FR2965204A1 - Feutre de polissage mecano-chimique avec fenetre de detection de point limite en polymere stable a la lumiere et procede de polissage associe - Google Patents
Feutre de polissage mecano-chimique avec fenetre de detection de point limite en polymere stable a la lumiere et procede de polissage associe Download PDFInfo
- Publication number
- FR2965204A1 FR2965204A1 FR1158730A FR1158730A FR2965204A1 FR 2965204 A1 FR2965204 A1 FR 2965204A1 FR 1158730 A FR1158730 A FR 1158730A FR 1158730 A FR1158730 A FR 1158730A FR 2965204 A1 FR2965204 A1 FR 2965204A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- light
- polishing
- substrate
- detection window
- mechanical polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 7
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000004970 Chain extender Substances 0.000 claims description 4
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 2
- 241000700196 Galea musteloides Species 0.000 claims 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 1
- 229910052571 earthenware Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- -1 aliphatic isocyanate Chemical class 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 7
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 5
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 4
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethyl-6-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(C)=C(N)C(CC)=C1N PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HGXVKAPCSIXGAK-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethyl-6-methylbenzene-1,3-diamine;4,6-diethyl-2-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(CC)=C(N)C(C)=C1N.CCC1=CC(C)=C(N)C(CC)=C1N HGXVKAPCSIXGAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAXFZZHBFXRZMT-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(2-hydroxyethoxy)phenoxy]ethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC(OCCO)=C1 IAXFZZHBFXRZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L adipate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCC([O-])=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 2
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 2
- 235000002020 sage Nutrition 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000003190 viscoelastic substance Substances 0.000 description 2
- ZTNJGMFHJYGMDR-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanatoethane Chemical compound O=C=NCCN=C=O ZTNJGMFHJYGMDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHXZXKMYCGVFA-UHFFFAOYSA-N 1,3-diazetidine-2,4-dione Chemical compound O=C1NC(=O)N1 PCHXZXKMYCGVFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDMDQYCEEKCBGR-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatocyclohexane Chemical compound O=C=NC1CCC(N=C=O)CC1 CDMDQYCEEKCBGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-2,2,4-trimethylhexane Chemical compound O=C=NCCC(C)CC(C)(C)CN=C=O ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLRLXLDMZCFBP-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-2,4,4-trimethylhexane Chemical compound O=C=NCC(C)CC(C)(C)CCN=C=O QGLRLXLDMZCFBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXKZIDYFAMKWSA-UHFFFAOYSA-N 1,6-dioxacyclododecane-7,12-dione Chemical compound O=C1CCCCC(=O)OCCCCO1 AXKZIDYFAMKWSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940008841 1,6-hexamethylene diisocyanate Drugs 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTAPEISMWLANM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[3-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]phenoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound OCCOCCOC1=CC=CC(OCCOCCO)=C1 VQTAPEISMWLANM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTPYFJNYAMXZJG-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(2-hydroxyethoxy)phenoxy]ethanol Chemical compound OCCOC1=CC=C(OCCO)C=C1 WTPYFJNYAMXZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- RQEOBXYYEPMCPJ-UHFFFAOYSA-N 4,6-diethyl-2-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(CC)=C(N)C(C)=C1N RQEOBXYYEPMCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOFIWCXMXPVSAZ-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2,6-bis(methylsulfanyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CSC1=CC(C)=C(N)C(SC)=C1N AOFIWCXMXPVSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 241000518994 Conta Species 0.000 description 1
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 102000020897 Formins Human genes 0.000 description 1
- 108091022623 Formins Proteins 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 241001112258 Moca Species 0.000 description 1
- 101100520151 Mus musculus Pirt gene Proteins 0.000 description 1
- 102100026933 Myelin-associated neurite-outgrowth inhibitor Human genes 0.000 description 1
- GXCLVBGFBYZDAG-UHFFFAOYSA-N N-[2-(1H-indol-3-yl)ethyl]-N-methylprop-2-en-1-amine Chemical compound CN(CCC1=CNC2=C1C=CC=C2)CC=C GXCLVBGFBYZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 241000661960 Prepops Species 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N [cyclohexyl(diisocyanato)methyl]cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1C(N=C=O)(N=C=O)C1CCCCC1 KXBFLNPZHXDQLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1CC(N=C=O)CCC1CC1CCC(N=C=O)CC1 KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- FZWBABZIGXEXES-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;hexanedioic acid Chemical compound OCCO.OC(=O)CCCCC(O)=O FZWBABZIGXEXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002362 mulch Substances 0.000 description 1
- HEDKSUBRULAYNO-UHFFFAOYSA-N myo-inositol trispyrophosphate Chemical compound C12OP(O)(=O)OP(O)(=O)OC2C2OP(O)(=O)OP(O)(=O)OC2C2C1OP(O)(=O)OP(O)(=O)O2 HEDKSUBRULAYNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N n,n'-di-2-butyl-1,4-phenylenediamine Chemical compound CCC(C)NC1=CC=C(NC(C)CC)C=C1 FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZZTZUHVGICSCS-UHFFFAOYSA-N n-butan-2-yl-4-[[4-(butan-2-ylamino)phenyl]methyl]aniline Chemical compound C1=CC(NC(C)CC)=CC=C1CC1=CC=C(NC(C)CC)C=C1 YZZTZUHVGICSCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117969 neopentyl glycol Drugs 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000000699 topical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000004072 triols Chemical class 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
L'invention concerne un feutre de polissage mécano-chimique comprenant : une couche de polissage présentant une surface de polissage ; et, une fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière, comprenant : un produit polyuréthane obtenu par réaction d'une polyamine aromatique contenant des groupements amine et d'un polyol prépolymère à terminaisons isocyanate contenant des groupements -NCO qui n'ont pas réagi ; et, un constituant stabilisant à la lumière comprenant au moins un absorbant d'UV ou une amine encombrée stabilisante à la lumière ; où la polyamine aromatique et le polyol prépolymère à terminaisons isocyanate sont fournis dans un rapport stœchiométrique de groupement amine à groupement -NCO qui n'a pas réagi < 95 % ; dans lequel la fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière présente une déformation au cours du temps ≤ 0,02 % lorsqu'elle est mesurée avec une charge de traction axiale constante de 1 kPa à une température constante de 60°C à 100 min et une transmission optique à double passage ≥ 15 % à une longueur d'onde de 380 nm pour une épaisseur de fenêtre de 1,3 mm ; et, dans lequel la surface de polissage est adaptée pour polir un substrat choisi parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semi-conducteur. L'invention concerne également un procédé de polissage d'un substrat (de préférence une galette semi-conductrice) utilisant le feutre de polissage mécano-chimique fourni.
Description
ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION La présenté invention concerne en général le domaine du polissage mécano-chimique. La présente invention concerne E ri peiticuller un teutre de polissage mécano-chimique avec une fenêtre de détection point limite en pelymère stebic à la lumiére. La présente invention concerne également un procede de polissage mécano-chimique d'un substrat utilisant un feutre de polissage mécano-chimique avec une fenêtre de détection de point limite en polymére stable à la lumiére. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques sont déposés sur ou retirés d'un surface d'une galette semi-conductrice. De minces couches de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques peuvent être déposées par de nombreuses techniques de dépôt. Les techniques de dépôt classiques dans un traitement moderne comprennent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), également connu comme pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et le placage électrochimique (ECP). Lorsque des couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface supérieure de la galette devient non-plane. Comme le traitement subséquent du semi-conducteur (par exemple la métallisation) exige que la galette présente une surface plane, la galette être planarisée5. La planarisation est utile pour éliminer une topographie de surface et des défauts de surface non souhaités, tels que des surfaces rugueuses des matériaux agglomérés, une détérioration de réseau cristeliii î, des Lgr angnures, et des couches des matériaux pC)IUti La Inli(,~Je (CLIP) C? Jbstrets, tels g a lette ést tr ee Sur un essernbl ace. ie support 't est po`_Itionnre' t'n un feutre' d poi CI'-1P L, '3<c`,E'm iege Iep rt frirent à la galette une press , ro~i(ant tOcut ~~Ice, la ~l~ltE:' une ;L! sation Il éca ((hindoue, ou p )II >sage m écano- n'c1LJt, Gtil15 c r poncif ISt'J C. s cialetti"" `em onclu t r Dans CL1P cil' situ ent tut-te 1 tait mpL mis en i tenon) rrim andr c tc i Un 111111('( l r;'~l';rc rst '] ll it_f r c1r I_ln f')rl c de
est simultanément fourni antre la galette et le fF utre de polissage. La surface de la galette est ainsi polie et rendue plante par l'action mimique et. mecanique de la surface du feutre et du milieu de polissage, Un défi présenté par le polissage mécano-chimique est la détermination du moment OU le substrat a été poli dans la mesure souhaitée. Des procédés in situ pour déterminer les points limitas du polissage ont été développés. Les techniques de détermination optiques de points limites ire situ peuvent titre ciassées en deux catégories de base : (1) le contrôle du signal optique réfléchi a une seule longueur d'onde ou (2) le contrôle du signal optique réfléchi a partir de longueurs d'onde multiples. Les longueurs d'onde typiques utilisées pour la détermination optique du point limite comprennent celles du spectre visible (par exemple de 400 â 700 nm), du spectre des ultraviolets (315 â 400 nm), et du spectre des infrarouges (par exemple de 700 â 1000 nm).
Lustig et al. ont décrit dans le brevet U.S. 5 433 651 un procédé de détection de point limite en polymère utilisant une seule longueur d'onde, dans lequel de la lumière provenant d'une source laser est transmise sur une surface de la galette et le signal réfléchi est contrôlé. Lorsque la composition sur la surface de la galette change d'un métal â l'autre, le coefficient de réflexion varie. Cette variation du coefficient de réflexion est ensuite utilisée pour détecter le point limite de polissage. Bibby et al. ont décrit dans le brevet U.S. 6 106 662 l'utilisation d'un spectromètre pour obtenir un spectre d'intensité de lumière réfléchie dans l'intervalle de la lumière visible du spectre optique. BIbby et al. citent, dans des applications de CLIP de métaux, l'utilisation du spectre entier pour dLte(tLr le point imite de p lins, r. On a développe des feutres oll ssage mécano-chimiques st_ ratant d s fenetr, :our adapter _t techniques optiques de _t1.erminati n de)oint ll'la PesC d~:crit par empira clans le lJ.S. 5 60 760 un feutre cle pol da I 'Uq,;-1 au moins un . du teutre est transParent0 a la lumière laser sur un intervalle de longueurs d'on F c arts cite clans ; r rtains modri.i d r rr_'aliscrtIOn toits uta `rtrc transe rf nte ,sans tre pr. IILLaat: qui o~ r ~rd Gn `eutf r' sinon LaDdr:ia Li peut F'trc' U(n r~li('r~_ t "nirlLi en'. jans ~'~ `' Lit' d' ~C11rida n b` r{ r Ir DC l C"on r .ut étr« !n , 1 était rrr;ulr 3n 1 telitr polissage est-à-dire une "fenêtre intégrale"} ou il peut être installé dans une découpe dans le feutre de polissage aptes l'opeiation de moulage (c'est-a-dire une "fenêtre à bouchon-en place "). Des matériau, de polyuréthane à base d'isocyanate aliphatique, tels que ceu décrits dans le b ce,et U.S. b 984 163, ont fourni une transmission améliorée de la lumière sur un large spectre de lumière. La durabilité nécessaire eAigce pour des applications de polissage exigeantes fait malheureusement défaut à ces fenêtres en polyuréthane aliphatique. Les fenêtres de détection de point limite à basé de polymere classiques présentent souvent une dégradation désavantageuse lors d'une: exposition â de la lumière ayant une longueur d'onde de 330 â 425 nm. Ceci est particulièrement vrai pour des fenêtres de détection de point limite en polymères dérivés de polyamines aromatiques, qui ont tendance â se décomposer ou â jaunir lors d'une exposition à de la lumière dans le spectre des ultraviolets. Des filtres ont été quelquefois utilisés dans le passé sur la trajectoire de la lumière utilisée à des fins de détection du point limite pour atténuer la lumière présentant de telles longueurs d'onde avant l'exposition â la fenêtre de détection de point limite. On cherche cependant de plus en plus à utiliser de la lumière avec des longueurs d'onde plus courtes à des fins de détection du point limite dans des applications de polissage de semi-conducteurs afin de faciliter des couches de matière plus minces et des tailles de dispositif plus petites. Ainsi, ce qui est nécessaire, c'est une fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière qui permet l'utilisation de lumière présentant une longueur d'onde < 400 nm à des fins de détection de point limite de polissage de substrats, qui est resistante a une deciiadat on dans uni,, exposition cette Iumiere, ne pr"esente pas de on enta l 'w de la ic_rlE?t "} (lesFmte ia !rabilite t' gée appl,catiuns EXPOSE DE L'INVENTION Un aspect d' l'in entien fourni ur feutre Pul sage mecan r.l ~,,hIrrt nant p!_ ~elibrIt Ur -1C surgi Issa c! t, urr_ f n t par ied( CI' rl d (?Ciyarlllne î!Mdtlq ,t' Ii'11clnt 2i11i. nt`_, cinrIC 0 ; lt lin~ilte ~'~ I~J vil t~r
et d'un polyol prépoiymere â terminaisons isocyanate contenant des groupements -NCO gui n'ont pas réagi ; et, un constituant stabilisant a la lumière comprenant du moins un absorbeUr d'UV ou une amine encombree stablllsatnce a la lupdere ; ou la polyamine aromatique et le polyol pr"épolyMete a terminaisons isocyanate sont fournis dans un rapport steuchiometrique de groupement amine a groupement -NCO gui n'a pas réagi < 95 dans lequel la tenetre de détection de point limite en polymt're stable d la lumière présente une déformation au cours du temps 0 02 '', lorsqu'elle est mesurue avec une charge de traction axiale constante de 1 kPa à urge température constante de 60°C â 100 min et une transmission optique à double passage 15 % â une longueur d'onde de 380 nm pour une épaisseur de fenetre de 1, mm ; et dans lequel la surface de polissage est adaptée peur polir un substrat choisi parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semi- conducteur, Un autre aspect de l'invention fournit un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat comprenant r la fourniture d'un appareil de polissage mécano-chimique présentant un cylindre, une source de lumière et un détecteur photoélectrique ; la fourniture d'au moins un substrat choisi parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semi-conducteur ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique selon la présente invention ; l'installation sur le cylindre du feutre de polissage mécano-chimique ; la fourniture éventuelle d'un milieu de polissage â une interface entre la surface de polissage et ie substrat ; la création d'un contact dynamique entre la surface de polissage et le SuPStl"at, dans lequel ad lÜlll orle C.r'rtalri CiLl afltlte de IlVIErrest éliminée du substrat ; et( la détermination d'un point limite de polissage car transmis ricin d, II,indr're partlf d a ` - ~_Lr ue Il1r lleIi_ 3 tf"a~cls Id
`E_netu- de c _trrrti) ~ - point I'ditl 1 f', r~le ~t<afll~ ia }delle~ E} 0 dnal'y d~ la IUMic "e f-r fl,:c?l a nadir de ~" sl, rcac; Ju su! tt"?t rrn r< d ,rci,rrIra ft"le0e detectlon C1t p;?lil` lirlllt en pCii`yMere _"tdOle. a la
LJMl°r Manlere InCldorlte S Ur Ir CI" ,_'Ctc'Ur l fi t' ;; I rl {;l< BREVE DESCRIPTIO DES DESSINS La figure 1 est un tracé schématique d'une réponse typique de déformation au cours du temps pour un matériau polym r viscoélastique non réticule. La figura, est un tracé dr ,nse de déformation au cours dtr temps pour un matériau de fenétre de détection de point limite en polymère résistant au fluage a l'état fabrique.
DESCRIPTION DETAILLEE Le feutre de polissage mécano-chimique de la présente 10 invention est utile pour polir un substrat choisi parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat serai-conducteur. Le feutre de polissage mécano-chimique de la présente invention est en particulier utile pour polir des galettes semi-conductrices - particulièrement pour des applications développées telles que des 15 applications de barrière de cuivre ou d'isolation en tranchées peu profondes (STI) gui utilisent une détection de point Le terme "milieu de polissage" comme utilisé ici et dans les revendications annexées englobe des solutions de polissage contenant des particules et des solutions de polissage ne contenant pas de particule, 20 telles que des solutions de polissage liquides réactives et exemptes d'abrasif. erme "poly(uréthane)" comme utilisé et dans les revendications annexées englobe (a) des polyuréthanes formés par la réaction de (i) d'isocyanates et (ii) de polyols (comprenant des diols) ; et, 25 (b) du poly(uréthane) formé à partir de la réaction de (i) d'isocyanates avec (ii) des polyols (comprenant ciras diols) et. (iii) de l'eau, des amines (incluant des diamines et des polyamines) ou une combinaison d'eau et d'aminci (incluant des diamines et des polyamin Le terme "transmission à double passage" cu "DPT" 0 )mme utile >r' ici et Jing les .'fl_ i ati on` arme. al`;ant rt't f 1C2 a ia Îi nE'b dc' détection ci point limite 'r polyn È f `sable c 1 3 lumière t dm _-min utilisant 1 u at nn _,_ar/`;nte DPT =
dans laquelle IWs;, IWp, IAs, et IAa sont mesurés en utilisant le Verity SP2006 Spectral Interferometer comprenant un spectrographe SD1024F, une lcu-npe flash au xénon et un câble de fibre npticruc de 3 mm en plaçant une surface émettant de la lumiére du cahier de fibre optique de 3 mm contre (et perpendiculairement !) une première face de la fenêtre de détection de point limite en polymère stable a la lumiur"e en un point d'origine, en dirigeant la lumière ù travers l'épaisseur de la fenêtre et en mesurant au point d'origine l'intensité de la lumière de 380 nm réfléchie en retour a travers l'épaisseur de la fenêtre a partir d'une surface disposée centre une seconde face de la fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière pratiquement parallèle à la première face ; où IWs, est une mesure de l'intensité de lumière de 380 nm qui passe à travers la fenêtre â partir du point d'origine et qui est réfléchie à partir de la surface d'une galette témoin de silicium placée contre une seconde face de la fenêtre en retour â travers la fenêtre vers le point d'origine ; où IWa est une mesure de l'intensité de lumière de 380 nm qui passe â partir du point d'origine â travers la fenêtre et qui est réfléchie â partir de la surface d'un corps noir et en retour â travers la fenêtre vers le point d'origine ; où IAs, est une mesure de l'intensité de lumière de 380 nm qui passe à partir du point d'origine â travers une épaisseur d'air équivalente â l'épaisseur de la fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière, qui est réfléchie â partir de la surface d'une galette témoin de silicium placée perpendiculairement â la surface émettant de la lumière du câble de fibre optique de 3 nom et qui est réfléchie en retour â travers !'épaisseur d'air vers le point d'origine ; et, où IAa est une mesure de l'intensité de lumière de 380 n1-n Iéflei_hie a partir" d'un corps noir sui" la surface emettant de ra lumrere du câble de fibre optique de 3 mm. Le terme "transmission à double passage initiale" ou "DPTI ornmr uuiisé Ici et cians le rr e indications ar 1r st. I r DPT 0 hibc _ par une feneti de d :; .. tien cr 'ir1 man en polyme star.le i lumier por.!r c ia lumière ne -sentant uni_ Inrqueur d'end, dt 380 nm ,'r`: ce a rail "c 3tlon :`.art l' ., nuslllen la I '1 're ul,r a'crie (i l'ltel i` f th 3 )dur, p i'" un, Inmpi urt d 'sri ,i r1,, nr' herduette di r dlamr_'t ~Jlihrpour an,: d(. ~i(lO rl~°~ _m , Le terme "transmission à double passage après exposition' ou "DPTE" comme utilisé ci et dans les revendications ennexees c'st la DPT exhibée par une fenetre de dci4ection de point limite en polymère stable à la lumière pour de la lumière ayant une longueur d'ond de 380 nm après urge t xposition à ale la 1ur111ère ultraviolette d'Intensité élevee produite par" une lampe a arc court a vapeur de mercure de 100 W à travers une baguette de fibre optique de diamètre 5 mm calibrée pour fournir une puissance de 500 mW/cm2. Le terme "stabilité accélérée à la lumière" ou "ALS" comme 10 utilisé ici et dans les revendications annexées est déterminé en utilisant l'équation suivante
DPTr ALS - 15 DPTI
pour de la lumière d'une longueur d'onde de 380 nm. Le terme "fenêtre transparente" comme utilisé ici et dans les revendications annexées en faisant référence à la fenêtre de détection de 20 point limite en polymère stable à la lumière indique que la fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière présente une transmission à double passage initiale >_ 15 % pour de la lumière d'une longueur d'onde de 380 nm, Le terme "fenêtre résistante au fluage" comme utilisé ici et 25 dans les revendications annexées en faisant référence à la fenêtre de deteetion de point limite en pol'ymeie stable à la lumiere indique que la fenètre de détection de peint limite en polymère stable à la lumière présente une deformation au cours der temps 0,02 incluant rrrrri~3~lo' > n<~cr~',i avr rqe 30 'rdCtli `1 _3{IJI ; i.Dtdrtè de k(-'c a uni' enipnratUre constante cle 00 100 min. réponse de fluage"t "déformation au cours emps" ont uti.ii c 1 (7 Mani nt , h ngeah' t den s les nC lCatlOaS an r_ osent ne`.r< `j "tc c.ticn dry 35 1nntie cnne a le Indique ~'~t 1~3 ïCra-la na dli ~~U! L~ W-1;.: i_!iuni r1 ui ~.,ïn>tent. 1 ea d une température constante de l:
Le feutre de polissage mécano-chimique de (a présente invention contient une fenêtre de détection de point limite en polymere stable à la lumière qui permet une détection optique de point limite pour d s opérations de polissage die substrats. Les fenêtres de détection de point limite erg polymère stable à la lumière présentent de préférence plusieurs critères de procédé, comprenant une transmission optique acceptable (c'est-a- dire que ce sont des fenetres transparentes) ; une faible introduction de défauts sur la surface à polir avec le feutre de polissage mécano--chimique ; et, l'aptitude à résister aux: contraintes du procédé de polissage comprenant l'exposition à de la lumière de longueur d'onde de 330 â 425 nm sans dégradation optique importante {c'est-à-dire qu'elles présentent une ALS 0,65 pour de la lumière de longueur d'onde de 380 nm}. La fenêtre de détection de point limite en polymère stable â la lumière dans le feutre de polissage mécano-chimique de la présente invention comprend : un produit polyuréthane obtenu par réaction d'une polyamine aromatique contenant des groupements amine et d'un polyol prépolymére â terminaisons isocyanate contenant des groupements -NCO qui n'ont pas réagi; et, un constituant stabilisant â la lumière comprenant au moins un absorbant d'UV ou une amine encombrée stabilisante â la lumière. La fenêtre de détection de point limite en polymère stable â la lumière dans le feutre de polissage mécano-chimique de la présente invention est formulée pour présenter une stabilité accélérée â la lumière ` 0,65 rade préférence ? 0,70, encore mieux 0,90) ; et, une trail I111ssiVi, double pa-f5dye rnitlaie iU (de preference â0 ) a 100 ` encore rllieux 15 >l , bien mieux encore 15 Ï5 %) pour la lumiere de longueur d'ond<~ 380 nm. La fenêtre de detectlon de point !imite StablE' 1 3 ''iIIE'r ' prts Tinte de n re_'n,;:E' lll'' stabi lace. érf't_' 0 a IUr- 'ere 0,90 ; et Elne trdnsrl ISSIO° a double sage Initiale 1.5 encore I~~I~'U;°: DUr" IUmlere C'E' IOngUe.Ur Cl'ondc `0 nm. l dulie Ue I~' '~`I_e gente 1l; pref~,, , i,irodue )n c une aminE_ ?riailqe d'un p I rt'p )lyI Lure a te'rrlllna Sons
isocyanate, où la polyamine aromatique et le polyol ptépolymére terminaisons isocyanate sont fournis dans un rapport stoechiométrique de groupement amine à groupement -NCO qui n'a pas réagi < 95 Cette stoechiométrie peut être réalisée soit directement, en fournissant les teneurs stoechiométriques des matleres premieres, soit indirectement en faisant réagir une certaine partie -NCO avec de l'eau soit de manière ciblée soit par exposition à de l'humidité fortuite. La fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière dans le feutre de polissage mécano-chimiques produit en utilisant un rapport stoechiométrique de groupement amine à groupement -NCO qui n'a pas réagi < 95 % est de préférence formulée pour être une fenêtre résistante au fluage. La fenêtre résistante au fluage est encore mieux formulée pour présenter un rapport stoechiométrique de groupement amine â groupement -NCO qui n'a pas réagi 90 % (encore mieux de 75 â 90 %) ; pour présenter une déformation au cours du temps 0,02 % lorsqu'elle est mesurée avec une charge de traction axiale constante de 1 kPa â une température constante de 60°C â 100 min ; une dureté Shore D de 45 â 80 (de préférence une dureté Shore D de 50 â 80, encore mieux une dureté Shore D de 55 â 75) comme mesurée selon ASTM D2240-05 ; et une transmission optique â double passage >_ 15 % â une longueur d'onde de 380 nm pour une épaisseur de fenêtre de 1,3 mm. Les rapports stoechiométriques < 95 % fournissent un excès de groupes isocyanate. Cet excès de groupes isocyanate favorise la réticulation dans la fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière. La réticulation est censée augmenter la stabilité ûii1 ,r>iüriilr litJ Lie ia fenêtre d Ci teLtiOn dt_ point limite n polynir re stable à la 1umiére tout en maintenant une transmission adequate de r!mirvr< <3,;A lonaût'rlrs d'Onde .:t'Ut- 00 nm et 500 uni. O~ perr~rgl,'ll~e Cel-_ rrlal Inn ~ '., r ,~rurs f. 11pr; 0,02, "squ rN traction COn`S;tanfe de 1 i<Pa à temperaturEa constant d_ 60 C 3 100 r11in permet à une rene)trt_ de dé < <. #Ion point Inlite ~r1 pulymé t liDle à 'a iumi i d. és <.t nu )ntr?Int"_ du pli<`,c~~i ~~an` Jrf~latlo?? ti~~_~f aL I~~ t _. _t, _~Ierleïlt am_ irie 1. ~nét d ~ ~t i rd: limite ;scette de C!(±ion, ~~rs "polyuréthanes métastables
sont: des polyutethanes qui se COntractont de manière élastique avec la tempér"eture, une contramte ou Ur U combinaison de temperature et de contrainte, Ii est par exernple possible, pour un duD_issement incomplet de la funetre de détection de point Ilnhte en polymère stable à la lumière ou pour urge contrainte non dègagee associèe a sa fabrication, d'aboutir à une contraction des dimensions physiques de la reinette lots d'une position à la contrainte et au, températures elevees assoco_tes au polissage d'un substrat (particulièrement d'une galette sen-conductrice). Une tenètre de détection de point limite en polymère stable a la lumlere compter-liant un polyuréthane métastable peut présenter une déformation négative au cours du temps lorsqu'elle est mesurée avec une charge de traction axiale constante de 1 kPa â une température constante de 60°C â 100 min. Cette déformation négative au cours du temps communique â la fenêtre de détection de point limite en polymère stable â la lumière une excellente résistance au fluage. Les polyamines aromatiques utilisables dans la préparation de la fenêtre de détection de point limite en polymère de la présente invention comprennent par exemple : la diéthyltoluènediamine ("DETDA") ; la 3,5-diméthylthio-2,4-toluènediamine et ses isomères ; la 3,5-diéthyltoluéne-2,4-diamine et ses isomères (par exemple la 3,5-diéthyltoluéne-2,6-diamine) ; le 4,4`-bis-(sec-butylamino)-diphényl- méthane ; le 1,4-bis-(sec-butylamino)-benzène ; la 4,4`-méthylène-bis-(2-chloroaniline) ("MOCA") ; la 4,4'-méthylène-bis-(3-chloro-2,6-diéthylaene) ("MCDEA") ; le di-p-aminobenzoate de poly(o,.yde de le N/Nodialkyldianiinvdiphénylmethane ; la p,) irrolpemrio `lts -Nélh) Clui n ,gin` pd Ç;I ut lisaptetraméthylène); m-phenylènediar 5 t'ai ~;ntenant -tétr achïorodlaniinodiphénylmétl,,a e di-p-d iinobF nzoate de 'vnlp'end de prc , DEI DA. 2nr ld yCO ; et de Mélana de c DETDA, poiyarllr e c;! _)n lt C,',1 ' N'1DA"1 ; la 1,4 méthy n -bis- nilin( n éth,l~'~~' .~rodniiint_ It' `},-::' hlanOno-J,_i d~èti ~d'- -dir `'thyid ;.?ieni 11,! a',ares rnéthyienedianiline e ("MPDA")
"f.,1DCiA")
OtIratlOn a fienétrF de détection dry point limite: en polymere stable a la lunure de la présente In`/enbon sont produits par la r. action d'un diisocyanate aliphatique ou cycloaliphat_ique et d'un polyol dans un mulange i.xepolymere. Le polyol prepolymere a E rr~llnalSOnS Isocyanate preSente une moyenne ~ 2 groupements -NCO qui n'ont pas réagi par molécule pour promouvoir une reUculation dans ia fer Utre de détection de point limite en po lymere stable a la lungere. Les polyisocyanates aliphatiques utilisables dans la production du polyol grépolymere à terminaisons isocyarlate contenant des 10 groupements -NCO qui n'ont pas réagi comprennent par exemple : le méthylène- bis(isocyanate de 4-cyclohexyle) (" HuMDI") ; le diisocyanate de cyclohexyle ; le diisocyanate d'isophorone ("IPDI") ; le diisocyanate d'hexaméthylène ("HDI') ; le 1,2-diisocyanate de propylène ; le 1,4-diisocyanate de tétraméthylène ; le diisocyanate de 15 1,6-hexaméthylène; le 1,12-diisocyanate de dodécane ; le 1,3-diisocyanate de cyclobutane; le 1,3-diisocyanate de cyclohexane ; le 1,4-diisocyanate de cyclohexane ; le 1-isocyanato-3,3,5-triméthyl-5-isocyanatométhylcyclohexane ; le diisocyanate de méthylcyclohexylène ; le triisocyanate de diisocyanate 20 d'hexaméthylène ; le triisocyanate de diisocyanate de 2,4,4-triméthyl-1,6-hexane ; l'uretdione de diisocyanate d'hexaméthylène ; le diisocyanate d'éthylène ; le diisocyanate de 2,2,4-triméthylhexaméthylène ; le diisocyanate de 2,4,4-trimethylhexaméthylène ; le diisocyanate de dicyelohexylmethane ; 25 et des mélanges de ceux-ci. Le polyisocyanate aliphatique présente de préférence moins de 14 % en l~lasse de groupt's ist)cyalldLI u pas
po l','vrS ut111sabl d~ ans la poodut tlon élu r~oIVOI prepO[yrlère ypor' Ir'nts -NO ...D sui n'ont pas tri r y .1 ciu polybcltad ene déri Ss partellement/totale ment aprolac ,on< o y`o et des cOools peut UpeS dr(11111c t.i i lE l t _ s1s ;r -uogl}COI PT"sIE N contenant 30 r aai CC.Mpr, nnE'nt al- "xeMple : (i s erlxllnaiSOnS hydroso (comnren nt h', droq honat a l » n:,' SUUtuo__ mi,,pr.slr-1 t Ç r0l`ÿ' terp ois. l < char e hoir-court onee aarSS I(2, Satan
I pclyéthylénepropyleneglycol ; le polyge,prop,,eneglycol ; le poli( adipate d'éthylene ggeol ; le poly(adipate de butylene)glycoC ; poly(adipate d' ethyleneprogvIene)glycol ; l'o-phthalate-1,6-hugxanediol ; poly(adipate d'riexamethylene)glyc l ; ia pogcaprolactone 1,6-he anediol-initlée; Ça polycaprolactone diéthyleneglycol-initiée; la polycaprolactone trimethylolpropane-initiée ; la polycaprolactone néopentylglycol-initiée ; la polycaprolactone 1,4-butanediol-init1ée ; la polycaprolactone PTMEG-initiée ; le polyphtafate carbonate ; le poVcarbonatg d'hexaméth,»ege)glycol ; le 1,4-butanediol ; le diéthyléneglycol ; le tripropyléneglycol et des mélanges de ceux-ci. Le polyol que l'on préfère le plus est PTMEG. Des agents d'extension de chaïne éventuels utilisables dans la production de la fenêtre de détection de point limite en polymère stable â la lumière de la présente invention comprennent par exemple : des diols, triols et tétrols â terminaisons hydroxy. Les agents d'extension de chaîne préférés comprennent l'éthyléneglycol ; le diéthyléneglycol ; le polyéthyléneglycol ; le propyléneglycol ; le polypropyléneglycol ; le polytétraméthyléneétherglycol ; le 1,3-bis(2-hydroxyéthoxy)benzéne ; le 1,3-bis-[2-(2-hydroxyéthoxy)éthoxy]benzéne ; le 1,3-bis-9-[2-9-hydroxyéthoxy)éthoxy]éthoxy}benzène ; le 1,4-butanediol ; le 1,5-pentanediol ; le 1,6-hexanediol ; le résorcinol-di-(bêta-hydroxyéthyl)éther ; l'hydroquinone-di-(bêta-hydroxyéthyl)éther ; et des mélanges de ceux-ci. Les agents d'extension de chaîne que l'on préfère le plus comprennent le 1,3-bis( )-hydroxyethoxy)ben ene ; 1,3-bis-12-(2-hydror ygthgxy)étho.=.y]benzene ; 1,3-bl s-{2-`2-(2-hydi-gxyéthoxy)éth g , ]t thoxy} b nzr ne ; le 1,4-h'utaned ol ; et b s nl'alangc s de eux- ci. Les agents c ,il=)i,Ur' T e f d, 1 Ine ~ C ~~ ~ ~.~~ 1ntrlel_C ~ pe_u.\ I~"1nt _3ror~l ~cggue, F_t licgg. 3gturés, Insa'ur és. agensc, cl gnsl n de t. ne gg uels peuvent dt' (glus comprendre ln halog _'ne. LE'S ggt' ti l7 r" t '_nsl0il ll".jP ü Dr"'. s'_nt.'!lt dpreter nce au 'llàns trols grougenl et5 ieac t `s par gl E- lipefile sl.;nt chois i s m[-m i -OH _ l\g-i rationreact!cin ge pcl/urethane ;D'ut 111'c anisi MEY ' 5,11C Olt 11 le le Clr ,i,ll,'< J(ÿ ancitU. C, rill par rdggCrt aux
groupements isocyanate réactifs présentes dans la polyamine aromatique (c'est-a-dire -OH et -NH, ) et tout agent d'extension de Came .eentuel utilisé pour produire le produit de réaction de polyuréthane. lin autre mecenlsme utilise un prePOI/Mere contenant plus de deux c'1roupt's isocyanate diiphatiques qui n'ont pas réagi. La réaction de durcissement des prépolymeres contenant plus de (Jeu, groupes isocyanate aliphatiques qui n'ont pas réagi résulte en une structure avantageuse qui est plus facilement réticulée. Un autre mécanisme utilise un polyol de réticulation avec plus de deux groupements isocyanate réactifs (c'est-a- dire -01-i et -NFI4) ; une polyamine de reticulation avec plus de deux groupements isocyanate réactifs (c'est-à-dire -OH et -NH2) ; ou une combinaison de ceux-ci. Le produit de réaction de polyuréthane est éventuellement choisi pour présenter une réticulation plus importante afin de communiquer une résistance au fluage à la fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière. Le constituant stabilisant à la lumière utilisable dans la préparation de la fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière de la présente invention comprend par exemple des composés stabilisants à la lumière qui n'atténuent pas fortement la transmission de lumière d'une longueur d'onde de 370 nm à 700 nm. Les constituants stabilisants à la lumière comprennent des composés d'amines encombrées et des composés stabilisants aux M. Les composés stabilisants à la lumière préférés comprennent des composés d'amines encombrées, des composés de tris-aryltriazines, des hydroxyphényltnazines, des composés de benzotriasols, des composés de benzophénones, des composés de bpiisÜrd/Hullt's, des Co(llp(.)st.l)S de cydnoaciylateS, Ces ComposeS fonctionnels d am1des et des melanaes de heur -ci. Les composes stabilisants )mp ,e>t d arllirl il unc OML,n ilOMp s Ci b. n. ,trlaz )!s, Hl( 3 n,Jlc's d~ uLÇ.orilH: pr )'L la Onli2rE' que pon prr fére plus cc,mpr , r1ent. des on». d'hy«-,o 'phenvlthasinr
st Ji lllsants a la iumlerc.' aillé_ Lon HT»«- rint-nt ;l1 cUlllr)HTUU On drLJrl corllpOS) Crd(' rint' nCOn'!h t'C' ~'t der, 101ns Uri parnl' CornpOS hE"lZ.ophr)Toril rnpCLie ('t U) (JlirD'~ d 'l Vd!')xV"phen`/Itrl zine, oa ~) pClnt I [Mu e.1 IlJrlllOH_2 tl'IS 't-' Clans 1t'.ut'( +r p I15SUgr irlti -lo-c nlmlque G présente Invention contient de préférence de 0 1 à 5 % en masse d'un constituant stabilisant à la lumière. La fenétr de détection de point limite en pcl`/ruer stable a la lumlere contient encore Alleu/ de 0,Z a masse ~blc r mien> encore de 0,25 a 2 en masse, encore mien à 1,5 % en masse) de constituant stabilisant a la lumi re. L fenetre dr detecuon de polnt bmitf' en polymère stable a la lumieie utallsée dans le feutre de polissa ,r mécano-chlmidue de la présente invention est choisie parmi une fenetre a bouchon-en-place et une fenetre intégrale.
La couche de polissage dans le feutre de polissage mécano-chimique de Ça présente invention est un matériau polymère comprenant un polymère choisi parmi des polycarbonates, des polysulfones, des nylons, des polyesters, des polyesters, des polystyrènes, des polymères acryliques, des polyméthacrylates de méthyle), des poly{chlorures de vinyle}, des poly(fluorures de vinyle), des polyéthylènes, des polypropylènes, des polybutadiènes, des polyéthyièneimines, des polyuréthanes, des polyéthersulfones, des polyamides, des polyétherimides, des polycétones, des époxy, des silicones, EPDM, et des combinaisons de ceux-ci. La couche de polissage comprend de préférence un polyuréthane. L'homme de l'art saura choisir une couche de polissage présentant une épaisseur utilisable dans le feutre de polissage mécano-chimique pour une opération de polissage donnée. La couche de polissage présente de préférence une épaisseur moyenne de 20 à 150 millièmes de pouces (encore mieux de 30 à 125 millièmes de pouces ; bien mieux encore de 40 à 12.0 millièmes de pouces). Le feutre de polissage n~r c<:Ino-clrïr liqu _ de Id présente invention comprend de plus éventuellement une couche de base intercalée 1 3 Bouche d , polir sacr. , Lei couche dr polissage peut etrt ntrJcment fi. a lu ro'llr'~t' ~1~' I.Jtills~nt iJn ~idh L"dhe peut :tr n I)1'1 HUIT lt'> adhésifs sensibles a 1 3 presslen, sirs m tu`._:li)ir;'s, contas rrr_UCP hindi Cl adheot t de pi& f- r, nun adhésif Mu r~rotus b e eu un adhr la me, -Inn . >re mieux on , clhe tl-rni r /: n de 0, D tIilvenhen plu`., 'rit _Ilç'r l 'rrt ne C J iCi"l r' Clé' rase moins une couche supplémentaire =nectt e avec et intercalée entre l ~ couche de polissage et la couche de base. Les différentes couchas peuvent etre ev`ntUellement for t' 'S ensemble en utilisant un adheslf. L'adnesif peut ,Litre choisi parmi des adhr:_ -ifs sensibles d la pression, des adhésifs thern ofusiblus, des adhésifs de contact t des combinaisons d ceu,-ci. L'adhésif- est de preference un adheslt thermofusibie ou un adhésif sensible a la pression. L'adhésif est bien mieU, encore un adhésif thermofusee. Le feutre de polissage mécano-chimique de le présente invention est de préférence adapté peur être connecté à un cylindre d'une machine de polissage, Le feutre de polissage mécano-chimique de la présente invention est éventuellement adapté pour être fixé au cylindre en utilisant au moins un parmi un adhesit sensible â la pression et le vide, La surface de polissage de la couche de polissage du feutre de polissage mécano-chimique de la présente invention présente éventuellement au moins une parmi une macrotexture et une microtexture pour faciliter le polissage du substrat. La surface de polissage présente de préférence une macrotexture, où la macrotexture est mise au point pour réaliser au moins une action parmi (i) éviter au moins l`hydroplanage ; (il) influencer l'écoulement du milieu de polissage ; (iii) modifier la rigidité de la couche de polissage ; (iv) réduire les effets de bord ; et, (v) faciliter le transfert des débris de polissage â partir de la surface entre la surface de polissage et le substrat. La surface de polissage de la couche de polissage du feutre de polissage mécano-c:hirZigue de la présente invention présente ~v~~ntueilenl~nt Urle nlaCrotextUl e L! lM5ir,2 parllli au IllUinS di s perforations et drus rainures. Les perforations peuvent dry pr iférence s'étendre a partir ci _ l.Jrfat.(' de p il 5(1,13 3artlt'llef1lent Ou tOtdiurlent 3 trar,rerS <<' Jr dr' la -t.Urhe dr p;_;li<<`ut rainUr"u C)nt dr `t p nec )p!:J_ r. , sur le sur"face `arJ, pulls g di telle ,eÛe, It, r< rune rotation tr Ufrpr..nu lni e Dull ciqu, au MO fl.. u alnur"t balJ\'e _' dessus dU hstr"et. Ll:= rair urr_S ont 5105 p" iLl d s ral'l'UroS iurh - d~ tell Ur C~. r t ?n 1rl iaiscrir '. c~illev r iL r et U'lr' pl , i'" Jeu f-1 nll l iv r~ _, _ I~ r_ rl'_i) a ~ 7)0 nlnl Ln],- i aLnUl` e _ rl n10tif H=11nd
ayant une combinaison d'une profondeur choisie parmi 10 millièmes pouces, 15 millièmes de pouces et d 15 à 150 milliernes de pour d'une largeur choisie parmi i0 hall emes de pouces et de 1 100 millièmes de pouces ; et d'un pas choisi parmi 30 millièmes de pouces, 50 millièmes dry pouces, de 50 à 200 meemes qc pouces, de 70 à 200 milliémes de pouces, et de 90 200 millièmes de pouces. Le procède de la présente invention pour un polissage mecanochimique d'un substrat comprend : la fourniture d'un appareil de polissage mécano-chimique présentant un cylindre, une source de lumière et un détecteur photoélectrique (de préférence un spectrographe multidétecteur) ; la fourniture d'au moins un substrat choisi parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semi-conducteur (de préférence un substrat semi-conducteur ; encore mieux une galette semi-conductrice) ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano- chimique de la présente invention ; l'installation sur le cylindre du feutre de polissage mécano-chimique ; la fourniture éventuelle d'un milieu de polissage â une interface entre la surface de polissage et le substrat ; la création d'un contact dynamique entre la surface de polissage et le substrat, dans lequel au moins une certaine partie de matière est éliminée du substrat ; et, la détermination d'un point limite de polissage par transmission de lumière â partir de la source de lumière â travers la fenêtre de détection de point limite en polymère stable â la lumière et par analyse de la lumière réfléchie à partir de la surface du substrat en retour â travers la fenêtre de détection de point limite en polymère stable â la lumière de manière incidente sur le détecteur photoélectrique. Le point limite de poissssage est de préférence défet miné sur la base d'une analyse d'une longueur d'onde de lumière réfléchie à partir c la surface du b`_;trat <='t transmise travers la fenetr e dutr'c tien geint imite, c ,l ~r~~VrTr.lr' st_a1hP a I~ lullllcr, ,)U 'a longueur d«Dnc ~1,'hieire eSt Orle `gueux nm a 'tee nna Le ;,iolnt Ilrlllt.e C p'`lis scicl ' E'.s. c'.nCOfe M55, cietermIné sur la base d'une enalvse clé_'. longueur d'onde" multip r d lunhère reailechic 3n ;nr . `.r0\.rlr h -' a Ic] lunll Une iciai onde nm ;00 0115_ 001. l 11150I stah U c3 l 1.1011(_'x" J t btid ' dt. 1)011 0011 5 saga. l itrui.lno 96-irtir de surfer- du substrat Doint lier tu. ~rn r p!es suivants
Exemple comparatif C et exemples 1-10 Préparation de fenêtres de détection de point limite Un a préparé des blocs de fenêtres de détection de point limite peur une intégration dans des couches de polissag( mécano-chirniyue 10 comme fenêtres intégrales comme suit. On a mélange le paquet de stabilisant ("SP'") indiqué dans le tableau 1 avec une polyamine aromatique ("AP") (c'est-à-dire la diethyltoluénediamine "DEl`DA") dans la quantité indiquée dans le tableau 1. On a ensuite mélangé la combinaison de stabilisant/polyamine aromatique avec un polyol prépolymére â 15 terminaisons isocyanate ("I PP") (c'est-à-dire LW570 disponible chez Chemtura) au rapport stoechiométrique de -NN2 â -NCO de 80 %. On a ensuite introduit le matériau résultant dans un moule. On a ensuite fait durcir les contenus du moule dans un four pendant dix-huit (18) heures. On a fixé la température de consigne du four â 93°C pour les premières 20 vingt (20) minutes ; 104°C pour les quinze (15) heures suivantes et quarante (40) minutes suivantes ; et on l'a ensuite abaissée â 21°C pour les deux (2) heures finales. On a ensuite découpé les blocs de fenêtres â bouchons pour faciliter l'incorporation dans des gâteaux de feutres de polissage par un moyen classique. 17 chimique utilisé dans (e procedé de la présente invention est préferr nce une fenétre résistante au fluag Qn décrira maintenant en ci('tail dans Ces t.ner certains n des du réalisation de la présenta invention 25 18 Tableau 1 E SPI i SP ajouté (en pph» aucun :contrôle», Tinuvin 123 Tinuvin 662 Tinuvin 765 UnIvul 3059 Tinuvin PUR 866 Univuli 303 9 10 Tinuvin 123 + Univule 3039 Tinuvin`' 765 + Univul@ 3039 0,8 0,3 0,5 + 0,5 0,5+0,5 pph indique la partie de SP pour 100 parties de (AP + ITPP) ; e le matériau Univul 3039 cité provenait de chez Aldrich, tous les autres matériaux SP cités dans le tableau 1 provenaient de chez BASF.
Exemple 11 : Dureté On mesure la dureté d'une fenêtre de détection de point limite 10 en polymère stable à la lumière préparée selon l'exemple 5 selon ASTM D2240-05 et elle est déterminée comme étant de 67 Shore D.
Exemple 12 Test de transmission e stabilité accélérée à la lumière 15 C?n a `l,_ le ir Lui transmission -e Verieyi SP2006 pectret fnterferceneter constitue d'un Lerographe SDIO24F d'une rnpe fiash ..ce-ion et d'un càble ide fibre optique cle enfin. On 3 rea., croc nyn,)t de dOnnéeS UtIlISjnt: Lil VerSIOn C..k2 rogramfne applications SpectreVieieii -410. L. erity SP2006 presente intervalle Li 200 <Ti] 800 me. Lee.; données de stabilite a le 'ALS'd Itr _- dens taii7eaii..i pro de mesur transmissdys (i IWsi, IWD' lAsi et IAD) pou- ditii lumière (jl lonqueur e«Dnde. 38U wu en utilisant équipement standard à deu/ passages. C'est-à-dire que de ta lumlere a te transmise à travers les echantiilons, a été réfléchie à partir d'une galette témoin de silicium pour IWs; et IWD ; ou d'un corps noir pour IAs, et IAo, a été transmise n retour à travers l'échantillon /ers le d:'tectelir, lequel a mesuré sur son dessus l'intensït~ de lumière incidente d'une longueur d'onde de 3H0 nm. Les mesures de transmission utilisées pour le calcul de DPTI ont été déterminées pour chaque échantillon en mesurant IWs; et IWD avant rsxpoSltlon a Une SourCe de IUmlere ultraVlolette d'Intensltc elevee.
Les mesures de transmission utilisées pour le calcul de DPTE ont été déterminées pour chaque échantillon en mesurant IWs; et MD après exposition à de la lumière ultraviolette d'intensité élevée produite par une lampe â arc court â vapeur de mercure de 100 W â travers une baguette de fibre optique de diamètre 5 mm, où la baguette a été calibrée peur fournir 500 mW/cm2. On a dans chaque cas placé l'échantillon sur une table d'exposition d'échantillon et on l'a exposé â de la lumière de la baguette de fibre optique de diamètre 5 mm disposée 2,54 cm au-dessus de la surface de la table d'exposition d'échantillon sur une durée de deux (2) minutes. On a ensuite calculé ALS pour chaque échantillon â partir de l'équation suivante avec les résultats fournis dans le tableau 2.
DPTE ALS = DPTI La longueur d'onde limite de transe isslon ("40 )cite pour les échantillons listes dans le tableau 2 est la longueur d'onde à laquelle et en dessous de laquelle le DPTI calcule E ..st: régal ~ zéro. On note que: a t (let r~nàin utilisent d _'n+li'r .oui n'ont Ià `ocre r' C luire - ' u tr.ipao ettr dt?_. 20 Tableau 2 A S
Ex. en nm (À = 380 nm
330 0 66 _ 330 1 2 330
,330
1 4 1 370 1 ! 360 10,93
1 370 0,94
0,82 7 1 370 8 70 370 1 0,79 0,89 370 0t.84
Exemple 13 : Résistance au fluage On a réalisé une analyse de fluage sous traction sur un échantillon d'une fenêtre de détection de point limite en polymère stable à la lumière résistante au fluage préparée selon la procédure décrite dans l'exemple 5 pour mesurer la déformation au cours du temps, e(t), de l'échantillon lorsqu'il a été soumis à une contrainte constante appliquée, Go. La (information au cours du temps est une mesure du degré de déformation d'un échantillon et est définie comme suit : 100
La contrainte an r. efInIt.I.-2 C-Onin-1 Id ÎC dppliqUL't-2. \,"Is par ia et on transverstiic:2 du spi amer, st.e,. Lqptitude ~lU , action, D( qetinie cnin-nc suit L'aptitude au fluage est typiquement reportée sur une échelle logarithmique. Puisque lu valeui de déformaton e{pénmentale était` negatp,re et que le logarithme d'un nombre négatif ne peut pas tare défini, on cite à la place de l'aptitude au fluage la valeur de déformation pour la 10 fenétre de détection de point [imite en polymère stable à la lumière, résistante au fluage. Les deux valeurs sont synonymes sous une contrainte constante. La valeur de déformation mesurée du matériau de fenêtre de détection de point limite en polymère, stable à la lumière, résistant au fluage est d'une importance technique. 15 On trace l'aptitude au fluage en fonction du temps et on représente un exemple de la réponse au fluage (déformation) d'un polymère viscoélastique en fonction du temps tirée d'un manuel dans la figure 1. On applique la contrainte a à t = 0. Le polymère se déforme initialement de manière élastique et continue à s'étirer lentement (fluage) 20 au cours du temps (courbe gauche). Lorsque la contrainte est éliminée, le polymère se détend (courbe droite). Une matière viscoélastique ne se rétracte pas complètement alors qu'une matière purement élastique revient â sa longueur initiale. On a réalisé les mesures de fluage en utilisant le TA 25 Instruments Q800 DMA utilisant des montages de colliers élastiques. On a e- e toutes es Cypen enees fluage a pour su-mule` la temperature de polissagf . On a laisse l'échantillon teste s'équilibrer a la tEJr11t )fatum. dl., test pendant min avant l' lr plie 3tion ~11 la contr 3 nte l c, CJMr"u n'!' a; 'qUE' -: J nrillnn de l 4»d O! ~ ne ' sure u i) llfl 1` U I`_ d St CrI it;'n CIE' t , T t'n ULIIIM(i:Mr ln) MIE_ c?i11 't E;'. c3Vc3n`l eimenslc ns nominal 'charlbi.on 'talç_:r, dE-' 1 i men nlr'l f' rem Or ï [ i;llqutr 1 1 cor 'mule J l' . 0ant l'en ndunt ' )0 n1in. 0- a r _'Ire le r entm nies , -Mquue a:~20 min e5 Me` lIM Clam` IO mie supidementï: r Or a uni, d' t mtltui arl 'Mar_ E mot_ le nt''au C,1 t'(_E ~?n`-1111," _'n '< ncru dll Le rrut"'rI~?U 11(' r ~3L1 sug malt 21 r` feutres fabriqués arec une fenëtre intégrA. La figure 2 illustre lu re.ponsfe négative de déformation au cours du temps du matériau d fénotre d détection d point limiter en polymore, stublu lu lum!ûre, résistant au fluage l'Eàtat fabriq
Claims (1)
1. Berl n ~C guis ~ 1Cn d.' étron pole 'h-'te ' st hl J I~~ Iuflll~_'rr' ( l~ tel[) t~,[ ,l Ici utile-!! 11c iu! "._' et J lJ min 0,C)5 d'une po_ tio l Limier adulte! nli.JSPCPar une lampe d arc court d vapeur de Mercure de 100 V à travers une baguette de fibre optique de dlametre J mrll Gall, ree pour fournir une puissance de 500 rM.7'crli 4. Feutre de polissage mécano-cllimlque selon le r neication 2, caractérise en ce que la fenêtre d détection de point limite un polymère stable a 13 lumlere présente une transmission initiale a double passage 15 `% pour de la lumière a 380 nul. 5. Feutre de polissage mécano-chimique selon la revendica 3, caractérisé en ce que la fenêtre de détection d~ point limite en polymère stable â la lumière est métastable avec une déformation négative au cours du temps. 6. Feutre de polissage mécano-chimique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le polyol prépolymére â terminaisons isocyanate comprend une moyenne > 2 groupements -NCO par molécule. 7. Feutre de polissage mécano-chimique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la fenêtre de détection de peint limite en polymère stable â la lumière comprend un produit de réaction de polyuréthane de la polyamine aromatique, du polyol prépolymére â terminaisons isocyanate et un agent d'extension de chaîne ; dans lequel l'agent d'extension de chaîne présente au moins trois groupements réactifs par molécule ; et dans lequel, l'agent d'extension de chaîne est choisi parmi un polyol de réticulation, une polyamine de réticulation, et des combinaisons de ceux-ci. 8. Feutre de polissage mécano-chimique selon la le'veur lcat1un 1, càid(teilsr_' Uifl sie qUe Id p0lydfillne arofllatIgUE' et le polyol prepolymere d terminaisons Isocyanate sont fournis dans un rapport ;toe hl me4rique groupement amine d groupement -NCO qui a ienét point Il,ii!tren pOly" ',êre n la !ur~~l~'~ preserte L,ne ~J~t~rrmet n gatre au cours du temps I'rsgl elle <'ut mesurE'u' eC une chargé' c t ?Ç l;?f ci'xl a'E. constente kPa c; une tefepEratur, constante c.e E0 C a 100 Afin; une dure I_ 50 ~,~ 00 et i~lne t(~;~,mi i n rtiar. _ à double agE, unu cnaueur ~j sIde I,m pc~lr ~r,~, Epal >s{_ur 1,3 n m.9. Feutre de polissage mécano-chimique selon la invendication 1, caractérisé én ce que la ténetre de dé=tection d point [mité en pol\imc_re stable a la iumiere est unn fenêtre integ al . 10. Piocede de pnilssagu criéc,anci-chimique d'un substrat aractérisé prr ce qucomprend la tourniture d'un appareil de polissage mécano-dm-nique présentant un cylindre, une source de lumière et un détecteur photoélectrique ; la tourniture d'au moins un substrat choisi pain un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semi-conducteur ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique selon l'une quelconque des revendications 1 â 9 ; l'installation sur le cylindre du feutre de polissage mécano-chimique ; la fourniture éventuelle d'un milieu de polissage â une interface entre la surface de polissage et le substrat ; la création d'un contact dynamique entre la surface de polissage et le substrat, dans lequel au moins une certaine quantité de matière est éliminée du substrat ; et la détermination d'un peint limite de polissage par transmission de lumière â partir de la source de lumière â travers la fenêtre de détection de point limite en polymère stable â la lumière et par analyse de la lumière réfléchie â partir de 1a surface du substrat en retour â travers la fenêtre de détection de point l'imite en polymère stable â la lumière de manière incidente sur le détecteur photoélectrique.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/893,656 US8257545B2 (en) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2965204A1 true FR2965204A1 (fr) | 2012-03-30 |
| FR2965204B1 FR2965204B1 (fr) | 2015-06-26 |
Family
ID=45804955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1158730A Expired - Fee Related FR2965204B1 (fr) | 2010-09-29 | 2011-09-29 | Feutre de polissage mecano-chimique avec fenetre de detection de point limite en polymere stable a la lumiere et procede de polissage associe |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8257545B2 (fr) |
| JP (1) | JP5871226B2 (fr) |
| KR (1) | KR101749767B1 (fr) |
| CN (1) | CN102554765B (fr) |
| DE (1) | DE102011115152A1 (fr) |
| FR (1) | FR2965204B1 (fr) |
| TW (1) | TWI527836B (fr) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI396602B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-05-21 | Iv Technologies Co Ltd | 具有偵測窗之研磨墊的製造方法及具有偵測窗之研磨墊 |
| TWI671161B (zh) | 2012-04-02 | 2019-09-11 | 美商湯瑪士衛斯有限公司 | 用於離心鑄造聚合物拋光墊之方法及系統及由該方法製得之拋光墊 |
| US10022842B2 (en) | 2012-04-02 | 2018-07-17 | Thomas West, Inc. | Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material |
| US10722997B2 (en) | 2012-04-02 | 2020-07-28 | Thomas West, Inc. | Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads |
| US9156125B2 (en) * | 2012-04-11 | 2015-10-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with light-stable light-transmitting region |
| US20140256226A1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Broad spectrum, endpoint detection window chemical mechanical polishing pad and polishing method |
| SG10201807026VA (en) * | 2014-02-20 | 2018-09-27 | Thomas West Inc | Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material |
| US9064806B1 (en) | 2014-03-28 | 2015-06-23 | Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad with window |
| US9216489B2 (en) | 2014-03-28 | 2015-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window |
| US9259820B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window |
| US20150306731A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
| US9333620B2 (en) | 2014-04-29 | 2016-05-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window |
| US9314897B2 (en) * | 2014-04-29 | 2016-04-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window |
| US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
| US9776361B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
| US10821573B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
| US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
| US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
| CN113579992A (zh) | 2014-10-17 | 2021-11-02 | 应用材料公司 | 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构 |
| US10399201B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
| US10875145B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
| CN108290267B (zh) | 2015-10-30 | 2021-04-20 | 应用材料公司 | 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法 |
| US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
| US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
| US10207388B2 (en) * | 2017-04-19 | 2019-02-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Aliphatic polyurethane optical endpoint detection windows and CMP polishing pads containing them |
| US10293456B2 (en) * | 2017-04-19 | 2019-05-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Aliphatic polyurethane optical endpoint detection windows and CMP polishing pads containing them |
| US10596763B2 (en) | 2017-04-21 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing with array of energy sources |
| US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
| US11072050B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window and manufacturing methods thereof |
| WO2019032286A1 (fr) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | Tampons à polir à distribution abrasive et leurs procédés de fabrication |
| KR20210042171A (ko) | 2018-09-04 | 2021-04-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들 |
| US11813712B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
| KR102195325B1 (ko) | 2020-06-16 | 2020-12-24 | 에스케이씨 주식회사 | 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법 |
| US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
| US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
| WO2022202059A1 (fr) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | 富士紡ホールディングス株式会社 | Procédé de fabrication de tampon à polir |
| TW202311334A (zh) * | 2021-05-28 | 2023-03-16 | 美商3M新設資產公司 | 聚胺甲酸酯、拋光物品及由其製造之拋光系統及其使用方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5433651A (en) | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
| US5605760A (en) | 1995-08-21 | 1997-02-25 | Rodel, Inc. | Polishing pads |
| US6753972B1 (en) | 1998-04-21 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Thin film thickness measuring method and apparatus, and method and apparatus for manufacturing a thin film device using the same |
| US6106662A (en) | 1998-06-08 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing |
| US6190234B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection with light beams of different wavelengths |
| US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| US6171181B1 (en) | 1999-08-17 | 2001-01-09 | Rodel Holdings, Inc. | Molded polishing pad having integral window |
| US6685537B1 (en) | 2000-06-05 | 2004-02-03 | Speedfam-Ipec Corporation | Polishing pad window for a chemical mechanical polishing tool |
| US6641470B1 (en) | 2001-03-30 | 2003-11-04 | Lam Research Corporation | Apparatus for accurate endpoint detection in supported polishing pads |
| TWI243735B (en) * | 2002-08-09 | 2005-11-21 | Applied Materials Inc | Method of polishing a substrate, polishing pad with window for the method and the manufacturing method thereof |
| JP3582790B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2004-10-27 | 東洋紡績株式会社 | 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法 |
| US7704125B2 (en) | 2003-03-24 | 2010-04-27 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
| US7074115B2 (en) * | 2003-10-09 | 2006-07-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad |
| US6984163B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with high optical transmission window |
| US7147923B2 (en) | 2003-12-19 | 2006-12-12 | 3M Innovative Properties Company | Flexible polymer window |
| US7018581B2 (en) * | 2004-06-10 | 2006-03-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming a polishing pad with reduced stress window |
| JP5110677B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2012-12-26 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
| JP2007307639A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP5368716B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2013-12-18 | 花王株式会社 | ポリウレタン成形品の製造方法 |
| US7635290B2 (en) * | 2007-08-15 | 2009-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interpenetrating network for chemical mechanical polishing |
| US20100035529A1 (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Mary Jo Kulp | Chemical mechanical polishing pad |
| US8257544B2 (en) * | 2009-06-10 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window |
| US8697217B2 (en) * | 2010-01-15 | 2014-04-15 | Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. | Creep-resistant polishing pad window |
-
2010
- 2010-09-29 US US12/893,656 patent/US8257545B2/en active Active
-
2011
- 2011-09-21 JP JP2011205548A patent/JP5871226B2/ja active Active
- 2011-09-27 DE DE102011115152A patent/DE102011115152A1/de not_active Withdrawn
- 2011-09-28 KR KR1020110097933A patent/KR101749767B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-28 TW TW100134939A patent/TWI527836B/zh active
- 2011-09-29 FR FR1158730A patent/FR2965204B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-29 CN CN201110393259.3A patent/CN102554765B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5871226B2 (ja) | 2016-03-01 |
| US20120077418A1 (en) | 2012-03-29 |
| FR2965204B1 (fr) | 2015-06-26 |
| TW201219436A (en) | 2012-05-16 |
| CN102554765B (zh) | 2015-07-08 |
| KR101749767B1 (ko) | 2017-06-21 |
| US8257545B2 (en) | 2012-09-04 |
| TWI527836B (zh) | 2016-04-01 |
| JP2012071416A (ja) | 2012-04-12 |
| KR20120033261A (ko) | 2012-04-06 |
| DE102011115152A1 (de) | 2012-03-29 |
| CN102554765A (zh) | 2012-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2965204A1 (fr) | Feutre de polissage mecano-chimique avec fenetre de detection de point limite en polymere stable a la lumiere et procede de polissage associe | |
| FR3020298A1 (fr) | Feutre de polissage mecano-chimique avec fenetre de detection de point limite transparente | |
| KR102409773B1 (ko) | 종점 검출 윈도우를 갖는 화학 기계적 연마 패드 | |
| FR3019076B1 (fr) | Feutre de polissage mecano-chimique avec couche de polissage et fenetre | |
| TWI324545B (en) | Polishing pad with high optical transmission window and method of forming the same | |
| Xu et al. | Preparation, characterization of UV‐curable waterborne polyurethane‐acrylate and the application in metal iron surface protection | |
| FR3022814A1 (fr) | Formulation de couche de polissage mecano-chimique avec tolerance de traitement | |
| FR2955278A1 (fr) | Tampon de polissage a fenetre resistante au fluage | |
| DE102015003200A1 (de) | Weiches und konditionierbares chemisch-mechanisches polierkissen mit fenster | |
| FR3002872A1 (fr) | Feutre de polissage chimique mecanique a fenetre de detection de point limite a large spectre, et procede de polissage avec ce feutre | |
| JP6487248B2 (ja) | 終点検出ウィンドウを有する化学機械研磨パッド | |
| TW201803950A (zh) | 晶片加工用保護塗層劑組合物及包含其的保護塗層劑 | |
| FR3065385A1 (fr) | Fenetres de detection optique de point limite de polyurethane aliphatique et tampons de polissage cmp les contenant | |
| JP6862027B2 (ja) | ウェハ加工用保護コーティング剤組成物、及びそれを含む保護コーティング剤 | |
| KR20210043124A (ko) | 소프트몰드 공정 후처리 방법 | |
| Tai et al. | Spin-coating polyimide film on hydrogenated DLC film surface prepared by ion beam deposition method | |
| FR3031184A1 (fr) | Analyseur de couche de polissage de tampon de polissage mecano-chimique et procede correspondant |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 6 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 7 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 8 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 9 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 10 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 11 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 12 |
|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20240505 |