FR2993550A1 - Structure micromecanique, notamment dispositif de capteur et son procede de gestion - Google Patents
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Abstract
Structure micromécanique comportant une couche fonctionnelle micromécanique (100), - une région de substrat CMOS (700") avec au moins un circuit configurable (PS) sous la couche fonctionnelle micromécanique (100), - un dispositif d'un ou plusieurs éléments de contact (30) entre la couche (100) et la région (700") en étant relié électriquement à la couche fonctionnelle micromécanique (100) et au circuit (PS). Le circuit configurable (PS) relie sélectivement un ou plusieurs éléments de contact (30) à des lignes de branchement (L1, L2, L3).
Description
Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à une structure mi- cromécanique, notamment un dispositif de capteur micromécanique et à son procédé de gestion.
Etat de la technique Les structures micromécaniques encore appelées en abrégé « structures MEMS » et notamment les dispositifs de capteurs tels que par exemple des capteurs inertiels sont utilisés actuellement, soit comme capteurs séparés installés sur leur propre puce, soit comme capteurs intégrés combinés à un circuit d'exploitation. Dans le cas des capteurs intégrés, on a une intégration verticale avec un capteur installé au-dessus du circuit d'exploitation ou une intégration latérale avec le capteur à côté du circuit d'exploitation. Selon le document DE 11 2006 000 131 T5, on connaît une structure micromécanique pour former un photo-modulateur inté- gré dans l'espace ; la structure micromécanique est alors réalisée directement sur un circuit d'exploitation CMOS. Les électrodes et leur câblage sont fixés pendant le procédé de fabrication ; les électrodes sont reliées à la partie MEMS par des contacts traversants et aux parties de circuit dans la plaquette CMOS. En fixant la configuration des électrodes au moment de la fabrication, on a moins de souplesse pour les optimiser en fonction des caractéristiques propres de chaque plaquette et de son état de fonctionnement. Les caractéristiques propres de chaque puce sont liées aux to- lérances du procédé de fabrication telles que par exemple les différences d'épaisseur de la couche entre le milieu de la plaquette et la région du bord ainsi que des tolérances locales du procédé telles que par exemple des largeurs différentes de structures voisines dans une puce. A côté de tels facteurs géométriques, il y a également d'autres facteurs d'influence tels que par exemple la charge de surface. L'état de fonctionnement peut également varier sous l'effet de l'influence de la température ou du vieillissement, ce qui ne peut se compenser partiellement qu'en adaptant les tensions. L'emplacement, la géométrie et la fonction des électrodes ne peuvent pas être modifiés a posteriori dans le cas des procédés de fabrication connus. On ne peut qu'adapter les tensions appliquées en fonction des tolérances du procédé. De ce fait, on peut avoir des électrodes inutiles qui constituent une surface perdue ou les électrodes peuvent être trop petites ou trop grandes pour le niveau de tension dis- ponible ou encore les électrodes risquent de ne pas se trouver à l'emplacement optimum. Les figures 2a,b montrent des schémas d'une structure micromécanique prise à titre d'exemple, notamment d'un dispositif de capteur ; la figure 2a est une vue de dessus et la figure 2b une coupe verticale suivant la ligne A-A' de la figure 2a. Aux figures 2a,b, la référence 1 désigne une structure micromécanique sous la forme d'un capteur d'accélération. La structure micromécanique 1 comporte un élément MEMS mobile 7 dans un plan fonctionnel micromécanique 100, par exemple en polysilicium, accroché par des éléments de ressort 2 dans le plan fonctionnel 100, avec des éléments de contact électrique 3 dans un plan de contact 300 sur des chemins conducteurs 5 dans un plan de chemins conducteurs 500 et une couche d'isolation 600, par exemple en oxyde et au-dessus un substrat 700, par exemple un substrat de plaquette. Les chemins con- ducteurs 5 et les électrodes/contacts 3 permettent d'appliquer un po- tentiel électrique à l'élément MEMS mobile 7. En regard de l'élément MEMS mobile 7, il y a des contre- électrodes fixes reliées également par des éléments de contacts électriques 3 dans le plan de contact 300 à des chemins de contact 5 du plan de chemins de contact 500 du substrat 700 de l'élément MEMS de stator 4 accroché au substrat dans le plan fonctionnel 100 ; les contre-électrodes sont couplées par une liaison capacitive par une structure en forme de peigne K à l'élément MEMS mobile 7. Les chemins conducteurs 5 et les éléments de contacts 3 permettent d'appliquer un poten- tiel électrique aux éléments MEMS de stator 7. D'autres éléments MEMS fixes 7a dans le plan fonctionnel 100 dans les intervalles Z de l'élément MEMS mobile 7 sont reliés par des éléments de contact 3a aux chemins conducteurs 5 et sont accrochés au substrat 700 comme indiqué ci-dessus. Les chemins con- ducteurs 5 et les éléments de contact 3a permettent d'appliquer un potentiel électrique aux éléments MEMS fixes 7a. Les liaisons des électrodes sont définies d'une manière non modifiable par les éléments de contact 3 et 3a ainsi réalisés, par exemple intégrés dans une couche sacrificielle non représentée et par les chemins conducteurs 5 reliés à des branchements de potentiel également non représentés. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour but de remédier à ces in- convénients et a ainsi pour objet une structure micromécanique, no- tamment dispositif de capteur comportant : au moins une couche fonctionnelle micromécanique, une région de substrat CMOS avec au moins un circuit configurable sous la couche fonctionnelle micromécanique, un dispositif d'un ou plusieurs éléments de contact entre la couche micromécanique fonctionnelle et la région de substrat CMOS en étant relié électriquement à la couche fonctionnelle micromécanique et au circuit, le circuit configurable reliant sélectivement un ou plusieurs élé- ments de contact à des lignes de branchement de la région de substrat CMOS. L'invention a également pour objet un procédé de gestion d'une structure micromécanique, notamment d'un dispositif de capteur, caractérisé en ce que le circuit est programmé pour s'opposer aux effets de vieillissement et/ou aux effets de l'environnement. L'idée de base de la présente invention est celle d'une structure micromécanique, notamment d'un dispositif de capteur ayant de nombreux éléments de contact en forme d'électrodes, par exemple des électrodes en forme de doigts, miniatures ou des colonnes et/ou entourées par exemple par des électrodes de substrat et de couverture ; toutes ces électrodes ou une partie des électrodes sont mises en contact séparément de la région de substrat CMOS et le branchement définitif des électrodes ne se fait que par la programmation a posteriori d'un circuit, par exemple d'un réseau de portes dans la plaquette CMOS, par une configuration variable, par exemple pour un circuit FPGA.
Le branchement des électrodes adapté ainsi de façon précise à chaque puce prise séparément, utilise de façon optimale la surface de la puce ou de la plaquette. On évite les électrodes de compensation, inutiles ou on peut les utiliser pour d'autres fonctions.
Cela permet d'améliorer la miniaturisation et de réaliser une économie tout en conservant les mêmes possibilités. Suivant une autre caractéristique, la configuration des électrodes est adaptée par le procédé de gestion selon l'invention à chaque état de fonctionnement pour compenser ainsi par exemple des effets de la température et/ou du vieillissement ou autres effets de ce type. Contrairement aux figurations connues d'électrodes, il suffit de peu de niveaux de tension et d'adapter le nombre d'électrodes branchées. Cela permet une conception moins complexe des parties de circuit générant les tensions de commande ou de régulation. Selon un développement préférentiel, une première couche fonctionnelle micromécanique comporte un élément MEMS mobile et (par exemple avec un couplage capacitif) des éléments MEMS de stator, les éléments de contact ou électrodes étant reliés à l'élément MEMS mobile et aux éléments MEMS de stator. Cela permet de com- penser en potentiel, de façon souple, une installation oscillante, capacitive. Selon un autre développement préférentiel, la première couche fonctionnelle micromécanique comporte un ou plusieurs pre- miers éléments MEMS fixes et l'élément MEMS mobile a un ou plu- sieurs intervalles ou espaces intermédiaires dans lesquels se trouve(nt) le ou les premiers éléments MEMS fixes et ce ou ces premiers éléments MEMS fixes sont reliés respectivement aux éléments de contact. Cela permet de réaliser d'autres électrodes de façon non encombrante qui permettent une compensation souple du potentiel. Selon un autre développement préférentiel, une seconde couche fonctionnelle micromécanique est prévue sous la première couche fonctionnelle micromécanique et cette seconde couche fonctionnelle micromécanique comporte un ou plusieurs seconds éléments MEMS fixes et le ou les seconds éléments MEMS fixes sont reliés res- pectivement aux éléments de contact, ce qui permet une réalisation non encombrante d'autres plans d'électrodes. Selon un autre développement préférentiel, le ou les se- conds éléments MEMS fixes sont sous l'élément MEMS mobile en étant écartés de celui-ci, ce qui permet de compenser de façon souple en po- tentiel une installation oscillante capacitive. Selon un développement préférentiel, une région de con- tact traversant du substrat est prévue entre la région de substrat CMOS et au moins une couche fonctionnelle micromécanique et au-dessus de cette région de contact traversant, il y a des premières régions de bran- chement, conductrices, auxquelles sont reliés les éléments de contact et des secondes régions de branchement traversent la région de contact traversant du substrat, ces secondes régions étant reliées aux premières régions de branchement conductrices du circuit. Cela permet une liaison électriquement robuste entre la couche fonctionnelle mi- cromécanique et la région de substrat CMOS. Selon un autre développement préférentiel, le circuit comporte un réseau de portes programmables par un branchement de commande, ce qui permet une programmation simple et rapide, par exemple par l'intermédiaire d'un bus. Selon un développement préférentiel, la structure micromécanique est un capteur d'accélération ou un capteur de vitesse de rotation car précisément, pour de tels capteurs, il est souhaitable de disposer d'une compensation plus souple et plus précise du potentiel.
Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'exemples d'une structure micromécanique, notamment d'un dispositif de capteur selon l'invention représentés dans les dessins annexés dans lesquels : les figures la-c sont des schémas d'une structure micromécanique, notamment d'un dispositif de capteur correspondant à un mode de réalisation de l'invention, à savoir - la figure la est une vue de dessus, - la figure 1 b est une coupe perpendiculaire suivant la ligne A-A' de la figure 1 a, - la figure le est une coupe perpendiculaire suivant la ligne de coupe B-B' de la figure la, et les figures 2a,b sont des schémas d'exemples de structure micromécanique, notamment de dispositif de capteur, à savoir - la figure 2a est une vue de dessus, - la figure 2b est une coupe perpendiculaire suivant la ligne A-A' de la figure 2a. Description de modes de réalisation de l'invention Selon les figures la-c, la référence l' désigne une struc- ture micromécanique sous la forme d'un capteur d'accélération. La structure micromécanique l' comporte un élément MEMS mobile 7' dans un plan fonctionnel micromécanique 100, par exemple en polysilicium, accroché par des éléments de ressort 2' dans le plan fonctionnel 100 et des éléments de contacts électriques 30, reconfigurables en forme d'électrodes 30 dans un plan de contact 300 sur le substrat 700', 700". Le substrat a une région de substrat CMOS 700" inférieure et une région de contact traversant de substrat 700' supérieure. Les éléments de contact reconfigurables 30 permettent d'appliquer un potentiel électrique variable à l'élément MEMS mobile 7'.
En regard de l'élément MEMS mobile 7', il y a comme contre-électrodes, des éléments MEMS de stator 4' dans le plan fonctionnel 100, accrochés au substrat 700', 700" en étant reliés également par des éléments de contact 30 dans le plan de contact 300. Ces éléments de stator sont couplés capacitivement par une structure en forme de peigne K' à l'élément MEMS mobile 7'. Les éléments MEMS de stator 4' sont également accrochés par des éléments de contact électrique 30 reconfigurables dans le plan de contact 300 sur le substrat 700', 700". Les éléments de contact reconfigurables 30 permettent d'appliquer un potentiel électrique variable aux éléments de stator MEMS 4'. D'autres éléments MEMS fixes 7a' dans le plan fonctionnel 100 dans les intervalles ou espaces libres Z' de l'élément MEMS mobile 7' sont accrochés au substrat 700', 700" par des éléments de contact reconfigurables 30' ou électrodes 30', analogues.
Les éléments de contact reconfigurables 30' permettent d'appliquer un potentiel électrique variable aux autres éléments MEMS fixes 7a' dans les intervalles Z de l'élément MEMS mobile 7'. D'autres éléments MEMS fixes 7a" dans un plan fonc- tionnel 101 situé plus bas sous l'élément MEMS mobile 7' sont accro- chés par des éléments de contact reconfigurables 30" ou des électrodes 30", analogues dans un plan de contact 300a situé plus bas dans le substrat 700', 700". Ces autres éléments fixes peuvent également être prévus directement dans le plan 500', c'est-à-dire en supprimant les plans 101 et 300a. Les éléments de contact reconfigurables 30" permettent d'appliquer un potentiel électrique variable aux autres éléments MEMS fixes 7a" dans le plan fonctionnel 101 situé plus bas sous l'élément MEMS mobile 7'. Les éléments de contact reconfigurables 30, 30', 30" ou électrodes reconfigurables 30, 30', 30" seront décrits ci-après de manière plus détaillée en référence aux figures lb,c. Selon la figure lb, l'élément MEMS mobile 7' et les élé- ments MEMS de stator 4' sont reliés par les éléments de contact recon- figurables 30 et par les régions conductrices 500', 500" qui se trouvent en dessous au circuit PS dans la région de substrat CMOS 700". Selon la figure lc, les autres éléments MEMS fixes 7a' du plan fonctionnel 100 dans les intervalles Z de l'élément MEMS mobile 7' sont reliés par des éléments de contact reconfigurables 30', analogues, et par les régions conductrices 500', 500" qui se trouvent en dessous au circuit PS dans la région de substrat CMOS 700". Comme le montre également la figure 1 c, les autres élé- ments MEMS fixes 7a" dans le plan fonctionnel 101 situé plus bas, sous l'élément MEMS mobile 7', sont reliés par des éléments de contact reconfigurables 30", analogues, et par les première et seconde régions de branchement conductrices 500', 500" qui se trouvent en dessous, avec le circuit PS dans la région de substrat CMOS 700". En particulier, les éléments de contact reconfigurables 30, 30', 30" arrivent sur les premières régions de branchement conduc- trices 500' installées sur une couche d'isolation 600, par exemple en oxyde, sur la région de contact traversant de substrat 700'. Les premières régions de branchement conductrices 500', en surface, sont reliées par des secondes régions de branchement con- ductrices 500" en forme de bouchons passant dans la couche d'isolation 600 et la région de contact traversant de substrat 700' à laquelle est relié le circuit PS qui se trouve dans la région de substrat CMOS 700". Le circuit PS permet, par un branchement de commande S, par exemple un branchement de bus, de brancher les éléments de contact reconfigurables 30, 30', 30" au choix sur les chemins conducteurs CMOS internes Ll, L2, L3 et ainsi de les configurer librement, c'est-à-dire les relier librement à des potentiels prédéfinis. Les éléments de contact configurables librement 30, 30', 30" permettent de brancher les différents éléments de contact 4', 7', 7a', 7a" de la structure micromécanique à des potentiels prédéfinis par un branchement librement configurable.20 NOMENCLATURE 4' Elément MEMS de stator 7' Elément MEMS mobile 7a' Premier élément MEMS fixe 7a" Second élément MEMS fixe 30, 30', 30" Elément de contact 101, 101' Couche fonctionnelle micromécanique 300 Plan de contact 500', 500" Région conductrice 600 Couche d'isolation 700' Région de contact traversant du substrat 700" Région de substrat CMOS Ll, L2, L3 Ligne de branchement PS Circuit reconfigurable S Branchement de commande Z Intervalle/espace libre20
Claims (3)
- REVENDICATIONS1°) Structure micromécanique, notamment dispositif de capteur comportant : - au moins une couche fonctionnelle micromécanique (100, 101), une région de substrat CMOS (700") avec au moins un circuit con- figurable (PS) sous la couche fonctionnelle micromécanique (100, 101), un dispositif d'un ou plusieurs éléments de contact (30, 30', 30") entre la couche micromécanique fonctionnelle (100, 101) et la ré- gion de substrat CMOS (700") en étant relié électriquement à la couche fonctionnelle micromécanique (100, 101) et au circuit (PS), le circuit configurable (PS) reliant sélectivement un ou plusieurs éléments de contact (30, 30', 30") à des lignes de branchement (L1, L2, L3) de la région de substrat CMOS (700").
- 2°) Structure micromécanique, notamment dispositif de capteur, selon la revendication 1, caractérisée par une première couche fonctionnelle micromécanique (100) ayant un élément MEMS mobile (7') et des éléments MEMS de stator (4'), - les éléments de contact (30) étant reliés à l'élément MEMS mobile (7') et/ou aux éléments MEMS de stator (45).
- 3°) Structure micromécanique, notamment dispositif de capteur, selon la revendication 2, caractérisée en ce que - la première couche fonctionnelle micromécanique (100) comporte un ou plusieurs premiers éléments MEMS fixes (7a'), - l'élément MEMS mobile (7') ayant un ou plusieurs espaces inter- médiaires (Z) à la partie interne desquels se trouve le ou les pre- miers éléments MEMS fixes (7a'), et le ou les premiers éléments MEMS fixes (7a') étant reliés aux éléments de contact (30').4°) Structure micromécanique, notamment dispositif de capteur, selon la revendication 2 ou 3, caractérisée par une seconde couche fonctionnelle micromécanique (101) sous la première couche fonctionnelle micromécanique (100), la seconde couche fonctionnelle micromécanique (101) ayant un ou plusieurs seconds éléments MEMS fixes (7a"), et - le ou les seconds éléments MEMS fixes (7a") étant reliés aux élé- ments de contact (30"). 5°) Structure micromécanique, notamment dispositif de capteur, selon la revendication 4, caractérisée en ce que le ou les seconds éléments MEMS fixes (7a") se trouvent sous l'élément MEMS mobile (7') en étant écartés de celui-ci. 6°) Structure micromécanique, notamment dispositif de capteur, selon la revendication 1, caractérisée par une région de contact traversant (700') du substrat entre la région de substrat CMOS (700") et au moins une couche fonctionnelle micromécanique (100, 101), - et au-dessus de cette région, des premières régions de branchement conductrices (500') auxquelles sont reliés les éléments de contact (30, 30', 30"), et - des secondes régions de branchement (700") traversent la région de contact traversant du substrat (700') ces secondes régions (700") étant reliées aux premières régions conductrices (500') du circuit (PS). 7°) Structure micromécanique, notamment dispositif de capteur, selon la revendication 1, caractérisée en ce que le circuit (PS) comporte un réseau de portes programmables par un branchement de commande (S).8°) Structure micromécanique, notamment dispositif de capteur, selon la revendication 1, caractérisée en ce que elle est réalisé comme capteur d'accélération ou capteur de vitesse de rotation. 9°) Procédé de gestion d'une structure micromécanique, notamment d'un dispositif de capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à8, caractérisé en ce que le circuit (PS) est programmé pour s'opposer aux effets de vieillissement et/ ou aux effets de l'environnement. 10°) Procédé de gestion selon la revendication 9, caractérisé en ce que les effets de l'environnement sont les effets de la température.20
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050023656A1 (en) * | 2002-08-08 | 2005-02-03 | Leedy Glenn J. | Vertical system integration |
| WO2010107436A1 (fr) * | 2009-03-19 | 2010-09-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Détection par capacité triphasée |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659195A (en) * | 1995-06-08 | 1997-08-19 | The Regents Of The University Of California | CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit |
| US5844238A (en) * | 1996-03-27 | 1998-12-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Infrared imager using room temperature capacitance sensor |
| US7057246B2 (en) * | 2000-08-23 | 2006-06-06 | Reflectivity, Inc | Transition metal dielectric alloy materials for MEMS |
| US7057251B2 (en) * | 2001-07-20 | 2006-06-06 | Reflectivity, Inc | MEMS device made of transition metal-dielectric oxide materials |
| US7172921B2 (en) | 2005-01-03 | 2007-02-06 | Miradia Inc. | Method and structure for forming an integrated spatial light modulator |
| US8101458B2 (en) * | 2009-07-02 | 2012-01-24 | Advanced Microfab, LLC | Method of forming monolithic CMOS-MEMS hybrid integrated, packaged structures |
| CN101927976B (zh) * | 2009-09-30 | 2013-09-25 | 浙江大立科技股份有限公司 | 微桥结构红外探测器以及制造方法 |
| CN102556956B (zh) * | 2012-03-08 | 2014-06-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | Mems器件的真空封装结构及其制作方法 |
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Patent Citations (2)
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