DE3146609A1 - Halbleiterdiode - Google Patents
HalbleiterdiodeInfo
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
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Description
- Halbleiterdiode
- Stand der Technik Die Erfindung geht aus von einer Halbleiterdiode nach der Gattung des Hauptanspruchs.
- Halbleiterdioden dieser Art sind bereits bekannt.
- + + Solche Dioden können entweder die Zonenfolge p pn + + oder p nn haben. Die US-PS 3 949 120 zeigt bei-+ + spielsweise eine Halbleiterdiode mit p pn -Struktur.
- Bei diesen bekannten Dioden sind die drei auSeinanderfolgenden Zonen so niedrig dotiert, daß deren Durchbruchsspannung und deren Durchlaßverluste für viele Anwendungszwecke, insbesondere im Kraftfahrzeug-Drehstromgenerator, zu hoch sind.
- Vorteile der Erfindung Die erfindungsgemäße Halbleiterdiode mit den kennzeichnenden Merkmalen des Xauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß die Durchlaßverluste gegenüber üblichen Dreischichtdioden deutlich reduziert sind. Daher ist die erfindungsgemäße Diode zum Einsatz bei hohen Umgebungstemperaturen, z. B. als Hauptstromdiode im Kraftfahrzeug-Drehstromgenerator, besonders geeignet. Die erfindungsgemäße Halbleiterdiode besitzt eine niedrige Durchbruchspannung und eine hohe Belastbarkeit im Durchbruchgebiet, was sich insbesosdere im Störfall "batterieloser Betrieb günstig auswirkt. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 3 bringt den zusätzlichen Vorteil ungewöhnlich niedriger Kosten, geringer Toleranzen und hoher Fertigungssicherheit.
- Zeichnung Zwei Ausführungsbeispiele von Halbleiterdioden gemäß der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
- Es zeigen: Figur 1 einen Schnitt durch das erste Ausführungsbeispiel und Figur 2 einen Schnitt durch das zweite Ausführungsbeispiel.
- Beschreibung der Ausführungsbeispiele Figur 1 zeigt das erste Ausführungsbeispiel. In ein Halbleitersubstrat 1 mit p +-Leitfähigkeit ist von oben oben her eine p -leitfähige Zone 11 und von unten ++ her eine n -leitfähige Zone 13 eindiffundiert. Der verbleibende p -leitfähige mittlere Bereich des Substrats 1 ist mit 12 bezeichnet. Auf das Substrat 1 ist nach der Diffusion an beiden Oberflächenseiten eine Kontaktmetallisierung 4 ~aufgebracht.
- Das Ausführungsbeispiel nach'Figur 2 unterscheidet sich von demjenigen nach Figur 1 lediglich dadurch, daß das als Ausgangsmaterial dienende Substrat 1 und damit bei der fertigen Diode die mittlere Zone 12 aus n -leitfähigem Material besteht.
- Bei beiden Ausführungsbeispielen sind die drei aufeinanderfolgenden Zonen 11, 12, 13 derart hoch dotiert, daß sich eine Durchbruchsspannung zwischen 17 und 24 Volt ergibt. Die Dotierung der mittleren, + bzw. leitfähigen Zone 12 ist dabei größer oder 18 3 gleich 10 /cm3.
- Zu Erzielung einer hohen und gleichmäßigen Dotierung ++ ++ der beiden äußeren, p - bzw. n -leitfähigen Zonen 11 und 13 werden diese Zonen in einem Verfahrensschritt unter Verwendung von festen Dotierstoffquellen hergestellt.
- Die erfindungsgemäße Halbleiterdiode ist vorzüglich als Begrenzerdiode zur Spannungsbegrenzung geeignet.
- Sie eignet sich besonders gut als Hauptstromdiode in einem Kraftfahrzeug-Drehstromgenerator.
- Leerseite
Claims (5)
- Ansprüche 1. Halbleiterdiode mit drei aufeinanderfolgenden, unterschiedlich dotierten Zonen (11, 12, 13), dadurch gekennzeichnet, daß die Zonenfolge p++ p+n ++ durch gekennzeichnet, daß die Zonenfolge p++ p n ++ + ++ oder p n n ist und daß die drei aufeinanderfolgenden Zonen (11, 12, 13) derart hoch dotiert sind, daß sich eine Durchbruehsspannung zwischen 17 und 24 Volt ergibt.
- 2. Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dotierung der mittleren, p - bzw.18 3 n -leitfähigen Zone (12) größer oder gleich 10 /cm³ ist.
- 3. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung einer hohen und gleichmäßigen Dotierung ++ ++ der äußeren, p - bzw. n -leitfähigen Zonen (11, 13) diese Zonen (11, 13) in einem Verfahrensschritt unter Verwendung von festen Dotierstoffquellen hergestellt werden.
- 4. Verwendung einer Halbleiterdiode nach Anspruch 1 oder 2 als Begrenzerdiode zur Spannungsbegrenzung.
- 5. Verwendung einer Halbleiterdiode nach Anspruch 1 oder 2 als Hauptstromdiode in einem Kraftfahrzeug-Drehstromgenerator.
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1982
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- 1982-11-12 IT IT24209/82A patent/IT1153012B/it active
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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