IT1030218B - Dispositivo comprendente isolotti di silicio per la realizzazione di circuiti integrati e procedimento per la sua fabricazione - Google Patents
Dispositivo comprendente isolotti di silicio per la realizzazione di circuiti integrati e procedimento per la sua fabricazioneInfo
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- IT1030218B IT1030218B IT67482/75A IT6748275A IT1030218B IT 1030218 B IT1030218 B IT 1030218B IT 67482/75 A IT67482/75 A IT 67482/75A IT 6748275 A IT6748275 A IT 6748275A IT 1030218 B IT1030218 B IT 1030218B
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- H10W10/019—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H10W10/10—
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
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|---|---|
| IT1030218B true IT1030218B (it) | 1979-03-30 |
Family
ID=9135457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| IT67482/75A IT1030218B (it) | 1974-02-26 | 1975-02-25 | Dispositivo comprendente isolotti di silicio per la realizzazione di circuiti integrati e procedimento per la sua fabricazione |
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Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| CN112938894B (zh) * | 2021-03-11 | 2024-06-28 | 中北大学 | 一种多层次立体化的mems器件抗冲击防护结构的制备方法 |
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Also Published As
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