FR3126170A1 - Procédé de fabrication d'un capteur d'images - Google Patents
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Abstract
Procédé de fabrication d'un capteur d'images La présente description concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images comportant :a) la formation d'une pluralité de microlentilles (23) dans une couche (15) en une première résine ;b) après l'étape a), la formation d'un masque (25) en une deuxième résine, sur et en contact avec ladite couche (15) ; etc) après l'étape b), la gravure chimique par plasma de ladite couche (15), à travers le masque (25). Figure pour l'abrégé : Fig. 11
Description
La présente description concerne de façon générale le domaine des capteurs d'images et vise plus particulièrement un procédé de fabrication d'un capteur d'images.
Un capteur d'images comprend généralement une pluralité de photodétecteurs, par exemple des photodiodes, intégrés dans et sur un substrat semiconducteur.
On s'intéresse ici plus particulièrement aux capteurs d'images dont les photodétecteurs sont surmontés d'une couche de microlentilles. Cette couche de microlentilles permet de focaliser les rayonnements incidents sur les photodétecteurs.
Il serait souhaitable d'améliorer au moins en partie certains aspects des procédés connus de fabrication d'un capteur d'images comprenant une couche de microlentilles.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un capteur d'images comportant :
a) la formation d'une pluralité de microlentilles dans une couche en une première résine ;
b) après l'étape a), la formation d'un masque en une deuxième résine, sur et en contact avec ladite couche ; et
c) après l'étape b), la gravure chimique par plasma de ladite couche, à travers le masque.
a) la formation d'une pluralité de microlentilles dans une couche en une première résine ;
b) après l'étape a), la formation d'un masque en une deuxième résine, sur et en contact avec ladite couche ; et
c) après l'étape b), la gravure chimique par plasma de ladite couche, à travers le masque.
Selon un mode de réalisation, ladite couche recouvre une face d'un substrat semiconducteur dans lequel ont été préalablement formés une pluralité de photodétecteurs.
Selon un mode de réalisation, ladite couche recouvre en outre un plot de reprise de contact préalablement formé sur le substrat.
Selon un mode de réalisation, lors de l'étape c), on vient exposer le plot de reprise de contact.
Selon un mode de réalisation, à l'étape a), la formation des microlentilles comprend une étape d) de formation de structurations en forme de microlentilles dans une couche en une troisième résine, suivie d'une étape e) de transfert desdites structurations dans la couche en la première résine par gravure physique.
Selon un mode de réalisation, à l'étape d), les structurations sont formées par photolithographie et fluage.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l'étape c), une étape de dépôt d'une couche de protection et d'isolation à la surface et sur les flancs de la couche en la première résine.
Selon un mode de réalisation, après l'étape c), le masque est retiré à l'aide d'un solvant.
Selon un mode de réalisation, la couche en la première résine est réticulée.
Selon un mode de réalisation, la couche en la première résine est non-photosensible.
Selon un mode de réalisation, le plasma comprend du dioxygène.
Un mode de réalisation prévoit un capteur d'images comportant un substrat semiconducteur dans et sur lequel sont intégrés une pluralité de photodétecteurs, le substrat étant revêtu par une couche en une première résine dans laquelle sont formées une pluralité de microlentilles, ladite couche comprenant une ouverture en vis-à-vis d'un plot de reprise de contact disposé sur le substrat, ladite ouverture ayant des parois latérales inclinées.
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
la est une vue en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'une étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images ;
la est une vue en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'une autre étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images ;
la est une vue en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'une autre étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images ;
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la est une vue en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'une autre étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images ;
la est une vue en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'une étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images selon un mode de mise en oeuvre ;
la est une vue en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'une autre étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images selon un mode de mise en oeuvre ; et
la est une vue en coupe illustrant un dispositif obtenu à l'issue d'une autre étape d'un exemple d'un procédé de fabrication d'un capteur d'images selon un mode de mise en oeuvre.
Claims (11)
- Procédé de fabrication d'un capteur d'images comportant :
a) la formation d'une pluralité de microlentilles (23) dans une couche (15) en une première résine ;
b) après l'étape a), la formation d'un masque (25) en une deuxième résine, sur et en contact avec ladite couche (15) ; et
c) après l'étape b), la gravure chimique par plasma de ladite couche (15), à travers le masque (25). - Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite couche (15) recouvre une face d'un substrat semiconducteur (11) dans lequel ont été préalablement formés une pluralité de photodétecteurs (12).
- Procédé selon la revendication 2, dans lequel ladite couche (15) recouvre en outre un plot de reprise de contact (13) préalablement formé sur le substrat (11).
- Procédé selon la revendication 3, dans lequel lors de l'étape c), on vient exposer le plot de reprise de contact (13).
- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, à l'étape a), la formation des microlentilles (23) comprend une étape d) de formation de structurations (21) en forme de microlentilles dans une couche (19) en une troisième résine, suivie d'une étape e) de transfert desdites structurations (21) dans la couche (15) en la première résine par gravure physique.
- Procédé selon la revendication 5, dans lequel, à l'étape d), les structurations (21) sont formées par photolithographie et fluage.
- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant, après l'étape c), une étape de dépôt d'une couche de protection et d'isolation (29) à la surface et sur les flancs de la couche (15) en la première résine.
- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, après l'étape c), le masque (25) est retiré à l'aide d'un solvant.
- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche (15) en la première résine est réticulée.
- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche (15) en la première résine est non-photosensible.
- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le plasma comprend du dioxygène.
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| KR20110075948A (ko) * | 2009-12-29 | 2011-07-06 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조방법 |
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