KR20140145880A - 배터리의 과충전 및 과방전 제어회로 - Google Patents

배터리의 과충전 및 과방전 제어회로 Download PDF

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Abstract

종래 충방전 제어 기술(도 3)에서, 방전금지 혹은 충전금지상태가 진입하면, 제어기(105)의 배터리(104)상태검출을 위한 전압검출노드(103)의 전압은 +VGS, -VGS 값 만큼 변동하며, 상술된 바와 같이 MOS-FET(114)의 VGS값은 전류량에 따라서 변동폭이 크다. 상대적으로 전류량이 커질때 MOS-FET(114)의 VGS도 함께 커지므로 에너지 손실이 커지고, 노드(103)의 전압의 큰 변동폭은 제어기(105)가 배터리(104)의 상태를 감시함에 있어서 오동작을 유발시키는 요인으로 작용함에 따라서 이를 해결할 필요가 있다.
상기 문제를 해결하기 위한 수단은;
배터리 제1 단자와 직접 연결되는 충전기(부하) 제1 단자 노드와 전류패스 FET(114)의 게이트(122) 사이에 제1 로직스위치(113)이 연결되고, 상기 제1 로직스위치(113)의 제어입력은 제1 제어신호(117)과 연결되고, 상기 전류패스 FET(114)의 드레인은 배터리 제2 단자(101)와 연결되고, 상기 전류패스 FET(114)의 소스는 상기 충전기(부하) 제2 단자(103)와 연결되고, 상기 전류패스 FET(114)의 게이트(122) 과 상기 전류패스 FET(114)의 드레인 사이에는 제2 로직스위치(109)가 연결되고, 상기 제2 로직스위치(109)의 제어입력은 제어기(105)의 제2 제어신호(118)이 연결되며, 상기 전류패스 FET(114)의 게이트(122) 와 상기 전류패스 FET(114)의 소스 사이에 제3 로직스위치(110)이 연결되고, 상기 제3 로직스위치의 제어입력은 제어기(105)의 제3 제어신호(119)와 연결된다. 그리고 부하감출기(107)는 충전기(부하) 제 2단자에 연결되고, 상기 부하검출기(107)의 출력(121)은 제어기(105)에 연결되며, 충전기검출기(106)은 충전기(부하) 제2 단자에 연결되고, 상기 충전기검출기(106)의 출력(120)은 제어기(105)에 연결된다.

Description

배터리의 과충전 및 과방전 제어회로 {Over charging and over discharging control circuit for battery device}
본 발명은 하나의 전류패스 제어용 FET(전계효과트랜지스터)을 이용하여 2차전지의 과충전상태 및 과방전상태를 제어함에 있어서, 에너지전달 효율을 높이기 위한 충방전 제어회로에 관한 것이다.
도 6은 가장 일반적으로 적용되고 있는 종래의 배터리 보호회로이며, 배터리의 충방전 전류를 제어함에 있어서 2개의 전류패스 MOS-FET(313, 314)이 사용된다.
도 6에서 정상상태 동작은 전류패스 FET(313, 314)가 완전히 온 되어 양방향의 전류패스가 가능하도록 충전제어신호(312)를 "High", 방전제어신호(311)을 "High" 로 한다. 이 상태의 등가회로는 도 7-A이며 에너지 손실은 순전히 전류패스 FET(313, 314)의 온-저항에 의해 나타나고, 상기의 온-저항은 통상적으로 50mohm 정도의 소자가 사용되므로 상당히 작다.
도 6에서 과충전상태에 들어가면 제어기(305)는 충전제어신호(312)을 "Low", 방전제어신호(311)를 "High" 로 하여 충전을 금지하며, 방전은 전류패스 FET(314)의 벌크노드의 기생다이오드를 통해 전류가 흐를 수 있도록 한다. 상기 상태의 등가회로는 도 7-B에서 표현했으며, 에너지손실은 다이오드의 VBE 만큼 발생한다.
도 6에서 과방전상태에 들어가면 제어기(305)는 방전제어신호(311)를 "Low", 충전제어신호(312)를 "High" 로 해서 방전을 금지하며, 충전은 전류패스 FET(313)의 벌크노드의 기생다이오드를 통해 전류가 흐를 수 있도록 한다.상기 상태의 등가회로는 도 7-C에서 표현했으며, 에너지손실은 다이오드의 VBE 만큼 발생한다.
상기된 바와 같이, 과방전의 경우와 과충전의 경우에서 에너지 손실은 VBE 정도의 손실이 발생하지만, 상기 벌크노드의 기생다이오드는 PN-접합형으로 전류량에 따른 VBE의 변화폭(dVBE)은 전류량에 대해 ln(자연로그)의 함수로 나타나므로 작다. PN-접합 다이오드의 VBE-ID 관계를 도 8에서 그래프로 표현하였다..
도 3은 1개의 MOS-FET을 이용하여 충방전 제어가 가능하도록 고안된 종래의 기술을 블럭도 형태로 표현하였다. 상기 도 3의 동작설명은 다음과 같다.
도 3에서 정상상태의 동작은, 제어기(105)에서 제1 제어신호(117)을 이용하여 제1 로직스위치(113)을 온 시키고, 제2 제어신호(118)을 이용하여 제2 로직스위치(109,122)를 오프 시키며, 제3 제어신호를 이용하여 제3 로직스위치(110, 111)을 오프 시킨다. 이 상태에서 전류패스 FET(114)는 완전히 온 되면서 양방향의 전류가 패스되도록 하여, 충전과 방전이 가능하게 한다. 도 4-A는 상기 정상상태의 등가회로이다. 상기 정상상태의 에너지 손실은 전류패스 FET의 온-저항에 의해서 발생하며, 상기 전류패스 FET은 약 50mohm정도의 온-저항을 가지는 소자가 사용된다.
도 3에서 제어기(105)가 과방전상태를 검출하여 방전을 금지시키기 위해 제1 제어신호를 이용하여 제1 로직스위치(113)를 오프시키고, 제2 제어신호를 이용하여 제2 로직스위치(109,112)를 온 시키며, 제3 제어신호(119)를 이용하여 제3 로직스위치(110,111)을 오프 시킨다. 이 상태가 되면 도 4-B 와 같은 형태의 등가회로가 구성된다. 상기 조건에서 전류패스 FET(114)는 충전방향으로 MOS-다이오드가 순향향으로 형성되어 충전은 허용되고, 방전방향은 역방향을 형성하여 방전금지상태가 된다. 상기 상태에서 충전전류가 흐를 경우 전류는 두가지 패스로 흐르는데, 한쪽은 MOS-다이오드의 드레인-소스 방향과 제2 로직스위치(112)의 온-저항과 연결된 전류패스 FET(114)의 벌크노드 기생다이오드(PN-접합)을 통한 전류패스이다. 여기서 기생다이오드를 통한 전류는 직렬로 연결된 제2 로직스위치(112)의 온-저항에 의해 제한받기 때문에 상당히 작으며, 대부분의 충전전류는 MOS-다이오드를 통해서 흐르게 된다. 따라서 에너지 손실은 대부분 MOS-다이오드의 VGS만큼 발생한다.
도 3에서 제어기(105)가 과충전상태를 검출하여 충전을 금지시키기 위해 제1 제어신호를 이용하여 제1 로직스위치(113)를 오프시키고, 제2 제어신호를 이용하여 제2 로직스위치(109,112)를 오프 시키며, 제3 제어신호(119)를 이용하여 제3 로직스위치(110,111)을 온 시킨다. 이 상태가 되면 도 4-C 와 같은 형태의 등가회로가 구성된다. 상기 조건에서 전류패스 FET(114)는 방전방향으로 MOS-다이오드가 순향향으로 형성되어 방전은 허용되고, 충전방향은 역방향을 형성하여 충전금지 상태가 된다. 상기 상태에서 방전전류가 흐를 경우 전류는 두가지 패스로 흐르는데, 한쪽은 MOS-다이오드의 드레인-소스 방향과 제3 로직스위치(111)의 온-저항과 연결된 전류패스 FET(114)의 벌크노드 기생다이오드(PN-접합)을 통한 전류패스이다. 여기서 기생다이오드를 통한 전류는 직렬로 연결된 제3 로직스위치(111)의 온-저항에 의해 제한받기 때문에 상당히 작으며, 대부분의 충전전류는 MOS-다이오드를 통해서 흐르게 된다. 따라서 에너지 손실은 대부분 MOS-다이오드의 VGS만큼 발생한다.
상기된 에너지손실은 MOS-다이오드 VGS만큼 발생하는데, MOS-다이오드의 VGS는 전류량(ID)에 따라서 상당한 크기의 VGS변동폭이(dVGS)가 발생한다. 일반적으로 MOS-FET의 VGS는 ID의 Square-Root에 비례하여, 도 5의 그래프와 같은 궤적이다. 이 값은 종래의 기술인 도 6에서 에너지 손실을 일으키는 PN-접합의 기생다이오드의 dVBE보다 매우 큰값이다. 또한 상기 도 3에서 과방전, 과충전시 생성된 MOS-다이오드 VGS는 상기된 바와 같이, 전류량에 따라서 VGS의 큰 변동폭을 만들고, 이 값은 노드(103)으로 나타난다. 일반적으로 노드(103)의 값을 제어기(105)가 감시하여, 방전 및 충전 제어신호를 만드는데, 상기 노드(103)의 전압의 변동폭이 크게 발생하면, 제어기(105)의 배터리(104)상태 검출에 상당한 불안정한 상태가 발생할 수가 있다.
따라서 1개의 전류패스 FET을 사용하여 충방전 제어를 하는 경우, 에너지 손실을 줄이고, 안정적인 제어를 위한 수단이 필요하게 된다.
종래 충방전 제어 기술(도 3)에서, 방전금지 혹은 충전금지상태가 진입하면, 제어기(105)의 배터리(104)상태검출을 위한 전압검출노드(103)의 전압은 +VGS, -VGS 값 만큼 변동하며, 상술된 바와 같이 MOS-FET(114)의 VGS값은 전류량에 따라서 변동폭이 크다. 상대적으로 전류량이 커질때 MOS-FET(114)의 VGS도 함께 커지므로 에너지 손실이 커지고, 노드(103)의 전압의 큰 변동폭은 제어기(105)가 배터리(104)의 상태를 감시함에 있어서 오동작을 유발시키는 요인으로 작용함에 따라서 이를 해결할 필요가 있다.
종래 기술을 해결하기 위한 본 발명의 구성은 아래와 같다.
배터리 제1 단자와 직접 연결되는 충전기(부하) 제1 단자 노드와 전류패스 FET(114)의 게이트(122) 사이에 제1 로직스위치(113)이 연결되고, 상기 제1 로직스위치(113)의 제어입력은 제1 제어신호(117)과 연결되고, 상기 전류패스 FET(114)의 드레인은 배터리 제2 단자(101)와 연결되고, 상기 전류패스 FET(114)의 소스는 상기 충전기(부하) 제2 단자(103)와 연결되고, 상기 전류패스 FET(114)의 게이트(122) 과 상기 전류패스 FET(114)의 드레인 사이에는 제2 로직스위치(109)가 연결되고, 상기 제2 로직스위치(109)의 제어입력은 제어기(105)의 제2 제어신호(118)이 연결되며, 상기 전류패스 FET(114)의 게이트(122) 와 상기 전류패스 FET(114)의 소스 사이에 제3 로직스위치(110)이 연결되고, 상기 제3 로직스위치의 제어입력은 제어기(105)의 제3 제어신호(119)와 연결된다. 그리고 부하감출기(107)는 충전기(부하) 제 2단자에 연결되고, 상기 부하검출기(107)의 출력(121)은 제어기(105)에 연결되며, 충전기검출기(106)은 충전기(부하) 제2 단자에 연결되고, 상기 충전기검출기(106)의 출력(120)은 제어기(105)에 연결된다.
본 발명은 1개의 전류패스 FET을 사용하는 배터리의 충방전 제어회로에서, 과방전 혹은 과충전상태가 발생할 경우, 에너지 효율을 높여주고 안정적인 배터리 상태검출에 효과가 있다.
도 1 은 실시 예에 따른 배터리 충방전 제어 회로.
도 1-100:배터리 제1단자, 도 1-101:배터리 제2단자.
도 1-102:충전기(부하) 제1단자, 도 1-103: 충전기(부하) 제2단자.
도 1-117:제1 제어신호, 도 1-118:제2 제어신호, 도 1-119:제3 제어신호.
도 1-121:부하검출기의 출력신호, 도 1-120:충전기검출기의 출력신호.
도 1-113:제1 로직스위치, 도 1-109,112:제2 로직스위치.
도 1-110,111: 제3 로직스위치.
도 1-114:전류패스 FET.
도 1-106:충전기검출기, 도 1-107:부하검출기.
도 2 A~C 는 실시 예에 따른 각각의 상태에 대한 등가 회로.
도 3 은 1개의 전류패스 FET을 사용하는 종래의 기술.
도 4 A~C 는 도 3의 종래기술의 동작에 따른 각각의 상태에 대한 등가 회로.
도 5 은 MOS-다이오드의 VGS-ID 그래프.
도 6 은 2개의 전류패스 FET을 사용하는 종래의 기술.
도 7 A~C 는 도 6의 종래기술의 동작에 따른 각각의 상태에 대한 등가 회로.
도 8 은 PN-접합 다이오드의 VBE-ID 그래프.
도 9 는 부하검출기의 실시예.
도 10 은 충전기검출기의 실시예.
실시 예에서 설명하는 도면의 세부 번호는 설명의 편의상 공통적인 기능에 대해서는 동일한 부호를 사용하였다.
[실시예]
본 발명은 구성은 다음과 같다.
배터리 제1 단자(100)와 직접 연결되는 충전기(부하) 제1 단자(102) 노드와 전류패스 FET(114)의 게이트(122) 사이에 제1 로직스위치(113)이 연결되고, 상기 제1 로직스위치(113)의 제어입력은 제1 제어신호(117)과 연결되고, 상기 전류패스 FET(114)의 드레인은 배터리 제2 단자(101)와 연결되고, 상기 전류패스 FET(114)의 소스는 상기 충전기(부하) 제2 단자(103)와 연결되고, 상기 전류패스 FET(114)의 게이트(122) 과 상기 전류패스 FET(114)의 드레인 사이에는 제2 로직스위치(109)가 연결되고, 상기 제2 로직스위치(109)의 제어입력은 제어기(105)의 제2 제어신호(118)이 연결되며, 상기 전류패스 FET(114)의 게이트(122) 와 상기 전류패스 FET(114)의 소스 사이에 제3 로직스위치(110)이 연결되고, 상기 제3 로직스위치의 제어입력은 제어기(105)의 제3 제어신호(119)와 연결된다. 그리고 부하감출기(107)는 충전기(부하) 제 2단자에 연결되고, 상기 부하검출기(107)의 출력(121)은 제어기(105)에 연결되며, 충전기검출기(106)은 충전기(부하) 제2 단자에 연결되고, 상기 충전기검출기(106)의 출력(120)은 제어기(105)에 연결된다.
상기 도 1의 상세도면에서 표시된 로직스위치(112, 111)의 역활은 전류패스 FET(114)의 벌크노드를 정의하기 위한 수단이지만, 본 발명의 주요요소가 아니라서 상기 로직스위치(112,111)의 동작 설명은 하지 않는다.
제어기(105)는 부하검출기(107)의 출력(121) 및 충전기검출기(106)의 출력(120)을 입력 받으며, 노드(103)과 노드(101)의 전압을 감시하여 배터리(104)의 상태를 검출하고, 각 각의 상태를 정의하여 정상상태를 표현하는 제1 제어신호와 배터리(104)의 과방전상태에 대응하는 제2 제어신호(118) 과 배터리의 과충전상태에 대응하는 제3 제어신호(119)를 출력한다. 제어기(105)는 상기 부하검출기(107) 및 충전기검출기(106)를 포함할 수도 있으며, 본 발명 상에서 충전기검출기(106) 과 부하검출기(107)는 주요요소 이므로 별도로 분리하였다.
도 1의 실시예에서 정상상태의 동작은 다음과 같다.
제 1제어신호(117)은 배터리(104)가 정상상태에 있음을 표현하는 신호로 제1 로직스위치(113)을 온시키고, 제2 제어신호(118)을 이용해서 방전제어용 제2 로직스위치(109)를 오프시키며, 제3 제어신호(119)를 이용해서 충전제어용 제3 로직스위치(110)을 오프시킨다. 이 상태에서는 부하검출기(107) 및 충전기검출기(106)의 신호는 무시된다. 도 2-A는 정상상태에서의 등가회로이며, 전류패스 FET(114)가 충분히 온 되어 가장 낮은 온-저항을 유지하며 쌍방향으로 도통되는 상태이다.
도 1의 실시예에서 과방전상태의 동작은 다음과 같다.
제 1제어신호(117)은 배터리(104)가 정상상태에 있음을 표현하는 신호이므로 제1 로직스위치(113)을 오프 시키고, 제2 제어신호(118)을 이용해서 방전제어용 제2 로직스위치(109)를 온 시키며, 제3 제어신호(119)를 이용해서 충전제어용 제3 로직스위치(110)을 오프시킨다. 이 상태에서는 부하검출기(107)의 신호는 무시된다. 도 2-B 는 과방전 상태에서의 등가회로이며, 전류패스 FET(114)는 MOS-다이오드로 동작한다. 상기 과방전 상태에서 충전기(108)가 연결되면, 노드(103)의 전압은 노드(101) 대비 MOS-다이오드의 VGS만큼 낮게 된다. 상술된 바와 같이 MOS-다이오드의 VGS는 전류량에 따라서 상당히 많이 변화하는 것이 문제이다. 이를 해결하려면 충전기(108)가 연결되었을 경우, 정상상태로 강제 복귀시키면 문제를 해결할 수 있다. 하지만 충전기가 연결된 후, 이미 과방전이지만 정상상태로 강제 복귀하였으므로, 충전기를 제거하여도 과방전상태로 되돌아 가지 않는다. 상기의 이유는, 종래기술에서는 과충전 상태에서 부하가 연결되었음을 검출하지 않기 때문이다.
도 10은 충전기검출기(106)의 실시예이다. 노드(101)보다 노드(103)의 전압이 낮으면 M1 과 미러로 구성된 M2의 VGS가 낮게 되고, 전류소스 I1의 전류량을 소화가 안 되는 시점에서 "High"를 출력하므로 충전기(108)가 연결되었음을 알 수 있게 된다.
따라서, 과방전상태에서 상기 충전기검출기(106)가 충전기(108)를 검출하게 되면, 과방전상태가 아닌 정상상태로 강제 복귀하고, 충전기(108)가 제거된 경우는 충전기검출기(106)가 충전기(108)이 제거되었음을 제어기(105)에 알리므로, 과방전상태로 복귀하게 된다.
도 1의 실시예에서 과충전상태의 동작은 다음과 같다.
제 1제어신호(117)은 배터리(104)가 정상상태에 있음을 표현하는 신호이므로, 제1 로직스위치(113)을 오프 시키고, 제2 제어신호(118)을 이용해서 방전제어용 제2 로직스위치(109)를 오프 시키며, 제3 제어신호(119)를 이용해서 충전제어용 제3 로직스위치(110)을 온 시킨다. 이 상태에서는 충전기검출기(106)의 신호는 무시된다. 도 2-C 는 과충전 상태에서의 등가회로이며, 전류패스 FET(114)는 MOS-다이오드로 동작한다. 상기 과충전 상태에서 부하(108)가 연결되면, 노드(103)의 전압은 노드(101) 대비 MOS-다이오드의 VGS만큼 높게 된다. 상술된 바와 같이 MOS-다이오드의 VGS는 전류량에 따라서 상당히 많이 변화하는 것이 문제이다. 이를 해결하려면 부하(108)가 연결되었을 경우, 정상상태로 강제 복귀시키면 문제를 해결할수 있다. 하지만 부하(108)가 연결된 후, 이미 과충전상태이지만 정상상태로 강제 복귀하였으므로, 부하(108)를 제거하여도 과충전상태로 되돌아 가지 않는다. 상기의 이유는, 종래기술에서는 과충전 상태에서 부하(108)가 연결되었는지 검출하지 않기 때문이다.
도 9은 부하검출기(107)의 실시예이다. 노드(101)보다 노드(103)의 전압이 높으면 M2와 미러로 구성된 M1의 VGS가 낮게 되고, 전류소스 I2의 전류량을 소화가 안되는 시점에서 "High"를 출력하므로 부하(108)가 연결되었음을 알 수 있게 된다.
따라서, 과충전상태에서 상기 부하검출기(107)가 부하(108)를 검출하게 되면, 과충전상태가 아닌 정상상태로 강제 복귀하고, 부하(108)가 제거된 경우는 부하검출기(107)가 부하(108)이 제거되었음을 제어기(105)에 알리므로, 과충전상태로 복귀하게 된다.
상술한 대로 과충전상태에서 부하가 연결되었을 경우와 과방전상태에서 충전기가 연결되었을 때, 본 발명은 전류패스 FET(114)를 완전히 온 시키는 구조이므로, 에너지손실을 최소화 시킬 수 있으며, 노드(103)의 전압을 안정화 시킬 수 있어서 배터리 상태검출을 안정적으로 할 수 있다.
배터리 충방전 제어회로에서 전류패스 FET을 1개만 사용하여 제어하면, 기존 2개의 FET을 사용한것보다 전류패스 FET의 사이즈가 1/4만큼 주는 효과가 있다. 하지만 1개의 전류패스 FET을 사용하는 경우, 과방전상태와 과충전상태에서 전류량을 증가할 경우, MOS-다이오드에서 에너지소비가 증가하며, 제어기에서 배터리 상태검출이 불안정해지는 문제점이 발생 되는데, 본 발명에서 상기 문제점을 완전히 제어 하였다.
105: 제어기
104: 배터리
108: 충전기(부하)
114: 전류패스 FET
106: 충전기검출기
107: 부하검출기

Claims (2)

  1. 배터리의 과방전상태의 제어 회로는;
    제어기가 있고,
    배터리 단자와 직접 연결되는 충전기(부하) 단자 공통노드가 있고,
    제1 로직스위치가 있고, 상기 제1 로직스위치는 상기 배터리 단자와 충전기 단자와의 공통노드와 전류패스 FET의 게이트 사이에 논리적으로 연결되고, 상기 제1 로직스위치의 제어입력은 제어기의 제1 제어신호에 논리적으로 연결되며,
    제2 로직스위치가 있고,
    상기 제2 로직스위치는 상기 전류패스 FET의 게이트 와 드레인 사이에 논리적으로 연결되고, 상기 제2 로직 스위치의 제어입력은 상기 제어기의 제2 제어신호에 논리적으로 연결되며,
    제3 로직스위치가 있고,
    상기 제3 로직스위치는 상기 전류패스 FET의 게이트 와 소스 사이에 논리적으로 연결되며, 상기 제3 로직스위치의 제어입력은 제어기의 제3 제어신호에 논리적으로 연결되고,
    상기 전류패스 FET의 드레인은 상기 배터리의 다른 단자와 연결되고, 상기 전류패스 FET의 소스는 상기 충전기(부하)의 다른단자와 연결되고,
    충전기검출기가 있고,
    상기 충전기검출기는 충전기(부하)의 다른 단자와 연결되고, 상기 충전기검출기는 충전기의 연결상태를 출력하고, 상기 충전기검출기의 출력은 상기 제어기에 입력하고,
    과방전상태에서 충전기가 연결되었을 때, 전류패스 FET을 온 시키는 과방전상태 제어회로.
  2. 배터리의 과충전상태의 제어 회로는;
    제어기가 있고,
    배터리 단자와 직접 연결되는 충전기(부하) 단자 공통노드가 있고,
    제1 로직스위치가 있고, 상기 제1 로직스위치는 상기 배터리 단자와 충전기 단자와의 공통노드와 전류패스 FET의 게이트 사이에 논리적으로 연결되고, 상기 제1 로직스위치의 제어입력은 제어기의 제1 제어신호에 논리적으로 연결되며,
    제2 로직스위치가 있고,
    상기 제2 로직스위치는 상기 전류패스 FET의 게이트 와 드레인 사이에 논리적으로 연결되고, 상기 제2 로직 스위치의 제어입력은 상기 제어기의 제2 제어신호에 논리적으로 연결되며,
    제3 로직스위치가 있고,
    상기 제3 로직스위치는 상기 전류패스 FET의 게이트 와 소스 사이에 논리적으로 연결되며, 상기 제3 로직스위치의 제어입력은 제어기의 제3 제어신호에 논리적으로 연결되고,
    상기 전류패스 FET의 드레인은 상기 배터리의 다른 단자와 연결되고, 상기 전류패스 FET의 소스는 상기 충전기(부하)의 다른단자와 연결되고,
    부하검출기가 있고,
    상기 부하검출기는 충전기(부하)의 다른 단자와 연결되고, 상기 부하검출기는 부하의 연결상태를 출력하고, 상기 부하검출기의 출력은 상기 제어기에 입력하고,
    과충전상태에서 부하가 연결되었을 때, 전류패스 FET을 온 시키는 과충전상태 제어회로.


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