HK85595A - Voltage level conversion circuit - Google Patents
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Claims (8)
1. Circuit de conversion de niveau de tension, en technologie de semiconducteur, qui possède une tension de rupture définie, ledit circuit comprenant :
une première borne de tension d'alimentation électrique (3) destinée à recevoir une première tension ;
une deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2) destinée à recevoir une deuxième tension ;
une borne d'entrée (15) destinée à recevoir un signal d'entrée ;
une borne de sortie (47) destinée à produire un signal de sortie ;
un premier moyen (13) couplé entre lesdites première et deuxième bornes de tension d'alimentation électrique et couplé à ladite borne d'entrée (15) afin de produire des signaux vrais et des signaux en complément logique qui possèdent des niveaux de tension supérieurs à l'amplitude dudit signal d'entrée, mais inférieurs à la tension de rupture ;
un deuxième moyen (23 à 26) couplé entre lesdites première et deuxième bornes de tension d'alimentation électrique et couplé audit premier moyen (13) afin d'augmenter l'excitation de courant desdits signaux vrais et en complément logique ; caractérisé par :
un troisième moyen (32 à 37) couplé audit deuxième moyen (23 à 26) par des premier et deuxième noeuds (31, 29) et comprenant :
un premier condensateur (33) possédant une première borne couplée audit premier noeud (31) et possédant une deuxième borne,
un deuxième condensateur (32) possédant une première borne couplée audit deuxiéme noeud (29) et possédant une deuxième borne,
une première diode (37) possédant une anode couplée à ladite deuxiéme borne dudit premier condensateur (33) et une cathode, et
une deuxième diode (36) possédant une anode couplée à ladite deuxième borne dudit deuxième condensateur (32) et une cathode,
ledit troisième moyen produisant un signal vrai décalé et un signal en complément logique décalé sur les cathodes respectives desdites première et deuxième diodes, les amplitudes des niveaux de tension dudit signal vrai décalé et dudit signal en complément logique décalé étant supérieures à la tension de rupture ; et
un quatrième moyen (38, 39, 43 à 45) couplé entre ledit troisième moyen (32 à 37) et ladite borne de sortie (47) afin de produire ledit signal de sortie, qui possède un niveau de tension supérieur à la tension de rupture et qui possède une fréquence égale à deux fois la fréquence dudit signal d'entrée.
2. Circuit de conversion de niveau de tension selon la revendication 1, où ledit troisième moyen comprend :
un troisième condensateur (38) possédant une première borne couplée à ladite deuxième borne dudit deuxième condensateur (32) et possédant une deuxième borne couplée à ladite cathode de ladite première diode (37) ;
un quatrième condensateur (39) possédant une première borne couplée à ladite deuxième borne dudit premier condensateur (33) et possédant une deuxième borne couplée à ladite cathode de ladite deuxième diode (36) ;
une troisième diode (43) possédant une anode couplée à ladite cathode de ladite deuxième diode (36) et une cathode couplée à ladite borne de sortie (47) ;
une quatrième diode (44) possédant une anode couplée à ladite cathode de ladite première diode (37) et une cathode couplée à ladite borne de sortie (47) ; et
un cinquième condensateur (45) possédant une première borne couplée à ladite borne de sortie (47) et une deuxième borne couplée à ladite deuxième borne de tension d'alimentation (2).
3. Circuit de conversion de niveau de tension selon la revendication 1, comprenant en outre un transistor bipolaire (27) ayant un collecteur couplé à une troisième borne de tension d'alimentation électrique (1), une base couplée à ladite première borne de tension d'alimentation électrique (3), un premier émetteur couplé à ladite deuxième borne dudit premier condensateur (33), un deuxième émetteur couplé à ladite deuxième borne dudit deuxième condensateur (32), et un troisième émetteur.
4. Circuit de conversion de niveau de tension selon la revendication 3, comprenant en outre une diode zener (28) possédant une cathode couplée à ladite première borne de tension d'alimentation électrique (3) et une anode couplée à ladite deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2) afin de limiter ladite première tension à une amplitude inférieure à la tension de rupture.
5. Circuit de conversion de niveau de tension selon la revendication 3 ou 4, comprenant en outre un cinquième moyen (7 à 11) couplé entre ladite troisième borne de tension d'alimentation électrique (1) et ladite deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2) afin de fournir sélectivement ladite première tension à ladite première borne de tension d'alimentation électrique (3).
6. Circuit de conversion de niveau de tension selon la revendication 5, où ledit cinquième moyen comprend :
une borne de tension de polarisation (5) destinée à recevoir une tension de polarisation ;
une borne de commande (6) destinée à recevoir un signal de commande ;
un premier transistor à effet de champ (7) possédant une source couplée à ladite troisième borne de tension d'alimentation électrique (1) et possédant une grille couplée à son drain ;
un deuxième transistor à effet de champ (9) possédant un drain couplé audit drain dudit premier transistor à effet de champ (7), une grille couplée à ladite borne de tension de polarisation (5), et une source couplée à ladite deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2) ;
un troisième transistor à effet de champ (8) possédant une source couplée à ladite troisième borne de tension d'alimentation électrique (1), une grille couplée à ladite grille dudit premier transistor à effet de champ (7), et un drain couplé à ladite première borne de tension d'alimentation électrique (3) ; et
un quatrième transistor à effet de champ (11) possédant un drain couplé à ladite première borne de tension d'alimentation électrique (3), une grille couplée à ladite borne de commande (6), et une source couplée à ladite deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2).
7. Circuit de conversion de niveau de tension selon la revendication 3, 4, 5 ou 6, où ledit premier moyen comprend :
un premier transistor à effet de champ (16) possédant une source couplée à une quatrième borne de tension d'alimentation électrique (4), une grille couplée à ladite borne d'entrée (15), et possédant un drain ;
un deuxième transistor à effet de champ (17) possédant une source couplée à ladite deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2), une grille couplée à ladite borne d'entrée (15), et un drain couplé audit drain dudit premier transistor à effet de champ (16) ;
un troisième transistor à effet de champ (18) possédant une source couplée audit troisième émetteur dudit transistor bipolaire (27), et possédant une grille et un drain ;
un quatrième transistor à effet de champ (21) possédant une source couplée à ladite deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2), un drain couplée audit drain dudit troisième transistor à effet de champ (18), et une grille couplée à ladite borne d'entrée (15) ;
un cinquième transistor à effet de champ (19) possédant une source couplée audit troisième émetteur dudit transistor bipolaire (27), une grille couplée audit drain dudit troisième transistor à effet de champ (18), et un drain couplée à ladite grille dudit troisième transistor à effet de champ (18) ; et
un sixième transistor à effet de champ (22) possédant une source couplée à ladite deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2), une grille couplée audit drain dudit premier transistor à effet de champ (16), et un drain couplé audit drain dudit cinquième transistor à effet de champ (19).
8. Circuit de conversion de niveau de tension selon la revendication 7, où ledit deuxième moyen comprend :
un septième transistor à effet de champ (25) possédant une source couplée audit troisième émetteur dudit transistor bipolaire (27), une grille couplée audit drain dudit cinquième transistor à effet de champ (19), et un drain couplé audit deuxième noeud (29) ;
un huitième transistor à effet de champ (26) possédant une source couplée à ladite deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2), une grille couplée à ladite grille dudit septième transistor à effet de champ (25), et un drain couplé audit deuxième noeud (29) ;
un neuvième transistor à effet de champ (23) possédant une source couplée audit troisième émetteur dudit transistor bipolaire (27), une grille couplée audit drain dudit troisième transistor à effet de champ (18), et un drain couplé audit premier noeud (31) ; et
un dixième transistor à effet de champ (24) possédant une source couplée à ladite deuxième borne de tension d'alimentation électrique (2), une grille couplée à ladite grille dudit neuvième transistor à effet de champ (23), et un drain couplé audit premier noeud (31).
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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| HK85595A HK85595A (en) | 1988-05-16 | 1995-06-01 | Voltage level conversion circuit |
Country Status (8)
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