FR3074358A1 - Procede de realisation d'une cavite etanche a couche mince - Google Patents
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Abstract
Procédé de réalisation d'un système d'encapsulation comportant : - la fabrication d'un premier élément comprenant, à partir d'un premier substrat, les étapes de formation d'une zone fragilisée de sorte définir une couche mince et une couche support, - l'assemblage du premier élément avec un deuxième élément de sorte que la couche mince soit disposée entre le deuxième élément et la couche support, - le retrait de la couche support par séparation de la couche support et de la couche mince au niveau de la zone fragilisée.
Description
PROCEDE DE REALISATION D'UNE CAVITE ETANCHE A COUCHE MINCE DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE
La présente invention se rapporte à un procédé de réalisation d'une cavité étanche à couche mince.
Dans le domaine de la microélectronique, les composants microélectromécaniques ou MEMS (Microlectromechanical Systems), nanaoélectromécaniques ou NEMS (Nanoelectromechanical Systems) et ou composants opto-électromécaniques ou MOEMS (Microoptomechanical Systems) sont très souvent encapsulés pour les protéger mécaniquement de l'environnement extérieur et/ou de les isoler dans un environnement contrôlé, par exemple dans un environnement étanche, i.e. qui isole des liquides et de la vapeur d'eau et/ou hermétique, i.e. qui isole des gaz, permettant par exemple de maintenir une atmosphère sous vide.
Par exemple, une encapsulation hermétique peut être requise pour maintenir sous atmosphère contrôlé le composant pendant toute la durée de vie de celuici. Dans certaines applications telles que les gyromètres, les géophones, le fonctionnement nécessite que les composants soient maintenus sous vide
Très souvent, l'encapsulation, également désignée packaging, est réalisé de manière collective au niveau du substrat, i.e. plusieurs composants sont encapsulés simultanément dans des cavités distinctes puis les dispositifs sont séparés les uns des autres.
Deux méthodes sont principalement mises en œuvre pour réaliser l'encapsulation de composants micro et nanoélectroniques.
Une première méthode appelée « Wafer-level packaging » ou WLP consiste à sceller un substrat capot sur le substrat comportant les composants. Par exemple cette méthode est décrite dans le document M. Lutz et al., MEMS Oscillators for High Volume Commercial Applications, TRANSDUCERS 2007 - 2007 International Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conférence, Lyon, 2007, pp. 49-52. Il en résulte un dispositif final présentant une épaisseur importante. Pour réduire cette épaisseur, une étape d'amincissement par usinage mécanique et /ou mécano-chimique, également désigné « backgrinding » en terminologie anglo-saxonne est alors effectuée. D'une part cela implique une étape supplémentaire, d'autre part de la matière est perdue et enfin l'épaisseur qui peut être obtenue est rarement inférieure à 100 pm sans présenter de risque de dégradation du substrat aminci (casse, fissure...).
Or, de plus en plus de systèmes requièrent une faible épaisseur, par exemple inférieure à 30 pm pour pouvoir être intégrés dans les capteurs, par exemple utilisés dans les téléphones portables, les bracelets connectés...
Par ailleurs les reprises de contact au fond de cavité profonde sont difficiles à réaliser.
Une deuxième méthode, appelée «Thin-Film packaging» ou TFP comporte l'étape de dépôt d'une couche sacrificielle sur le composant à encapsuler, une étape de dépôt d'une couche mince, une étape de retrait de la couche sacrificielle et une étape de fermeture étanche de la cavité formée par la couche mince. Cette méthode est par exemple décrite dans le document C. Gillot, J. L. Pornin, A. Arnaud, E. Lagoutte, N. Sillon and J. C. Souriau, Wafer level thin film encapsulation for MEMS, 2005 7th Electronic Packaging Technology Conférence, Singapore, 2005, pp. 5
Cependant la couche sacrificielle peut être difficile à réaliser dans le cas de composants présentant de fortes topologies, par exemple lorsque ces composants sont réalisés dans une épaisseur importante.
En outre, il peut être difficile d'établir un vide de bonne qualité, l'herméticité étant réalisée par exemple par dépôt physique en phase vapeur. Cette approche est également difficilement compatible avec l'intégration d'un getter et/ou la réalisation d'une cavité importante nécessaire à l'obtention d'un vide stable et de bonne qualité
Enfin la réalisation de routage au niveau du capot peut être complexe.
EXPOSÉ DE L'INVENTION
C'est par conséquent un but de la présente invention d'offrir un procédé de réalisation simplifié d'une cavité étanche à couche mince, par exemple pour réaliser un système d'encapsulation de composants micro et/ou nanoélectroniques ou micro et/ou nanoélectromécaniques.
Le but énoncé ci-dessus est atteint par un procédé de réalisation d'une cavité étanche comportant, à partir d'un premier substrat, la délimitation d'une couche et d'une partie support dans le premier substrat au moyen d'une zone fragilisée réalisée à une profondeur donnée, l'assemblage du premier substrat et d'un deuxième substrat, de sorte que la couche soit reportée sur le deuxième substrat et le retrait de la partie support par séparation au niveau de la zone fragilisée.
Dans un exemple de réalisation, la zone fragilisée est réalisée par implantation.
Dans un autre exemple de réalisation, la zone fragilisée est réalisée par exemple à partir d'une microstructure, par exemple des micropiliers, permettant après traitement de former la couche.
Grâce à l'invention, on peut réaliser directement un système avec au moins un composant encapsulé sans étape de retrait de couche sacrificielle et de fermeture d'une cavité. En outre, le système peut présenter directement une faible épaisseur sans nécessiter d'étape de backgrinding. En effet l'épaisseur supplémentaire due à l'encapsulation peut ne comporter que l'épaisseur de la couche et le matériau de scellement, par rapport à la méthode WLP.
De manière très avantageuse, la couche fermant la cavité peut subir une structuration et/ou une fonctionnalisation avant le scellement. Dans la présente demande, on entend par « structuration », un ensemble d'étapes technologiques réalisées avant assemblage, pouvant comporter des dépôts (diélectrique, métal, semiconducteur) et gravure de couches.
Cette « structuration » peut servir au routage électrique ou à la connexion électrique. Il peut être intéressant de former des couches additionnelles sur la couche suspendue pour former des électrodes, pour réaliser des butées mécaniques, des getters, pour réaliser un capteur de température.
Cette « structuration » préalable peut s'appliquer dans le cas d'un capotage de composants, mais également lors de la réalisation de canaux fluidique.
Le procédé permet d'encapsuler des composants suspendus, tels que des MEMS, ou des composants non suspendus tels que des composants passifs.
En outre, si on souhaite contrôler l'atmosphère en cas d'encapsulation, le contrôle de l'atmosphère peut être fait directement au moment du scellement, sans étape supplémentaire.
On peut prévoir de récupérer la partie support pour réaliser une nouvelle encapsulation, la partie support formant une poignée pour la couche capot.
En d'autres termes, on préfabriqué la couche mince, en réalisant une zone de fragilisation, qui est alors provisoirement solidaire mécaniquement d'une couche ou substrat support, la couche mince est ensuite assemblée sur un substrat définitif et le substrat support est retiré aisément du fait de la zone de fragilisation préalablement formée.
Dans le cas d'un capot d'encapsulation, le capot peut alors présenter directement une faible épaisseur sans nécessiter d'étape de backgrinding.
Le procédé selon l'invention permet en outre de réaliser relativement simplement des systèmes d'encapsulation sous atmosphère contrôlé.
La présente invention a alors pour objet un procédé de réalisation d'au moins une première cavité étanche comportant :
la fabrication d'un premier élément comprenant à partir d'un premier substrat, les étapes de formation d'une zone fragilisée de sorte à définir une couche mince et une couche support,
- l'assemblage du premier élément avec un deuxième élément de sorte que la couche mince soit disposée entre la couche support et le deuxième élément, ladite première cavité étant définie entre le deuxième élément et la couche mince,
- le retrait de la couche support par séparation de la couche support et de la couche mince au niveau de la zone fragilisée.
Dans un exemple très avantageux, la formation de zone fragilisée est réalisée par implantation. Le retrait de la couche support peut par exemple être obtenu par fracture au niveau de la zone fragilisée.
Dans un autre exemple très avantageux, la formation de la zone fragilisée comporte la formation d'une microstructure en face avant du premier substrat et l'application d'un traitement thermique de sorte à provoquer la formation d'une couche mince en face avant du premier substrat, ladite zone fragilisée comportant des deuxièmes cavités. Le retrait de la couche support peut alors par exemple être obtenu par fracture, usinage mécanique et/ou chimique.
Le procédé peut comporter une étape d'oxydation de la zone fragilisée.
Selon une caractéristique additionnelle, le procédé peut comporter une étape d'épaississement de la couche mince.
Le procédé peut comporter :
- la formation sur la couche mince, préalablement à l'étape de scellement, d'une couche au moins en partie transparente,
- après le scellement, la structuration de la couche mince de sorte à faire apparaître la couche au moins en partie transparente.
Lors de l'assemblage du premier élément et du deuxième élément, au moins une partie de la couche mince peut ne pas être en contact avec le deuxième élément.
De manière avantageuse, lors de l'étape d'assemblage, l'environnement est contrôlé de sorte à réaliser une première cavité sous atmosphère contrôlé. La première cavité est par exemple sous vide.
Dans un exemple avantageux, le procédé de réalisation comporte au moins une étape de dépôt d'un matériau getter sur la couche mince avant l'assemblage, de sorte que le matériau getter se retrouve dans la première cavité.
L'assemblage du premier élément et du deuxième élément est par exemple un assemblage eutectique un scellement direct ou un scellement polymère.
La présente invention a également pour objet un procédé d'encapsulation mettant en œuvre un procédé de réalisation d'au moins une première cavité étanche selon la présente invention, le deuxième substrat comportant au moins un composant à encapsuler.
Le procédé d'encapsulation peut comporter une étape de structuration de la couche mince et de réalisation de connexions avec des plots de contact du composant.
La présente invention a également pour objet un procédé de réalisation d'un dispositif microfluidique, mettant en œuvre le procédé selon l'invention, la première cavité comprenant au moins un canal fluidique.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
La présente invention sera mieux comprise sur la base de la description qui va suivre et des dessins en annexe sur lesquels :
- les figures IA à 1F représentent schématiquement différentes étapes d'un exemple de procédé de réalisation d'un système d'encapsulation selon l'invention,
- les figures 2A à 2E sont des représentations schématiques d'un autre exemple de procédé de réalisation d'un système d'encapsulation selon l'invention,
- les figures 2A' et 2B' sont des représentations schématiques d'une variante de l'exemple des figures 2A et 2B,
- la figure 3 est une représentation schématique d'un exemple de substrat muni de la couche capot ayant subi une étape technologique avant assemblage,
- les figures 4A à 4G sont des représentations schématiques de différentes étapes d'un autre exemple de procédé d'encapsulation selon l'invention,
- les figures 5A et 5B sont des représentations schématiques d'un exemple d'étapes permettant la réalisation d'un système d'encapsulation comportant un capot transparent,
- les figures 6A et 6B sont des exemples de moyens de rigidification appliqués à une couche mince obtenue par un exemple de procédé selon l'invention,
- la figure 7 est une représentation schématique d'un dispositif ayant subi une étape de structuration après assemblage,
- la figure 8 est une représentation schématique d'un dispositif fluidique réalisé par un procédé selon l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
Le procédé selon l'invention permet de réaliser une encapsulation de composants, de former des capots pour des dispositifs tels que des dispositifs fluidiques.
Dans la présente demande, on entend par « environnement étanche », un environnement qui isole des liquides et de la vapeur d'eau, et par «environnement hermétique » un environnement qui isole des gaz, et qui permet en particulier de maintenir une atmosphère sous vide.
Sur les figures IA à 1F, on peut voir représentées schématiquement les étapes d'un exemple de procédé d'encapsulation selon l'invention.
Par exemple, on souhaite encapsuler au moins un composant C. Le composant peut être par exemple un MEMS, un NEMS, un NOEMS, un filtre RF, une capacité, une inductance...
Dans la suite de la description, le composant sera désigné composant ou MEMS.
Le composant est réalisé dans et/ou sur un substrat désigné S, i.e. on souhaite disposer dans une cavité hermétique au moins un tel composant MEMS. Sur la figure ID, le composant est par exemple un MEMS réalisé dans un substrat silicium sur isolant ou SOI (Silicon on Insulator en terminologie anglo-saxonne), le MEMS ayant été libéré avant son encapsulation. L'élément comportant le composant et le substrat est désigné El. Le substrat S est par exemple en silicium.
En variante, le substrat peut être en verre, en céramique ou tout autre matériau adapté.
On utilise un substrat 100, par exemple un substrat en silicium, par exemple d'épaisseur comprise entre 450 pm et 750 pm.
Selon un autre exemple de réalisation, le substrat peut être hétérogène, par exemple il peut être obtenu par une formation d'une couche de SiGe, par exemple par dépôt ou épitaxie, sur le substrat Si de manière à reporter du SiGe, et non uniquement du silicium, ou une couche comportant à la fois du SiGe et du Si. Ce dépôt peut se faire avant l'implantation de fragilisation de la couche. En variante, le SiGe peut être remplacé par de ΙΆΙΝ, une couche diélectrique...
De préférence, les matériaux des substrats 100 et S présentent des coefficients de dilatation thermique proches, voire égaux, par exemple l'un peut être en Si et l'autre en SiGe.
Le substrat 100 est représenté sur la figure IA.
Lors d'une étape suivante, on délimite une couche 102 dans le substrat 100, destinée à former un capot d'encapsulation.
La couche 102 est délimitée en formant, à une certaine profondeur p du substrat 100, une zone fragilisée 104 sensiblement parallèle à la face du substrat 100 par laquelle a lieu l'implantation. L'autre partie du substrat est désignée le support ou la poignée 106.
Le plan du substrat est un plan parallèle aux faces de plus grande surface du substrat.
Dans cet exemple, la zone fragilisée est formée par une étape d'implantation par exemple d'hydrogène, cette étape est bien connue de l'homme du métier. Cette étape est par exemple mise en œuvre dans le procédé « smart-cut » bien connu de l'homme du métier, et par exemple décrit dans le document EP0533551.
L'implantation est schématisée par les flèches I.
La zone fragilisée 104 est formée par exemple à une profondeur comprise entre quelques dizaines de nm à quelques pm.
L'élément E2 ainsi réalisé et représenté sur la figure IB.
Lors d'une étape suivante, on assemble les substrats El et E2 en vue d'encapsuler le composant C et former une structure d'encapsulation comportant le composant encapsulé.
L'assemblage des deux éléments est par exemple réalisé par scellement eutectique. Par exemple, on forme sur l'élément E2 sur la face libre de la couche capot 102 un cordon métallique 107 de sorte que, lors de l'assemblage, le cordon entoure le composant C. En variante le cordon peut être formé sur le substrat S ou sur la couche capot 102 et sur le substrat S.
Par exemple, le cordon métallique est en Au réalisé par dépôt. Avantageusement une couche d'accroche en Ti est réalisée préalablement au dépôt du cordon de scellement. Le réalisation d'un tel cordon est bien connue de l'homme du métier et ne sera pas décrite en détail.
Selon un autre exemple de réalisation l'étape d'assemblage comporte le dépôt d'une couche en matériau polymère sur la couche capot/et ou sur le substrat S et la structuration de celle-ci en vue d'un scellement polymère.
Selon un autre exemple de réalisation, on forme une couche de SiO2sur la couche capot et/ou sur le substrat S, par exemple par oxydation thermique ou par dépôt d'une couche de SiO2 pour réaliser un scellement direct ou moléculaire Si/SiO2. Les propriétés de la couche de SiO2, par exemple la rugosité permettent le scellement Si/SiO2. Un tel assemblage est bien connu de l'homme du métier. Un recuit de consolidation peut avoir lieu.
Selon un autre exemple, l'assemblage peut être anodique, notamment dans le cas où le substrat support El est en verre (borosilicate) ou que l'assemblage se fait par l'intermédiaire d'une couche mince en verre préalablement déposée sur le substrat El ou E2. L'assemblage est alors obtenu en appliquant une différence de potentiel entre les deux substrats tout en chauffant l'assemblage et en appliquant une pression.
D'autres types de scellement permettant d'assembler deux substrats peuvent convenir.
Les éléments El et E2 sont assemblés de sorte que la couche capot 102 soit en regard du composant C et le cordon entoure le composant C et à délimiter une cavité contenant le composant.
Il peut être prévu d'encapsuler le composant sous une atmosphère particulière, par exemple sous vide ou dans un environnement contrôlé, par exemple dans un gaz inerte. Pour cela, lors de l'assemblage l'environnement dans lequel sont disposés les éléments El et E2 est l'atmosphère d'encapsulation souhaitée, par exemple dans le vide ou dans un environnement de gaz inerte.
L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1E. Sur la figure 1E, plusieurs zones sont délimitées sur le même composant par le cordon, par exemple autour des plots de contact. Il peut aussi être souhaité de consolider le capot en le scellant à certains points, à l'intérieur de la cavité.
Lors d'une étape suivante et comme cela est schématisé sur la figure 1F, on retire la poignée 106 afin de ne conserver que la couche capot 102. Le retrait de la poignée est réalisé par fracture. La fracture peut être obtenue par l'une des techniques parmi le traitement thermique, par exemple à une température de 500°C, l'application d'une contrainte mécanique, par exemple par déformation de l'empilement ou par insertion d'un coin mécanique au niveau de la zone de fragilisée 104. Il peut être envisagé de combiner deux ou plus de ces techniques. La liste ci-dessus n'est pas limitative et d'autres techniques de fracture peuvent être appliquées. Une étape de polissage, par exemple mécano-chimique peut avoir lieu après la fracture.
On constate que la surépaisseur due à l'encapsulation est très faible.
Sur les figures 2A à 2D, on peut voir un autre exemple de procédé d'encapsulation selon l'invention.
On utilise un substrat 200 par exemple en silicium.
Lors d'une étape suivante, on structure la face avant du substrat 200 afin de former de piliers 204 en Si. Ceux-ci sont par exemple réalisés par gravure sèche. De préférence, des piliers 204 de section plus importante sont réalisés et répartis dans la zone structurée. Ces piliers 204 sont destinés à former des zones d'ancrage.
La largeur des zones inter-pilier d est par exemple comprise entre 0,3 pm et 1 pm et la distance D entre deux faces parallèles d'un pilier est par exemple comprise entre 0,5 pm et 2 pm.
L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 2A
Lors d'une étape suivante, on applique un traitement au substrat 200 de sorte à former des cavités enterrées 206 qui forment la zone fragilisée. Le traitement est par exemple un recuit haute température sous atmosphère réductrice. De préférence, les cavités ainsi réalisées sont communicantes.
A la fin du traitement les zones d'ancrage subsistent.
La couche capot a par exemple une épaisseur comprise entre 0,5pm et l,5pm.
Cette méthode est décrite dans le document EP2599746.
A la place des piliers, une ou des zones poreuses pourraient être réalisées, par exemple par gravure, par gravure électrochimique.
La couche 208 fermant les cavités forme la couche capot.
La poignée 210 est séparée de la couche capot 208 par une zone fragilisée 212 comprenant les cavités enterrées.
L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 2B.
De préférence, une étape d'usinage mécanique et/ou chimique des bords latéraux épais 211 de l'assemblage, afin de permettre effectivement la séparation par fracture, comme cela est schématisée par des pointillés sur la figure 2B. Cet usinage se fait au moins sur toute l'épaisseur de la couche 208, voire sur une plus grande profondeur.
Une étape de planarisation de la couche capot 208, par exemple par polissage mécano-chimique, peut avoir lieu.
Un cordon de scellement 214 est formé par exemple sur la couche capot 208. L'élément E3 ainsi obtenu est représenté sur la figure 2C.
Lors d'une étape suivante, l'élément E3 et l'élément E4 sont assemblés de manière similaire aux éléments E2 et El, la description ci-dessus s'applique. La couche capot 208 est en regard du composant.
L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 2D.
Lors d'une étape suivante, on retire la poignée.
Le retrait peut se faire par fracture. La fracture peut être obtenue par l'une des techniques parmi le traitement thermique, par exemple à une température de 500°C, l'application d'une contrainte mécanique, par exemple par déformation de l'empilement ou par insertion d'un coin mécanique au niveau de la zone de fragilisée 104.
Il peut être envisagé de combiner deux ou plus de ces techniques. La liste ci-dessus n'est pas limitative et d'autres techniques de fracture peuvent être appliquées.
En variante, le retrait peut être obtenu par usinage mécanique et/ou chimique des bords latéraux et des zones d'ancrage.
De manière avantageuse, une étape de polissage mécano-chimique a lieu pour supprimer les portions en saillie résultant de la fracture.
L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 2E.
Selon une variante de la méthode représentée sur les figures 2A à 2E, on peut prévoir de préparer le retrait de la poignée préalablement à l'assemblage.
Comme cela est représenté sur la figure 2A', on réalise une oxydation de l'intérieur des cavités enterrées, par exemple on réalise au moins une ouverture 215 débouchant dans une ou des cavités enterrées, pour permettre au gaz oxydant, par exemple l'oxygène d'entrer en contact avec les zones d'ancrage. Dans l'exemple représenté, la ou les ouvertures 215 sont réalisées dans la couche capot 208, préférentiellement dans des zones hors des cavités scellées. Préférentiellement, la ou les ouvertures 215 sont réalisées dans un bord latéral 211.
De préférence les cavités sont reliées entre elles permettant à l'oxydation d'avoir lieu dans toutes les cavités.
Sur la figure 2B', la couche d'oxyde est désignée 218. La formation d'oxyde peut fragiliser les zones d'ancrage et faciliter la fracture, dans ce cas on peut envisager d'oxyder tout ou partie des zones d'ancrage. Elle peut alternativement servir de couche d'arrêt dans le cas d'un retrait par usinage chimique, par exemple à l'acide fluorhydrique, ou gravure ionique réactive ou RIE (Reactive Ionie Etching). La couche d'arrêt protège la couche capot.
La couche capot peut être structurée et/ou subir une ou des traitements avant d'être scellée sur le substrat S.
Par exemple, comme cela est représenté sur la figure 3, une couche d'isolation électrique 220 est formée sur la couche capot 208, par exemple pour pouvoir réaliser des contacts et/ou des pistes électriques sur la couche capot tout en les isolant électriquement de la couche capot.
Par exemple la couche 220 est en SiO2. La couche 220 est par exemple formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour PlasmaEnhanced Chemical Vapor Déposition en terminologie anglo-saxonne).
Sur la figure 3, la zone de fragilisation est formée par des cavités enterrées. Il sera compris que la zone de fragilisation pourrait être également obtenue par implantation ionique.
Dans un autre exemple, dans une application où l'on souhaite encapsuler le ou les composants dans le vide, on peut prévoir de déposer sur la couche capot un matériau getter avant l'assemblage, celui-ci se trouvant alors dans la cavité d'encapsulation après assemblage. La localisation du dépôt du matériau getter est par exemple obtenue au moyen d'un pochoir.
Dans un autre exemple de réalisation, on prévoit de réaliser une couche capot plus épaisse. En effet, la couche capot délimitée directement par implantation ionique ou par réalisation de cavités enterrées, présente une épaisseur faible comprise entre quelques dizaines de nm et quelques pm, qui est très inférieure à l'épaisseur de la couche obtenue par le procédé WLP, qui est au moins de 100 pm.
Il peut alors être souhaitable d'avoir une couche plus épaisse par exemple pour réaliser des cavités dans la couche capot avant assemblage.
Sur la figure 4A est représenté l'élément de la figure 2B comportant des cavités enterrées fermées par la couche 208. Il sera compris que les étapes suivantes s'appliquent également dans le cas d'une zone fragilisée formée par implantation ionique.
Lors d'une étape suivante, on augmente l'épaisseur de la couche 208, par exemple par épitaxie ou par dépôt chimique en phase vapeur sous basse pression ou LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Déposition en terminologie anglo-saxonne). La couche supplémentaire 220 ainsi formée a par exemple une épaisseur déposée de 10 pm.
L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 4B.
On peut prévoir ensuite de réaliser des cavités 222 ou évidements. Les cavités sont par exemple réalisées par lithographie et gravure.
L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 4C.
A titre d'application, on peut prévoir par exemple de former une couche getter 224 sur le fond des cavités. Le matériau getter est par exemple déposé au moyen d'un pochoir.
L'élément E4 ainsi formé est représenté sur la figure 4D.
Dans une étape suivante, on assemble l'élément E4 à un élément E5 sur ou dans lequel ont été préalablement réalisés des composants MEMS et/ou NEMS (figure 4E). Dans l'exemple représenté, l'élément E5 comporte deux composants Cl et C2 et des contacts CO.
Le scellement est réalisé de manière similaire à la méthode des figures IA à 1F, par exemple par scellement eutectique, polymère...chaque composant Cl, C2 est encapsulé dans une cavité distincte. Un cordon de scellement 226 est formé par exemple sur l'élément E4.
Lors de l'étape suivante (figure 4F), la poignée est retirée de manière similaire à l'étape décrite en relation avec les figures 2D et 2E, par fracture et/ou gravure mécanique et/ou chimique.
Lors d'une étape suivante, on structure le capot pour accéder aux contacts CO, par exemple par lithographie et gravure.
De manière avantageuse, une étape de polissage mécano-chimique a lieu pour supprimer les portions en saillie résultant de la fracture.
L'élément ainsi réalisé est représenté sur la figure 4G.
Il a été décrit ci-dessus la structuration du capot après assemblage pour ouvrir des contacts électriques. Il peut être également envisagé de structurer le capot pour créer un évent.
La structuration du capot après assemblage peut s'appliquer également aux couches capots 102 et 208, i.e. n'ayant pas subi d'étape d'épaississement. Sur la figure 7, la couche capot 102 est gravée pour accéder au contact CO.
La mise en œuvre de capot présentant une épaisseur faible permet de réaliser des reprises de contact avec des billes de faible diamètre.
Un autre exemple de méthode de réalisation va maintenant être décrit permettant de réaliser des zones transparentes.
La méthode comporte par exemples les étapes représentées sur les figures IA et IB. On obtient un élément comportant une couche capot 302, une zone fragilisée et une poignée.
Lors d'une étape suivante on forme sur la couche capot 302 une couche en matériau transparent 306, tels que le SiN et/ou le SiO2, par exemple par dépôt PECVD d'épaisseur typiquement comprise entre 0,3 pm et 2 pm.
L'élément ainsi obtenu est ensuite assemblé avec un élément tel que l'élément El. L'assemblage est par exemple réalisé par scellement eutectique. Le cordon métallique est alors formé sur la couche 302.
Lors d'une étape suivante, la poignée est retirée par exemple par fracture.
L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 5A.
Lors d'une étape suivante, on structure la couche capot pour accéder à la couche transparente 306 au niveau de la cavité, formant ainsi une fenêtre.
Le retrait partiel de la couche capot est par exemple réalisé par gravure ionique réactive profonde ou DRIE (Deep Reactive Ion Etching en terminologie anglosaxonne) avec arrêt sur la couche transparente.
L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 5B.
Dans un exemple de réalisation représenté sur les figures 6A et 6B, on prévoit que la couche capot comporte des moyens de rigidification, ces moyens de rigidification sont particulièrement avantageux dans le cas de capot de grande surface et d'une fragilisation par implantation, car ils favorisent la propagation de la fracture sur toute la surface du capot.
Ces moyens de rigidification 401 sont par exemple formés par une surépaisseur 402 sur la face avant de la couche capot 404, la surépaisseur ayant par exemple la forme d'un maillage 402 (figure 6A).
Ces moyens de rigidification sont formés avant l'assemblage.
Dans le cas d'une zone fragilisée obtenue par implantation ionique, les moyens de rigidification peuvent être réalisés avant l'implantation car les surépaisseurs présentant une faible largeur sont « transparentes » à l'implantation. Sur la figure 6B, le substrat 400 est gravé pour former les moyens de rigidification en saillie du fond d'une cavité 406, par exemple par lithographie et gravure. Les flancs de la cavité 406 sont avantageusement inclinés pour permettre une implantation correcte. Une implantation a ensuite lieu, symbolisée par le trait en pointillés. Une zone fragilisée 408 sépare la couche capot 404 muni des moyens de rigidification et la poignée 410. Lors du retrait de la poignée, la fracture suit la zone fragilisée 408.
Plusieurs cavités peuvent être réalisées simultanément.
Grâce au procédé selon l'invention, il est possible de réaliser des dispositifs présentant une épaisseur plus faible, notamment dans le cas de système d'encapsulation, l'épaisseur du capot est sensiblement réduite par rapport à la méthode WLP. En outre, l'épaisseur du capot est mieux maîtrisée que suite à un amincissement du substrat capot par backgrinding.
Le procédé selon l'invention présente également l'avantage de pouvoir réaliser directement une encapsulation d'un composant déjà libéré, contrairement à la méthode TFP. Le procédé d'encapsulation est donc sensiblement simplifié.
En outre, la méthode selon l'invention permet de réaliser directement des encapsulations sous atmosphère et pression contrôlés. En outre, le capot peut être traité avant l'encapsulation, par exemple pour lui appliquer une couche de matériau getter dans le cas d'une encapsulation sous vide.
De manière avantageuse, en outre, la couche capot peut être réalisée dans le même matériau que le substrat ou dans un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique proche, les contraintes mécaniques et thermiques sur le dispositif sont alors réduites.
Le procédé selon l'invention est en outre adapté au substrat CMOS du fait des températures basses mises en œuvre, par exemple inférieures à 500°C.
En outre, le procédé selon l'invention permet de séparer la couche support de la couche capot, sans détruire la couche support, celle-ci peut avantageusement être réutilisée lors d'une autre mise en œuvre du procédé.
Le procédé selon l'invention peut également être mis en œuvre pour réaliser un capot de composants pour des applications fluidiques, par exemple pour délimiter avec un substrat des canaux fluidiques pour gaz ou liquide, par exemple pour former une colonne de chromatographie ou des micropuces fluidiques. Le canal ou et/ou dans le substrat auquel la couche mince est assemblée. Sur la figure 8, on peut voir un exemple d'un tel dispositif. Il comporte un substrat 500 et une couche mince 502 obtenue 5 par le procédé selon l'invention, le substrat et la couche mince délimitent des canaux 504.
Dans cet exemple les canaux ont été réalisés par structuration du substrat 500 avant assemblage avec la couche mince 502. Selon un autre exemple, les canaux vont être réalisés par exemple par structuration de la couche mince après épaississement de celleci, voire en partie dans le substrat 500 et en partie dans la couche mince épaissie 502.
Le procédé selon l'invention peut être mis en œuvre pour encapsuler des composants de type capteurs ou actionneurs en technologie MEMS, NEMS ou M&NEMS, des composants dits passifs tels que des condensateurs, des inductances, des composants RF, tels que les filtres acoustiques, les interrupteurs, les résonateurs base de temps..., des composants optiques ou optomécaniques par exemple la couche capot peut former un capot pour un composant photonique, pour des capteurs optomécaniques, pour un scanner optique, un microbolomètre...
Claims (16)
- REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'au moins une première cavité étanche comportant :la fabrication d'un premier élément comprenant à partir d'un premier substrat, les étapes de formation d'une zone fragilisée de sorte à définir une couche mince et une couche support,- l'assemblage du premier élément avec un deuxième élément de sorte que la couche mince soit disposée entre la couche support et le deuxième élément, ladite première cavité étant définie entre le deuxième élément et la couche mince,- le retrait de la couche support par séparation de la couche support et de la couche mince au niveau de la zone fragilisée.
- 2. Procédé de réalisation selon la revendication 1, dans lequel la formation de zone fragilisée est réalisée par implantation.
- 3. Procédé de réalisation selon la revendication 2, dans lequel le retrait de la couche support est obtenu par fracture au niveau de la zone fragilisée.
- 4. Procédé de réalisation selon la revendication 1, dans lequel la formation de la zone fragilisée comporte la formation d'une microstructure en face avant du premier substrat et l'application d'un traitement thermique de sorte à provoquer la formation d'une couche mince en face avant du premier substrat, ladite zone fragilisée comportant des deuxièmes cavités.
- 5. Procédé de réalisation selon la revendication 4, dans lequel le retrait de la couche support est obtenu par fracture, usinage mécanique et/ou chimique.
- 6. Procédé de réalisation selon la revendication 4 ou 5, comportant une étape d'oxydation de la zone fragilisée.
- 7. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel une étape d'épaississement de la couche mince a lieu.
- 8. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 7, comportant :- la formation sur la couche mince, préalablement à l'étape de scellement, d'une couche au moins en partie transparente,- après le scellement, la structuration de la couche mince de sorte à faire apparaître la couche au moins en partie transparente.
- 9. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel, lors de l'assemblage du premier élément et du deuxième élément, au moins une partie de la couche mince n'est pas en contact avec le deuxième élément.
- 10. Procédé de selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel, lors de l'étape d'assemblage, l'environnement est contrôlé de sorte à réaliser une première cavité sous atmosphère contrôlé.
- 11. Procédé de réalisation selon la revendication 10, dans lequel la première cavité est sous vide.
- 12. Procédé de réalisation selon la revendication 11, comportant au moins une étape de dépôt d'un matériau getter sur la couche mince avant l'assemblage, de sorte que le matériau getter se retrouve dans la première cavité.
- 13. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel l'assemblage du premier élément et du deuxième élément est un assemblage eutectique un scellement direct ou un scellement polymère.5
- 14. Procédé d'encapsulation mettant en œuvre un procédé de réalisation d'au moins une première cavité étanche selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel le deuxième substrat comporte au moins un composant à encapsuler.
- 15. Procédé d'encapsulation selon la revendication 14, comportant 10 une étape de structuration de la couche mince et de réalisation de connexions avec des plots de contact du composant.
- 16. Procédé de réalisation d'un dispositif microfluidique, mettant en œuvre le procédé selon l'une des revendications 1 à 13, la première cavité comprenant au15 moins un canal fluidique.1/6
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3878802A1 (fr) * | 2020-03-10 | 2021-09-15 | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives | Procede de suspension d'une couche mince sur une cavite avec effet raidisseur obtenu par pressurisation de la cavite par des especes implantees |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995020824A1 (fr) * | 1994-01-26 | 1995-08-03 | Commissariat A L'energie Atomique | Structure presentant des cavites et procede de realisation d'une telle structure |
| DE10350036A1 (de) * | 2003-10-27 | 2005-05-25 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
| DE102009002485A1 (de) * | 2009-04-20 | 2010-10-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von verkappten MEMS-Bauelementen |
| US20150210540A1 (en) * | 2012-07-31 | 2015-07-30 | Soitec | Methods of forming semiconductor structures including mems devices and integrated circuits on common sides of substrates, and related structures and devices |
| US9184094B1 (en) * | 2012-01-26 | 2015-11-10 | Skorpios Technologies, Inc. | Method and system for forming a membrane over a cavity |
-
2017
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995020824A1 (fr) * | 1994-01-26 | 1995-08-03 | Commissariat A L'energie Atomique | Structure presentant des cavites et procede de realisation d'une telle structure |
| DE10350036A1 (de) * | 2003-10-27 | 2005-05-25 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
| DE102009002485A1 (de) * | 2009-04-20 | 2010-10-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von verkappten MEMS-Bauelementen |
| US9184094B1 (en) * | 2012-01-26 | 2015-11-10 | Skorpios Technologies, Inc. | Method and system for forming a membrane over a cavity |
| US20150210540A1 (en) * | 2012-07-31 | 2015-07-30 | Soitec | Methods of forming semiconductor structures including mems devices and integrated circuits on common sides of substrates, and related structures and devices |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| CHANG-HAN YUN ET AL: "Fabrication of silicon and oxide membranes over cavities using ion-cut layer transfer", JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, IEEE SERVICE CENTER, US, vol. 9, no. 4, 1 December 2000 (2000-12-01), pages 474 - 477, XP011450865, ISSN: 1057-7157, DOI: 10.1109/84.896768 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3878802A1 (fr) * | 2020-03-10 | 2021-09-15 | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives | Procede de suspension d'une couche mince sur une cavite avec effet raidisseur obtenu par pressurisation de la cavite par des especes implantees |
| FR3108204A1 (fr) * | 2020-03-10 | 2021-09-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de suspension d’une couche mince sur une cavité avec effet raidisseur obtenu par pressurisation de la cavité par des espèces implantées |
| US11587826B2 (en) | 2020-03-10 | 2023-02-21 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method for suspending a thin layer on a cavity with a stiffening effect obtained by pressurizing the cavity by implanted species |
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