FR2516725A1 - Recepteur pour modulation de frequence, muni d'un discriminateur de rapport a diodes en silicium - Google Patents

Abstract

RECEPTEUR POUR MODULATION DE FREQUENCE COMPORTANT UN CANAL DE MODULATION DE FREQUENCE QUI EST COUPLE A UNE ENTREE D'ANTENNE B ET DANS LEQUEL SONT BRANCHES L'UN A LA SUITE DE L'AUTRE UN ETAGE D'ENTREE HAUTE FREQUENCE B, UN ETAGE DE MELANGE DE FREQUENCE B, UN CIRCUIT DE FREQUENCE INTERMEDIAIRE A ET UN DISCRIMINATEUR DE RAPPORT R, CE DERNIER ETANT MUNI DE DIODES DE DETECTION EN SILICIUM D, D DE MEME QUE D'UN CONDENSATEUR DE NIVELLEMENT C QUI EST RACCORDE DE FACON GALVANIQUE AUXDITES DIODES D, D ET QUI SERT A LA LIMITATION D'AMPLITUDE DYNAMIQUE DU SIGNAL DE SORTIE DU DISCRIMINATEUR DE RAPPORT R EN FONCTION DE L'AMPLITUDE DU SIGNAL D'ENTREE DE CE DISCRIMINATEUR R. POUR EMPECHER LE BLOCAGE DES DIODES EN SILICIUM D, D DANS LE CAS DE SIGNAUX DONT L'AMPLITUDE EST INFERIEURE A LA TENSION DE SEUIL, IL IMPORTE D'APPLIQUER UNE TENSION DE POLARISATION AUX DIODES EN SILICIUM D, D. CONFORMEMENT A L'INVENTION, ON Y PARVIENT DU FAIT D'UNE DETECTION DE SOMMET D'UNE TENSION DE BRUIT QUI EST FOURNIE AUX DIODES EN SILICIUM D, D ET QUI EXISTE ENTRE LES EXTREMITES DES CIRCUITS DE DETECTION R, C; R, C DU DISCRIMINATEUR DE RAPPORT R. CETTE TENSION DE BRUIT S'OBTIENT PRINCIPALEMENT DU FAIT QUE DANS LE CIRCUIT DE FREQUENCE INTERMEDIAIRE A, ON AMPLIFIE LE BRUIT QUI, DANS LA BANDE PASSANTE DE FREQUENCE INTERMEDIAIRE, S'EST PRODUIT DANS L'ETAGE D'ENTREE HAUTE FREQUENCE B. APPLICATION: RECEPTEURS DE TELEVISION.

Description

"Récepteur pour modulation de fréquence, muni d'un discri-

minateur de rapport à diodes en silicium " L'invention concerne un récepteur pour modulation de fréquence comportant un canal de modulation de fréquence qui est couplé à une entrée d'antenne et dans lequel sont branchés l'un à la suite de l'autre un étage d'entrée haute fréquence, un étage de mélange de fréquence, un circuit de

fréquence intermédiaire ainsi qu'un discriminateur de rap-

port, ce dernier étant muni de diodes de détection en sili-

cium ainsi que d'un condensateur de nivellement qui est raccordé de façon galvanique auxdites diodes et qui effectue

une limitation d'amplitude dynamique sur le signal de sor-

tie du discriminateur de rapport en fonction de l'amplitude

du signal d'entrée de ce discriminateur.

Un tel récepteur pour modulation de fréquence est utili-

sé dans le téléviseur type R 17 B 720 de la Société Anonyme Philips et est, sous forme de câblage imprimé, publié dans

le manuel accompagnant le téléviseur en question -

Dans la pratique, on peut être confronté avec une modu-

lation d'amplitude indésirable des signaux à modulation de fréquence à traiter dans un récepteur pour modulation de fréquence, cette modulation indésirable étant la conséquence,

entre autres, de bruit de transmission, d'une réception mul-

tivoie, d'une position d'émetteur défavorable auquel cas des

fréquences d'émetteurs indésirables se produisent immédiate-

ment à proximité de la fréquence de porteuse du signal dési-

ré, de détection de flanc sur les flancs latéraux de la cour-

be passante de fréquence intermédiaire, etc Dans le récepteur

connu pour modulation de fréquence, ladite modulation d'am-

plitude indésirable est, en présence de signaux d'entrée à g rande amplitude, supprimée principalement par une limitation d'amplitude du signal de sortie du circuit de modulation de fréquence, tandis qu'en présence de signaux d'entrée à faible

amplitude, ladite modulation indésirable est supprimée prin-

cipalement par une intégration entre les armatures du conden-

sateur de nivellement du discriminateur de rapport.

L'amplitude du signal d'entrée à laquelle commence la limitation d'amplitude dans les étages d'amplification et de limitation du circuit de fréquence intermédiaire définit la

sensibilité d'entrée du récepteur pour modulation de fré-

quence Quand ladite amplitude est faible, la sensibilité d'entrée est élevée, et vice-versa Le discriminateur de rapport du récepteur connu pour modulation de fréquence admet une faible sensibilité d'entrée tout en conservant une suppression de variations d'amplitude en particulier des

signaux d'entrée en présence desquels les étages d'amplifi-

cation et de limitation du circuit de fréquence intermédiaire

n'effectuent pas leur r 6 le de limitation De ce fait, égale-

ment dans le cas de réception de siqnaux à faible amplitude, le récepteur connu pour modulation de fréquence est assez

insensible à des signaux parasites en conséquence par exem-

ple de bruits et/ou de fluctuations rapides d'intensité de

champ, ce qui est important surtout pour une réception "mobi-

le"de signaux à modulation de fréquence, ledit récepteur

connu présentant en outre un comportement d'accord non agres-

sif sans devoir faire appel à l'emploi de circuits supplémen-

taires, tel par un blocage du récepteur.

Toutefois, dans l'état actuel de la technique, la réa-

lisation d'un traitement correct de signaux à faible ampli-

tude est coûteuse et compliquée Dans le discriminateur de rapport des récepteurs connus pour modulation de fréquence, ce sont des diodes en silicium qui font office de diodes de

détection On sait que les diodes en silicium ont une ten-

sion de seuil qui, en fonction entre autres de la configura-

tion et de la surface des diodes peut se situer entre environ 450 m V et 700 m V Pour l'obtention d'une détection correcte de signaux à modulation de fréquence qui ont une amplitude inférieure à cette tension de seuil, les diodes en silicium faisant partie du discriminateur de rapport doivent rester conductrices également en présence d'aussi faibles amplitudes

de signal Dans le récepteur connu pour modulation de fré-

quence, cela est réalisé à l'aide d'un circuit de courant de

polarisation qui fournit auxdites diodes un courant de pola-

risation Toutefois, un tel circuit est coûteux et compliqué.

De plus, en situation d'accord, les courants de polarisation

de diode introduisent dans la tension de sortie du discrimi-

nateur de rapport une composante indésirable de tension con-

tinue, et ladite tension de sortie devient de ce fait inuti-

lisable pour la commande automatique de fréquence (CAF) (en

anglais AFC: automatic frequency control).

En guise de diodes de détection, il est connu également

d'utiliser des diodes en germanium Comme les diodes en ger-

manium ont une tension de seuil beaucoup plus faible que

celle des diodes en silicium, il est possible d'éviter l'em-

ploi d'un circuit de courant de polarisation Toutefois, les diodes en germanium sont beaucoup plus coûteuses que des diodes en silicium De plus, contrairement à ce qui est le cas de diodes en silicium, les diodes en germanium ne sont

pas réalisables sous forme de circuits intégrés.

Or, l'invention a pour but de fournir un récepteur

pour modulation de fréquence qui, comparativement au récep-

teur connu pour modulation de fréquence, est réalisable de façon plus simple et moins coûteuse tout en possédant au moins les mêmes propriétés favorables, particulièrement à l'égard du traitement des signaux à modulation de fréquence qui dans le circuit de fréquence intermédiaire subissent une amplification maximale et dont les modulations d'amplitude éventuelles sont supprimées principalement par une limitation

d'amplitude dynamique dans le discriminateur de rapport.

A cet effet, le récepteur pour modulation de fréquence réalisé conformément à l'invention et appartenant au genre mentionné dans le préambule est remarquable en ce que le

bruit engendré dans la partie de canal de modulation de fré-

quence qui précède les diodes de détection en silicium du discriminateur de rapport, fournit aux diodes une tension de bruit moyenne qui correspond à la tension de seuil des diodes de détection en silicium, et un courant de bruit moyen dont l'intensité est égale à celle du courant de diode en sens direct, ledit courant de bruit moyen provoquant entre les

armatures du condensateur de nivellement une tension conti-

nue qui diffère de zéro.

L'invention repose sur l'idée que lé bruit minimal in-

dispensable aux diodes en silicium pour une tension de pola- risation de diode suffisante ne doit pas diminuer de façon perceptible le rapport signal/bruit de l'ensemble que forme

le récepteur pour modulation de fréquence.

Lors de l'application de la mesure préconisée par l'in-

vention, la tension de bruit fournie aux diodes en silicium

du discriminateur de rapport provoque, par détection de som-

met par l'intermédiaire des diodes en silicium une tension

continue entre les extrémités des réseaux de détection bran-

chées à la suite des diodes en silicium, ladite tension con-

tinue étant au moins égale à la tension de seuil de ces dio-

des De ce fait, ces diodes en silicium restent conductrices

en l'absence de courant de polarisation supplémentaire, éga-

lement dans le cas o l'amplitude des signaux est très fai-

ble, ce qui notamment pour les signaux en présence desquels la partie de fréquence intermédiaire n'exerce pas son rôle de limitation, garantit d'une part une détection correcte et d'autre part une limitation d'amplitude dynamique qui est effective et opère de façon continue De par l'absence d'un courant de polarisation supplémentaire, la tension de sortie

du discriminateur de rapport convient en outre pour la com-

mande automatique de fréquence (CAF), et permet la réalisa-

tion simple et peu coûteuse du récepteur pour modulation de

fréquence conforme à l'invention.

En soi, l'emploi de diodes en silicium dans un discrimi-

nateur de rapport sans circuit de courant de polarisation est connu de l'article de S Inooeet Y Isaintitulé "Super high quality FM-detector and its development process" paru dans la publication "I E E E Transactions Consumer Electronics", Volume CE-24, NI 3, pages 226 à 234, édition août 1978 La sensibilité du récepteur-pour modulation de fréquence dans lequel ce discriminateur de rapport connu est utilisé est

toutefois très élevée, de sorte que les variations d'ampli-

tude sont supprimées exclusivement par une limitation du signal de sortie de fréquence intermédiaire Les signaux de fréquence intermédiaires et à modulation de fréquence fournis au discriminateur de rapport atteignent de ce fait la valeur de limitation maximale déjà en présence d'une très faible amplitude d'entrée, et dépassent, en cas d'emploi normal, toujours la tension de seuil des diodes en silicium Les problèmes que l'on rencontre à l'égard de la détection et de la limitation de signaux à faible amplitude, problèmes qui

se posent dans l'état de technique déjà cité, ne se produi-

sent pas dans ce cas Toutefois, ledit article ne mentionne pas une indication pour résoudre ces problèmes du fait de

dimensionner, conformément à la mesure préconisée par l'in-

vention, à l'égard du bruit, la partie de canal de modula-

tion de fréquence qui précède les diodes en silicium du dis-

criminateur de rapport.

Un mode de réalisation préférentiel d'un récepteur pour

modulation de fréquence conforme à l'invention est remarqua-

ble en ce que le facteur de bruit de l'étage d'entrée haute fréquence est au moins égal à 4 d B, que la largeur de bande 3 d B du circuit de fréquence intermédiaire couvre au moins k Hz, et que la sensibilité d'entrée est inférieure à PV /3 d B. Lors de l'application de cette mesure préconisée par l'invention, le bruit qui est engendré dans l'étage d'entrée haute fréquence est amplifié dans une mesure suffisante dans la bande passante de fréquence intermédiaire pour provoquer

entre les armatures des diodes en silicium du discrimina-

teur de rapport une tension continue qui est au moins égale

à la tension de seuil de ces diodes en silicium.

Un autre mode de réalisation préférentiel d'un récepteur

pour modulation de fréquence conforme à l'invention est remar-

quable en ce que le facteur de bruit de l'étage d'entrée haute fréquence est égal à 5 d B, que la largeur de bande 3 d B du circuit de fréquence intermédiaire couvre 150 k Hz, et que la sensibilité d'entrée est égale à 10 y V/3 d B. Lors de l'application de cette mesure, le récepteur pour modulation de fréquence réalisé conformément à l'invention

convient en particulier comme radio-récepteur de véhicule.

La description suivante, en regard des dessins annexés,

le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre com-

ment l'invention peut être réalisée.

La figure 1 représente un circuit de fréquence intermé-

diaire et un discriminateur de rapport à utiliser dans un

récepteur pour modulation de fréquence conforme à l'inven-

tion.

La figure 2 montre quelques courbes de mesure dans les-

quelles l'allure de l'amplitude du signal de sortie du dis-

criminateur de rapport est illustrée en fonction d'un signal

de fréquence intermédiaire et à modulation de fréquence ap-

pliqué à une entrée de fréquence intermédiaire d'une part en cas d'emploi de diodes en germanium et d'autre part en

cas d'emploi de diodes en silicium.

La figure 3 représente un récepteur pour modulation de

fréquence conforme à l'invention.

La figure 4 montre quelques courbes de mesure qui, en

fonction d'un signal de mesure appliqué à une entrée d'an-

tenne, illustrent le comportement du récepteur pour modula-

tion de fréquence conforme à l'invention à l'égard du rapport signal/bruit, du bruit et de la limitation de variations d'amplitude. La figure 5 montre également quelques courbes de mesure dans le cas d'un récepteur pour modulation de fréquence dans

lequel des diodes en germanium sont utilisées dans le dis-

criminateur de rapport.

La figure 1 montre un circuit intégré de fréquence in-

termédiaire A appartenant au type TEA 5560 et muni de bornes a 1 à a 9 * Les indices accompagnant ces références de borne correspondent aux numéros de borne mentionnés dans le manuel accompagnant ce circuit A. Pour le fonctionnement correct du circuit de fréquence intermédiaire A, la borne a 9 est à la masse tandis que la

borne a 6 reçoit, à travers une borne 4, une tension d'alimen-

tation comprise entre 10,2 V et 16 V A travers un condensa-

teur C 16, ladite borne d'alimentation 4 est à la masse en ce qui concerne le courant alternatif De son côté, la borne a 5 est branchée sur une tension d'alimentation stabilisée

+ 8 V fournie à la borne a 8 par le circuit de fréquence inter-

médiaire A et est en outre à la masse à travers un condensa-

teur de découplage C 10 La borne a 1 qui, à travers un conden-

sateur de couplage C 1 est raccordée à une entrée de fréquence intermédiaire 1, est couplée à la borne a 3 à travers une

résistance R 1 dont l'autre extrémité est raccordée à la bor-

ne a 2 à travers un condensateur de découplage C 2 * A travers un condensateur C 3, ladite borne a 2 est à la masse La borne a 4 est raccordée à la masse à travers une résistance R 3, et est, en ce qui concerne la tension alternative, à la masse à travers un condensateur C 7 * La borne a 7 qui est la borne de sortie du circuit de fréquence intermédiaire A, fournit un signal de sortie de fréquence intermédiaire à une entrée 7 du discriminateur

de rapport R Ce discriminateur R comporte deux dispositifs-

bobines de détection L 1 et L 2 qui entre elles et à l'entrée 7 sont raccordées de la façon indiquée connue du manuel "Philips Data Handbook Electronic Components and Materials" Volume 5 b, mars 1977 au moyen des condensateurs C 5, C 8 et C 9 Le dispositif-bobine de détection L 2 est muni de deux

sorties qui, à travers des diodes en silicium D 1 et D 2 mon-

tées en opposition de phase, sont raccordées de façon galva-

nique connue, d'une part à un condensateur de nivellement C 11 branché entre les deux diodes D 1 et D 2 pour la limitation

d'amplitude dynamique et d'autre part à des réseaux de détec-

tion R, C 12 et R 6 ' C 13 pour la détection de signal de fré-

quence intermédiaire.

Les résistances R 5 et R 6 sont à la masse, tandis que de leur côté les condensateurs C 12 et C 13 sont interconnectés et raccordés d'une part à une sortie 2 du discriminateur de rapport R à travers un réseau RC formé par une résistance longitudinale R 7, deux condensateurs C 14 et C 15 branchés de part et d'autre de cette résistance R 7 de même que par une résistance de charge R 8 qui pour la mesure correcte shunte le condensateur C 15, et d'autre part à une sortie de comman-

de automatique de fréquence 3.

Suivant une réalisation pratique, les diodes en sili-

cium D 1 et D 2 appartiennent au type BA 316 et ont une ten-

sion de seuil égale à environ 450 m V De leur c 6 té, les dis-

positifs-bobines de détection L 1 et L 2 appartiennent au type 3122138 20211 et 3122 138 20212 Les valeurs électriques des composants utilisés sont les suivantes: Résistances Valeur ohmique Condensateurs Capacité R 1 300 Q C 1 2,2 n F R 3 2,2 KSL C 2 22 n F R 5 5,6 K f C 3 22 n F R 6 5,6 K C 5 82 p F R 7 1 K-QL C 7 4,7 p F

7 7-

R 8 47 K SL C 8 33 p F C 9 82 p F C 10 2,2 p F

C 11 1 PF

C 12 4,7 h F -C 13 4,7 n F C 14 2,2 n F C 15 220 p F En soi, en ce qui concerne la limitation des variations d'amplitude et la détection de modulation de fréquence, le fonctionnement du circuit de fréquence intermédiaire A et du discriminateur de rapport R correspond pratiquement au fonctionnement du circuit appartenant audit état connu de la

technique, sans emploi d'un circuit de courant de polarisa-

tion C'est pourquoi on peut supposer connu le fonctionnement

en question.

De la façon indiquée à l'égard de la figure 3, la sensi-

bilité d'entrée du circuit de fréquence intermédiaire A est réglée sur 150 y V/3 d B Cela signifie qu'en présence d'un signal d'entrée de fréquence intermédiaire s'identifiant à 1501 a V, l'amplitude du signal de sortie de fréquence inter- médiaire à la borne de sortie a 7 est égale à la moitié de

l'amplitude en cas de limitation complète ou de 3 d B infé-

rieure à cette amplitude.

Sur la figure 2, en fonction de l'amplitude d'un signal de mesure d'entrée MF-FM, à fréquence centrale de 10,7 M Hz,

à excursion de fréquence de 22,5 k Hz et à fréquence de modu-

lation de 1 k Hz, signal qui à travers le condensateur de cou-

plage C 1 est fourni à la borne d'entrée a 1 du circuit de fré-

quence intermédiaire A, on a illustré l'allure de l'amplitu-

de du signal de sortie du discriminateur de rapport Rà la sot

tie 2, et on a obtenu ainsi la caractéristique I en cas d'em-

ploi de diodes en germanium de type A A 119 servant de diodes Dl et D 2, alors que l'on obtient la caractéristique II en pointillés en cas d'emploi de diodes en silicium dudit type

BA 316 servant de diodes Di et D 2 En plus du signal de modu-

lation, ledit signal de sortie comporte également le bruit

qui, dans le circuit de fréquence intermédiaire A et le dis-

criminateur de rapport R, s'est produit par exemprle en consé-

quence de bruit par exemple thermique ou d'émission de diode.

On a procédé à la même mesure avec un signal de mesure

d'entrée MF non modulé à fréquence 10,7 M Hz A cette occa-

sion, on a obtenu la caractéristique III illustrant l'allure de l'amplitude de bruit à la sortie 2 du discriminateur de

rapport R en cas d'emploi de diodes en germanium comme dio-

des D 1 et D 2 en fonction du signal de mesure d'entrée MF (non modulé à fréquence 10,7 M Hz, tandis que la caractéristique IV

en pointillés fournit la valeur correspondante en cas d'em-

ploi de diodes en silicium dans le discriminateur de rap-

Port R.

A des valeurs d'entrée inférieures à 40 ?V, il est pos-

sible d'observer clairement l'effet de la faible tension de seuil (environ 200 m V) de diodes en germanium, et l'effet de la tension de seuil élevée (environ 450 m V) de diodes en silicium En cas d'emploi de diodes en germanium, dans le

cas d'une amplitude d'entrée décroissante, la détection con-

venable de la modulation de fréquence est garantie jusqu'à

la disparition du signal dans le bruit à valeur approximati-

ve de 1 FV En cas d'emploi de diodes en silicium, dans le cas d'amplitudes de signal d'entrée inférieures à 40 p V, l'amplitude du signal de sortie du discriminateur de rapport

diminue assez rapidement en conséquence du blocage des dio-

des en silicium Lorsque l'amplitude d'entrée continue à décroître, cela a comme conséquence que le niveau de bruit

augmente d'abord dans une certaine mesure pour diminuer en-

suite rapidement à une entrée d'amplitude inférieure à environ

15 j V L'absence d'une mesure visant à maintenir conductri-

ces les diodes en silicium D 1 et D 2 également dans le cas

de signaux à faible amplitude rend donc impossible la détec-

tion correcte d'un signal à faible amplitude.

La figure 3 montre un récepteur pour modulation de fré-

quence qui répond à l'invention et dont font partie le cir-

cuit de fréquence intermédiaire A et le discriminateur de rapport R à diodes en silicium D 1 et D 2 Les éléments qui sur la figure 3 correspondent aux éléments de la figure 1 portent

les mêmes références Le récepteur pour modulation de fré-

querze comporte un étage de mélange de -fréquence et d'entrée de signal haute fréquence B du type MMK ll Ell de la marque ALPS, cet étage B étant muni d'une entrée d'antenne b 1, d'une borne d'alimentation b 2, d'une borne de sortie b 3, d'une

borne de masse b 4 et d'une borne d'entrée de commande auto-

matique de fréquence b 5 (borne CAF).

A travers un premier filtre céramique de fréquence in-

termédiaire MF F 1, la borne de sortie b 3 est raccordée à

la base d'un transistor T Ce transistor T 1 sert au régla-

ge de la sensibilité d'entrée du récepteur, ainsi qu'à la compensation des pertes dans ledit filtre F et dans un deuxième filtre céramique F 2 A travers ce deuxième filtre F 2, le collecteur du transistor T 1 est raccordé à la borne

d'entrée a 1 du circuit de fréquence intermédiaire A La sor-

tie 2 du discriminateur de rapport R est raccordée à un dé-

codeur stéréo SD qui, par l'intermédiaire des amplificateurs de signal à audio-fréquence gauche et droite AL et AR fournit

des signaux stéréophoniques gauch E et droits aux haut-par-

leurs gauche et droit L et R. Les autres éléments représentés sur la figure servent au réglage correct des circuits venant d'être cités C'est

ainsi qu'à travers un filtre de nivellement LC, la borne d'a-

limentation b 2 est raccordée à une entrée de tension d'ali-

mentation 6, tandis que de la façon illustrée sur la figure, la borne d'entrée de commande automatique de fréquence b 5

est raccordée à la sortie de commande automatique de fré-

quence 3 du discriminateur de rapport R à travers des résis-

tances R 12, R 13 et R 14, un limiteur d'amplitude à diodes D 3 et D 4; et des condensateurs de masse C 20 et C 21 Par

l'intermédiaire de résistances R 10 et R 9, la base du tran-

sistor T 1 est raccordée au collecteur qui, à travers des résistances de collecteur R 4 et R 2, est raccordé à l'entrée

d'alimentation 6 A travers une résistance d'émetteur varia-

ble R 11, l'émetteur du transistor T 1 est à la masse, et la-

dite résistance 11 sert au réglage du coefficient d'ampli-

fication du transistor T 1 et, partant, au réglage de la sen-

sibilité d'entrée du récepteur pour modulation de fréquen-

ce A travers un condensateur Ci les résistances R et

R 10 sont à la masse, ce qui est-également le cas des résis-

tances R 2 et R 4 qui sont à la masse à travers un condensa-

teur C 18 * Dans une réalisation pratique, le facteur de bruit de l'étage de mélange de fréquence et d'entrée haute fréquence B était égal à 5 d B, la largeur de bande MF 3 d B des filtres

céramiques F et F 2 couvrait 150 k Hz, alors que la sensibi-

lité d'entrée du récepteur était égale à 10 >V/3 d B/ De ce fait, le récepteur en question convient par excellence pour

une réception "mobile" de signaux à modulation de fréquence.

Quant aux filtres céramiques F 1 et F 2, ceux-ci étaient du type Murata SFE; le transistor T 1 était du type BF 240 tandis que les diodes D 3 et D 4 du limitateur d'amplitude à diodes D 3, D 4 étaient du type BA 315 Comme déjà précisé, on a utilisé dans le discriminateur de rapport des diodes de

détection en silicium D 1 et D 2 de type BA 316.

Les valeurs électriques des autres composants sont pré-

cisées ci-dessous: Résistances Valeurs ohmiques Condensa Capaci Bobi Coeffi-i 1 aesteurs té nes cient I I I I Ide self n% R 2 4 K Q C 17 22 n F L 3 100 y H R 4 330 C 10 n F

R 9 C 18

R 9 270 K C 19 10 n F 4,7 n F

R 1 330 C 20

R 11 470 j(maximal C 21 0,33 y F 1 u 21

R 12 47 K&L

R 13 1 Kg L

R 14 330 KL,_

* zu Dans l'étage de mélange et d'entrée haute fréquence B, un signal d'antenne fourni à la borne d'entrée bl deoetétage B est filtré, amplifié et mélangé de façon connue vers une fréquence intermédiaire de 10,7 M Hz Le signal de fréquence intermédiaire et à modulation de fréquence obtenu de la sorte

est ensuite filtré dans le filtre MF F 1 et amené sur un ni-

veau d'amplitude déterminé à l'aide du transistor T 1 pour l'obtention d'une sensibilité d'entrée désirée Ensuite, une nouvelle sélection de fréquence intermédiaire a lieu dans le filtre MF F 2, tandis que de la façon déjà décrite, le signal de fréquence intermédiaire est traité de façon à devenir des

signaux stéréophoniques à audiofréquence gauche et droit.

En ce qui concerne la réalisation en question, on a déjà

cité que le facteur de bruit de l'étage d'entrée haute fré-

quence était égal à 5 d B En présence de cette valeur, le bruit d'entrée haute fréquence était égal à 0,66 p V, tandis qu'une tension de 2 m V était mesurée entre les armatures du

condensateur de nivellement C 11 Ces valeurs numériques per-

mettent de conclure que dans ces conditions, les diodes en

silicium D 1 et D 2 étaient conductrices, et que, par consé-

quent, une tension de polarisation de diode d'au moins 450 m V de tension de seuil existait entre les bornes de chacun des réseaux de détection R 5, C 12 et R 6, R 13 Sur cette base, l'amplification totale de l'entrée d'antenne b 1 jusqu'aux

diodes de détection en silicium D 1 et D 2 était réduite pro-

gressivement jusqu'au point o la tension entre les arma-

tures du condensateur C 1 avait diminué jusqu'à zéro En pré-

sence de cette situation d'amplification, on a mesuré, à

l'égard de l'ensemble du récepteur pour modulation de fré-

quence, une sensibilité d'entrée environ égale à 3 00 XT/3 d B. En présence d'une sensibilité d'entrée inférieure à 40 1 a V/3 d B, c'est-àdire une amplification de bruit totale de l'entrée d'antenne b 1 jusqu'aux diodes Di et D 2 inférieure à 105 d B, on obtenait généralement un facteur de bruit de l'étage d'entrée HF inférieur à 4 d B et une largeur de bande passante de fréquence intermédiaire couvrant moins de 100 k Hz pour maintenir de la sorte conductrices les diodes D 1 et D 2 A l'extérieur de cette plage délimitée par ces valeurs

limites, il est possible d'obtenir l'effet visé par l'inven-

tion. La quantité de bruit fournie aux diodes Di et D 2 du discriminate-r de rapport R est définie principalement par le bruit d'entrée haute fréquence qui se produit à l'étage d'entrée haute fréquence et qui, après mélange, tombe dans la bande passante de fréquence intermédiaire des filtres MF F 1 et F 2 avant d'être amplifié ensuite dans le transistor T 1

et dans le circuit de fréquence intermédiaire A C'est pour-

quoi, la tension de bruit nécessaire pour une tension de po-

larisation de diode suffisante peut s'obtenir avec plusieurs combinaisons de la quantité de bruit d'entrée, de la largeur de bande de fréquence intermédiaire et d'amplification de fréquence intermédiaire Il est possible également d'ajouter du bruit supplémentaire dans la partie de canal de fréquence intermédiaire précédant les diodes D 1 et D 2, pour réaliser

de la sorte la tension de bruit indispensable Tout en res- tant dans le cadre limité par la revendication principale, le technicien

n'aura aucune peine pour s'imaginer plusieurs modes de réalisation du récepteur, modes pour lesquels le bruit fourni aux diodes en silicium D 1 et D 2 provoquent une tension de polarisation de diode qui est suffisante pour

rendre ces diodes conductrices également en présence de si-

gnaux à faible amplitude.

Pour l'obtention de la figure 4, on a examiné à l'égard

du récepteur pour modulation de fréquence réalisé conformé-

ment à l'invention et représenté sur la figure 3, le com-

portement de ce récepteur en ce qui concerne la détection, le bruit et la limitation d'amplitude La caractéristique V a été obtenue par la mesure de l'amplitude du signal à la sortie 2 du discriminateur de rapport R en fonction d'une variation d'amplitude d'un signal de mesure à modulation de fréquence fourni à la borne d'entrée haute fréquence b 1, ce signal de mesure présentant une excursion de fréquence de 22,5 k Hz, et une fréquence de modulation de l k Hz Dans ce cas, la sensibilité d'entrée du récepteur était réglée sur y V/3 d B On a mesuré la même chose en ce qui concerne

la figure 5, mais dans le cas de l'emploi de diodes en ger-

manium du type AA 119 servant de diodes D 1 et D 2, pour obte-

nir de la sorte la caractéristique VIII Malgré la différen-

ce en tension de seuil entre des diodes en germanium et des diodes en silicium, on n'a pas pu constater une différence

notable dans le comportement de détection.

La caractéristique VI sur la figure 4 illustre l'allure de l'amplitude du signal de sortie du discriminateur de rapport R en présence d'une variation d'amplitude d'un signal

de mesure haute fréquence non modulé en cas d'emploi de dio-

des en silicium La même chose est illustrée par la carac-

téristique IX sur la figure 5 en cas d'emploi de diodes en germanium Egalement pour le comportement de bruit, on n'a pas pu constater ici non plus de différence notable entre

l'emploi de diodes en germanium et celui de diodes en si-

licium. La même conclusion peut être tirée en ce qui concerne la limitation de variations d'amplitude Sur la figure 4, la caractéristique VII illustre l'allure de l'ampleur des modu-

lations d'amplitude dans le signal de sortie du discrimi-

nateur de rapport R pour une variation d'amplitude d'un si-

gnal de mesure haute fréquence modulé à indice de modulation constant 0,3 en cas d'emploi de diodes en silicium tandis que sur la figure 5, la caractéristique X illustre la même

chose en cas d'emploi de diodes en germanium.

Claims (3)

REVENDICATIONS

1. Récepteur pour modulation de fréquence comportant un canal de modulation de fréquence qui est couplé à une entrée d'antenne et dans lequel sont branchés l'un à la suite de l'autre un étage d'entrée haute fréquence, un étage de mélange de fréquence, un circuit de fréquence intermédiaire ainsi qu'un discriminateur de rapport, ce dernier étant muni

de diodes de détection en 'silicium ainsi que d'un condensa-

teur de nivellement qui est raccordé de façon galvanique auxdites diodes et qui effectue une limitation d'amplitude

dynamique sur le signal de sortie du discriminateur de rap-

port en fonction de l'amplitude du signal d'entrée de ce discriminateur, caractérisé en ce que le bruit engendré dans la partie de canal de modulation de fréquence qui précède les diodes de détection en silicium du discriminateur de rapport, fournit aux diodes une tension de bruit moyenne

qui correspond à la tension de seuil des diodes de détec-

tion en silicium, et un courant de bruit moyen dont l'inten-

sité est égale à celle du courant de diode en sens direct, ledit courant de bruit moyen provoquat entre les armatures du condensateur de nivellement une tension continue qui

diffère de zéro.

2. Récepteur pour modulation de fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que le facteur de bruit de l'étage d'entrée haute fréquence est au moins égal à 4

d B, que la largeur de bande du circuit de fréquence inter-

médiaire couvre au moins 100 k Hz, et que la sensibilité d'entrée est inférieure à 40 g V/3 d B.

3. Récepteur pour modulation de fréquence selon la revendication 2, caractérisé en ce que le facteur de bruit de l'étage d'entrée haute fréquence est égal à 5 d B, que la

largeur de bande du circuit de fréquence intermédiaire cou-

vre 150 k Hz; et que la sensibilité d'entrée est égale à u V/3 d B.