FR2964111A1 - Procede de collage direct entre deux plaques, comprenant une etape de formation d'une couche de protection temporaire a base d'azote - Google Patents

Procede de collage direct entre deux plaques, comprenant une etape de formation d'une couche de protection temporaire a base d'azote Download PDF

Info

Publication number
FR2964111A1
FR2964111A1 FR1003495A FR1003495A FR2964111A1 FR 2964111 A1 FR2964111 A1 FR 2964111A1 FR 1003495 A FR1003495 A FR 1003495A FR 1003495 A FR1003495 A FR 1003495A FR 2964111 A1 FR2964111 A1 FR 2964111A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
protective layer
silicon oxide
plates
plate
deposition chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1003495A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2964111B1 (fr
Inventor
Cioccio Lea Di
Laurent Vandroux
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority to FR1003495A priority Critical patent/FR2964111B1/fr
Priority to PCT/FR2011/000483 priority patent/WO2012028792A1/fr
Priority to EP11758494.6A priority patent/EP2612353A1/fr
Priority to US13/818,843 priority patent/US9064863B2/en
Publication of FR2964111A1 publication Critical patent/FR2964111A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2964111B1 publication Critical patent/FR2964111B1/fr
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H01L21/02329—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen
    • H01L21/02332—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen into an oxide layer, e.g. changing SiO to SiON
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Pour éviter les problèmes d'hydrolyse de l'oxyde de silicium formé par PECVD à la surface d'au moins une plaque, il est proposé de recouvrir, dans l'enceinte de dépôt sous vide utilisée pour le dépôt de l'oxyde de silicium, ledit oxyde par une couche de protection temporaire comprenant de l'azote. La couche de protection protége, ainsi, l'oxyde de silicium contre l'environnement extérieur et notamment de l'humidité, lorsque la plaque munie de l'oxyde de silicium est stockée hors de l'enceinte de dépôt sous vide. La couche de protection est, par la suite retirée, par exemple par polissage mécano-chimique, juste avant la mise en contact des deux plaques. La couche de protection peut être formée par un dépôt PECVD de nitrure de silicium, par nitruration plasma ou dopage en azote d'une partie superficielle de l'oxyde de silicium.

Description

Procédé de collage direct entre deux plaques, comprenant une étape de formation d'une couche de protection temporaire à base d'azote.
Domaine technique de l'invention
L'invention concerne un procédé de collage direct entre deux plaques comprenant, avant la mise en contact des plaques, une étape de formation par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, d'un oxyde de silicium en surface d'au moins une plaque préalablement placée dans une enceinte de dépôt sous vide.
État de la technique Le principe du collage par adhérence moléculaire ou collage direct est basé sur la mise en contact direct de deux surfaces, sans utilisation d'un matériau spécifique tel qu'une colle, une cire, un métal à basse température de fusion... Les surfaces destinées à être mises en contact peuvent être hydrophiles ou hydrophobes.
Une surface hydrophobe peut, par exemple, être une surface libre d'une plaquette (ou substrat) en silicium exempte d'oxyde de silicium, tandis qu'une surface hydrophile peut, par exemple, être une surface libre d'une plaquette en silicium comportant une couche mince d'oxyde de silicium.
Le procédé de collage par adhérence moléculaire nécessite, par ailleurs, que les surfaces à coller soient suffisamment lisses, exemptes de particules ou de contamination, qu'elles présentent une chimie de surface adaptée et qu'elles soient suffisamment rapprochées pour initier un contact. Dans ce cas, les forces attractives entre les deux surfaces sont assez élevées pour provoquer l'adhérence moléculaire.
Les collages sont, généralement, réalisés à température ambiante et à pression ambiante, après un nettoyage chimique des surfaces. Cependant, un traitement thermique ultérieur, par exemple à une température de l'ordre de 1000°C, est souvent réalisé pour renforcer les énergies de collage. Or, dans un très grand nombre d'applications, les étapes de traitement thermique à une telle température ne sont pas admises.
Des procédés de collage, ne nécessitant pas de traitements thermiques à si haute température après la mise en contact des surfaces à coller, ont déjà été proposés. Ils comprennent en général une étape d'activation de surface préalable à la mise en contact et qui permet de limiter le traitement thermique de consolidation du collage entre 200 et 400°C.
Lorsque le procédé de collage fait intervenir au moins une surface munie d'oxyde de silicium déposé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), cet oxyde a tendance à s'hydrolyser avant la mise en contact de ladite surface avec une autre surface et, en particulier, pendant le temps de stockage. Or, la présence d'eau en surface conduit à une dégradation des propriétés de l'oxyde de silicium et engendre l'apparition de défauts à l'interface de collage, lorsque les surfaces sont collées.
Pour remédier à ce problème d'hydrolyse de l'oxyde de silicium déposé par PECVD, un ou plusieurs recuits sont, en général, réalisés avant le collage, pour densifier les oxydes déposés par PECVD. Cependant, comme pour le traitement thermique réalisé après la mise en contact pour renforcer les énergies de collage, le fait d'exposer certaines surfaces à une température élevée (en général du même ordre de grandeur que celle autorisée pour le traitement thermique ultérieur) peut être néfaste, pour des dispositifs dont le budget thermique est limité.
Objet de l'invention
L'objet de l'invention est de proposer un procédé de collage direct entre deux plaques, remédiant aux inconvénients de l'art antérieur, notamment dans le cas d'oxyde de silicium déposé par PECVD sur au moins une plaque. Plus particulièrement, l'objet de l'invention est de proposer une alternative au traitement de recuit réalisé dans l'art antérieur avant la mise en contact des plaques, pour conserver jusqu'à la mise en contact une bonne qualité d'oxyde de silicium déposé par PECVD.
Selon l'invention, ce but est atteint par un procédé de collage direct entre deux plaques comprenant, avant la mise en contact des plaques, une étape de formation par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, d'un oxyde de silicium en surface d'au moins une plaque préalablement placée dans une enceinte de dépôt sous vide, caractérisé en ce que : - l'oxyde de silicium formé en surface de ladite plaque est recouvert d'une couche de protection comprenant de l'azote avant que ladite plaque ne soit sortie de l'enceinte de dépôt sous vide et - la mise en contact entre les deux plaques est précédée d'une étape de retrait de la couche de protection.
Selon un développement de l'invention, la couche de protection peut être formée : - par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma de nitrure de silicium sur l'oxyde de silicium, - par nitruration assistée par plasma d'une partie superficielle de l'oxyde de silicium ou - par dopage en azote d'une partie superficielle de l'oxyde de silicium. 330
Description sommaire des dessins
D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : - les figures 1 à 5 illustrent schématiquement et en coupe différentes étapes d'un mode particulier de collage direct entre deux plaques.
Description de modes particuliers de réalisation
Pour éviter les problèmes d'hydrolyse de l'oxyde de silicium formé par PECVD à la surface d'au moins une plaque avantageusement en matériau semi-conducteur, telle qu'une plaquette en silicium (ou « wafer »), il est proposé de recouvrir l'oxyde de silicium par une couche de protection comprenant de l'azote.
De plus, cette étape de recouvrement de l'oxyde de silicium par la couche de protection est réalisée in situ, c'est-à-dire dans l'enceinte de dépôt sous vide servant au dépôt PECVD de l'oxyde de silicium. Ainsi, la plaque munie de l'oxyde de silicium déposé par PECVD n'est sortie de l'enceinte qu'une fois l'oxyde de silicium déposé et recouvert par la couche de protection. En particulier, la partie recouverte par la couche de protection correspond au moins à la surface libre en oxyde de silicium destinée à être mise en contact avec une autre surface pour assurer le collage des plaques.
La couche de protection comprenant de l'azote protége, ainsi, l'oxyde de silicium contre l'environnement extérieur et notamment de l'humidité présente dans l'atmosphère lorsque la plaque est stockée hors de l'enceinte de dépôt sous vide. Cette phase de stockage peut durer plusieurs jours, avant que la plaque ne soit utilisée pour être collée à une autre plaque.
Enfin, la couche de protection est une couche de protection temporaire : Elle est retirée juste avant la mise en contact de la plaque avec une autre plaque pour le collage direct. Elle est, par exemple, retirée par une étape de polissage mécano-chimique (ou CMP). Cette étape de CMP sert également à activer la surface en oxyde de silicium avant le collage en augmentant sa rugosité. Dans certains cas, lorsqu'il n'est pas nécessaire d'activer la surface à mettre en contact pour le collage, la couche de protection peut aussi être retirée par une simple opération de gravure.
La couche de protection comprenant de l'azote est dans l'enceinte de dépôt sous vide utilisée pour le dépôt PECVD d'oxyde de silicium. Elle peut être obtenue par diverses techniques. En particulier, elle est formée : - par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma de nitrure de silicium sur l'oxyde de silicium, - par nitruration assistée par plasma d'une partie superficielle de l'oxyde de silicium ou - dopage en azote d'une partie superficielle de l'oxyde de silicium.
Dans le cas d'un dépôt PECVD de nitrure de silicium, l'épaisseur de la couche de protection est avantageusement comprise entre 2nm et quelques centaines de nanomètres et avantageusement comprise entre 10nm et 100nm. À titre d'exemple, une couche de protection en SiN a été réalisée par dépôt PECVD, à la suite du dépôt PECVD de l'oxyde de silicium à une température de 400°C. Un tel nitrure de silicium présente une densité de l'ordre de 2,4.
Les conditions permettant de réaliser une nitruration assistée par plasma (ou nitruration plasma) pour former la couche de protection comprenant de l'azote sont, en particulier, les suivantes :, - durée comprise entre 10s et 300s, - température équivalente à celle du dépôt d'oxyde de silicium par PECVD,
- source de puissance RF : 50-1000W, - Gaz actif comprenant de l'azote : NH3 et/ou N2 avec un débit pouvant varier jusqu' à 5000sccm, - Gaz porteurs éventuels : Ar et/ou He avec un débit variant de 0 à 5000sccm.
Le dopage en azote réalisé à la fin de l'étape de dépôt PECVD de l'oxyde de silicium pour former la couche de protection comprenant de l'azote est par exemple obtenu en ajoutant, aux gaz de dépôt utilisés pour former l'oxyde de silicium, N2 et/ou NH3 avec un ajustement de la puissance afin de conserver les propriétés mécaniques adéquates. Le débit du gaz N2 est compris entre 0 et 5000 sccm tandis que celui du gaz NH3 est compris entre 0 et 1000 sccm.
Selon un mode particulier de réalisation représenté sur les figures 1 à 5, deux substrats 1 en silicium sont collés l'un à l'autre en réalisant successivement : - une étape de formation d'un oxyde de silicium 2 par PECVD, à la surface de chacun des deux substrats 1 placés dans une même enceinte de dépôt sous vide (figures 1 et 2), - une étape de formation, au sein de la même enceinte de dépôt sous vide, de la couche de protection 3 comprenant de l'azote sur l'oxyde de silicium 2 recouvrant chaque substrat 1 (figure 3), - une étape d'extraction des substrats 1 hors de l'enceinte de dépôt sous vide, en vue de les stocker dans un environnement non protégé (contenant de l'eau) avant leur mise en contact, - une étape de retrait de la couche de protection 3 sur chaque substrat 1 afin de libérer les surfaces en oxyde de silicium destinées à être mise en contact - une étape de mise en contact entre les deux substrats (figures 4 et 5) consistant à rapprocher les surfaces libres en oxyde de silicium des deux substrats 1 jusqu'à l'obtention d'une adhérence moléculaire et création d'une interface de collage 4 entre les deux substrats 1.
Le stockage des substrats 1 peut être de quelques minutes à quelques jours, avant que les substrats 1 ne soient collés. Ils sont, pendant ce temps de stockage, protégés par la couche de protection 3 de l'eau présente dans l'environnement extérieur. Par contre, lorsque l'on souhaite réaliser l'étape de mise en contact, les couches de protection 3 sont retirées juste avant cette étape de mise en contact. Cette étape peut, par exemple, être réalisée par un polissage mécano-chimique (CMP) ou par simple gravure, auquel cas cette étape peut également servir à activer les surface pour le collage, et aucun autre traitement n'est réalisé sur les substrats 1 entre le retrait de la couche de protection 3 et la mise en contact. Une étape spécifique d'activation peut néanmoins être prévue, avant la mise en contact. Le temps écoulé entre le retrait de la couche de protection et la mise en contact doit être suffisamment court pour préserver l'activation de surface nécessaire au collage. Ce laps de temps entre les deux étapes correspond, plus particulièrement, au temps de manipulation nécessaire pour faire transférer les plaques de l'étape de retrait à celle de l'étape de mise en contact. À titre d'exemple, ce temps peut être estimé à environ quelques minutes.
Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 1 à 5, les deux substrats 1 destinés à être collés sont placés dans une enceinte de dépôt sous vide. Il peut s'agir de la même enceinte de dépôt ou bien de deux enceintes de dépôt distinctes, afin de réaliser successivement la formation de l'oxyde de silicium et de sa couche de protection. Lorsque les deux substrats 1 sont placés dans une même enceinte de dépôt sous vide, la formation des oxydes de silicium sur les deux substrats peut être réalisé en simultané, ainsi que la formation des couches de protection.
Selon une alternative, l'oxyde de silicium peut être déposé sur un seul des deux substrats à coller pour réaliser, par exemple, un collage mixte (surface hydrophile/surface hydrophobe). Dans ce cas, seul le substrat concerné est disposé dans l'enceinte de dépôt sous vide pour le dépôt PECVD d'oxyde de silicium et la formation de la couche de protection. L'autre substrat est alors
activé en surface selon des techniques conventionnelles. Il est, par exemple, soumis à une opération de polissage mécano-chimique, suivie d'une opération de traitement par plasma réducteur (par exemple à base d'azote), avant d'être mis en en contact avec le premier substrat.
Le fait de protéger l'oxyde de silicium contre l'humidité pendant le stockage des plaques, par l'intermédiaire d'une couche de protection comprenant de l'azote, permet d'obtenir, lors de la mise en contact, un oxyde de silicium non vieilli ou dégradé et l'énergie de collage correspond alors à celle de l'oxyde io de silicium déposé initialement, même si le stockage dure très longtemps. De plus, une telle solution est adaptée aux applications nécessitant un budget thermique faible.

Claims (8)

  1. REVENDICATIONS1. Procédé de collage direct entre deux plaques (1) comprenant, avant la mise en contact des plaques (1), une étape de formation par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, d'un oxyde de silicium (2) en surface d'au moins une plaque (1) préalablement placée dans une enceinte de dépôt sous vide, caractérisé en ce que : - l'oxyde de silicium (2) formé en surface de ladite plaque (1) est recouvert d'une couche de protection (3) comprenant de l'azote avant que ladite plaque (1) ne soit sortie de l'enceinte de dépôt sous vide et - la mise en contact entre les deux plaques (1) est précédée d'une étape de retrait de la couche de protection.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de protection (3) est formée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma de nitrure de silicium sur l'oxyde de silicium (2).
  3. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de protection (3) est formée par nitruration assistée par plasma d'une partie superficielle de l'oxyde de silicium (2). 25
  4. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de protection (3) est formée par dopage en azote d'une partie superficielle de l'oxyde de silicium (2).
  5. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en 30 ce que la couche de protection (3) est retirée par polissage mécano-chimique. 920
  6. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche de protection (3) est retirée par gravure.
  7. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que chaque plaque (1) est placée dans une enceinte de dépôt sous vide, afin de réaliser la formation de l'oxyde de silicium (2) puis la formation de sa couche de protection (3).
  8. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'un oxyde de silicium (2) étant formé en surface d'une des deux plaques, l'autre plaque subit, avant la mise en contact des deux plaques, une opération de polissage mécano-chimique, suivie d'une opération de traitement par plasma réducteur.15
FR1003495A 2010-08-31 2010-08-31 Procede de collage direct entre deux plaques, comprenant une etape de formation d'une couche de protection temporaire a base d'azote Expired - Fee Related FR2964111B1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1003495A FR2964111B1 (fr) 2010-08-31 2010-08-31 Procede de collage direct entre deux plaques, comprenant une etape de formation d'une couche de protection temporaire a base d'azote
PCT/FR2011/000483 WO2012028792A1 (fr) 2010-08-31 2011-08-31 Procédé de collage direct entre deux plaques, comprenant une étape de formation d'une couche de protection temporaire à base d'azote
EP11758494.6A EP2612353A1 (fr) 2010-08-31 2011-08-31 Procédé de collage direct entre deux plaques, comprenant une étape de formation d'une couche de protection temporaire à base d'azote
US13/818,843 US9064863B2 (en) 2010-08-31 2011-08-31 Method for directly adhering two plates together, including a step of forming a temporary protective nitrogen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1003495A FR2964111B1 (fr) 2010-08-31 2010-08-31 Procede de collage direct entre deux plaques, comprenant une etape de formation d'une couche de protection temporaire a base d'azote

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2964111A1 true FR2964111A1 (fr) 2012-03-02
FR2964111B1 FR2964111B1 (fr) 2013-01-25

Family

ID=43859729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1003495A Expired - Fee Related FR2964111B1 (fr) 2010-08-31 2010-08-31 Procede de collage direct entre deux plaques, comprenant une etape de formation d'une couche de protection temporaire a base d'azote

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9064863B2 (fr)
EP (1) EP2612353A1 (fr)
FR (1) FR2964111B1 (fr)
WO (1) WO2012028792A1 (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106159114A (zh) * 2015-04-23 2016-11-23 上海和辉光电有限公司 柔性显示器的封装方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1811561A1 (fr) * 2006-01-23 2007-07-25 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Procédé de fabrication d'un substrat composite
US20090111244A1 (en) * 2007-10-10 2009-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20090239354A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing soi substrate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2084740A1 (fr) * 2006-10-27 2009-08-05 S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A. Procédé optimisé de transfert d'une couche mince formée dans un substrat avec groupes de trous
US7842583B2 (en) * 2007-12-27 2010-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device
US8871610B2 (en) * 2008-10-02 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1811561A1 (fr) * 2006-01-23 2007-07-25 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Procédé de fabrication d'un substrat composite
US20090111244A1 (en) * 2007-10-10 2009-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20090239354A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing soi substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US9064863B2 (en) 2015-06-23
FR2964111B1 (fr) 2013-01-25
US20130217207A1 (en) 2013-08-22
WO2012028792A1 (fr) 2012-03-08
EP2612353A1 (fr) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1902463B1 (fr) Procede de diminution de la rugosite d'une couche epaisse d'isolant
EP1811561A1 (fr) Procédé de fabrication d'un substrat composite
EP2304787B1 (fr) Traitement de surface par plasma d'azote dans un procédé de collage direct
EP1811560A1 (fr) Procédé de fabrication d'un substrat composite à propriétés électriques améliorées
FR2938702A1 (fr) Preparation de surface d'un substrat saphir pour la realisation d'heterostructures
FR2938202A1 (fr) Traitement de surface pour adhesion moleculaire
FR2903808A1 (fr) Procede de collage direct de deux substrats utilises en electronique, optique ou opto-electronique
FR2938975A1 (fr) Procede de realisation d'une heterostructure de type silicium sur saphir
FR2923079A1 (fr) Substrats soi avec couche fine isolante enterree
FR2964112A1 (fr) Traitement avant collage d'une surface mixte cu-oxyde, par un plasma contenant de l'azote et de l'hydrogene
WO2020008116A1 (fr) Substrat pour un dispositif integre radioafrequence et son procede de fabrication
FR2913528A1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat comportant une couche d'oxyde enterree pour la realisation de composants electroniques ou analogues.
FR2938118A1 (fr) Procede de fabrication d'un empilement de couches minces semi-conductrices
EP1936667B1 (fr) Traitement double plasma pour l'obtention d'une structure disposant d'un oxyde enterré ultra-fin
FR3104318A1 (fr) Procédé de formation d'un support de manipulation à haute résistivité pour substrat composite
FR2922360A1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat de type semi- conducteur sur isolant a plan de masse integre.
EP2750166A1 (fr) Traitement de surface par plasma chloré dans un procédé de collage
EP3335239B1 (fr) Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice avec collage direct temporaire exploitant une couche poreuse
FR2964111A1 (fr) Procede de collage direct entre deux plaques, comprenant une etape de formation d'une couche de protection temporaire a base d'azote
WO1997019464A1 (fr) Boite de stockage d'un objet destine a etre protege d'une contamination physico-chimique
FR3029352A1 (fr) Procede d'assemblage de deux substrats
FR3068506A1 (fr) Procede pour preparer un support pour une structure semi-conductrice
FR2928031A1 (fr) Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat support.
FR2943459A1 (fr) Procede de finition pour la fabrication de substrats dans le domaine de l'electronique
FR2939151A1 (fr) Lingots formes d'au moins deux lingots elementaires, un procede de fabrication et une plaquette qui en est issue

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse

Effective date: 20160429