IT8224209A1 - Diodo semiconduttore - Google Patents

Diodo semiconduttore

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IT8224209A1
IT8224209A1 ITMI1982A024209A IT2420982A IT8224209A1 IT 8224209 A1 IT8224209 A1 IT 8224209A1 IT MI1982A024209 A ITMI1982A024209 A IT MI1982A024209A IT 2420982 A IT2420982 A IT 2420982A IT 8224209 A1 IT8224209 A1 IT 8224209A1
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IT
Italy
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propellant
tank
satellite
tanks
forces
Prior art date
Application number
ITMI1982A024209A
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IT8224209A0 (it
IT1153012B (it
Original Assignee
Bosch Gmbh Robert
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bosch Gmbh Robert filed Critical Bosch Gmbh Robert
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Publication of IT8224209A1 publication Critical patent/IT8224209A1/it
Application granted granted Critical
Publication of IT1153012B publication Critical patent/IT1153012B/it

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/20—Breakdown diodes, e.g. avalanche diodes
    • H10D8/25—Zener diodes 

Landscapes

  • Control Of Charge By Means Of Generators (AREA)
  • Control Of Position, Course, Altitude, Or Attitude Of Moving Bodies (AREA)
  • Radio Relay Systems (AREA)
  • Toys (AREA)
  • Synchronous Machinery (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

' di^Jaumann & ?.9JUC.
MILANO- 3.za Castello n.2
per propellente secondo l'invenzione sono indicate dettagliatamente nelle rivendicazioni. In particolare si sfrutta il fenomeno fisico, secondo ? cui nello spazio almeno approssimativamente senza gravit? la tensione superficiale di liquidi as?ume valori considerevoli, laddove queste forze vengono sfruttate per orientare stabilmente il propellente in parti del serbatotio previste a tale scopo e inoltre impedire l'irruzione di holle di gas nel propellente attraverso i previsti vagli a maglie strette, che sono bagnati da un liquido.
La suddivisione del serbatoio per propellente secondo l'invenzione in due vani ?
parziali di differente volume corrisponde all'usua le esigenza di trasportare in questi serbatoi sia il propellente per la manovra allijppogeo sia il propellente per il funzionamento del satellite in orbita. In particolare il contenuto del serbatoio del vano parziale pi? grande serve all'attuazione della manovra per arrivare all'apogeo, in cui si rendono necessarie quantit? di propellente relativamente grandi, laddove contemporaneamente pr?prio con questa manovra per arrivare all'apogeo e con la accelerazione che si verifica in tal caso ? garantito un determinato orientamento del pr?
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MILANO- 3.za Castello n.2
per propellente secondo l'invenzione sono indicate dettagliatamente nelle rivendicazioni. In particolare si sfrutta il fenomeno fisico, secondo ? cui nello spazio almeno approssimativamente senza gravit? la tensione superficiale di liquidi as?ume valori considerevoli, laddove queste forze vengono sfruttate per orientare stabilmente il propellente in parti del serbatotio previste a tale scopo e inoltre impedire l'irruzione di holle di gas nel propellente attraverso i previsti vagli a maglie strette, che sono bagnati da un liquido.
La suddivisione del serbatoio per propellente secondo l'invenzione in due vani ?
parziali di differente volume corrisponde all'usua le esigenza di trasportare in questi serbatoi sia il propellente per la manovra allijppogeo sia il propellente per il funzionamento del satellite in orbita. In particolare il contenuto del serbatoio del vano parziale pi? grande serve all'attuazione della manovra per arrivare all'apogeo, in cui si rendono necessarie quantit? di propellente relativamente grandi, laddove contemporaneamente pr?prio con questa manovra per arrivare all'apogeo e con la accelerazione che si verifica in tal caso ? garantito un determinato orientamento del pr?
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MILANO- 3.za Castello n.2
per propellente secondo l'invenzione sono indicate dettagliatamente nelle rivendicazioni. In particolare si sfrutta il fenomeno fisico, secondo ? cui nello spazio almeno approssimativamente senza gravit? la tensione superficiale di liquidi as?ume valori considerevoli, laddove queste forze vengono sfruttate per orientare stabilmente il propellente in parti del serbatotio previste a tale scopo e inoltre impedire l'irruzione di holle di gas nel propellente attraverso i previsti vagli a maglie strette, che sono bagnati da un liquido.
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per propellente secondo l'invenzione sono indicate dettagliatamente nelle rivendicazioni. In particolare si sfrutta il fenomeno fisico, secondo ? cui nello spazio almeno approssimativamente senza gravit? la tensione superficiale di liquidi as?ume valori considerevoli, laddove queste forze vengono sfruttate per orientare stabilmente il propellente in parti del serbatotio previste a tale scopo e inoltre impedire l'irruzione di holle di gas nel propellente attraverso i previsti vagli a maglie strette, che sono bagnati da un liquido.
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parziali di differente volume corrisponde all'usua le esigenza di trasportare in questi serbatoi sia il propellente per la manovra allijppogeo sia il propellente per il funzionamento del satellite in orbita. In particolare il contenuto del serbatoio del vano parziale pi? grande serve all'attuazione della manovra per arrivare all'apogeo, in cui si rendono necessarie quantit? di propellente relativamente grandi, laddove contemporaneamente pr?prio con questa manovra per arrivare all'apogeo e con la accelerazione che si verifica in tal caso ? garantito un determinato orientamento del pr?
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IT24209/82A 1981-11-25 1982-11-12 Diodo semiconduttore IT1153012B (it)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813146609 DE3146609A1 (de) 1981-11-25 1981-11-25 Halbleiterdiode

Publications (3)

Publication Number Publication Date
IT8224209A0 IT8224209A0 (it) 1982-11-12
IT8224209A1 true IT8224209A1 (it) 1984-05-12
IT1153012B IT1153012B (it) 1987-01-14

Family

ID=6147111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IT24209/82A IT1153012B (it) 1981-11-25 1982-11-12 Diodo semiconduttore

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0094941A1 (it)
JP (1) JPS58502029A (it)
AU (1) AU8906282A (it)
DE (1) DE3146609A1 (it)
IT (1) IT1153012B (it)
WO (1) WO1983002036A1 (it)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3435464A1 (de) * 1984-09-27 1986-04-10 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Gleichrichterdiode

Family Cites Families (4)

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US4138280A (en) * 1978-02-02 1979-02-06 International Rectifier Corporation Method of manufacture of zener diodes
DE2916114A1 (de) * 1978-04-21 1979-10-31 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung
DE2928758A1 (de) * 1979-07-17 1981-02-05 Bosch Gmbh Robert Planare zenerdiode

Also Published As

Publication number Publication date
EP0094941A1 (de) 1983-11-30
IT8224209A0 (it) 1982-11-12
DE3146609A1 (de) 1983-07-07
AU8906282A (en) 1983-06-17
IT1153012B (it) 1987-01-14
JPS58502029A (ja) 1983-11-24
WO1983002036A1 (fr) 1983-06-09

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