IT8224149A1 - Ricevitore a modulazione di frequenza impiegante un rivelatore a rapporto con diodi al silicio - Google Patents

Description

DOCUMENTAZIONE

RILEGATA

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Descrizione di una invenzione avente titolo:

"RICEVITORE A MODULAZIONE DI FREQUENZA IMPIEGANTE UN RI-VELATORE A RAPPORTO CON DIODI AL SILICIO"

M 1984 NG/bf A nome: N.V. PHILIPS1 GLOEILAMPENFABRIEKEN di nazionalit? olandese,con sede in EINDHOVEN (Paesi Bassi), ed elettivamente domiciliata presso il mandatario Ufficio Brevetti ing.A.GIAMBROCONO & C. S.r.1. via Rosolino Pilo 19/b - Milano.

Depositato il io NOV.1982 al n? 241 4 9 A/ 32

RIASSUNTO

Ricevitore a modulazione di frequenza FM c

i un canale FM accoppiato ad un ingresso d'antenna (Bb^),

il canale FM comprendendo successivamente uno stadio di ingresso a radio frequenza e uno stadio miscelatore (B),i un circuito a frequenza intermedia (A) ed un rivelatore j a rapporto (R),il quale rivelatore a rapporto include j diodi rivelatori al silicio come pure un condensatore dij livellamento collegato conduttivamente ai diodi ri- ! velatori per una limitazione dell'ampiezza dinamica del i

1 segnale d'uscita del rivelatore a rapporto in dipenden- j za dalla ampiezza del segnale d'ingresso del rivelatore j

i a rapporto. Per impedire ai diodi al silicio di essere { bloccati a segnali inferiori alla tensione di soglia,

una tensione di polarizzazione deve essere applicata ai

_JLS-e

2

.? o? diodi al silicio. Secondo l'invenzione ci? ? realizzato

'1MBBOc< tramite una rivelazione dei picchi di una tensione di ru

more applicata ai diodi al silicio dei circuiti rivelato

ri del rivelatore a rapporto. Questa tensione di rumore

? predominantemente ottenuta amplificando,nel circuito

a frequenza intermedia,il rumore prodotto nello stadio

di ingresso di frequenza intermedia o-IF, ?ntro la banda passante di frequenza intermedia (figura 3).

DESCRIZIONE

La presente invenzione riguarda un ricevitore a modulazione di frequenza o FM comprendente un canale FM accoppiato ad un ingresso d'antenna, il canale FM comprendendo,in successione,uno stadio d'ingresso a radio frequenza, uno stadio miscelatore, un circuito a frequenza intermedia ed un rivelatore a rapporto, il rivelatore a

rapporto includendo diodi al silicio per la rivelazione

di un segnale FM in detto canale FM,come pure un condensatore di livellamento,il quale ? collegato in modo con-I

duttivo a detti diodi per una limitazione della ampiezza

dinamica del segnale di uscita del rivelatore a rapporto

in dipendenza dall'ampiezza del segnale d'ingresso del

rivelatore a rapporto.

Un ricevitore FM di questo tipo ? impiegato nel ricevitore televisivo tipo R 17 B 720 della Philips, ed ?

pubblicato in forma stampata nel manuale di esso.

In pratica, pu? aver luogo una indesiderata modulazi? ne d'ampiezza del segnale FM da trattare in un ricevitore FM, a causa, inter alia, del rumore di trasmissione, della ricezione su pi? percorsi, di uno svantaggioso posizionamento del trasmettitore, di frequenza di trasmettitori indesiderati vicine alla frequenza portante del segnale desiderato allora presente, di rivelazione dei bordi sui bordi laterali della risposta di passa banda di frequenza intermedia, ecc. Nel ricevitore FM noto, questa modulazione d'ampiezza indesiderata ? predominantemente soppressa ai grandi segnali di ingresso tramite limitazione in ampiezza del segnale di uscita del circuito FM e, ai piccoli segnali di ingresso, tramite integrazione a mezzo del condensatore di livellamento de rivelatore a rapporto.

L'ampiezza del segnale di ingresso alla quale inizia l'azione di limitazione negli stadi amplificatori/ limitatori del circuito IF, determina la sensibilit? di ingresso del ricevitore FM. Se questa ampiezza ? piccola, allora la sensibilit? di ingresso ? elevata e viceversa. Il rivelatore a rapporto del ricevitore FM della tecnica nota, prevede una bassa sensibilit? di ingresso, mantenendo nel contempo una soppressione delle variazio ni d'ampiezza, anche a quei segnali d'ingresso per i qua li gli stadi amplificatori/limitatori del circuito IF ?/ non sono limitanti. Conseguentemente, il ricevitore FM della tecnica nota ? piuttosto insensibile a interferen ze dovute, ad esempio, al rumore e/o a rapide fluttuazioni dell'intensit? di campo, anche quando sono ricevu ti piccoli segnali, il che ? di particolare importanza nella ricezione FM mobile. Esso evidenzia pure un compor tamento di sintonizzazione non aggressivo senza la neces sita di avere circuiti addizionali, come ad esempio un circuito di ammutolimento.

Allo stato attuale della tecnica, tuttavia, ? costoso e complesso realizzare adeguatamente una elaborazione di segnali piccoli in un rivelatore a rapporto. Nel rivelatore a rapporto del ricevitore FM noto, in qualit? di diodi rivelatori sono impiegati dodi al silicio. Come ? noto, i diodi al silicio possiedono una tensione di soglia, la quale, in.dipendenza inter alia dalla configurazione e dall'area superficiale dei diodi, pu? essere compresa fra 450 e 700 mV. Al fine di ottenere una rivelazione cor retta di segnali FM aventi una ampiezza minore di questa tensione di soglia, i diodi al silicio del rivelatore a rapporto devono rimanere nello stato conduttivo anche pe;* queste piccole ampiezze dei segnali. Nel ricevitore FM noto ci? ? realizzato tramite un circuito di polarizzazione il quale applica una corrente di polarizzazione ai citati diodi al silicio. Questo circuito di po

# i \c\ larizzazione, tuttavia, ? costoso e complesso. In aggiun ?? \ ve,' ta, le correnti di polarizzazione dei diodi introducono nello stato sintonizzato una componente di tensione continua indesiderata nella tensione di uscita del rivelatore a rapporto, in conseguenza della qual cosa questa tensione di uscita non ? adatta per il controllo automatico di frequenza o AFC.

E' pure noto impiegare diodi al germanio in qualit? dei diodi di rivelazione. Poich? i diodi al germanio pre sentano una tensione di soglia molto pi? bassa di quella dei diodi al silicio, l'impiego di un circuito di polarizzazione non ? necessario. Tuttavia, i diodi al germanio son? molto pi? costosi dei diodi al silicio. In aggiunta, diversamente dai diodi al silicio, essi non sono integrabili.

Uno scopo della presente invenzione ? quello di forni re un ricevitore FM,il quale, rispetto al ricevitore FM della tecnica nota,possa essere realizzato in modo pi? semplice e pi? economico ed abbia almeno le medesime pr? priet? vantaggiose.

Secondo l'invenzione, un ricevitore FM del tipo descr to nel paragrafo iniziale ? caratterizzato dal fatto che il rumore generato nella parte del canale FM precedente i diodi rivelatori al silicio del rivelatore a rapporto applica ai diodi una tensione di rumore media,la quale corrisponde alla tensione di soglia dei diodi rivelatori

AfBRO1 c al silicio ed una corrente di rumore media,la quale ? uguale alla corrente diretta dei diodi, tale corrente di rumore media producendo una tensione continua deviante

da zero attraverso il condensatore di livellamento.

L?invenzione ? basata sul riconoscimento del fatto eh

il rumore minimo richiesto sui diodi al silicio per una adeguata polarizzazione dei diodi non riduce in modo necessariamente apprezzabile il rapporto segnale/rumore

del ricevitore FM nel suo complesso.

Quando viene sfruttato il provvedimento secondo l'invenzione, la tensione di rumore applicata ai diodi al si licio del rivelatore a rapporto determina, tramite rivelazione di picco attraverso i circuiti di rivelazione sujc cessivi ai diodi al silicio, una tensione continua che ? almeno uguale alla tensione di soglia di tali diodi al silicio. In conseguenza di ci?, questi diodi al silicio rimangono conduttori, senza una corrente di polarizzazio

ne addizionale, anche per piccolissime ampiezze dei segnali. Ci? garantisce, specificatamente per quei segnali

che non sono limitati nella porzione IF fuori della limi fazione, da un lato una rivelazione appropriata e, dallo altro, una limitazione d?ampiezza dinamica effettiva e continuamente operativa. In aggiunta, poich? non vi ? corrente di polarizzazione addizionale, la tensione di

uscita del rivelatore a rapporto risulta adatta per il _ '?^????^' controllo automatico di frequenza, ed il ricevitore FM

secondo la presente invenzione pu? essere realizzato in

modo semplice ed economico.

L?impiego di diodi al silicio in un rivelatore a rapporto senza circuito di polarizzazione, ? gi? di per se

noto dall'articolo intitolato "Super high quality FM-detector and its development process" di S. Inoue e Y.

Isa, pubblicato in "I.E.E.E. Transactions on Consumer Electronics?, Volume CE-24, N. 3, Agosto 1978, alle pagi

ne 226-234. La sensibilit? del ricevitore FM in cui ?

impiegato questo rivelatore a rapporto della tecnica nota, ? tuttavia molto alta, per cui le variazioni di ampiezza sono soppresse solo tramite una limitazione del s

gnale di uscita dallo stadio a frequenza intermedia. 1

segnali IF-FM applicati al rivelatore a rapporto raggiun

gono perci? il valore di limite o limitazione massimo gi?

a piccolissime ampiezze di ingresso e, durante 1*impie

go normale, superano sempre la tensione di soglia dei dia

di al silicio. I problemi relativi alla rivelazione e al

la limitazione di piccoli segnali come essi si verifican? nello stato della tecnica per primo menzionato, in que

sto caso non si verificano. L'articolo non contiene tuttavia nessuna indicazione relativamente al fatto che qu?

sti problemi possono essere risolti dimensionando la perdio

ne del canale FM precedente i diodi al silicio del rivelatore a rapporto, relativamente al.rumore, in conformit? alla presente invenzione.

Una forma di realizzazione preferita del ricevitore FM secondo l'invenzione ? caratterizzata dal fatto che il fatt?re di rumore in corrispondenza dell'ingresso RF ? di almeno 4 dB, la larghezza di banda a 3 dB del circuito IF ? di almeno 100 kHz e la sensibilit? di ingre^ so ha un valore inferiore a 30^uV/3 dB.

Quando viene impiegato questo provvedimento, il rumore generato nello stadio di ingresso a radio frequenza entro la banda passante IF ? adeguatamente amplificato cosi da produrre in corrispondenza dei diodi al silicio del rivelatore a rapporto, una tensione continua che ha almeno lo stesso valore della tensione di soglia di que sti diodi al silicio.

Una ulteriore forma di realizzazione preferita ? caratterizzata dal fatto che il fattore di rumore dello stadio di ingresso a radio frequenza ? di 5 dB, la larghezza di banda a 3 dB del circuito IF ? di 150 kHz, e la sensibilit? di ingresso ha un valore di 10 ^uV/3 dB.

Quando viene impiegato questo provvedimento, il ricevitore FM risulta particolarmente adatto per l'impiego come una autoradio:

L'invenzione sar? ora ulteriormente descritta facendo riferimento alle figure illustrate a titolo esemplificativo nei disegni acclusi.

Nei disegni:

La figura 1 illustra lo schema circuitale di un circuito IF e di un rivelatore a rapporto per l'impiego in un ri-

La figura 2 illustra alcune curve in cui la variazio-

rapporto ? rappresentata graficamente come una funzione

to quando sono impiegati diodi al germanio e, dall'altro quando sono impiegati diodi al silicio;

La figura 4 illustra alcune curve in cui ? rappresentato il comportamento del ricevitore FM secondo l'inven-

funzione di un segnale di prova in corrispondenza dello

al germanio.

to da A, del tipo TEA 5560 avente terminali o piedini da dei terminali o piedini corrispondono ai numeri di rife rimento dei terminali forniti nel manuale associato a

il terminale a

alimentazione compresa fra 10,2 e 16 V ? applicata al terminale a attraverso un terminale di alimentazione

nata a massa attraverso un condensatore C Il terminale aq ? collegato ad una tensione di alimentazione stabilizzata a 8 V, prodotta mediante il circuito IF A ed a un condensatore di disaccoppiamento C

massa. Il terminale a

quale ? esso stesso collegato al terminale a tramite un condensatore di disaccoppiamento C_. Il terminale a

terminale a.

re ed ? collegato in alternata attraverso un conden satore C collegato a massa.

Il terminale a che forma il terminale di uscita del

gresso 7 del rivelatore a rapporto R. Il rivelatore a rap porto R comprende due disposizioni a bobine di rivelazio?yo\

'??A?i?0(?>'' ne Lj e L che sono collegate all'ingresso 7 e sono inte collegate nel modo illustrato, e di per se noto, in

"Philips Data Handbpok - Electronic Componente and Mate rials", Parte 5B, del Marzo 1977, impegando i condensato

ri C^, Cg e . La disposizione a bobina di rivelazione

L ha due uscite che sono collegate conduttivamente in

modo noto tramite rispettivi diodi al silicio e D eh

sono disposti in opposizione di fase, da un lato, ad un condensatore di livellamento disposto tra i due dioc

al silicio e D per una limitazione dinamica d'ampiez

za e, dall'altro,ai circuiti di rivelazione R^, ed

R^, rispettivamente per la rivelazione dei segnali

FM.

I resistor! R,. e R^ sono collegati a massa ed i condensatori C e sono collegati da un lato ad una uscita 2 del rivelatore a rapporto R attraverso una rete

RC- ? formata da un 4resistore serie R^, due condensatori

^14 6 ^15 disP?sti su entrambi i lati del resistore tipc

serie R^, come pure un resistore di carico Rg il quale,

per una misurazione adeguata, ? disposto in parallelo al condensatore C^,. e, dall'altro lato, ad una uscita AFC, indicata da 3.

In una forma di realizzazione pratica, i diodi al si*

licio e D sono del tipo BA 316 ed hanno una tensio*

he di soglia di approssimativamente 450 mV. Le disposizioni a bobine di rivelazione L1 e L_ sono del tipo 3122 138.20211 e 3122138.20212, rispettivamente. I resistor! ed i condensatori impiegati hanno i seguenti valori: Resistor! Valore ) Condensatori Valore (F)

Considerato di per se stesso, il funzionamento del circuito IF A e del rivelatore a rapporto R relativamen te alla limitazione delle variazioni d'ampiezza e nella rivelazione FM, corrisponde predominantemente al funzio namento dei circuiti corrispondenti del ricevitore FM

un circuito di polarizzazione. Questo funzionamento pu? perci? essere ritenuto noto.

La sensibilit?'di ingresso del circuito IF A viene re golata, nel modo che sar? descritto con riferimento alla Figura. 3, a 150 ^uV/3 dB. Ci? significa che per un segna le di ingresso IF di 150 ^uV, l?ampiezza del segnale di uscita IF sul terminale di uscita a^ ? inferiore per met?, ossia 3 dB, dell'ampiezza alla piena limitazione.

La figura 2 rappresenta tramite la curva I quando in qualit? dei diodi e sono impiegati diodi al germanio del tipo AA 119, e, tramite la curva tratteggiata II rappresenta quando in qualit? dei diodi ?e sono impiegati diodi al silicio di detto tipo BA 316, la variazione delle ampiezze del segnale di uscita del rivelatori a rapporto R sull'uscita 2 in funzione dell'ampiezza di un segnale di prova di ingresso IF-FM applicato al termi naie di ingresso a^ del circuito IF A attraverso il condensatore di accoppiamento C^, questo segnale di prova d'ingresso avendo una frequenza centrale di 10,7 MHz, un spostamento di frequenza di 22,5 kHz ed una frequenza di modulazione di 1 kHz. In aggiunta al segnale di modulazib ne, questo segnale di uscita comprende pure il rumore pra dotto nel circuito IF A e nel rivelatore a rapporto A, a( esempio a causa dell'effetto termico o emissione dei dio di.

La medesima procedura descritta nel paragrafo preceder! te viene realizzata con un segnale di prova d'ingresso

IF da 10,7 MHz non modulato. La Curva III rappresenta, come una funzione dell'ampiezza del segnale di prova di ingresso IF da 10,7 MHz non modulato, la variazione dell'ampiezza di rumore sull'uscita 2 del rivelatore a rapporto R quando in qualit? dei diodi rivelatori e D?

sono impiegati diodi al germanio, mentre la - curva tratteggiata IV rappresenta la medesima variazione quando ne rivelatore a rapporto R sono impiegati diodi al silicio.

Al disotto di valori d'ingresso di 40 ^uV, possono es sere chiaramente osservati l'effetto della bassa tensioni di soglia dei diodi al germanio (approssimativamente 200 mV) e l?effetto dell'alta tensione di soglia dei diodi

al silicio (approssimativamente 450 mV). Quando vengono impiegati diodi al germanio, una rivelazione FM adeguata ? garantita ad una ampiezza decrescente, fino a..quando il se gnale non scompare nel rumore , ad approssimativamente

1 yuV. Quando sono impiegati diodi al silicio, l'ampiezza del segnale di uscita del rivelatore a rapporto diminuisce abbastanza rapidamente al disotto di ampiezze del segnai ? di ingresso di 40 ^uV, poich? i diodi al silicio vengono inter detti. In risposta a ci?, ad . una ampiezza di ingresso ulteriormente crescente, il livello delrumore dapprima aumenta al-quanto e, successivamente, al disotto di una ampiezza d'ingresso di approssimativamente 15 ^uV, esso

/&/ \

15 ,s>/

???\ diminuisce rapidamente. L'assenza di un provvedimento

't?AfBROSr'' mantenere i diodi al silicio e D allo stato conduttore, anche per piccoli segnali, rende conseguentemente impossibile una rivelazione appropriata dei piccoli segnai!.

La figura 3 illustra un ricevitore FM secondo l'invenzione, in cui sono inclusi il circuito IF A ed il rivelatore a rapporto R con diodi al silicio e D^. Gli elementi corrispondenti agli elementi di Figura 1 sono statL contrassegnati dai medesimi numeri di riferimenti. Il ricevitore FM comprende uno studio di ingresso RF e miscelatore B del tipo MMK 11E11, marca ALPS,che ha un Ingres

so d?antenna b^, un terminale d'alimentazione b ? un ter minale di uscita b_, un terminale di massa b. ed un terminaie d'ingresso AFC, b,..

Tramite un primo filtro ceramico IF F^, il terminale

di uscita b^ viene collegato alla base di un transistor

T^. Questo transistoreTj ? impiegato per regolare la sen sibilit? di ingresso del ricevitore FM e per compensare

le perdite nel filtr? IF F^e in un secondo filtro cerami

co IF, indicato da F . Il collettore del transistor ? collegato al terminale d'ingresso a^ del circuito IF A

tramite il secondo filtro IF, Fj. L'uscita 2 del rivelatore a rapporto R ? collegata ad un decodificatore stefea

SD il quale applica segnali stereofonici di sinistra e di destra agli altoparlanti di sinistra e di destra L e R attraverso gli amplificatori audio di sinistra e di destra A^ e A^.

Gli altri elementi rappresentati sono impiegati per una regolazione adeguata di detti circuiti* In tal modo, il terminale di alimentazione ? collegato ad un ingresso di alimentazione 6 attraverso un filtro di livellamento LC ed il terminale d'ingresso AFC ? collegato nel modo rappresentato all'uscita AFC 3 del rivelatore a rapporto R tramite i resistor! R^ ? ^13 e ^i4,un

tore d'ampiezza a diodi D^, e condensatori C2Q e messi a massa. Tramite resistor! e Rg, la base del transistor ? collegata al collettore, tale collettore essendo collegato all'ingresso di alimentazione 6 attraverso resistori R. e R? di collettore. Tramite un resistore di emettitore variabile R^ , l'emettitore del transistore T^ ? collegato a massa, il resistore di emettitore essendo impiegato per regolare il guadagno del transistore^ e conseguentemente la sensibilit? di ingres so del ricevitore FM. I resistori Rg e R^Q sono collegati a massa tramite un condensatore C^g messo a massa ed i resistori R2 e R^ sono collegati a massa tramite un condensatore C Q messo a massa.

In una forma di realizzazione pratica, il fattore di rumore dell'ingresso RF dello stadio miscelatore B era di 5 dB; la larghezza di banda IF a 3 dB dei filtri cera mici F1 e F9 era di 150 kHz; e la sensibilit? di ingres

so del ricevitore FM era di 10 /uV/3dB. Conseguentemen-

datto per l'impiego come un ricevitore FM mobile.

I due filtri ceramici F e F~ erano del tipo BF 240 e

i diodi D- e D. del limitatore d'ampiezza diodi erano deL tipo BA 315. Come si ? detto precedentemente, i diodi ri-

no del tipo BA 316.

I valori degli altri elementi erano:

Resistor! Valore fri) Condensatori Valore(F) Bobine Va Lore(H)

470(mas

simo)

so b? dello stadio d'ingresso a radio frequenza e miscelatore B viene filtrato, amplificato e miscelato in modo noto con una frequenza centrale od intermedia di 10, 7

MHz. Il segnale modulato in frequenza ed a frequenza int?r IF e regolato ad un livello d'ampiezza predeterminato ?AfSROCj tramite il transistore per la regolazione della sensjL bilit? d'ingresso desiderata. Successivamente una ulteriore selezione IF viene effettuata nel filtro IF F ed

il segnale IF viene elaborato nel modo che ? stato descritto precedentemente per formare segnali stereo afre

quenza audio di sinistra e di destra.

Nella forma di realizzazione rappresentata, il fatt?

re di rumore del terminale di ingresso RF era, come si

? gi? detto, di 5 dB. Il rumore d'ingresso RF era quindi di 0,66^uV, e sul condensatore di livellamento

era misurata una tensione di 2 mV. Da ci? si pu? conclu

dere che in queste circostanze i diodi al silicio e

D erano conduttori e che conseguentemente vi era una polarizzazione attraverso ciascuno dei circuiti di rivelazione R^, C e ci corrispondente ad una tensione di soglia di almeno 450 mV. Partendo da ci?, il

guadagno complessivo dell'ingresso d'antenna b^ ai diodi rivelatori al silicio D^, D venne gradualmente ridotto finche la tensione sul condensatore di livellamento

non si riduceva a zero. Con questo guadagno ? stata misurata una sensibilit? di ingresso dell'intero ricevitore FM di approssimativamente 30 ^uV/3 dB.

Generalmente, ad una sensibilit? di ingresso minore

di 40^uV/3 dB, ossia ad un guadagno di rumore totale

l'ingresso d'antenna b^ ai diodi D^, D inferiore a 105 dB, un fattore di rumore dello stadio d'ingresso RF minore di 4 dB e una banda passante IF minore di 100 kHz, si produce un rumore insufficiente a mantenere nello sta to conduttore i diodi al silicio e D . Entro 1'inter vallo che ? definito da questi valori limite, pu? essere ottenuto un funzionamento adeguato della presente invenzione.

La quantit? di rumore applicata ai diodi e D del rivelatore a rapporto R ? predominantemente determinata dal rumore d'ingresso RF verificantesi in corrispondenza dello stadio di ingresso RF e il quale, dopo miscelazione, ? entro la banda passante IF dei filtri IF F. e F(| ed ? successivamente amplificato nel transistor e nel circuito IF A. La tensione di rumore richiesta per una sufficiente polarizzazione dei diodi pu? perci? essere oj. tenuta con combinazioni diverse di quantit? di rumore di ingresso, larghezza di banda IF e amplificazione IF. E' alternativamente possibile inserire rumore addizionale n<;1-la porzione del canale FM precedente i diodi e D in modo da realizzare la tensione di rumore richiesta. L'esper to del ramo potr? facilmente concepire strutture di ricevitore diverse rientranti nell'ambito della prima rivendi cazione, il rumore applicato ai diodi al silicio e pr?ducendo una polarizzazione ? - ^ che ? sufficiente* mente grande da mantenere i diodi nello stato conduttore anche per piccoli segnali.

In figura 4 ? rappresentato il comportamento del ricevitore FM illustrato nella figura 3, relativamente alle limitazioni di rivelazione, rumore ed ampiezza. La curva di misura V ? ottenuta misurando l'ampiezza del se gnale sull'uscita 2 del rivelatore a rapporto R in funzi3 ne di una variazione d'ampiezza di un segnale di prova FM applicato al terminale d'ingresso RF con una oscil lazione o spostamento di frequenza di 22,5 kHz ed una frequenza di modulazione di 1 kHz. La sensibilit? di ingresso del ricevitore FM ? stata regolata a 15^UV/3 dB. La medesima ? stata misurata in Figura 5 ma in tal caso impiegando diodi al germanio del tipo AA119 in qualit? di diodi rivelatori e D2, ed essendo rappresentata dalla curva di misura Vili. Nonostante la differenza nel^ la tensione di soglia fra i diodi al germanio ed i diodi al silicio, non ? stata trovata alcuna differenza apprez|-zabile nel comportamento di rivelazione.

La curva di misura VI della Figura 4 illustra la variazione dell'ampiezza del segnale di uscita del rivelatore a rapporto R per una variazione d'ampiezza di un segnale di misura RF non modulato, essendo impiegati diodi al silicio. La medesima cosa ? rappresentata tramite la curva di misura IX di Figura 5, per il caso dell'impiego .??

\?\ di diodi al germanio. Inoltre, relativamente al comporta

??AiBBOy? mento di rumore, l'impiego di diodi al germanio o al silicio non produce una differenza apprezzabile.

La medesima cosa si pu? concludere relativamente alla limitazione delle variazioni d'ampiezza. In Figura A, la

curva di misura VII illustra la variazione dell'entit?

delle modulazioni d'ampiezza del segnale di uscita e del rivelatore a rapporto R per una variazione d'ampiezza di

un segnale di prova RF che ? modulato in ampiezza tramite un indice di modulazione costante di 0,3, essendo impiegati diodi al silicio, e la Figura 5 illustra la mede

sima cosa tramite la curva di misura X per il caso in cu|i erano impiegati diodi al germanio.

Claims (3)

RIVENDICAZIONI

1. Ricevitore FM comprendente un canale FM accoppiato

ad un ingresso d'antenna, il canale FM comprendendo in successione uno stadio d'ingresso RF, uno stadio miscela

tore, un circuito IF e un rivelatore a rapporto, il rive

latore a rapporto includendo diodi al silicio per la rivelazione di un segnale F.M. in detto canale F.M. come

pure un condensatore di livellamento collegato conduttivam?nte a detti diodi per una limitazione d'ampiezza dinamica del segnale di uscita del rivelatore a.rapporto

in dipendenza .dall'ampiezza del segnale d'ingresso del rivelatore a rapporto, caratterizzato dal fatto che il

rumore generato nella parte del canale FM precedente i diodi rivelatori al silicio del rivelatore a rapporto ap plica ai diodi una tensione di rumore media la quale cor risponde alla tensione di soglia dei diodi rivelatori al silicio ed una corrente di rumore media,la quale ? uguale alla corrente diretta dei diodi, questa corrente di rumore media producendo una tensione continua deviente dallo zero sul condensatore di livellamento.

2. Ricevitore FM secondo la rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che il fattore di rumore in corrispondenza del terminale d'ingresso RF a radio frequenza ? di al11no 4 dB, la larghezza di banda del circuito IF o di frequenza intermedia ? di almeno 100 kHz, e la sensibili^ t? d'ingresso ha un valore che ? inferiore a 40 ^uV/3 dB ,

3. Ricevitore FM secondo la rivendicazione 2, caratterizzato dal latto che il fattore di rumore dello stadio diingresso IF ? di 5 dB, la larghezza di banda del circuito IF ? di 150 kHz e la sensibilit? di ingresso,^ di 10,uV/