compresa tra 500 mPa-s e 120000 mPa*s.
In un aspetto preferito dell’invenzione in qualità di componente III si impiega il Culminai® C4051 della Hercules.
IV. Ai fini della realizzazione del manufatto secondo la presente invenzione la miscela cementizia deve contenere almeno un additivo come agente superfluidificante, preferibilmente policarbossilico, aggiunto o in fase solida oppure sotto forma di soluzione acquosa. In un aspetto preferito dell’invenzione in qualità di componente IV si impiegano Cimfluid Adagio P1 della Axim Fr e Melflux 1641F della BASF.
Allo scopo di meglio comprendere caratteristiche e vantaggi dell’invenzione, si riporta di seguito un esempio, non limitativo, di pratica realizzazione di un metodo di formatura di un manufatto cementizio dell’invenzione, con riferimento alla figura del disegno allegato.
Con riferimento alla figura 1, sono illustrate in maniera schematica secondo un diagramma di flusso le fasi di una forma di realizzazione preferita del processo per la produzione dei manufatti in materiale cementizio oggetto dell’invenzione.
Un mescolatore di tipo intensivo (1) viene alimentato con:
- una miscela solida a base cementizia comprendente uno o più componenti scelti tra cemento, sabbia, aggregati, cariche di origine mineraria o pozzolanica, additivi modificatori di reologia e superfluidificanti, pigmenti,
- acqua, stoccata in un dosatore per liquidi,
- eventualmente additivi, in forma liquida.
I componenti in fase solida vengono miscelati nel mescolatore (1) per un tempo preferibilmente compreso tra 30 secondi e 15 minuti, in funzione delle caratteristiche del mescolatore e della temperatura esterna, fino aH’ottenimento di una miscela omogenea. Di seguito vengono aggiunti i componenti liquidi, compresa l’acqua, e il mescolamento à ̈ protratto per un tempo compreso tra 30 secondi e 10 minuti sempre in funzione delle caratteristiche del mescolatore e della temperatura esterna. Al termine della fase di mescolamento la miscela può presentarsi sotto diverse forme semisolide, da polvere umida a piccoli agglomerati granulari, fino ad una pasta coesiva ed omogenea.
La miscela così ottenuta viene inviata ad una macchina impastatrice o mescolatore omogeneizzatore (2), che preferibilmente à ̈ un’impastatrice con calandra ad alto sforzo di taglio, da cui si ottiene una materiale laminare plastico e coesivo di spessore sottile ed uniforme.
Questo viene quindi alimentato alla fase di stampaggio (3), in stampi aventi una rugosità superficiale micrometrica, preferibilmente stampi metallici del tipo utilizzato per applicazioni cementizie rivestiti almeno parzialmente con materiali quali polietilentereftalato come Mylar® e simili, policarbonato, poliammide, polimetilmetacrilato come Plexiglas® e simili, in grado di impartire al manufatto cementizio durante la fase di stampaggio le caratteristiche di superficie e rugosità oggetto dell’invenzione.
La fase di stampaggio viene condotta in condizioni controllate di temperatura, tra 25 e 150°C, preferibilmente tra 50 e 120°C, più preferibilmente tra 70 e 100°C. La pressione di stampaggio applicata à ̈ compresa tra 1 bar e 200 bar, preferibilmente tra 40 bar e 150 bar, più preferibilmente tra 60 bar e 120 bar. La durata dello stampaggio à ̈ funzione delle condizioni di temperatura e pressione e della composizione cementizia, ed à ̈ compresa tra 1 e 60 minuti.
Sono così prodotti manufatti cementizi di spessore compreso tra 1 e 10 mm, preferibilmente 2-7 mm e più preferibilmente 3-6 mm.
II manufatto stampato, dopo l’estrazione dallo stampo 3, viene sottoposto a maturazione e stagionatura, mostrate rispettivamente con 4 e 5 in figura 1, con permanenza del manufatto in una camera climatica, all’interno di una scatola perforata, per evitare il contatto diretto con acqua o altri materiali che potrebbero pregiudicane le caratteristiche superficiali finali. Le condizioni ottimali di maturazione prevedono preferenzialmente una temperatura di 25°C e umidità relativa (UR) pari a 95%, per 24 ore.
Successivamente il manufatto à ̈ stagionato in camera condizionata a 20°C e umidità relativa 50%.
Nei manufatti secondo la presente invenzione la misurazione della rugosità superficiale media Ra à ̈ ottenuta tramite un profilometro ottico non a contatto, quale 3D Talysurf CCI Lite (Taylor-Hobson), munito di stage automatico e di autofocus. Il sistema utilizza l'interferometria a luce verde in scansione per ottenere immagini e misure delle parti analizzate, fornendo informazioni quantitative sulla struttura di superfici senza contatto fisico con esse. Il fascio luminoso, attraversato il cammino ottico del microscopio, viene diviso in due all'interno dell'obiettivo interferometrico. Una parte viene riflessa dal campione mentre l'altra parte viene riflessa da una superficie di riferimento di alta qualità presente nell'obiettivo.
I due fasci si ricombinano e la luce risultante viene diretta su una telecamera a stato solido. L'interferenza tra i due fronti d'onda genera un'immagine formata da bande chiare e scure, chiamate frange d'interferenza, che sono indicative della struttura superficiale della parte analizzata. Poiché le frange di interferenza si originano solo quando la superficie analizzata à ̈ a fuoco, à ̈ necessario effettuare una scansione verticale per poter acquisire gli interferogrammi che caratterizzano la quota di ogni pixel componente la matrice della telecamera CCD. La scansione viene effettuata per mezzo di un trasduttore piezoelettrico posto alla base della testa ottica del microscopio. Il sistema à ̈ equipaggiato con diversi tipi di obiettivi (50x, 20x, 10x, 5x, 2.5x) il cui utilizzo à ̈ funzione delle caratteristiche superficiali del campione da esaminare.
Mentre l'obiettivo effettua la scansione la telecamera registra immagini dell'intensità delle frange di interferenza. L'analisi del dominio delle frequenze consente di localizzare la quota per ogni pixel in maniera univoca ed estremamente precisa. Le misure ottenute sono sia tridimensionali sia bidimensionali: la misura verticale (perpendicolare alla superficie in esame) viene ottenuta per via interferometrica, mentre le misure laterali (sul piano del campione) si ottengono grazie alla taratura dell'ingrandimento generato dall'obiettivo.
I dati 3D caratterizzanti la superficie ottenibili usando la tecnica descritta sono i seguenti:
parametri di altezza: Sq, SSk, Sku, Sp, Sv, Sz, Sa, definiti secondo la norma ISO 25178;
parametri di planarità : FLTt, FLTp, FLTv, FLTq definiti secondo la norma ISO 12781;
I dati 2D caratterizzanti la superficie ottenibili usando la tecnica descritta sono i seguenti:
parametri di altezza - profilo di rugosità : Rp, Rv, Rz, Re, Rt, Ra, Rq, Rsk, Rku, definiti secondo la norma ISO 4287;
parametri di spaziatura - profilo di rugosità : RSm, Rdq, definiti secondo la norma ISO 4287;
parametri di picco-profilo di rugosità : RPc, definito secondo la norma ISO 4287.
Per potere procedere alla deposizione del film fotovoltaico, una lastra di supporto formata secondo la presente invenzione à ̈ preferibilmente sottoposta ad un test di resistenza alle condizioni di vuoto richieste dai processo di deposizione del film. In particolare la lastra à ̈ sottoposta in una camera da vuoto a graduale variazione di pressione fino a 3.2x10-5 mbar. La variazione di rugosità superficiale registrata mostra la compatibilità del substrato cementizio con le simulate condizioni del processo di deposizione dello strato di film fotovoltaico a base di CIGS. Così pure un test di permanenza del campione per un’ora a 500°C non deve comportare variazioni del profilo di rugosità significative ai fini dell’applicazione di un film sottile tipo CIGS.
I seguenti esempi di preparazione di un manufatto cementizio secondo l’invenzione illustrano l’invenzione senza in alcun modo limitarne l’ambito.
ESEMPIO 1
I componenti solidi riportati in tabella 1 sono stati miscelati in un mescolatore intensivo tipo Eirich per 3 minuti.
Tabella 1
COMPONENTI % in peso
Cemento Alipre® Italcementi 48.0
Filler Cugini (<250 pm) 36.0
Culminai® C4051 1.0
Cimfluid Adagio P1 0.3
Acqua 14.7
con rapporto acqua/cemento = 0.30
Terminata tale fase à ̈ stata aggiunta acqua e la miscelazione à ̈ stata protratta per ulteriori 3 minuti.
Al termine la miscela si presentava in formula granulare umida. La massa solida à ̈ stata mescolata in un mescolatore calandra per 5 minuti.
Successivamente il materiale à ̈ stato compresso in uno stampo quadrato, di acciaio rivestito con Mylar®, di dimensioni 25x25 cm e spessore 3 mm, alla pressione di 80 bar ed alla temperatura di 80°C, per 10 minuti. La maturazione del prodotto stampato à ̈ avvenuta in una camera climatica all’interno di una scatola perforata, per evitare il contatto diretto con acqua o altri agenti che potrebbero compromettere le caratteristiche superficiali finali del manufatto. Le condizioni di maturazione sono state 25°C, 95% di umidità relativa, per 24 ore. In seguito il manufatto à ̈ stato conservato in camera condizionata a 20°C e 50% di umidità relativa.
Lo sforzo di rottura, misurato secondo la norma UNI EN ISO 10545-4 su provini prismatici di spessore 3 mm, lunghezza 100 mm e lunghezza 20mm, Ã ̈ risultato pari a 25 MPa.
La misura della rugosità superficiale Ra secondo la norma ISO 4287 à ̈ risultata pari a 16 nm.
Con la composizione dell'esempio 1 Ã ̈ stata prodotta una lastra per applicazione di moduli fotovoltaici a film sottile CIGS.
Per potere procedere alla deposizione del film fotovoltaico, la lastra formata come sopra descritto à ̈ stata sottoposta ad un test di resistenza alle condizioni di vuoto richieste dal processo di deposizione. Nel test la lastra à ̈ stata sottoposta in una camera da vuoto a graduale variazione di pressione fino a 3.2x10-5 mbar. Al termine di tale test i campioni di lastra non hanno mostrato variazioni significative della loro rugosità superficiale ai fini delle prestazioni richieste per l’applicazione del CIGS; infatti il valore di Ra misurato dopo il test à ̈ risultato 20 nm.
Il test di permanenza del campione per un’ora a 500°C non ha comportato variazioni del profilo di rugosità significative ai fini dell’applicazione della tecnologia CIGS.
ESEMPIO 2
Seguendo sostanzialmente quanto descritto nell’esempio 1 ma utilizzando i componenti descritti in Tabella 2, à ̈ stato ottenuto un elemento frangisole.
Tabella 2
COMPONENTI % in peso
Cemento Alipre® Italcementi 48.0
Filler Cugini (<250 pm) 36.0
Culminai® C4051 1.0
Melflux 1641 F 0.3
Acqua 14.7
acqua/cemento = 0.30
Il processo di formatura ha differito da quello dell’esempio 1 in quanto la fase di stampaggio dell’impasto à ̈ stata condotta a 100 bar e 90°C, per 8 minuti. Lo spessore del pannello stampato à ̈ risultato pari a 4 mm.
Lo sforzo di rottura, misurato secondo la norma UNI EN ISO 10545-4 su provini prismatici di spessore 4 mm, lunghezza 100 mm e lunghezza 20 mm, Ã ̈ risultato pari a 26 MPa.
La misura della rugosità superficiale, espressa come Ra secondo la norma ISO 4287, à ̈ risultata pari a 22 nm.
ESEMPIO 3
Secondo sostanzialmente quanto descritto nell’esempio 1 ma utilizzando i componenti secondo la Tabella 3, à ̈ stata ottenuta una tegola per applicazione di celle solari flessibili.
Tabella 3
COMPONENTI % in peso
Cemento Ultracem 52, 5R Italcementi 46.9
Filler Cugini (<250 pm) 35.2
Culminai® C4051 1.0
Cimfluid Adagio P1 0.3
Pigmento Rosso 1020 Siof 2.3
Acqua 14.3
acqua/cemento = 0.30
Il processo di formatura ha differito da quello dell’esempio 1 in quanto la fase di stampaggio à ̈ stata condotta a 120 bar e 90°C, per 25 minuti.
Lo spessore della tegola à ̈ risultato pari a 5 mm.
Lo sforzo di rottura, misurato secondo la norma UNI EN ISO 10545-4 su provini prismatici di spessore 4.5 mm, lunghezza 100 mm e lunghezza 20 mm, Ã ̈ risultato pari a 24 MPa.
La misura della rugosità superficiale, espressa come Ra secondo la norma ISO 4287, à ̈ risultata pari a 18 nm.
ESEMPIO 4
Seguendo sostanzialmente quanto descritto nell’esempio 1, ma utilizzando i componenti descritti in Tabella 4, à ̈ stata prodotta una lastra di copertura.
Tabella 4
COMPONENTI % in peso
Cemento Alipre® Italcementi 50.3
Filler Cugini (<250 pm) 16.5
Aggregato Cugini (0,8-1 ,4 mm) 21.1
Melflux 1641 F 0.7
Cimfluid Adagio P1 0.4
Acqua 11.0
acqua/cemento = 0.22
Il processo di formatura ha differito da quello dell’esempio 1 per la presenza di aggregati grossi (0.8-1.4 mm).
Lo spessore della lastra à ̈ risultato pari a 6 mm.
La rugosità superficiale, espressa come Ra secondo la norma ISO 4287, à ̈ risultata pari a 500 nm.
Claims (16)
- RIVENDICAZIONI 1) Supporto per modulo fotovoltaico a film sottile, caratterizzato dal fatto di essere un manufatto cementizio con rugosità superficiale media Ra non superiore a 500 nm.
- 2) Supporto secondo la rivendicazione 1 caratterizzato dal fatto di essere un manufatto cementizio con rugosità superficiale media Ra non superiore a 350 nm.
- 3) Supporto secondo la rivendicazione 1 caratterizzato dal fatto di essere un manufatto cementizio con rugosità superficiale media Ra non superiore a 200 nm.
- 4) Supporto secondo la rivendicazione 1 caratterizzato dal fatto di avere spessore compreso tra 1 e 10 mm, preferibilmente 2-7 mm e più preferibilmente 3-6 mm.
- 5) Supporto secondo la rivendicazione 1 caratterizzato dal fatto di essere sottoforma di lastra, oppure di pannello per facciata ventilata e per recinzione, oppure di tegola, oppure di piastrella, oppure di elemento frangisole.
- 6) Supporto secondo la rivendicazione 1 caratterizzato dal fatto che detto manufatto cementizio à ̈ a base di un legante idraulico.
- 7) Supporto secondo la rivendicazione 6 caratterizzato dal fatto che detto manufatto cementizio deriva da una miscela dei seguenti componenti: un legante idraulico, uno o più aggregati, un modificatore di reologia, un additivo superfluidificante, acqua.
- 8) Supporto secondo la rivendicazione 7 caratterizzato dal fatto che detti aggregati presentano granulometria inferiore a 1 mm.
- 9) Modulo fotovoltaico a film sottile caratterizzato dal fatto di comprendere quale supporto del film un manufatto cementizio con rugosità superficiale media Ra non superiore a 500 nm.
- 10) Manufatto cementizio con rugosità superficiale media Ra non superiore a 500 nm.
- 11) Metodo di produzione di un manufatto cementizio secondo la rivendicazione 10 caratterizzato dal fatto di comprendere uno stadio di formatura di detto manufatto cementizio all’interno di uno stampo alimentato con un impasto allo stato plastico dei componenti di detto manufatto cementizio.
- 12) Metodo secondo la rivendicazione 11 caratterizzato dal fatto che detta formatura awiene per compressione.
- 13) Metodo secondo la rivendicazione 11 caratterizzato dal fatto che detto stampo almeno parzialmente à ̈ rivestito con un materiale scelto tra polietilentereftalato, policarbonato, poliammide, polimetilmetacrilato, o altro simile materiale in grado di impartire rugosità superficiale media Ra non superiore a 500 nm al manufatto cementizio durante la fase di stampaggio.
- 14) Metodo secondo la rivendicazione 11 caratterizzato dal fatto di comprendere uno stadio di miscelazione tramite calandratura di detto impasto allo stato plastico dei componenti di detto manufatto cementizio prima di detta formatura in stampo.
- 15) Metodo di produzione di un modulo fotovoltaico a film sottile caratterizzato dal fatto di depositare un film sottile con proprietà fotovoltaiche su un supporto secondo la rivendicazione 1.
- 16) Uso di un manufatto cementizio con rugosità superficiale media Ra non superiore a 500 nm quale supporto del film in un modulo fotovoltaico a film sottile.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ITMI20111950A1 (it) * | 2011-10-27 | 2013-04-28 | Italcementi Spa | Preparazione di manufatti cementizi ad alta finitura superficiale per utilizzo in dispositivi elettrici |
Families Citing this family (5)
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ITMI20121998A1 (it) * | 2012-11-23 | 2014-05-24 | Italcementi Spa | Manufatto cementizio con textura ad elevata qualita' superficiale per applicazioni non strutturali, e metodo di realizzazione di detto manufatto |
FR3022240A1 (fr) * | 2014-06-13 | 2015-12-18 | Lafarge Sa | Beton revetu d'une couche mince photovoltaique, son procede de fabrication et element de construction comprenant un tel beton |
FR3025794A1 (fr) * | 2014-09-15 | 2016-03-18 | Lafarge Sa | Beton revetu d'une couche de polymeres deposee par technologie plasma et son procede de fabrication |
EP3205634A1 (en) | 2016-02-09 | 2017-08-16 | Holcim Technology Ltd. | Method of manufacturing a photovoltaic concrete |
EP3453506A1 (en) | 2017-09-11 | 2019-03-13 | Holcim Technology Ltd. | Method of manufacturing a concrete element |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040031219A1 (en) * | 2002-08-16 | 2004-02-19 | Banister Mark P. | Multi-use electric tile modules |
US20090133749A1 (en) * | 2005-07-22 | 2009-05-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Chalcopyrite Solar Cell |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN85108582B (zh) | 1984-10-30 | 1988-08-17 | 蓝圈工业有限公司 | 固化粘结组合物 |
RU2194827C2 (ru) | 2001-01-24 | 2002-12-20 | Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение машиностроения" | Кровельная панель с солнечной батареей |
RU2215100C2 (ru) | 2001-10-24 | 2003-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение машиностроения" | Способ изготовления кровельной панели с солнечной батареей |
FR2831161B1 (fr) | 2001-10-24 | 2004-09-10 | Francais Ciments | Clinker sulfoalumineux sans fer et sans chaux libre, son procede de preparation et son utilisation dans des liants blancs |
FR2838735B1 (fr) * | 2002-04-17 | 2005-04-15 | Saint Gobain | Substrat a revetement auto-nettoyant |
US7800194B2 (en) * | 2002-04-23 | 2010-09-21 | Freedman Philip D | Thin film photodetector, method and system |
KR100826374B1 (ko) * | 2004-04-13 | 2008-05-02 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 클로로트리플루오로에틸렌 공중합체 |
FR2869608B1 (fr) * | 2004-04-29 | 2006-08-04 | Centre Nat Rech Scient Cnrse | Preparation de films de ciment par coulage en bande |
FR2873366B1 (fr) | 2004-07-20 | 2006-11-24 | Lafarge Sa | Clinker sulfoalumineux a haute teneur en belite, procede de fabrication d'un tel clinker et son utilisation pour la preparation de liants hydrauliques. |
JP3762780B1 (ja) * | 2005-02-02 | 2006-04-05 | 大成建設株式会社 | 繊維補強コンクリートと繊維補強コンクリート部材の製造方法 |
EP1923363A3 (en) * | 2006-10-30 | 2010-03-03 | FUJIFILM Corporation | Hydrophilic member and substrate for hydrophilic member |
CA2704954A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Certainteed Corporation | Photovoltaic roofing elements and roofs using them |
US20090242010A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Method to Form a Photovoltaic Cell Comprising a Thin Lamina Bonded to a Discrete Receiver Element |
EP2288577A1 (de) * | 2008-06-03 | 2011-03-02 | Basf Se | Titandioxid-zusammensetzung, die titandioxidnanoteilchen enthält, ihre herstellung und verwendung |
JP2010095655A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Fujifilm Corp | 防カビ作用を有する親水性組成物及び親水性部材 |
-
2010
- 2010-04-20 IT ITMI2010A000670A patent/IT1399627B1/it active
-
2011
- 2011-04-19 US US13/641,516 patent/US9577128B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-19 CA CA2796582A patent/CA2796582A1/en not_active Abandoned
- 2011-04-19 EP EP11729704A patent/EP2561551A1/en not_active Withdrawn
- 2011-04-19 WO PCT/IB2011/051689 patent/WO2011132143A1/en active Application Filing
- 2011-04-19 MA MA35364A patent/MA34228B1/fr unknown
-
2012
- 2012-10-16 EG EG2012101774A patent/EG27035A/xx active
-
2017
- 2017-01-10 US US15/402,711 patent/US20170148939A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040031219A1 (en) * | 2002-08-16 | 2004-02-19 | Banister Mark P. | Multi-use electric tile modules |
US20090133749A1 (en) * | 2005-07-22 | 2009-05-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Chalcopyrite Solar Cell |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
FELEKOGLU ET AL: "Effects of PSD and surface morphology of micro-aggregates on admixture requirement and mechanical performance of micro-concrete", CEMENT AND CONCRETE COMPOSITES, ELSEVIER APPLIED SCIENCE, BARKING, GB, vol. 29, no. 6, 6 May 2007 (2007-05-06), pages 481 - 489, XP022063622, ISSN: 0958-9465, DOI: DOI:10.1016/J.CEMCONCOMP.2006.12.008 * |
LAUERMANN I ET AL: "CuInS2-BASED THIN FILM SOLAR CELLS ON ROOF TILE SUBSTRATES", 17TH. E.C. PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE. MUNICH, GERMANY, OCT. 22 - 26, 2001; [PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE], MUNICH : WIP-RENEWABLE ENERGIES, DE, vol. CONF. 17, 22 October 2001 (2001-10-22), pages 1163 - 1165, XP001139647, ISBN: 978-3-936338-08-9 * |
MILLER ET AL: "Surface roughness criteria for cement paste nanoindentation", CEMENT AND CONCRETE RESEARCH, PERGAMON PRESS, ELMSFORD, NY, US, vol. 38, no. 4, 10 January 2008 (2008-01-10), pages 467 - 476, XP022505270, ISSN: 0008-8846, DOI: DOI:10.1016/J.CEMCONRES.2007.11.014 * |
ROBERTA ALFANI ET AL: "The use of the capillary rheometer for the rheological evaluation of extrudable cement-based materials", RHEOLOGICA ACTA, SPRINGER-VERLAG, DE, vol. 46, no. 5, 2 February 2007 (2007-02-02), pages 703 - 709, XP019516534, ISSN: 1435-1528, DOI: DOI:10.1007/S00397-007-0164-0 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ITMI20111950A1 (it) * | 2011-10-27 | 2013-04-28 | Italcementi Spa | Preparazione di manufatti cementizi ad alta finitura superficiale per utilizzo in dispositivi elettrici |
WO2013060477A1 (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | Italcementi S.P.A. | Preparation of cementitious articles with a high surface finish for use in electrical devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011132143A1 (en) | 2011-10-27 |
CA2796582A1 (en) | 2011-10-27 |
US9577128B2 (en) | 2017-02-21 |
IT1399627B1 (it) | 2013-04-26 |
MA34228B1 (fr) | 2013-05-02 |
EG27035A (en) | 2015-04-14 |
US20170148939A1 (en) | 2017-05-25 |
US20130034691A1 (en) | 2013-02-07 |
EP2561551A1 (en) | 2013-02-27 |
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