FR2910669A1 - Module de carte a puce et son procede de production. - Google Patents

Module de carte a puce et son procede de production. Download PDF

Info

Publication number
FR2910669A1
FR2910669A1 FR0708936A FR0708936A FR2910669A1 FR 2910669 A1 FR2910669 A1 FR 2910669A1 FR 0708936 A FR0708936 A FR 0708936A FR 0708936 A FR0708936 A FR 0708936A FR 2910669 A1 FR2910669 A1 FR 2910669A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
substrate
chip
smart card
card module
conductive structures
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
FR0708936A
Other languages
English (en)
Inventor
Erik Heinemann
Hipper Andreas Muller
Frank Puschner
Thomas Spottl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of FR2910669A1 publication Critical patent/FR2910669A1/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07743—External electrical contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

Module de carte à puce qui comprend un substrat (1) ayant une première face (11) et une deuxième face (12), des structures (3, 4) conductrices, une puce (2) et un chapeau (8) de moulage, qui encapsule au moins une partie de la puce (2) et des structures (3, 4) conductrices.

Description

1 Module de carte à puce et son procédé de production. L'invention
concerne un module de carte à puce et un procédé de production d'un module de carte à puce 5 de ce genre. On utilise des cartes à puce dans beaucoup d'applications. Une carte à puce comprend normalement un corps de carte, dans lequel on met un module de carte à puce ayant une puce. L'accès à la puce peut s'effectuer 10 par une interface à base de contact. Le module de carte à puce comprend, dans ce cas, habituellement des surfaces de contact, qui sont accessibles après l'introduction du module de carte à puce dans le corps de la carte. Un module de carte à puce peut être aussi 15 constitué de façon à ce que l'accès à la puce s'effectue par une interface sans contact, par exemple au moyen d'un champ électromagnétique. Le module de carte à puce comprend habituellement un substrat, par exemple en résine 20 époxyde, en abrégé époxy. Les structures conductrices en feuille de cuivre sont, dans des modules de cartes à puce classiques, appliquées par laminage sur le substrat et au moyen d'une colle. L'épaisseur de la colle laminée retentit aussi sur l'épaisseur du module de carte à puce.
25 La liaison électrique entre les surfaces de contact sur une face du substrat et l'autre face, sur laquelle la puce est déposée, peut s'effectuer, par exemple, par des traversées. La production d'un substrat ayant des 30 structures conductrices collées de ce genre, notamment une réalisation métallisée à plusieurs couches et à traversée, est coûteuse. Pour des applications de sécurité, par exemple pour des cartes d'autorisation d'accès ou des modules de 2910669 2 cartes à puce pour des passeports, une grande fiabilité et robustesse des modules de cartes à puce ast nécessaire. Une manipulation agressive ou peu soigneuse des cartes à puce, qui va de pair avec l'essor croissant des applications de cartes à puce, exige aussi des modules de cartes à puce qui soient robustes. Suivant l'invention, il est prévu un module de carte à puce, qui comprend un substrat ayant une première face et une deuxième face. Il est prévu, en outre, des structures conductrices qui sont déposées sans colle sur au moins une face du substrat. Une puce est disposée sur une face du substrat et reliée d'une manière conductrice de l'électricité à des structures conductrices. Il est prévu, en outre, un chapeau de moulage qui encapsule au '15 moins une partie de la puce et des structures conductrices. Un module de carte à puce ainsi constitué est à la fois mince et robuste. On notera que l'expression "module de carte à 20 puce" n'implique pas une limitation de l'utilisation de modules de ce genre dans les cartes à puce. On peut songer à une utilisation autre, notamment pour des passeports. Une réalisation du module de carte à puce 25 prévoit un substrat souple, celui-ci pouvant être, par exemple, en poly(téréphtalate d'éthylène), en polyétherimide, en polyamide ou en papier. Par la combinaison d'un substrat souple et d'un chapeau de moulage de protection, on forme un module à la fois 30 souple et robuste qui peut, en outre, être fabriqué d'une manière peu onéreuse. Les structures conductrices comprennent une couche de départ qui peut être, par exemple, une couche de pulvérisation cathodique, qui peut être déposée sans 2910669 3 colle. Un autre mode de réalisation des structures conductrices comprend une couche en feuille métallique, qui est déposée sans colle. Renoncer à la couche de colle réduit l'épaisseur du module de carte à puce. On 5 structure des couches de ce genre par attaque. Un autre mode de réalisation des structures conductrices comprend une couche imprimée comme couche de départ, dont la structuration s'effectue d'une manière peu coûteuse et efficace lors de l'impression. Un mode de réalisation des structures conductrices comprend une couche galvanisée qui peut être déposée sur l'une des couches mentionnées précédemment. L'épaisseur de cette couche peut être réglée dans l'opération de fabrication. Un mode de réalisation du module de carte à puce comprend une interface à base de contact ayant des surfaces de contact, qui sont déposées sur la face du substrat qui est éloignée de la puce. Un autre mode de réalisation comprend, en variante ou en plus, une 20 interface sans contact ou des contacts de connexion d'une interface sans contact, afin de pouvoir avoir accès sans contact à la puce. L'invention a aussi pour objet un procédé de production d'un module de carte à puce, caractérisé en ce 25 qu'il comprend les stades : - on se procure un substrat ayant une première face et une deuxième face, - on dépose sans colle des structures conductrices sur au moins une face du substrat, 30 - on monte une puce sur une face du substrat, - on relie la puce aux structures conductrices, - on dépose une composition comprimée de moulage sur le substrat, de manière à recouvrir au moins une partie de la puce et des structures conductrices.
10 15 2910669 4 De préférence . - le dépôt des structures conductrices comprend une couche à comprimer ; - le dépôt des structures conductrices comprend 5 une couche à pulvériser cathodiquement ; - le dépôt de structure conductrice comprend le dépôt d'une feuille métallique ; - le procédé est caractérisé par une galvanisation de la couche ; 10 - le procédé est caractérisé par une attaque de parties de la couche ; - on dépose des surfaces de contact sur une face du substrat ; - on dépose un élément de couplage ou de 15 contact pour la connexion d'un élément de couplage sur le substrat. L'invention sera explicitée dans ce qui suit en se reportant aux dessins au moyen d'exemples de réalisation. Aux dessins : 20 la Figure 1 est une représentation schématique d'un exemple de réalisation d'un module de carte à puce, la Figure 2 est un schéma synoptique qui illustre la production d'un exemple de réalisation d'un module de carte à puce, 25 la Figure 3 représente schématiquement un exemple de réalisation d'un module de carte à puce, la Figure 4 représente schématiquement un autre exemple de réalisation d'un module de carte à puce, la Figure 5 représente schématiquement un 30 exemple de réalisation d'un module de carte à puce, la Figure 6 représente schématiquement un autre exemple de réalisation d'un module de carte à puce, et la Figure 7 représente schématiquement un autre exemple de réalisation d'un module de carte à puce, 2910669 5 la Figure 1 représente schématicuement un exemple de réalisation d'un module àe carte à puce. Le module de carte à puce comprend un substrat 1 ayant une première face 11 et une deuxième face 12. Il est prévu, 5 en outre, des structures 3, 4 conductrices qui sont déposées sans colle sur les deux faces 11, 12 du substrat 3, 4. Les structures 3, 4 conductrices comprennent une couche 101 de départ et une couche 102 galvanisée. Les structures 3, 4 conductrices sur les deux faces du 10 substrat 1 sont, en outre, reliées d'une manière conductrice de l'électricité. Dans un autre exemple de réalisation, on peut prévoir des structures conductrices seulement sur une face du substrat. Dans l'exemple de réalisation représenté, une puce 2 est disposée sur une face du substrat 1 et est reliée d'une manière conductrice de l'électricité aux structures 3, 4 conductrices. Pour immobiliser la puce 2, il est prévu une colle 7 de puce entre les faces tournées l'une vers l'autre de la puce 2 et du substrat 1. Il est prévu, en outre, un chapeau 8 de moulage, qui encapsule la puce 2 et au moins une partie des structures 3 conductrices. L'exemple de réalisation représenté à la Figure 2 illustre la production d'un exemple de réalisation d'un module de carte à puce de ce genre au moyen d'un schéma synoptique ayant cinq rectangles 200, 210, 220, 230, 240 qui représentent les stades essentiels du procédé. Il est d'abord prévu que se procurer le substrat 1 ayant la première face 11 et la deuxième face 12, comme le montre le rectangle 200. On dépose sans colle des structures 3, 4 conductrices sur au moins une face du substrat 1, comme l'illustre le rectangle 210. On monte la puce 2 sur une face du substrat 1 et on la relie aux structures 3, 4 conductrices, comme l'illustrent les 2910669 6 rectangles 220 et 230. On dépose, en outre, une composition comprimée de moulage sur le substrat de sorte qu'une partie de la puce 2 et des structures 3, 4 conductrices soit recouverte, comme l'illustre le 5 rectangle 240. On explicitera d'une manière détaillée dans ce qui suit les stades du procédé. Comme le représente le rectangle 200, on se procure d'abord le substrat 1. Le substrat 1 est en un matériau souple. Comme exemple de réalisation ayant une 10 interface à base de contact, on peut citer, par exemple, du poly(téréphtalate d'éthylène) (PET), du polyétherimide (PEI) ou du papier, qui conviennent particulièrement bien. Comme exemple de réalisation ayant une interface sans contact, on utilise du polyimide (PI) et du papier.
15 Le rectangle 210 représente le dépôt des structures 3, 4 conductrices. A cette fin, on dépose une couche 101 de départ sur au moins une face 11, 12 du substrat 1. Cela peut s'effectuer par la technique dite de soustraction. Dans un exemple de réalisation, on 20 dépose sur le substrat 1 une couche de pulvérisation cathodique ayant de préférence des particules conductrices, par exemple des particules de cuivre. La couche de pulvérisation cathodique peut être mince, de sorte que son épaisseur est de l'ordre de l'angstrdm.
25 Dans des exemples de réalisation, on effectue, après les dépôts de la couche 101 de pulvérisation cathodique, un post-renforcement galvanique de cette couche 102. On forme cette couche 102, dans un exemple de réalisation, sous la forme d'une couche de cuivre qui a une épaisseur 30 de 2 pm à 3 pm. Dans un autre exemple de réalisation, la couche 102 a une épaisseur d'environ 1,3 pm. Dans un autre exemple de réalisation, la couche de cuivre a une épaisseur d'environ 0,8 pm. Dans un autre exemple de réalisation, la couche de cuivre a une épaisseur 2910669 7 d'environ 0,5 pm. On effectue la galvanisation dans un bain de métallisation. Dans un autre stade, on ménage dans le substrat 1, dans un exemple de réalisation, des trous pour des 5 traversées 5. Cela peut s'effectuer, par exemple, au moyen d'une opération au laser ou d'un estampage. Dans un exemple de réalisation, on ménage les trous après le dépôt de la couche 101 de départ. Dans un autre stade, on renforce la couche 102 10 galvanique par une galvanisation supplémentaire encore une fois d'une couche 103 ayant une épaisseur de, par exemple, 10 pm à 15 pm. La structuration s'effectue par attaque de cette couche au moyen d'une technique photographique. On 15 dépose ensuite, dans un exemple de réalisation, une couche de nickel et d'or. Dans un autre exemple de réalisation, la structuration s'effectue après le premier post- renforcement de la couche 101 de pulvérisation 20 cathodique. On effectue ensuite le renforcement supplémentaire de cette couche 102 sur l'épaisseur des structures 3 conductrices. Dans un autre exemple de réalisation, on structure la couche 101 de pulvérisation cathodique avant 25 le post-renforcement. Dans le réglage de l'opération de galvanisation, notamment de sa durée et du nombre des stades de galvanisation, on détermine l'épaisseur des structures 3 conductrices. Cela permet de former de 30 minces structures 3 conductrices dont l'épaisseur peut être plus petite que des feuilles collées d'une manière classique ayant une épaisseur d'au moins 18 pm et habituellement de 35 pm. On peut, par exemple, par la galvanisation, former également des épaisseurs de 2910669 8 structure conductrice de l'ordre de quelques microns. Mais une épaisseur de couche plus grande peut être obtenue aussi par galvanisation. Le nombre des stades de galvanisation est variable.
5 En variante, la plaquette à circuit imprimé, c'est-à-dire le substrat 1 ayant les structures 3, 4 conductrices, est fabriquée, dans un exemple de réalisation, en déposant une feuille métallique, par exemple une feuille de cuivre, sans colle sur le substrat 10 1, ce que l'on appelle aussi le "copper clad". Dans ce cas, une résine époxyde convient comme substrat 1. Cette couche est structurée au moyen d'une technique photographique et anoblie galvaniquement. L'anoblissement galvanique s'effectue, par exemple, par du nickel, en 15 abrégé Ni, ou par du nickel-or, en abrégé NiAu. Dans un autre exemple de réalisation, on dépose une couche 101 de départ structurée sur le substrat 1 en utilisant la technique dite d'addition. Dans ce cas, on appose de l'encre conductrice sur le substrat 1. La 20 structuration s'effectue pendant l'opération d'impression. Dans ce cas aussi, on prévoit un post- renforcement galvanique et un post-anoblissement galvanique qui s'effectuent de la même façon que pour la galvanisation de la couche de pulvérisation cathodique.
25 Du nickel et du nickel-or conviennent à cet effet. Les rectangles 220 et 230 représentent les stades de montage de la puce dans lesquels la puce 2 est montée sur la plaquette 1, 3, 4 à circuit imprimé. On dépose tout d'abord la colle 7 de la puce 30 sur le substrat 1. On dépose des bumps 6 sur les bornes 21 de la puce. Puis on repousse la puce 2 ayant ses bornes tournées vers le substrat 1 dans la colle 7 de la puce, de sorte que les bumps 6 refoulent la colle 7 de la puce et touchent les structures 3 conductrices pour 2910669 9 ménager le contact conducteur de l'électricité. On notera que, dans cet exemple, les stades représentés dans les rectangles 220 et 230 coïncident. Outre la mise en contact par la technique flip-chip mentionnée ci-dessus, 5 d'autres techniques de liaison sont appropriées aussi. En variante, il est aussi possible de relier d'abord la puce 2 par les bumps 6 aux structures 3 conductrices et de déposer ensuite la colle 7 de puce à partir de la partie de bord de la puce 2, de sorte que 10 cette colle vienne aussi sous la puce 2. Cette façon d'immobiliser la puce 2 est toutefois plus coûteuse et prend plus de temps que celle décrite précédemment. On dépose ensuite, par le procédé de coulée sous pression, la composition de coulée comprimée, donc 15 la composition de moulage, sur la'puce 2 et le substrat 1 ayant les structures 3 conductrices pour encapsuler la puce 2. A cette fin, on refoule la composition de moulage chauffée dans un moule de coulée sous pression qui entoure la puce 2 et qui prescrit la forme du chapeau 8 20 de moulage. Le chapeau 8 de moulage est formé après le refroidissement. La Figure 3 représente schématiquement un exemple de réalisation d'un module de carte à puce ayant une interface à base de contact, qui peut être produite 25 par le procédé décrit ci-dessus. Le module de carte à puce comprend un substrat 1 ayant une première face 11 supérieure à la Figure 1 et une deuxième face 12 inférieure à la Figure 1. Sur la première face 11 du substrat 1, sont déposées des 30 structures 3 conductrices. Une puce 2 qui a des contacts 21 de puce est reliée d'une manière conductrice de l'électricité aux structures 3 conductrices sur la première face 11. La liaison s'effectue par des éléments de contact, ce que l'on appelle des bumps 6, qui sont mis 2910669 10 en position entre les contacts 21 de la puce et les structures 3 conductrices. La puce 2 est immobilisée par une colle 7 de puce qui est introduite entre la puce 2 et le substrat 1 ayant les structures 3 conductrices. Des 5 parties marginales de la puce 2 sont touchées aussi par la colle 7. Sur la deuxième face 12 du substrat 1, sont déposées, en outre, des structures conductrices qui forment des surfaces 4 de contact par lesquelles on peut 10 avoir accès à la puce 2. Les structures 3 conductrices sur la première face 11 sont reliées d'une manière conductrice de l'électricité aux surfaces 4 de contact sur la deuxième face 12 par des traversées 5. Les traversées 5 sont des évidements traversants ménagés dans 15 le substrat 1 et dont les parois sont au moins revêtues de matériau conducteur. Une variante de réalisation des traversées 5 comprend des évidements emplis de matériau conducteur. Les couches des structures 3, 4 conductrices 20 sont représentées à la Figure 3. Une couche 101 de départ est disposée au voisinage du substrat 1. La couche de départ peut être obtenue par pulvérisation cathodique, par impression ou par laminage. Une première couche 102 de galvanisation est déposée sur la couche 101 de départ 25 pour le renforcement. Une deuxième couche 103 galvanisée y a été déposée dans un autre stade de galvanisation et déposée sur la première couche 102 galvanisée. Tant la puce 2 qu'également les structures 3 conductrices sur la première face 11 du substrat 1 sont 30 encapsulées d'un chapeau 8 de moulage. La Figure 4 représente schématiquement un autre exemple de réalisation d'un module de carte à puce, qui comprend une interface à base de contact. Le module de carte à puce comprend un substrat 2910669 11 1 ayant une première face 11 et une deuxième face 12. Des structures 3 conductrices sont déposées sur la première face 11 du substrat 1. Sur la deuxième face 12, sont déposées des surfaces 4 de contact qui sont reliées par 5 des traversées 5 aux structures 3 conductrices de l'autre face 11. La puce 2 est immobilisée au moyen d'une colle 7 sur la première face 11 du substrat 1. Des contacts 21 de puce sont prévus sur le côté de la puce 2 éloigné du l0 substrat 1, ces contacts étant reliés d'une manière conductrice de l'électricité aux structures 3 conductrices par des fils 9 de liaison. On désigne ce type de mise en contact également par wire-bonding. Tant la puce 2 qu'également les fils 9 de 15 liaison qu'également lés structures 3 conductrices de la première face 11 du substrat 1 sont encapsulés par un chapeau 8 de moulage. La production de cet exemple de réalisation se distingue de la production de l'exemple de réalisation 20 décrit précédemment par le montage de la puce. La fabrication de la plaquette à circuit imprimé s'effectue comme décrit. La puce 2 est collée sur la plaquette 1, 3, 4 à circuit imprimé, et le contact 21 de puce et les 25 structures 3 conductrices sont reliés par fil. On dépose ensuite le chapeau 8 de moulage au moyen d'un procédé de coulée sous pression. La Figure 5 représente schématiquement un exemple de réalisation d'un module de carte à puce, qui 30 comprend une interface à base de contact. Pour éviter de se répéter, on renonce à décrire les caractéristiques qui coïncident avec celles de l'exemple de réalisation précédent. On indique dans ce qui suit seulement les différences par rapport à 2910669 12 l'exemple de réalisation précédent. Au lieu des traversées, il est prévu des trous 51 entre la première face 11 et la deuxième face 12, qui sont recouverts d'un côté par les surfaces 4 de contact 5 sur la deuxième face 12. Les contacts 21 de puce sont reliés par des films de liaison 98 à la face des surfaces 4 de contact, qui est tournée vers le substrat 1 de liaison, des contacts 21 de la puce aux surfaces 4 de contact en 10 passant par le trou 51. Pour la production de cet exemple de réalisation, convient un procédé dans lequel on ménage d'abord les trous 51 dans le substrat 1, par exemple par estampage ou à l'aide d'un laser, puis on lamine une 15 feuille 104 métallique, par exemple une feuille de cuivre, sur la deuxième face 12 du substrat 1 sans utiliser de colle. La fabrication ensuite par anoblissement galvanique pour le dépôt d'une couche 102 galvanique, le montage de la puce et l'encapsulage 20 s'effectuent comme on l'a déjà décrit. La Figure 6 est un schéma d'un exemple de réalisation d'un module de carte à puce, qui se distingue du précédent par le fait qu'il est prévu, dans le substrat 1, un évidement 13 dans lequel la puce 2 est 25 introduite. La puce 2 est montée sur la face arrière des surfaces 4 de contact au moyen d'une colle 7. La Figure 7 représente schématiquement un autre exemple de réalisation d'un module de carte à puce, qui peut être mis en contact par une interface sans contact.
30 Le module de carte à puce comprend un substrat 1 ayant une première face 11 et une deuxième face 12. Les structures 3 conductrices sont déposées sur la première face 11 du substrat 1. La puce 2 est reliée d'une manière conductrice de l'électricité aux structures 3 2910669 13 conductrices de la première face 11 par des éléments de contact, ce que l'on appelle des bumps 6. La puce 2 est immobilisée par une colle 7 qui est mise en position entre la puce 2 et le substrat 1 ou les structures 7 5 conductrices. Tant la puce 2 qu'également les parties 31 des structures 3 conductrices sur la première face 11 du substrat 1 sont encapsulées au moyen d'un chapeau 6 de moulage. D'autres parties 32 des structures 3 10 conductrices ne sont pas encapsulées et servent lors de l'introduction du module de carte à puce dans la carte à puce comme parties de contact pour une bobine à mettre en contact. Une bobine de ce genre peut s'étendre, dans un exemple de réalisation, dans le corps de la carte. Dans 15 une variante, la bobine est formée par les structures conductrices. Dans un cas de ce genre, il n'est pas prévu de partie de contact qui soit accessible. Bien au contraire, la bobine aussi est encapsulée. La production de cet exemple de réalisation 20 peut s'effectuer comme on l'a déjà décrit. Mais le dépôt de structures conductrices sur la deuxième face 12 du substrat 1 et la formation de trous ou de traversées ne sont pas prévus. On notera que les caractéristiques des exemples 25 de réalisation décrits peuvent être combinés. C'est ainsi qu'un exemple de réalisation concerne un module de carte à puce en mode dual, qui comprend à la fois une interface sans contact et une interface avec contact. L'avantage des modes de réalisation décrits du 30 procédé de production est que l'on peut effectuer une pulvérisation cathodique et une impression sur beaucoup de matériaux, de sorte que l'on peut influer à dessein sur les propriétés du module de carte à puce par un choix approprié de matériau. On dispose ainsi de davantage de 2910669 14 matériaux que dans la production classique. Notamment par la technologie de pulvérisation cathodique et la possibilité de choisir des matériaux de substrat souples, on peut régler comme on le souhaite les 5 propriétés mécaniques du mobile de carte à puce. Le module de carte à puce est flexible, d'une part, par le substrat mais toutefois très robuste, d'autre part, par le chapeau de moulage. Ces propriétés empêchent, lorsque la carte à puce dans laquelle le 10 module est inséré ultérieurement est sollicitée en flexion, qu'il se produise des endommagements du module de carte à puce. Le chapeau de moulage renforce notamment la capacité de résistance du module de carte à puce d'une manière déterminante et est avantageux, notamment 15 lorsqu'àn exige une grande qualité. En adaptant le matériau du chapeau de moulage et du substrat, on peut obtenir une très bonne adhérence du chapeau de moulage. Cela est avantageux, notamment dans des applications dans lesquelles il se produit une fluctuation de température 20 ou de climat.

Claims (17)

REVENDICATIONS
1. Module de carte à puce, caractérisé en ce qu'il comprend - un substrat (1) ayant une première face (11) et une deuxième face (12), - des structures (3, 4) conductrices qui sont déposées sans colle sur au moins une face (11, 12) du substrat (1), - une puce (2) qui est disposée sur une face (11, 12) du substrat et qui est reliée d'une manière conductrice de l'électricité aux structures (3, 4) conductrices, et - un chapeau (8) de moulage, qui encapsule au 15 moins une partie de la puce (2) et des structures (3, 4) conductrices.
2. Module de carte à puce suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (1) est souple. 20
3. Module de carte à puce suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les structures (3) conductrices comprennent une couche (101) de pulvérisation cathodique.
4. Module de carte à puce suivant la 25 revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les structures (3) conductrices comprennent une couche (101) imprimée.
5. Module de carte à puce suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les 30 structures (101) conductrices comprennent une couche (104) de feuille métallique.
6. Module de carte à puce suivant la revendication 3, 4 ou 5, caractérisé en ce que les structures conductrices comprennent une couche (102, 103 35 galvanisée. 2910669 16
7. Module de carte à puce suivant l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le substrat (1) comprend un matériau choisi dans le groupe du poly(téréphtalate d'éthylène), du polyétherimide, du 5 polyimide et du papier.
8. Module de carte à puce suivant l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le module de carte à puce comprend des surfaces (4) de contact, qui sont disposées sur une face (11, 12) du substrat (1). 10
9. Module de carte à puce suivant l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le module de carte à puce comprend une interface sans contact ou des contacts (32) de connexion d'une interface sans contact.
10. Procédé de production d'un module de carte à puce, caractérisé en ce qu'il comprend les stades : - on se procure un substrat (1) ayant une première face (11) et une deuxième face (12), - on dépose sans colle des structures (3, 4) conductrices sur au moins une face (11, 12) du substrat 20 (1), - on monte une puce (2) sur une face (11, 12) du substrat (1), -on relie la puce (2) aux structures (3, 4) conductrices, 25 - on dépose une composition comprimée de moulage sur le substrat (1), de manière à recouvrir au moins une partie de la puce (2) et des structures (3) conductrices.
11. Procédé suivant la revendication 10, caractérisé en ce que le dépôt des structures (3) 30 conductrices comprend une couche (101) à comprimer.
12. Procédé suivant la revendication 10, caractérisé en ce que le dépôt des structures (3) conductrices comprend une couche (101) à pulvériser cathodiquement. 35
13. Procédé suivant la revendication 10, 2910669 17 caractérisé en ce que le dépôt de structure (3) conductrice comprend le dépôt d'une feuille (104) métallique.
14. Procédé suivant la revendication 11, 12 ou 5 13, caractérisé par une galvanisation de la couche (101, 102, 103).
15. Procédé suivant la revendication 12, 13 ou 14, caractérisé par une attaque de parties de la couche (101, 104). 10
16. Procédé suivant l'une des revendications 10 à 15, caractérisé par un dépôt de surfaces (4) de contact sur une face (11, 12) du substrat (1).
17. Procédé suivant l'une des revendications 11 à 16, caractérisé par un dépôt d'un élément de couplage ou de 15 contact (32) pour la connexion d'un élément de couplage sur le substrat (1).
FR0708936A 2006-12-21 2007-12-20 Module de carte a puce et son procede de production. Pending FR2910669A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006060719A DE102006060719A1 (de) 2006-12-21 2006-12-21 Chipkartenmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipkartenmoduls

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2910669A1 true FR2910669A1 (fr) 2008-06-27

Family

ID=39431567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0708936A Pending FR2910669A1 (fr) 2006-12-21 2007-12-20 Module de carte a puce et son procede de production.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20080205012A1 (fr)
DE (1) DE102006060719A1 (fr)
FR (1) FR2910669A1 (fr)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2353179A4 (fr) * 2008-10-17 2012-10-03 Occam Portfolio Llc Ensembles circuits flexibles sans brasure et procédés de fabrication associés
TWI366292B (en) * 2008-12-26 2012-06-11 Ind Tech Res Inst Flexible light source device and fabricating method of thereof
FR2957175B1 (fr) * 2010-03-08 2012-08-17 Sansystems Dispositif electronique a puce et procede de fabrication par bobines.
DE102011115164A1 (de) * 2011-09-27 2013-03-28 Infineon Technologies Ag Modul für eine Chipkarte.
DE102011115315A1 (de) 2011-09-29 2013-04-04 Infineon Technologies Ag Chipkarten-Modul für eine Chipkarte
CN203894790U (zh) * 2013-04-11 2014-10-22 德昌电机(深圳)有限公司 智能卡、身份识别卡、银行卡及智能卡触板
WO2014182239A1 (fr) 2013-05-07 2014-11-13 Smartflex Technology Pte Ltd Modules de cartes à puce ultra-minces ayant des bosses de connexion disposées dans des vias d'un substrat et procédés de fabrications de ceux-ci
EP2892012A1 (fr) * 2014-01-06 2015-07-08 Gemalto SA Module électronique, son procédé de fabrication, et dispositif électronique comprenant un tel module
JP2016212778A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 凸版印刷株式会社 デュアルインターフェース通信媒体
GB201510252D0 (en) * 2015-06-12 2015-07-29 Johnson Electric Sa Coloured smart card module and smart card
CN107025481B (zh) * 2016-02-02 2021-08-20 上海伯乐电子有限公司 柔性印制电路板及应用其的智能卡模块和智能卡
FR3058545B1 (fr) * 2016-11-04 2018-10-26 Smart Packaging Solutions Procede de fabrication d'un module electronique pour carte a puce
FR3073307B1 (fr) * 2017-11-08 2021-05-28 Oberthur Technologies Dispositif de securite tel qu'une carte a puce
FR3077676B1 (fr) * 2018-02-05 2021-05-14 Linxens Holding Procede de fabrication d’un circuit electrique comprenant au moins un connecteur pour carte a puce, et circuit electrique obtenu, notamment, par ce procede
USD983261S1 (en) 2019-12-20 2023-04-11 Capital One Services, Llc Vented laminated card

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0429338A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Nippon Mektron Ltd Ｉｃの搭載用回路基板及びその搭載方法
DE19500925C2 (de) * 1995-01-16 1999-04-08 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung einer kontaktlosen Chipkarte
US5811317A (en) * 1995-08-25 1998-09-22 Texas Instruments Incorporated Process for reflow bonding a semiconductor die to a substrate and the product produced by the product
US5892661A (en) * 1996-10-31 1999-04-06 Motorola, Inc. Smartcard and method of making
JP2001066992A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Lintec Corp 接着ラベル
US6894229B1 (en) * 2002-11-06 2005-05-17 Altera Corporation Mechanically enhanced package and method of making same
US20090021921A1 (en) * 2005-04-26 2009-01-22 Amkor Technology, Inc. Memory card and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20080205012A1 (en) 2008-08-28
DE102006060719A1 (de) 2008-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2910669A1 (fr) Module de carte a puce et son procede de production.
FR2756955A1 (fr) Procede de realisation d'un circuit electronique pour une carte a memoire sans contact
WO2008142245A2 (fr) Carte à puce à double interface de communication
EP2976929A1 (fr) Procédé de fabrication d'un circuit imprimé flexible, circuit imprimé flexible obtenu par ce procédé et module de carte à puce comportant un tel circuit imprimé flexible
FR2653601A1 (fr) Electronique portable connectable a puces.
FR3030109A1 (fr) Methode de fabrication d'un module electronique et module electronique
EP2002384B1 (fr) Dispositif radiofrequence
EP1724712A1 (fr) Micromodule, notamment pour carte à puce
FR3034614A1 (fr) Procede de fabrication d’un circuit flexible, circuit flexible obtenu par ce procede et carte a puce comportant un tel circuit flexible
EP2915104B1 (fr) Procédé de fabrication d'un connecteur pour module de carte à puce, connecteur de carte à puce obtenu par ce procédé et module de carte à puce comportant un tel connecteur
EP2866173B1 (fr) Procédé de réalisation d'un circuit électrique et circuit électrique réalisé par ce procédé
WO2012045981A1 (fr) Procédé de fabrication d'un circuit
FR2795202A1 (fr) Carte et procede de fabrication de cartes ayant une interface de communication a contact et sans contact
WO2004068632A2 (fr) Antenne et procede de fabrication
WO2005064533A1 (fr) Procedes de fabrication d'une carte du type sans contacts externes, et carte ainsi obtenue
EP3020068B1 (fr) Module electronique et son procede de fabrication
EP2800461B1 (fr) Procédé de fabrication d'un circuit flexible pour module de carte à puce, circuit flexible de carte à puce obtenu par ce procédé et module de carte à puce comportant un tel circuit flexible
CN101383332B (zh) 电子元件装置及其制造方法
WO2000075985A1 (fr) Procede de fabrication de dispositif portable a circuit integre avec chemins de conduction electrique
WO2003038746A1 (fr) Languette deformable integree a un module pour raccordement electrique a coeur
FR3131412A1 (fr) Module sans contact ayant une bobine d'antenne configurable
FR2782885A1 (fr) Procede de fabrication d'une antenne pour un support d'informations comportant un circuit electronique
FR3131411A1 (fr) Procédé de fabrication d’un module sans contact ayant une bobine d'antenne à inductance finement ajustable
FR3013483A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif radiofrequence et carte rfid associee
FR2843485A1 (fr) Procede de fabrication d'un module de circuits integres et module correspondant