FR2964263A1

FR2964263A1 - Circuit de reduction d'intensite de fuite de courant alternatif

Info

Publication number: FR2964263A1
Application number: FR1154219A
Authority: FR
Inventors: Markus Greither
Original assignee: HS Elektronik Systems GmbH
Current assignee: Hamilton Sundstrand Corp
Priority date: 2010-08-24
Filing date: 2011-05-16
Publication date: 2012-03-02
Anticipated expiration: 2031-05-16
Also published as: US20120049935A1; US8928185B2; DE102010035278A1; FR2964263B1; DE102010035278B4

Abstract

Un système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur ayant un premier dispositif de commutation à semi-conducteur (M1) et un second dispositif de commutation à semi-conducteur (M2) pour distribuer une alimentation électrique d'une source d'alimentation de courant alternatif à une charge comprend un circuit de réduction d'intensité de fuite pour réduire l'intensité de fuite générée par les dispositifs de commutation à semi-conducteur lorsqu'ils sont à un état « Fermé ». Lorsque les premier et second dispositifs de commutation à semi-conducteur sont à l'état « Fermé », le circuit de réduction d'intensité de fuite fournit une tension de polarisation positive à travers des bornes commandées du premier dispositif de commutation à semi-conducteur et une tension de polarisation négative à travers des bornes commandées du second dispositif de commutation à semi-conducteur.

Description

CIRCUIT DE REDUCTION D'INTENSITE DE FUITE DE COURANT ALTERNATIF

La présente invention concerne des dispositifs de commutation à semi-conducteur pour distribuer une alimentation de courant alternatif, et en particulier des circuits de réduction de fuite pour minimiser l'intensité de fuite de courant alternatif dans des dispositifs de communication à semi-conducteur.

Les commutateurs de courant alternatif à semi-conducteur sont couramment utilisés à la place de relais mécaniques pour distribuer une alimentation électrique d'une source à une charge. Les commutateurs de courant alternatif ou AC (AC pour « Alternating Current » en anglais) à semi-conducteur comprennent généralement une paire de dispositifs de commutation à semi-dispositif de commutation à semi- conducteur conducteur ou SSSD (SSSD pour « Solid-state switching device » en anglais) reliés l'un à l'autre en série. Chaque SSSD comprend une borne de commande et au moins deux bornes commandées. Un signal de commande fourni à la borne de commande dicte si le SSSD est en état « Ouvert » (état « On » en anglais) ou en état « Fermé » (état « Off » en anglais). Lorsque le SSSD est en état « Ouvert », le dispositif permet à l'alimentation électrique fournie à une première borne commandée d'être amenée à une seconde borne commandée. Lorsque le SSSD est en état « Fermé », le dispositif empêche à l'alimentation électrique fournie à une première borne commandée d'être amenée à une seconde borne commandée. Néanmoins, la plupart des SSSD sont unidirectionnels, c'est-à-dire qu'ils permettent au courant de s'écouler dans une direction même lorsqu'ils sont en état « Fermé ». C'est pourquoi un commutateur de courant alternatif à semi-conducteur nécessite une paire de dispositifs de commutation à semi-conducteur reliés dans une configuration dos à dos pour bloquer le demi-cycle positif et le demi-cycle négatif de l'alimentation électrique d'entrée de courant alternatif.

Une intensité de fuite découle du fait qu'un certain courant est autorisé à s'écouler même lorsque les deux SSSD reliés en série sont en état « Fermé ». C'est une conséquence de capacités parasites associées à chaque SSSD qui se chargent/se déchargent pendant les demi-cycles de la forme d'onde de courant alternatif. Par exemple, la capacité de jonction associée aux SSSD permet de stocker de l'énergie pendant un demi-cycle de la forme d'onde de courant alternatif, et au fur et à mesure que la tension de courant alternatif diminue vers le passage à zéro, la capacité de jonction est déchargée, ce qui engendre l'écoulement d'une intensité de fuite indésirable à travers le SSSD. L'invention concerne un système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur comporte une borne d'entrée pouvant être reliée à une source d'alimentation électrique de courant alternatif et une borne de sortie pouvant être reliée à une charge. Un premier dispositif de commutation à semi-conducteur et un second dispositif de commutation à semi-conducteur, ayant chacun une borne de commande et deux bornes commandées, sont reliés l'un à l'autre en série entre la borne d'entrée et la borne de sortie. Le premier dispositif de commutation à semi-conducteur et le second dispositif de commutation à semi-conducteur sont mis à un état « Ouvert » pour distribuer sélectivement l'alimentation électrique de la source d'alimentation électrique de courant alternatif à la charge et à un état « Fermé » pour empêcher la distribution de l'alimentation électrique de la source d'alimentation électrique de courant alternatif à la charge. Un circuit de réduction d'intensité de fuite est relié pour fournir une tension de polarisation positive à travers les bornes commandées du premier dispositif de commutation à semi-conducteur et du second dispositif de commutation à semi-conducteur. La tension de polarisation est appliquée lorsque le premier dispositif de commutation à semi-conducteur et le second dispositif de commutation à semi-conducteur sont en état « Fermé » pour réduire la génération d'intensité de fuite dans le système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur. Selon un autre aspect de l'invention, le circuit de réduction d'intensité de fuite comprend un premier circuit de polarisation relié pour recevoir l'énergie de charge de la borne d'entrée au cours d'un demi-cycle positif de la source d'alimentation de courant alternatif et pour fournir une tension de polarisation au premier dispositif de commutation à semi-conducteur au cours du demi-cycle négatif de la source d'alimentation de courant alternatif. Selon un autre aspect de l'invention, le premier circuit de polarisation comprend une première résistance, un premier condensateur, et une première diode reliés pour former un chemin de courant entre la borne d'entrée et la borne de sortie au cours des demi-cycles positifs de la source d'alimentation de courant alternatif pour charger le premier condensateur.

Selon un autre aspect de l'invention, le premier condensateur fournit la tension de polarisation au premier dispositif de commutation à semi-conducteur. Selon un autre aspect de l'invention, le circuit de réduction d'intensité de fuite comprend un second circuit de polarisation relié pour recevoir l'énergie de charge de la borne d'entrée au cours d'un demi-cycle négatif de la source d'alimentation de courant alternatif et pour fournir une tension de polarisation au second dispositif de commutation à semi-conducteur au cours du demi-cycle positif de la source d'alimentation de courant alternatif. Selon un autre aspect de l'invention, le second circuit de polarisation comprend une seconde résistance, un second condensateur, et une seconde diode reliés pour former un chemin de courant entre la borne d'entrée et la borne de sortie au cours de demi-cycles négatifs de la source d'alimentation de courant alternatif pour charger le second condensateur. L'invention se rapporte également à un procédé de réduction d'intensité de fuite dans un commutateur de courant alternatif qui comprend un premier dispositif de commutation à semi-conducteur et un second dispositif de commutation à semi-conducteur reliés entre une borne d'entrée pour recevoir une alimentation de courant alternatif d'une source d'alimentation de courant alternatif et une borne de sortie pour fournir l'alimentation de courant alternatif à une charge, le procédé comprenant : la distribution d'une tension de polarisation positive à travers des bornes commandées du premier dispositif de commutation à semi-conducteur pour maintenir la tension à travers les bornes commandées au-dessus d'une valeur de seuil positive lorsque le premier dispositif de commutation à semi-conducteur est à un état « Fermé » ; et la distribution d'une tension de polarisation positive à travers des bornes commandées du second dispositif de commutation à semi-conducteur pour maintenir la tension à travers les bornes commandées au-dessous d'une valeur de seuil positive lorsque le second dispositif de commutation à semi-conducteur est à un état « Fermé ».

Selon un autre aspect de l'invention, la distribution d'une tension de polarisation positive comprend : le chargement d'un premier condensateur au cours d'un demi-cycle positif d'une source d'alimentation de courant alternatif reliée à la borne d'entrée ; et le déchargement du premier condensateur à travers les bornes commandées du premier dispositif de commutation à semi-conducteur au cours d'un demi-cycle négatif de la source d'alimentation de courant alternatif. Selon un autre aspect de l'invention, la distribution d'une tension de 5 polarisation négative comprend : le chargement d'un second condensateur au cours d'un demi-cycle négatif de la source d'alimentation de courant alternatif reliée à la borne d'entrée ; et le déchargement du second condensateur à travers les bornes commandées du second dispositif de commutation à semi-conducteur au cours d'un demi-cycle positif 10 de la source d'alimentation de courant alternatif. La figure 1 est un schéma de circuit du dispositif de commutation à semi-conducteur avec un circuit de réduction de fuite selon un mode de réalisation de la présente invention. Les figures 2A et 2B sont des schémas de formes d'ondes illustrant le 15 fonctionnement du circuit de commutation de courant alternatif sans le circuit de réduction de fuite. Les figures 3A et 3B sont des schémas de formes d'ondes illustrant le fonctionnement du circuit de commutation de courant alternatif avec le circuit de réduction de fuite selon un mode de réalisation de la présente invention. 20 La présente invention prévoit un système et un procédé de réduction d'intensité de fuite développés à travers des dispositifs de commutation à semi-conducteur (SSSD) utilisés pour distribuer une alimentation électrique de courant alternatif (AC pour « de courant alternatif ») à une charge. En particulier, un circuit de réduction de fuite garantit qu'une tension minimale soit maintenue à travers des 25 bornes commandées des dispositifs de commutation à semi-conducteur SSSD pour empêcher le développement d'une intensité de fuite pouvant autrement survenir lors des passages à zéro de l'alimentation de courant alternatif. Dans des modes de réalisation proposés ci-après, des transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde de métal (MOSFET) sont employés en tant que dispositifs de commutation à 30 semi-conducteur (SSSD), avec la borne de grille de chaque MOSFET qui représente une borne de commande du SSSD, et les bornes de drain et de source qui représentent les bornes commandées du SSSD. Un signal de commande fourni à la borne de commande (par exemple, la borne de grille) détermine si le SSSD est à un état « Ouvert » ou à un état « Fermé ». Lorsque le SSSD est à un état « Ouvert », l'alimentation électrique est autorisée à s'écouler entre les bornes commandées (par exemple, entre le drain et la source). Lorsque le SSSD est à un état « Fermé », il est empêché à l'alimentation électrique de s'écouler entre les bornes commandées. Dans d'autres modes de réalisation, d'autres types de dispositifs peuvent être employés, comme des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT). La figure 1 est un schéma de circuit du système de distribution d'alimentation électrique 10 qui emploie un commutateur de courant alternatif (AC) 12 et un circuit de réduction de fuite 14 selon un mode de réalisation de la présente invention. Le commutateur AC 12 est mis à un état « Ouvert » pour permettre la distribution de l'alimentation électrique de la source d'alimentation AC 16 à la charge 18, et à l'état « Fermé » pour empêcher la distribution de l'alimentation électrique de la source d'alimentation AC 16 à la charge 18. Le circuit de réduction de fuite 14 sert à limiter l'intensité de fuite dans le système de distribution 10 lorsque le commutateur AC 12 est à l'état «Fermé ». La combinaison du commutateur AC 12 et du circuit de réduction de fuite 14 représente un canal particulier dans le système de distribution d'alimentation électrique 10. Par exemple, les systèmes secondaires de distribution d'alimentation électrique ou SPDS (SPDS pour « secondary power distribution power » en anglais) employés dans les applications d'aéronefs peuvent comprendre une pluralité de canaux ayant chacun leurs propres commutateurs AC à semi-conducteur en combinaison avec un circuit de réduction de fuite. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 1, le commutateur AC 12 comprend une paire de SSSD M1 et M2 reliés dans une configuration dos à dos entre la borne d'entrée V;,, et la borne de sortie Vont. Un signal de commande fourni à la borne de commande (par exemple, la borne de grille) de chaque SSSD M1 et M2 dicte si le SSSD respectif est à un état « Ouvert » ou à un état « Fermé ». Pour permettre sélectivement la distribution de l'alimentation électrique de la source d'alimentation AC 16 à la charge 18, les deux SSSD M1 et M2 sont mis à un état « Ouvert ». De même, pour empêcher la distribution de l'alimentation électrique de la source d'alimentation AC 16 à la charge 18, les deux SSSD M1 et M2 sont mis à l'état « Fermé ». Les signaux de commande (par exemple, Controll, Control2) fournis aux bornes de commande respectives des SSSD M1 et M2 sont généralement fournis par un contrôleur (non représenté) auquel il est souvent fait référence en tant que contrôleur d'alimentation électrique à semi-conducteur (SSPC pour « solid-state power controler » en anglais). En plus des fonctions de commande, le SSPC peut effectuer des fonctions de protection et de test. Par exemple, un SSPC surveille le courant à travers le commutateur AC en surveillant la tension à travers une résistance de détection de courant R1. En réponse à l'augmentation du courant au-dessus d'une valeur de seuil pendant une période prolongée, le SSPC peut mettre le commutateur AC 12 à l'état « Fermé » (c'est-à-dire, mettre les SSSD M1 et M2 à l'état « Fermé ») pour empêcher toute détérioration des fils, de la charge et/ou des dispositifs de commutation.

A la différence des contacts mécaniques, les SSSD permettent généralement au courant de s'écouler dans une direction à travers le dispositif même lorsque le dispositif est à l'état « Fermé » en raison de l'effet de diodes de corps entre les bornes commandées de chaque SSSD. Dans des applications AC dans lesquelles la forme d'onde a un demi-cycle positif et un demi-cycle négatif, une paire de SSSD ayant des diodes de corps d'orientation opposée est employée pour bloquer les deux parties de la forme d'onde AC lorsque les SSSD sont à un état « Fermé ». Par exemple, dans le mode de réalisation représenté sur la figure 1, les SSSD M1 et M2 sont des MOSFET de type N configurés dans ce que l'on appelle une configuration dos à dos (les bornes de source étant reliées à travers la résistance de détection de courant R1), ayant un effet de diodes de corps d'orientation opposée. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 1, les diodes de corps des SSSD M1 et M2 sont illustrées en pointillés par les diodes BD1 et BD2 (BD pour «body-diode » en anglais). Néanmoins, chaque SSSD comporte également une capacité parasite entre les bornes commandées qui est chargée pendant les demi-cycles positif et négatif respectifs de la source d'alimentation AC lorsque le SSSD est à l'état « Fermé ». Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 1, les capacités parasites des SSSD M1 et M2 sont illustrées en pointillés par les capacités PC1 et PC2. La présence d'un élément réactif (c'est-à-dire, une capacité) entre les bornes de commande permet aux signaux AC d'être communiqués à travers les SSSD même à l'état «Fermé », en créant une intensité de fuite indésirable. Dans des circuits capacitifs, l'intensité est en avance sur la tension de quatre-vingt-dix degrés. Par conséquent, lorsque la tension sinusoïdale associée à la source d'alimentation AC s'approche d'un passage à zéro depuis le demi-cycle positif, une intensité de capacité parasite associée au SSSD M1 s'approche d'une valeur de crête négative, ce qui engendre la génération de pointes d'intensité de fuite indésirable. Pour empêcher ces pointes d'intensité de fuite, le circuit de réduction de fuite 14 contraint les SSSD M1 et M2 à maintenir la tension à travers les bornes commandées au-dessus d'une certaine valeur de seuil lorsque les SSSD M1 et M2 sont à l'état « Fermé ». La tension depolarisation maintient les dispositifs de commutation à semi-conducteur M1 et M2 à l'intérieur d'une plage de tension qui empêche la décharge indésirable de ces capacités parasites. En particulier, le circuit de réduction de fuite 14 fournit des polarisations de tension positive à travers les SSSD M1 et M2 à divers points à l'intérieur du cycle d'alimentation AC pour maintenir la tension à travers les bornes commandées à l'intérieur d'une plage de tension souhaitée. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 1, le circuit de réduction de fuite 14 comporte un premier circuit de polarisation 20a pour polariser le SSSD M1 et un second circuit de contrainte 20b pour polariser le SSSD M2. Le premier circuit de contrainte 20a comprend un condensateur Cl, une résistance R2 et une diode Dl, et le second circuit de polarisation 20b comprend un condensateur C2, une résistance R3 et une diode D2. D'autres diodes D3 et D4 sont reliées entre le noeud de tension de point intermédiaire situé entre les SSSD M1 et M2, et les condensateurs respectifs Cl et C2. Le fonctionnement du circuit de réduction de fuite 14 et des circuits associés de polarisation est décrit par rapport au scénario dans lequel les deux SSSD M1 et M2 sont à l'état « Fermé ». Au cours d'un demi-cycle positif de l'entrée d'alimentation AC, la tension positive sur le bus d'entrée V;,, amène le courant à s'écouler dans le chemin de circuit créé à travers la résistance R2, le condensateur Cl et la diode Dl vers le bus de sortie Vout, ce qui amène le condensateur Cl à se charger. Au cours du demi-cycle négatif, le condensateur Cl fournit une tension de polarisation à travers les bornes commandées du SSSD M1. La tension de polarisation empêche la décharge d'énergie de la capacité parasite associée au SSSD M1, ce qui réduit/élimine l'intensité de fuite.

De même, au cours du demi-cycle négatif de l'entrée d'alimentation AC, la tension négative sur le bus d'entrée V;,, amène le courant à s'écouler dans le chemin de circuit créé à travers la résistance R3, le condensateur C2 et la diode D2, ce qui amène le condensateur C2 à se charger. Dans le demi-cycle positif, le condensateur C2 fournit une tension de polarisation à travers les bornes commandées du SSSD M2. De nouveau, la tension de polarisation empêche la décharge d'énergie de la capacité parasite associée au SSSD M2, ce qui réduit/élimine l'intensité de fuite. Les figures 2A-2B et 3A-3B illustrent la capacité de la présente invention à réduire les pointes d'intensité de fuite. Les figures 2A-2B sont des schémas de formes d'ondes illustrant le fonctionnement du circuit de commutation AC sans le circuit de réduction de fuite comme cela est connu dans l'art intérieur. En particulier, la figure 2A illustre des tensions mesurées entre les bornes commandées du SSSD M1 (30) et les bornes commandées du SSSD M2 (32). La tension mesurée à travers le SSSD M1 est mesurée entre les noeuds de tension Vin et Vicenter, et la tension mesurée à travers le SSSD M2 est mesurée entre les noeuds de tension Vo' t et Venter. La figure 2A illustre que lorsque les deux SSSD sont à l'état « Fermé », la tension à travers les bornes commandées de chaque SSSD est égale à zéro au cours d'un demi-cycle de l'entrée d'alimentation AC. La figure 2B illustre la tension AC (34) fournie par la source d'alimentation AC 16 et l'intensité de fuite résultante Ileakage (36) générée en réponse à la tension AC malgré le fait que les deux SSSD sont à l'état « Fermé ». Comme cela est illustré sur la figure 2A, la tension à travers les SSSD M1 et M2 varie en fonction des demi-cycles respectifs de la tension AC fournie par la source d'alimentation AC 16. La tension à travers le SSSD M1 augmente avec le demi-cycle positif de la tension AC et diminue à près de zéro au cours du demi-cycle négatif de la tension AC. De même, la tension à travers le SSSD M2 augmente avec le demi-cycle négatif de la tension AC et diminue à près de zéro au cours du demi-cycle positif de la tension AC. Comme cela est illustré sur la figure 2B, l'intensité de fuite est en avance sur la tension de quatre-vingt-dix degrés, en reflétant la capacité parasite associée à chaque SSSD. Lorsque la tension AC s'approche d'un passage à zéro, l'intensité de fuite augmente à une valeur positive maximale (par exemple, environ 18 mA). Au prochain passage à zéro, l'intensité de fuite diminue à une valeur négative maximale (par exemple, environ -18 mA). Les figures 3A et 3B sont des schémas de formes d'ondes illustrant le fonctionnement du circuit de commutation AC avec le circuit de réduction de fuite selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 3A illustre des tensions mesurées entre les bornes commandées du SSSD M1 (ligne 40) et les bornes commandées du SSSD M2 (ligne 42). De nouveau, la tension mesurée à travers le SSSD M1 est mesurée entre les noeuds de tension Vin et Vicenter, et la tension mesurée à travers le SSSD M2 est mesurée entre les noeuds de tension Vo' t et Venter. En réponse à la tension de polarisation fournie par le circuit de réduction de fuite 14, la tension minimale à travers les SSSD est maintenue au-dessus de zéro. Dans l'exemple fourni sur la figure 3A, la tension minimale est maintenue au-dessus d'un seuil d'environ 40 V. Cela est différent du mode de réalisation de l'art antérieur dans lequel la tension à travers les SSSD est autorisée à diminuer à environ 0 V. La figure 3B illustre comment l'application de la tension de polarisation à travers les SSSD M1 et M2 représentés sur la figure 3A limite l'intensité de fuite résultante. En particulier, par comparaison avec le mode de réalisation représenté sur la figure 2B, dans lequel l'intensité de fuite s'approche d'environ 20 mA à sa crête, le mode de réalisation de la présente invention représenté sur la figure 3B minimise l'intensité de fuite à moins de 5 mA. De cette manière, le circuit de réduction d'intensité de fuite 14 sert à maintenir la tension à travers les bornes commandées des SSSD respectifs à une certaine valeur de seuil minimum. Les tensions de contrainte à travers les SSSD limitent la génération de pointes d'intensité à travers le commutateur de courant alternatif.

Claims

REVENDICATIONS1. Système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur (10) comprenant : une borne d'entrée (Vin) pouvant être reliée à une source d'alimentation électrique de courant alternatif (16) ; une borne de sortie (Vont) pouvant être reliée à une charge (18) ; au moins un premier dispositif de commutation à semi-conducteur (Ml) et un second dispositif de commutation à semi-conducteur (M2) ayant chacun une borne de commande et deux bornes commandées, les premier et second dispositifs de commutation à semi-conducteur (Ml, M2) étant reliés l'un à l'autre en série entre la borne d'entrée (Vin) et la borne de sortie (Vont), dans lequel les premier et second dispositifs de commutation à semi-conducteur (Ml, M2) sont mis à un état « Ouvert » pour distribuer sélectivement l'alimentation électrique de la borne d'entrée (Vin) à la borne de sortie (Vont), et à un état « Fermé » pour empêcher sélectivement la distribution de l'alimentation électrique de la borne d'entrée (Vin) à la borne de sortie (Vont) ; et un circuit de réduction d'intensité de fuite (14) relié pour fournir une tension de polarisation positive à travers les bornes commandées des premier et second dispositif de commutation à semi-conducteur (Ml, M2) lorsque les premier et second dispositifs de commutation à semi-conducteur (Ml, M2) sont à l'état « Fermé ».
2. Système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur (10) selon la revendication 1, dans lequel le circuit de réduction d'intensité de fuite (14) comprend un premier circuit de polarisation relié pour recevoir l'énergie de charge de la borne d'entrée (Vin) au cours d'un demi-cycle positif de la source d'alimentation de courant alternatif (16) et pour fournir une tension de polarisation au premier dispositif de commutation à semi-conducteur (Ml) au cours du demi-cycle négatif de la source d'alimentation de courant alternatif (16).
3. Système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur selon la revendication 2, dans lequel le premier circuit de polarisation comprend unepremière résistance (R2), un premier condensateur (Cl), et une première diode (Dl) reliés pour former un chemin de courant entre la borne d'entrée (Vin) et la borne de sortie (Vont) au cours des demi-cycles positifs de la source d'alimentation de courant alternatif pour charger le premier condensateur (Cl).
4. Système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur selon la revendication 3, dans lequel le premier condensateur (Cl) fournit la tension de polarisation au premier dispositif de commutation à semi-conducteur (M1). 10
5. Système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le circuit de réduction d'intensité de fuite (14) comprend un second circuit de polarisation relié pour recevoir l'énergie de charge de la borne d'entrée (Vin) au cours d'un demi-cycle négatif de la source d'alimentation de courant alternatif (16) et pour fournir une 15 tension de polarisation au second dispositif de commutation à semi-conducteur (M2) au cours du demi-cycle positif de la source d'alimentation de courant alternatif (16).
6. Système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur (10) selon la revendication 5, dans lequel le second circuit de polarisation comprend une 20 seconde résistance (R3), un second condensateur (C2), et une seconde diode (D2) reliés pour former un chemin de courant entre la borne d'entrée (Vin) et la borne de sortie (Vont) au cours de demi-cycles négatifs de la source d'alimentation de courant alternatif (16) pour charger le second condensateur (C2). 25
7. Procédé de réduction d'intensité de fuite dans un commutateur de courant alternatif qui comprend un premier dispositif de commutation à semi-conducteur (Ml) et un second dispositif de commutation à semi-conducteur (M2) reliés entre une borne d'entrée (Vin) pour recevoir une alimentation de courant alternatif d'une source d'alimentation de courant alternatif (16) et une borne de sortie (Vont) pour 30 fournir l'alimentation de courant alternatif à une charge (18), le procédé comprenant : la distribution d'une tension de polarisation positive à travers des bornes commandées du premier dispositif de commutation à semi-conducteur (M1) pour maintenir la tension à travers les bornes commandées au-dessus d'une valeur de seuil5positive lorsque le premier dispositif de commutation à semi-conducteur (Ml) est à un état « Fermé » ; et la distribution d'une tension de polarisation positive à travers des bornes commandées du second dispositif de commutation à semi-conducteur (M2) pour maintenir la tension à travers les bornes commandées au-dessous d'une valeur de seuil positive lorsque le second dispositif de commutation à semi-conducteur (M2) est à un état « Fermé ».
8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la distribution d'une tension de polarisation positive comprend : le chargement d'un premier condensateur (Cl) au cours d'un demi-cycle positif d'une source d'alimentation de courant alternatif (16) reliée à la borne d'entrée (Vin) ; et le déchargement du premier condensateur (Cl) à travers les bornes 15 commandées du premier dispositif de commutation à semi-conducteur (Ml) au cours d'un demi-cycle négatif de la source d'alimentation de courant alternatif (16).
9. Procédé selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la distribution d'une tension de polarisation négative comprend : 20 le chargement d'un second condensateur (C2) au cours d'un demi-cycle négatif de la source d'alimentation de courant alternatif (16) reliée à la borne d'entrée (Vin) ; et le déchargement du second condensateur (C2) à travers les bornes commandées du second dispositif de commutation à semi-conducteur (M2) au cours 25 d'un demi-cycle positif de la source d'alimentation de courant alternatif (16).