IT201600096364A1 - Procedimento di fabbricazione di un dispositivo microelettronico dotato di una superficie scura e dispositivo microelettronico - Google Patents

Description

“PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE DI UN DISPOSITIVO MICROELETTRONICO DOTATO DI UNA SUPERFICIE SCURA E DISPOSITIVO MICROELETTRONICO”

La presente invenzione è relativa ad un procedimento di fabbricazione di un dispositivo microelettronico dotato di una superficie scura e ad un dispositivo microelettronico.

Come noto, alcuni tipi di dispositivi elettronici, quali ad esempio dispositivi MEMS (dall’inglese Micro-Electro-Mechanical System), hanno cavità scure ("black cavities") per le quali si desidera ridurre quanto più possibile l'ingresso e/o la riflessione di luce.

Questo vale, ad esempio, per microspecchi MEMS utilizzati in moduli proiettori miniaturizzati (cosiddetti picoproiettori), in grado di proiettare a distanza immagini o di generare pattern di luce desiderati.

I microspecchi MEMS includono generalmente uno o più elementi a specchio sospesi su rispettive cavità e realizzati a partire da un corpo di materiale semiconduttore in modo tale da risultare mobili, tipicamente con movimento di inclinazione o rotazione, per indirizzare in maniera desiderata il fascio luminoso incidente.

Ad esempio, la figura 1 mostra schematicamente un picoproiettore in cui una sorgente luminosa 1, quale una sorgente laser, genera un fascio di luce 2 (generalmente composto da tre fasci monocromatici, uno per ogni colore base) che, attraverso un'ottica 3 mostrata solo schematicamente, viene deflesso da un microspecchio 8 formato qui da una coppia di elementi a specchio 5, 6. Il primo elemento a specchio 5 può essere ad esempio un elemento a specchio orizzontale, ruotante intorno ad un primo asse A e generante una scansione orizzontale rapida, e il secondo elemento a specchio 6 può essere ad esempio un elemento a specchio verticale, ruotante intorno ad un secondo asse B trasversale, in particolare perpendicolare, al primo asse A, e generante una scansione verticale lenta, tipicamente a dente di sega. La combinazione dei movimenti dei due elementi a specchio MEMS 5, 6 fa sì che il fascio di luce 2 compia un movimento di scansione bidimensionale completo e, una volta proiettato su uno schermo di proiezione 7, generi un'immagine bidimensionale su questo.

Un tale sistema è descritto ad esempio in WO 2010/067354. In una variante del sistema di figura 1, esso comprende un singolo elemento a specchio di tipo bidimensionale, girevole sia intorno all'asse orizzontale B sia intorno all'asse verticale A, in modo da generare lo stesso schema di scansione di figura 1.

Un'altra applicazione di microspecchi MEMS sono i sistemi di riconoscimento dei gesti ("gesture recognition systems") 3-D. Questi usano normalmente un picoproiettore ed un dispositivo di acquisizioni immagini, quale una fotocamera. Il raggio luminoso qui può essere nel campo della luce visibile, della luce invisibile o di può avere qualunque frequenza utile. Il picoproiettore può essere simile al picoproiettore di figura 1 e il fascio di luce 2 deflesso dal microspecchio 8 viene usato per scandire un oggetto in due direzioni. Ad esempio, il picoproiettore può proiettare piccole strisce sull'oggetto; eventuali zone sporgenti o rientranti dell'oggetto (dovute alla profondità di questo) creano deformazioni nei raggi luminosi rilevati dalla fotocamera, i quali possono essere elaborati da una adatta elettronica per rilevare la terza dimensione.

In entrambi i casi, con la tecnologia considerata, la rotazione dell'elemento o degli elementi a specchio viene comandata tramite un sistema di attuazione, attualmente di tipo elettrostatico, magnetico o piezoelettrico.

Gli elementi a specchio 5, 6 possono avere la struttura mostrata in fig. 2 e utilizzante un sistema di attuazione piezoelettrico. Qui, una piastrina 10 di materiale semiconduttore, quale silicio, comprende uno strato strutturale 11 estendentesi su un substrato 13 avente una cavità 16 (figura 3). Lo strato strutturale 11 forma un elemento oscillante 14 disposto al di sopra della cavità 16 e portante una superficie riflettente 12. Due bracci di supporto 15 si estendono da lati opposti dell'elemento oscillante 14 e definiscono l'asse di rotazione dell'elemento oscillante 14 stesso (ad esempio, l'asse di rotazione B dell'elemento a specchio verticale 6). I bracci di supporto 15 sono collegati tramite molle torsionali 18 con una porzione periferica fissa 17, solidale al substrato 13.

Le molle torsionali 18 consentono la rotazione dei bracci di supporto 15 intorno all'asse B per effetto di gruppi di attuazione 20 costituenti una struttura di pilotaggio di tipo elettrostatico. Ciascun gruppo di attuazione 20 comprende quindi elettrodi mobili 21 affacciati ad elettrodi fissi 22.

In dettaglio, gli elettrodi mobili 21 sono solidali ai bracci di supporto 15 e sono interdigitati rispetto agli elettrodi fissi 22 in modo da generare un accoppiamento capacitivo. Gli elettrodi fissi 22 sono portati dalla porzione periferica fissa 17 solidale al substrato 13 della piastrina 10. Data la disposizione degli elettrodi 21, 22, la struttura di pilotaggio è anche definita "a pettine" (comb drive structure).

In modo noto, applicando opportune tensioni fra gli elettrodi mobili 21 e quelli fissi 22, è possibile generare forze di attrazione/repulsione fra di essi, in modo da provocare la rotazione degli elettrodi mobili 21 rispetto agli elettrodi fissi 22, la rotazione dei bracci di supporto 15 intorno all'asse B e quindi la corrispondente rotazione controllata dell'elemento oscillante 14. A tale scopo, come mostrato in figura 3, zone di contatto 25 sono formate sulla zona periferica fissa 17 per la connessione elettrica o la polarizzazione delle regioni fissi e/o mobili.

Nella forma di realizzazione mostrata, l'elemento oscillante 14, i bracci di supporto 15, le molle torsionali 18, gli elettrodi mobili e fissi 21, 22 e la porzione periferica fissa 17 sono formati nello strato strutturale 11 e il substrato 13 chiude superiormente la cavità 16.

Negli elementi a specchio 5, 6, siano essi di tipo monodirezionale o di tipo bidimensionale, si possono avere fenomeni di riflettività spuria, ovvero di riflessione indesiderata di luce da parte della cavità 16. Infatti, tenendo conto delle dimensioni tipiche dell'elemento oscillante 14 (avente ad esempio diametro da 1 a 10 mm), delle dimensioni della cavità 16 che ne consente l'oscillazione (ad esempio avente profondità di 100-350 µm) e delle tolleranze del gruppo ottico, parte della luce diretta verso gli elementi a specchio 5, 6 può penetrare nella cavità 16. Tale luce, in ritardo o modificata in alcune sue caratteristiche rispetto al fascio correttamente riflesso dalla superficie riflettente 12, chiamata anche "stray light", può costituire un disturbo anche sensibile della proiezione, peggiorandone le prestazioni.

Per evitare o ridurre quanto possibile la riflettività spuria, è stato già proposto di trattare la superficie interna della cavità 16 in modo da comportarsi come cavità scura ("black cavity") quando osservata ad un microscopio ottico. In particolare, spesso è desiderabile avere riflettività spuria inferiore al 10%. Tale trattamento può essere effettuato dopo l'attacco del substrato 13 per la formazione della cavità 16, in modo da aumentarne la rugosità delle pareti di quest'ultima.

Ad esempio, le figure 4-7 mostrano fasi successive di un possibile processo di realizzazione della cavità 16 per lo "scurimento" o "annerimento" della stessa.

La figura 4 mostra un corpo 20 di materiale semiconduttore quale silicio, avente una superficie superiore 20A su cui sono formati contatti o piazzole di contatto ("pads") 21, di materiale conduttivo, ad esempio per la connessione a massa del corpo 20. Il corpo 20 (ad esempio una fetta destinata a formare il substrato 13 di figura 3 dopo il taglio in singoli dispositivi, in modo noto al tecnico del ramo) e i contatti o piazzole di contatto 21 sono ricoperti da uno strato isolante 22, ad esempio ossido termico. Lo strato isolante 22 è rimosso dalla superficie superiore 20A in corrispondenza di una zona in cui deve essere realizzata una cavità. Uno strato di dielettrico 23, ad esempio di ossido di silicio deposto o nitruro, si estende sulla superficie superiore 20A, al di sopra dello strato isolante 22, dove presente, per proteggere i contatti o piazzole di contatto 21 durante la fase di attacco del silicio ed evitare crepe in questi.

La figura 5 mostra il corpo 20 dopo una fase di mascheratura fotolitografica e attacco dello strato di dielettrico 23 e del corpo 20 per la realizzazione della cavità 16. La cavità 16 viene realizzata tipicamente eseguendo due attacchi separati per la rimozione inizialmente dello strato di dielettrico 23 e poi del corpo 20. I due attacchi vengono effettuati in attrezzature differenti, generalmente come attacchi a secco al plasma, usando differenti gas. Dato che lo strato di dielettrico 23 ha funzione protettiva per i contatti o piazzole di contatto 21, il resist di mascheratura (non mostrato), prima degli attacchi, viene sottoposto ad una fase di indurimento o "curing".

Quindi, figura 6, la cavità 16 viene sottoposta ad un trattamento di annerimento. Ad esempio, a tale scopo può essere usato un attacco in umido ("wet etch"), utilizzando una chimica acida includente H2SO4 all'80%, HNO3 al 10% e HF al 10%. In questo modo, le pareti laterali 16A e il fondo 16B della cavità 16 presentano una struttura irregolare. L'attacco agisce anche lateralmente, formando delle porzioni sporgenti 24 di silicio al di sotto del bordo dello strato di dielettrico 23. Tali porzioni sporgenti 24, chiamate anche "roof", possono avere una lunghezza anche di 20-30 µm e sono svantaggiose, in quanto possono avere delle crepe "cracks" che danno origine a problemi di difettosità.

Infine, figura 7, lo strato di dielettrico 23 viene rimosso tramite un attacco a secco non mascherato ("blaket dry etch") e il corpo 20 viene pulito ("cleaned").

Seguono quindi fasi (non mostrate) di fissaggio di un altro corpo ed eventuale suo assottigliamento per formare lo strato strutturale 11, definizione dello stesso per formare l'elemento oscillante 14 e le altre strutture sopra descritte, il taglio della fetta, ecc., in modo noto.

Il processo descritto è costoso e complesso, in quanto richiede numerose fasi per il deposito dello strato di dielettrico 23; l'attacco a umido delle pareti e fondo della cavità 16; la rimozione dello strato di dielettrico 23 e la pulizia finale, oltre alla fase di attacco del silicio per la realizzazione della cavità 16. Inoltre, esso è critico per la possibile formazione di crepe nelle porzioni sporgenti 24 che possono dare origine a porzioni staccabili che possono ostacolare il movimento dell'elemento oscillante 14.

Sono noti anche altri processi di annerimento di superfici di regioni di silicio per differenti applicazioni; ad esempio, "Black Silicon formation using dry eching for solar cells applications" D. Murias et al. Materials Science and Engineering B 177 (2012) 1509-1513 descrive un processo di annerimento per celle solari basato sull'attacco della superficie di silicio in plasma con SF6/O2e SF6/O2/CH4tramite RIE (Reactive Ion Etching). Tale processo comporta una micro-ossidazione della superficie, con formazione di silicio micro-ossidato che fa da micromascheratura per l'attacco del silicio, e dà origine a strutture a "piramide" di silicio. Tali strutture tuttavia si possono staccare nel tempo ed è quindi svantaggioso in alcune applicazioni, come ad esempio nei microspecchi, in cui la presenza di microparticelle può inficiare il corretto funzionamento del dispositivo.

Scopo della presente invenzione è mettere a disposizione un procedimento di annerimento di superfici di silicio che superi gli inconvenienti della tecnica nota. Secondo la presente invenzione vengono realizzati un procedimento di realizzazione di un superficie scura di silicio e un corrispondente dispositivo, come definiti nelle rivendicazioni allegate.

Per una migliore comprensione della presente invenzione ne vengono ora descritte forme di realizzazione preferite, a puro titolo di esempio non limitativo, con riferimento ai disegni allegati, nei quali:

- la figura 1 mostra una vista schematica prospettica di un picoproiettore;

- la figura 2 mostra schematicamente una forma di realizzazione di un microspecchio di figura 1;

- la figura 3 è una sezione longitudinale di una forma di implementazione del microspecchio di figura 3;

- le figure 4-7 sono sezioni trasversali attraverso una fetta di materiale semiconduttore in successive fasi di fabbricazione di una cavità annerita;

- le figure 8A e 8B sono sezioni trasversali di un corpo di silicio in due successive fasi del presente procedimento;

- le figure 9-12 sono sezioni trasversali attraverso una fetta di materiale semiconduttore avente una cavità sottoposta ripetutamente alle fasi di fabbricazione delle figure 8A e 8B, in un processo di "annerimento" secondo il presente procedimento; e

- le figure 13A-13C sono sezioni trasversali attraverso una fetta di materiale semiconduttore per la realizzazione di una cavità, prima dell'annerimento

- la figura 14 è uno schema a blocchi di un picoproiettore utilizzante il presente dispositivo a microspecchio; e

- le figure 15 e 16 mostrano varianti di accoppiamento tra il pico-proiettore di figura 14 ed un apparecchio elettronico portatile.

Il procedimento di "scurimento" o "annerimento" qui descritto si basa sulla formazione di rugosità su una superficie di silicio, mediante ripetizione di cicli comprendenti due fasi: una prima fase (fase di deposito, figura 8A), in cui uno strato polimerico 31 viene depositato su una regione di silicio 30, in cui lo strato polimerico 31 è costituito da un polimero organico avente una struttura superficiale non piana; e una seconda fase (fase di attacco, figura 8B), in modo che, approssimativamente, la struttura non planare dello strato polimerico 31 viene riprodotta nella regione di silicio 30. Nella seconda fase, tipicamente, lo strato polimerico (indicato con 31' in figura 8B) non viene completamente rimosso, tuttavia il procedimento è funzionale anche in caso di completa rimozione.

Infatti, come si nota nelle figure 8A, 8B, durante la fase di attacco, data la struttura non planare dello strato polimerico 31, nei punti in cui questo ha spessore inferiore, viene attaccata e rimossa anche una parte superficiale della regione di silicio 30. In questo modo, al termine della seconda fase, la superficie 30A della regione di silicio 30, inizialmente planare (figura 8A) diventa rugosa (superficie 30A' di figura 8B).

Le fasi descritte vengono eseguite ad esempio in un reattore a plasma ICP (Inductive Coupled Plasma) o in un reattore TCP (Transformer Coupled Plasma); il deposito dello strato polimerico 31 viene effettuato in modo che tale che lo strato 31, completamente organico, sia facilmente rimovibile e non interagisca con il silicio della regione di silicio 30, ma si depositi su questo. L'attacco dello strato polimerico 31 e della parte superficiale della regione di silicio 30 è molto leggero ("soft") e studiato in modo da ottenere una corrugazione della superficie regione di silicio 30, senza creare strutture profonde nel silicio (quali pilastrini "pillar" o punte (cosiddetta "grass") che si potrebbero staccare durante il funzionamento del dispositivo finito dotato della superficie annerita.

Per ottenere ciò, viene modulato il tempo di residenza t delle specie nel plasma del processo. Infatti, come noto, il tempo di residenza t è proporzionale alla pressione P esistente nel reattore e al suo volume V e inversamente proporzionale al flusso di gas Q:

t = PV/Q,

per cui, cambiando il tempo di residenza (ovvero agendo sui parametri pressione e flusso), è possibile modificare la quantità di polimero depositato e la velocità della seconda fase allo scopo di ottenere la rimozione superficiale selettiva di silicio che dà origine alla rugosità desiderata.

In dettaglio, il procedimento di "annerimento" della superficie 30A mostrato nelle figure 8A-8B viene eseguito usando almeno alcuni dei seguenti parametri:

- nella prima fase, lo strato polimerico 31 viene depositato da plasma C4F8e, nella seconda fase, l'attacco viene eseguito mediante plasma di C4F8 e SF6;

- nella fase di attacco, possono essere presenti anche C e/o O2;

- nella seconda fase, il rapporto fra il flusso di SF6e il flusso di C4F8è pari a 1,5% ± 20%; ad esempio il flusso di SF6 può essere 600-700 sccm (standard cubic centimeters per minute) e il flusso di C4F8 può essere 400-450 sccm;

- il flusso di C4F8durante la fase di deposito è tipicamente un poco superiore al valore assoluto del flusso dello stesso gas durante la seconda fase; ad esempio, con i valori indicati sopra, è di circa 425 sccm;

- il rapporto fra la durata della prima fase e la durata della seconda fase è compreso fra circa 0,25 e 0,4; ad esempio di circa 0,35, tranne che eventualmente nel primo ciclo, dove, per motivi di attivazione del reattore, la durata della prima fase può essere maggiore. Ad esempio, la prima fase può durare 1,4 s (1,5 per il primo ciclo) e la seconda fase può durare 4 s;

- il rapporto di pressione di gas fra la prima e la seconda fase è di circa 1,8 ± 5%, tranne che eventualmente nel primo ciclo, dove, per gli stessi motivi di attivazione, il rapporto può essere inferiore. Ad esempio, la prima fase può essere eseguita ad una pressione di 90 mtorr (80 mtorr per il primo ciclo) e la seconda fase può essere eseguita ad una pressione di 50 mtorr.

Con i parametri indicati, la fase di attacco porta alla rimozione di uno strato di 10,5 nm dello strato polimerico 31 e di una porzione superficiale di al massimo 3 nm della regione di silicio 30 sottostante, dove completamente esposta.

Il livello di rugosità della superficie della regione di silicio 30 può essere regolato, ripetendo le due fasi un certo numero di volte o cicli, come descritto in seguito con riferimento alle figure 9-13.

In dettaglio, in figura 9, un corpo 40 di silicio (mono- o policristallino, coperto da una maschera 41, ad esempio di fotoresist, viene inizialmente attaccato tramite un processo di attacco profondo, in modo di per sé noto, in modo da formare una cavità 42 avente pareti laterali 42A e pareti di fondo 42B. Tale fase può essere eseguita come mostrato nelle figure 13A-13C, tramite cicli ripetuti di:

- deposito di uno strato di passivazione 50 (ad esempio tramite deposito in plasma C4F8, figura 13A; - rimozione dello strato di passivazione 50 dalle superfici orizzontali della struttura, tramite attacco ionico altamente direzionale in plasma SF6/O2, figura 13B, nella quale gli ioni attivi del plasma (caricati positivamente) sono indicati con 55 e i radicali liberi di fluoro con 56. Data la direzionalità dell'attacco, porzioni protettive 50A rimangono solo sulle superfici laterali 42A della cavità 42 che si sta formando, figura 13C;

- successivo attacco del silicio dal fondo della cavità 42 per effetto dei radicali liberi di fluoro 56, in modo da rimuovere uno spessore di qualche centinaio di micrometri, figura 13C. La cavità 42 aumenta quindi di profondità, come rappresentato in figura 13C con linea tratteggiata e freccia. Ripetendo le fasi delle figure 13A-13C, viene ottenuta la profondità desiderata della cavità 42, in modo noto. A esempio, la profondità della cavità 42, al termine della fase di attacco profondo, può essere di 100-500 µm.

Dopo il raggiungimento della profondità desiderata per la cavità 42, e mantenendo la maschera 41, la superficie della cavità 42 viene "irruvidita" o "scurita" una prima volta, usando il processo a due fasi descritto con riferimento alle figure 8A, 8B, figura 10. In questo modo le pareti laterali 42A e il fondo 42B presentano una prima rugosità. Si noti che, data l'assenza di uno strato protettivo di polimero sulle pareti laterali 42A e sul fondo 42B della cavità 42, questo processo non è direzionale e opera a livello superficiale rimuovendo uno spessore di al massimo 10 nm, quindi senza modificarne sostanzialmente la profondità della cavità 42.

In figura 11, la superficie della cavità 42 viene "scurita" ovvero resa più rugosa effettuando un secondo ciclo di "irruvidimento" con il processo a due fasi descritto con riferimento alle figure 8A, 8B. Dato che, all'inizio di questo secondo ciclo, la superficie della cavità 42 presenta la prima rugosità, al termine del secondo ciclo, la rugosità delle pareti laterali 42A e del fondo 42B risulta aumentata, e queste presentano una seconda rugosità, maggiore della prima rugosità.

In figura 12, la superficie della cavità 42 viene "irruvidita" e "scurita" una terza volta, effettuando un ulteriore ciclo di irruvidimento con il processo a due fasi descritto con riferimento alle figure 8A, 8B. Di conseguenza, la rugosità delle pareti laterali 42A e del fondo 42B aumenta ancora, ed esse presentano una terza rugosità, maggiore della seconda rugosità.

I cicli descritti con riferimento alle figure 10-12 possono essere ripetute parecchie volte, anche 20-30 e oltre, fino a raggiungere un livello di rugosità desiderato, compatibilmente con un processo industriale.

Il procedimento descritto presenta numerosi vantaggi. In particolare, esso è semplice ed economico, in quanto non richiede maschere addizionali né strati addizionali su strati sottili; esso integra le fasi di definizione della struttura, in particolare di formazione di una cavità, con quella di annerimento dato che esse possono essere eseguite in uno stesso reattore; e non provoca la formazione di strutture e particelle che potrebbero essere di disturbo per il funzionamento del dispositivo finito. Il procedimento è inoltre completamente compatibile con i processi attuali di microlavorazione dei materiali semiconduttori.

Il procedimento descritto è infine particolarmente adatto per l'annerimento della cavità sottostante l'elemento oscillante di un elemento a specchio 5, 6 del tipo mostrato nelle figure 2-3, dato che l'annerimento ottenibile consente di ottenere indici di riflettività spuria molto bassi, dipendenti dalla rugosità realizzata, ad esempio inferiori al 2%.

Le superficie rugose ottenute presentano morfologia caratterizzata da sporgenze poco rilevate e ad elevata densità, poco appuntite. Ad esempio, le sporgenze ottenute possono avere diametro compreso fra 0,5 e 2 µm e altezza di circa 0,5 µm, in base alla rugosità che si vuole produrre, prive di legami, in particolare di legami Si-O, grazie al fatto che i polimeri depositati durante la prima fase di figura 8A (simili a teflon) sono semplicemente deposti sul silicio e non si legano ad esso. In questo modo, in campioni realizzati dalla richiedente, è stato possibile raggiungere una riflettività dell'ordine dl'1%.

L'elemento a specchio 5, 6 dotato della cavità 42 può fare parte di un microspecchio come il microspecchio 8 di figura 1 ed essere utilizzato in un picoproiettore 201 atto ad essere accoppiato funzionalmente ad un apparecchio elettronico portatile 200, come illustrato in seguito con riferimento alle figure 14-16.

In dettaglio, il pico-proiettore 201 di figura 14 comprende una sorgente luminosa 202, ad esempio di tipo laser, atta a generare un fascio luminoso 203; il dispositivo a microspecchio 8, atto a ricevere il fascio luminoso 203 e ad indirizzarlo verso uno schermo o un modulo di cattura immagini 205 (esterno e posto a distanza dallo stesso pico-proiettore 201); un primo circuito di pilotaggio 206, atto a fornire opportuni segnali di comando alla sorgente luminosa 202, per la generazione del fascio luminoso 203 in funzione di un’immagine da proiettare; un secondo circuito di pilotaggio 208, atto a fornire segnali di pilotaggio per la rotazione dell'elemento oscillante 14 (figure 2, 3) dell'elemento a microspecchio 5, 6; ed un’interfaccia di comunicazione 209, atta a ricevere, da un’unità di controllo 210, interna o esterna, ad esempio inclusa nell’apparecchio portatile 200, informazioni luminose circa l’immagine da generare, ad esempio sotto forma di una matrice di pixel. Le informazioni luminose vengono inviate in ingresso per il pilotaggio della sorgente luminosa 202.

Inoltre, l'unità di controllo 210 può comprendere un'unità di controllo della posizione angolare dello specchio del dispositivo a microspecchio 130. A questo scopo, l'unità di controllo 210 può ricevere i segnali generati da fotorivelatori (non rappresentati in figura 14) attraverso l'interfaccia 209 e comandare corrispondentemente il secondo circuito di pilotaggio 208.

Il pico-proiettore 201 può essere realizzato come accessorio separato e a sé stante rispetto ad un associato apparecchio elettronico portatile 200, ad esempio un telefono cellulare o smartphone, come mostrato in figura 15. In questo caso, il pico-proiettore 201 è accoppiato all'apparecchio elettronico portatile 200 mediante opportuni elementi di connessione elettrica e meccanica (non illustrati in dettaglio). Qui, il pico-proiettore 201 è dotato di un proprio involucro 241, che presenta almeno una porzione 241' trasparente al fascio luminoso 203 proveniente dal dispositivo a microspecchio 130; l’involucro 241 del pico-proiettore 201 è accoppiato in maniera rilasciabile ad un rispettivo involucro 242 dell’apparecchio elettronico portatile 200.

In alternativa, come illustrato in figura 16, il picoproiettore 201 può essere integrato all’interno dell’apparecchio elettronico portatile 200 ed essere disposto all’interno dell’involucro 242 dello stesso apparecchio elettronico portatile 200. In tal caso, l'apparecchio elettronico portatile 200 presenta una rispettiva porzione 242' trasparente al fascio luminoso 203 proveniente dal microspecchio 8. Il pico-proiettore 201 è in tal caso ad esempio accoppiato ad un circuito stampato presente all’interno dell’involucro 242 dell’apparecchio elettronico portatile 200.

Risulta infine chiaro che al procedimento e al dispositivo qui descritti ed illustrati possono essere apportate modifiche e varianti senza per questo uscire dall’ambito protettivo della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.

Ad esempio, il procedimento qui descritto si applica a qualunque superficie di silicio che si desidera rendere rugosa, anche in assenza di cavità o trincee.

Claims (17)

1. RIVENDICAZIONI 1. Procedimento di realizzazione di una superficie scura di silicio, comprendente una pluralità di cicli di irruvidimento includenti ciascuno: depositare uno strato polimerico non planare al di sopra di un'area di un corpo di silicio; e attaccare lo strato polimerico e l'area del corpo di silicio in plasma in modo non unidirezionale e rimuovere, in modo non uniforme, una porzione superficiale dell'area del corpo di silicio.
2. 2. Procedimento secondo la rivendicazione 1, in cui la fase di attaccare comprende rimuovere una porzione superficiale non superiore a 10 nm dell'area del corpo di silicio.
3. 3. Procedimento secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui la fase di depositare viene effettuata in plasma di C4F8e la fase di attaccare viene effettuata in plasma di C4F8 e SF6.
4. 4. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-3, in cui la fase di attaccare comprende alimentare un primo flusso di SF6e alimentare un secondo flusso di C4F8, il rapporto fra il primo e il secondo flusso essendo di circa 1,5 ± 20%.
5. 5. Procedimento secondo la rivendicazione 4, in cui la fase di attaccare comprende alimentare anche C e/o O2.
6. 6. Procedimento secondo la rivendicazione 4 o 5, in cui la fase di depositare comprende alimentare un terzo flusso di C4F8, il terzo flusso essendo superiore al secondo flusso.
7. 7. Procedimento secondo la rivendicazione 6, in cui il rapporto fra il terzo e il secondo flusso è minore di 1,5.
8. 8. Procedimento secondo la rivendicazione 6 o 7, in cui il primo flusso è di 650 sccm, il secondo flusso è di 400 sccm e il terzo flusso è di 425 sccm.
9. 9. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la fase di depositare viene eseguita per un tempo di deposito e la fase di attaccare viene eseguita per un tempo di attacco, il rapporto fra il tempo di deposito e il tempo di attacco essendo compreso fra circa 0,25 e 0,4, ad esempio di circa 0,35, eventualmente ad eccezione di un primo ciclo di irruvidimento.
10. 10. Procedimento secondo la rivendicazione 9, in cui il tempo di deposito è di circa 1, 5 s nel primo ciclo; il tempo di deposito è di circa 1,4 s in cicli successivi; e il tempo di attacco è di circa 4 s.
11. 11. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la fase di depositare viene effettuata ad una prima pressione di plasma e la fase di attaccare viene effettuata ad una seconda pressione di plasma, il rapporto fra la prima e la seconda pressione essendo di circa 1,8 ± 5%, eventualmente ad eccezione di un primo ciclo di irruvidimento.
12. 12. Procedimento secondo la rivendicazione 10, in cui la prima pressione di plasma è di circa 80 mtorr nel primo ciclo; la prima pressione di plasma è di circa 90 mtorr in cicli successivi; e la seconda pressione di plasma è di circa 50 mtorr.
13. 13. Dispositivo a semiconduttori, comprendente un corpo di silicio (40) avente una porzione rugosa, formata da sporgenze poco rilevate e poco appuntite, avente riflettività inferiore al 10%, ottenuta con il processo di una qualsiasi delle rivendicazioni 1-12.
14. 14. Dispositivo secondo la rivendicazione 13, in cui le sporgenze hanno rapporto altezza/larghezza compreso fra 1:1 e 1:5 ed elevata densità.
15. 15. Dispositivo secondo la rivendicazione 13 o 14, in cui il corpo di silicio forma una cavità (42) avente pareti laterali e di fondo costituite alla superficie rugosa e porta un elemento oscillante (14) formante un elemento a specchio MEMS (5, 6).
16. 16. Apparecchio elettrico, comprendente un modulo di proiezione di immagini (201), includente il dispositivo MEMS (8) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 13-15 ed una sorgente luminosa (202) configurata per generare un fascio luminoso sorgente (203) diretto verso l'elemento oscillante (14).
17. 17. Apparecchio secondo la rivendicazione 16, comprendente inoltre un modulo di cattura di immagini (205), operativamente accoppiato al modulo di proiezione di immagini (201) e configurato per catturare immagini associate ad un fascio luminoso riflesso dall'elemento oscillante (14).