FR2871162A1

FR2871162A1 - Materiau de surface modifiee, son procede de preparation et ses utilisations

Info

Publication number: FR2871162A1
Application number: FR0405937A
Authority: FR
Inventors: Mohamed Mehdi Chehimi; Jean Pinson; Bernadette Charleux; Christophe Bureau; Christopher Tronche; Tarik Matrab; Christian Perruchot; Deliry Eva Cabet; Maud Save
Original assignee: Alchimer SA; Universite Paris Diderot Paris 7
Current assignee: Alchimer SA; Universite Paris Diderot Paris 7
Priority date: 2004-06-02
Filing date: 2004-06-02
Publication date: 2005-12-09
Anticipated expiration: 2024-06-02
Also published as: FR2871162B1; JP5687996B2; JP5116467B2; ES2376245T3; US8053567B2; JP2012102330A; JP2008501814A; EP1778770A1; WO2006000692A1; ATE531742T1; EP1778770B1; US20120015138A1; US8361908B2; US20080064783A1

Abstract

La présente invention concerne l'utilisation d'au moins un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation, d'une part pour la formation d'une sous-couche obtenue par greffage d'un greffon dérivé dudit sel de diazonium et portant une fonction amorceur de polymérisation à la surface d'un matériau conducteur ou semi-conducteur et d'autre part pour la formation sur ladite sous-couche d'une couche polymérique obtenue par polymérisation, notamment radicalaire, in situ d'au moins un monomère, initiée à partir de ladite fonction amorceur de polymérisation.

Description

MATÉRIAU DE SURFACE MODIFIÉE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET SES

UTILISATIONS

La présente invention a pour objet un matériau, notamment métallique, dont la surface est modifiée, ainsi que son procédé de préparation. La présente invention concerne également les utilisations dudit matériau, notamment pour la préparation d'implants, de stents ou de prothèses.

Le recouvrement de surfaces métalliques par des couches organiques constitue un ensemble de procédés industriels importants (Plankaert, 1994; Biethan et al., 1991 Hochberg, 1979). Ces procédés impliquent le dépôt d'un polymère sur une feuille de métal, soit à partir d'un liquide, soit à partir d'une feuille de polymère solide ou bien encore par cataphorèse. Dans ces procédés, seules des liaisons faibles sont formées entre le métal et la couche organique. D'autres procédés ont été décrits, ils font aussi intervenir des liaisons faibles par exemple lors du dépôt de polyphénols sur du Pt (McCarley, 1990), dans le dépôt électrochimique de polymères conducteurs en particulier sur du fer (Lu et al., 1988; Cheung et al., 1988; Troch-Nagels et al., 1992; Schirmeisen et al., 1989; Beck et al., 1994; Otero et al., 1992; Ferreira et al., 1990; Ferreira et al., 1996; Krstajié et al., 1997; Su et al., 1997; Fraoua et al., 1999).

Il existe deux types de méthodes pour créer des liaisons plus fortes entre le métal et la couche organique: dans le premier type une liaison se forme entre la couche organique et un oxyde sur la surface du métal (Biethan, 1991; Hochberg, 1979; Boenig, 1984; d'Agostino, 2000; Vautrin- Ul et al., 2000), et dans le deuxième type, des liaisons sont formées entre le métal lui-même et la couche organique.

Il existe déjà plusieurs méthodes électrochimiques permettant d'accrocher des polymères sur des surfaces métalliques par des liaisons covalentes. Des couches polymères peuvent être accrochées sur du platine par oxydation de la N-vinylpyrrolidone (Doneux et al., 1997; Calberg et al., 1998). Par ailleurs, l'oxydation électrochimique d'amines conduit au greffage de motifs -NHR sur le platine. En utilisant des w-diamines telles que l'éthylènediamine, il est possible d'accrocher de la polyéthylèneimine sur Au, Pt ou Al (Herlem et al., 1997; Herlem et al., 2000; Fahys et al., 2002; Herlem et al., 2003; Lakard et al., 2002). Il faut cependant noter que les méthodes utilisant l'oxydation électrochimique de substrats organiques n'est pas applicable aux métaux industriels qui sont en général très facilement oxydables. Des méthodes utilisant la réduction électrochimique sont donc particulièrement souhaitables. Une de ces méthodes (Lécayon et al., 1982; Deniau et al., 1992; Viel et al., 1993; Bureau et al., 1994; Tanguy et al., 1993; Tanguy et al., 1994; Tanguy et al., 1996; Deniau et al., 1997; Bureau et al., 1997; Deniau et al., 1998; Charlier et al., 1999; Viel et al., 1999; Jérome et al., 2001; Baute et al., 1999; Mertens et al. , 1998; Calberg et al., 1997) consiste à réduire un monomère acrylique activé sur une surface métallique (par exemple en nickel ou en fer). Le radical-anion formé dans des conditions anhydres est responsable de la réaction avec le métal et de la poursuite de la polymérisation. Une fine couche de polymère (2 à 10 m) est attachée de manière covalente sur la surface. En même temps, une couche plus épaisse de polymère n'est que déposée, elle peut être éliminée par rinçage.

Plusieurs méthodes de greffage de polymères préformés sur une surface fonctionnalisée ("grafting onto") ont déjà été décrites permettant l'accrochage de polymères sur une sous-couche polyaryle obtenue par réduction électrochimique de sels de diazonium. La première méthode consiste à greffer sur le métal un motif benzophénone, celui-ci réagit avec le polystyrène sous irradiation photochimique; la seconde méthode consiste à greffer un motif acide benzoïque, celui-ci peut réagir avec des ions magnésium et les groupes carboxyliques libres d'un polyester déposé mécaniquement sur la surface (Adenier et al., 2002). Une méthode proche des deux premières a été aussi décrite (Lou et al., 2002), consistant à greffer des polyesters comportant des groupes acrylate pendants par électrochimie. Le poly-E-caprolactone ainsi greffé étant miscible avec le poly(chlorure de vinyle), les couches de PVC ainsi obtenues sont fortement adhérentes.

Plusieurs méthodes de type "grafting from" ont été développées qui permettent de faire croître des polymères à partir d'une surface fonctionnalisée. Sur une surface de fer, il est possible d'effectuer le greffage électrochimique d'un polyacrylate de faible masse molaire dont le motif acrylate contient une fonction chimique autorisant la polymérisation ultérieure d'un autre monomère. Par exemple, l'acrylate de 2chloropropionate d'éthyle permet d'amorcer la polymérisation du styrène par Polymérisation Radicalaire par Transfert d'Atome (ATRP)(Claes et al., 2003), l'acrylate de norbornénylméthylène offre la possibilité de polymériser le norbornène par polymérisation par ouverture de cycles par métathèse (ROMP)(Detrembleur et al., 2001) et le 2-phényl-2-(2,2,6,6tétraméthyl-pipéridin-l-yloxy)-éthylacrylate (PTEA) a permis de polymériser le styrène, grâce à la présence de l'alcoxyamine (amorceur de polymérisation) selon le procédé médié par le nitroxyde (NMP)(Voccia et al., 2003).

La présente invention a pour but de fournir une nouvelle méthode de greffage "grafting from" permettant de greffer des polymères sur une surface comportant des zones conductrices ou semi-conductrices, notamment métalliques, par greffage préalable d'une sous-couche obtenue par réduction d'un sel de diazonium.

La présente invention a notamment pour but de fournir des matériaux comportant des zones conductrices ou semi-conductrices, recouvertes de couche de polymères 10 d'épaisseur suffisante et/ou de structure appropriée, pour résister à la corrosion, par exemple dans les milieux biologiques, et à l'usure par exemple par friction.

L'un des buts de la présente invention est de fournir des matériaux, notamment biologiquement compatibles, comportant des zones conductrices ou semi-conductrices recouvertes d'un polymère permettant leur utilisation dans le cadre de prothèses, de 15 stents ou d'implants.

Un autre but de la présente invention est de fournir un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semi-conductrice d'un matériau permettant de greffer n'importe quel polymère sur ledit matériau.

Un autre but de la présente invention est de fournir un procédé de modification de 20 la surface d'une zone conductrice ou semi-conductrice industriellement applicable et insensible à l'eau.

Un autre but de la présente invention est de fournir un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semi-conductrice, quelle que soit sa forme.

Le greffon dérivé dudit sel de diazonium et portant une fonction amorceur de polymérisation sera par la suite désigné greffon amorceur de polymérisation, et ce greffon correspond à une entité greffée sur la surface du matériau et donc liée à ladite surface.

L'expression "greffon amorceur de polymérisation" désigne un composé chimique susceptible de former la première espèce d'une réaction de polymérisation en chaîne.

L'expression "matériau conducteur ou semi-conducteur" désigne soit un matériau conducteur ne possédant pas de bande interdite soit un matériau semi-conducteur dont la bande interdite est de l'ordre de l'électron-volt.

L'expression "polymérisation in situ" désigne une réaction de polymérisation effectuée en présence de la surface conductrice ou semiconductrice, soit non traitée soit modifiée par le procédé de l'invention (procédé "grafting from"). Cette réaction de polymérisation s'oppose au cas où la surface est greffée avec un polymère déjà formé ("grafting onto").

Les procédés de polymérisation préférés sont les procédés de polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP)(Claes et al., 2003), de polymérisation par nitroxyde (NMP)(Voccia et al., 2003), de polymérisation par ouverture de cycle (ROP)(Edmonson et al., 2004; Husseman et al., 1999), ainsi que les procédés de polymérisation par transfert de chaîne addition-fragmentation réversible (RAFT)(Edmonson et al., 2004; Baum et al., 2002) et de polymérisation par métathèse d'ouverture de cycle (ROMP)(Detrembleur et al., 2001).

La présente invention concerne également une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau, la surface de ladite zone étant modifiée, et comprenant les couches suivantes: une sous-couche constituée de greffons amorceurs dérivés d'un sel de diazonium et liés à ladite surface, la totalité des liaisons intervenant entre ladite sous-25 couche et la surface de ladite zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt étant des liaisons covalentes, ladite sous- couche étant caractérisée en ce que: ^ elle présente une épaisseur d'environ 1 nm à environ 1 pm, et de préférence d'environ 3 nm à environ 100 nm, ^ les greffons directement liés à la surface de ladite zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt le sont notamment par une liaison atome du greffon-atome de la zone, notamment par une liaison covalente carbone du greffon-atomes de ladite zone, une couche polymérique située sur la susdite sous-couche, constituée d'un polymère résultant de la polymérisation, notamment radicalaire, in situ d'au moins un monomère en présence de l'amorceur tel que défini ci- dessus, ladite couche polymérique présentant une épaisseur d'environ 0,1 gm à environ 5 100 m, la couche polymérique couvrant d'environ 80% à environ 100% de la surface de ladite zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt, notamment d'environ 95% à environ 100% de ladite zone.

L'expression "zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau" désigne les parties d'un matériau composées de conducteur ou de semi-conducteur auxquelles on souhaite appliquer un traitement tel que ceux décrits dans la présente invention.

Sur un matériau composite comportant des zones conductrices ou semiconductrices, seulement certaines de ces zones peuvent être fonctionnalisées et constituer ainsi les zones d'intérêt. Ainsi, par voie électrochimique, il s'agit des zones connectées électriquement sur lesquelles interviendra l' électrogreffage, et, par voie chimique, il s'agira des zones mises en contact des solutions, les autres zones étant éventuellement masquées si nécessaire.

L'expression "greffons amorceurs dérivés d'un sel de diazonium" désigne de façon avantageuse soit un groupe aromatique soit une chaîne de type polyaryle formant d'une part une liaison avec la surface et possédant d'autre part une fonction chimique susceptible d'amorcer la polymérisation.

Les amorceurs de polymérisation utilisés dans le cadre de la présente invention peuvent être des molécules portant par exemple un ou plusieurs atomes d'halogène.

La présente invention implique donc un sel de diazonium portant une fonction permettant d'amorcer la polymérisation. Selon un mode de réalisation particulier de la présente invention, la sous-couche susmentionnée est formée à partir de greffages successifs de plusieurs sels de diazonium, par exemple de la forme AAA-BBB, où A est un groupe aryle provenant d'un sel de diazonium AN2+ et B est un groupe aryle provenant d'un sel de diazonium BN2+.

L'expression "liaison atome du greffon-atome de la zone" désigne la liaison chimique quelque soit son type qui relie un atome du greffon à un atome de la zone et qui assure donc que le greffon est fortement lié à la surface.

L'expression "liaison covalente carbone du greffon-atome de la zone" désigne une liaison particulière telle qu'une liaison obtenue par la mise en commun de deux électrons entre un atome du greffon et au atome de la zone.

Une sous-couche particulièrement avantageuse selon l'invention est une sous-5 couche de type polyaryle.

Selon un mode de réalisation avantageux, la sous-couche telle que définie ci-dessus de la zone conductrice ou semi-conductrice de l'invention est caractérisée en ce que la superficie du greffage des greffons sur la surface de ladite zone est à raison d'au moins 90%, notamment d'au moins 99% par rapport à la surface de ladite zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt, la surface totale des défauts étant inférieure à 10%, notamment inférieure à 5%, de l'aire des zones conductrices ou semiconductrices.

Par "défaut", on désigne des parties de la sous-couche qui n'auraient pas été modifiées par le traitement selon l'invention et donc où le matériau apparaîtrait sans être modifié.

Ceci peut être observé par exemple par microscopie à champ proche, et notamment par microscopie à force atomique (AFM)(Adenier et al., 2002; Bernard et al., 2003).

La sous-couche peut également être caractérisée par sa rugosité.

La sous-couche est telle que les atomes qui sont liés à la zone conductrice ou 20 semi-conductrice le sont de façon forte et résistent à des rinçages prolongés et répétés dans un bain d'ultrasons dans des solvants différents.

Selon un mode de réalisation avantageux, la sous-couche telle que définie ci-dessus de la zone conductrice ou semi-conductrice de l'inventipn est compacte, comme on peut l'observer à l'échelle du m sur des images AFM (Adenier et al., 2002; Bernard et al., 2003).

Pour fixer les idées sur la compacité, la sous-couche telle que définie ci-dessus de la zone conductrice ou semi-conductrice de l'invention est caractérisée en ce que la concentration des greffons directement liés à la surface de ladite zone est au plus d'environ 20 x 10-10 mole de greffon par cm2, ce qui correspond à la concentration surfacique maximale accessible avec des groupes, notamment aryles, perpendiculaires à la surface, et de préférence d'environ 1 X 10-10 à 18 x 10-10 mole de greffon par cm2 de surface de ladite zone.

Ces concentrations surfaciques peuvent être mesurées en formant une monocouche à la surface de la zone d'intérêt, en s'assurant que la souscouche formée est une monocouche par AFM et en effectuant un voltammogramme des greffons de la monocouche, puis en intégrant ce voltammogramme (Allongue et al., 1997).

Selon un mode de réalisation avantageux, la couche polymérique telle que définie ci-dessus est caractérisée en ce qu' elle est notamment exempte de monomère résiduel, de polymère non greffé et de solvant. Ainsi, après l'étape de polymérisation, les plaques de matériau sont soigneusement rincées aux ultrasons dans du dichlorométhane. On peut alors vérifier que le cycle de rinçage est suffisant pour éliminer les résidus de polymère adsorbé à la surface du matériau. Une plaque de matériau mise en contact avec une solution de PMMA-toluène est chauffée pendant 4 heures à 90 C en l'absence d'amorceur et de chlorure de cuivre. Ensuite, après 4 lavages de 5 minutes dans du dichlorométhane aux ultrasons, l'analyse de la plaque par IRRAS ne révèle aucun signal de polymère. A ce moment, il reste du PMMA (polyméthylméthacrylate) dans le solvant de rinçage (analyse IR) mais le polymère a complètement disparu du dichlorométhane après un cinquième lavage. Comme ce cycle de rinçage a été appliqué aux plaques immergées dans les solutions de polymérisation contenant CuCl et l'amorceur, les signaux caractéristiques du PMMA et PAnBu en IRRAS et XPS peuvent être attribués à du polymère greffé et non adsorbé. Ce test permet donc de vérifier que le polymère qui n'est pas greffé est éliminé de la surface du matériau.

Par "monomère résiduel", on désigne le monomère intervenant dans la polymérisation in situ, et par "polymère non greffé" on désigne tout polymère formé à partir du monomère qui n'est pas lié à la sous-couche.

Par "solvant", on désigne notamment le solvant de polymérisation in situ. La 25 couche polymérique possède avantageusement la propriété de rester sur la sous-couche même lorsqu'elle est mise en contact avec un solvant dans lequel la polymérisation in situ a été effectuée ou dans lequel le polymère est soluble.

Un paramètre de caractérisation de la couche polymérique est la rugosité.

La rugosité moyenne représente la moyenne arithmétique des déviations par

N

rapport au plan moyen E l z, R = i=1

N

Zcp est la valeur de Z pour le plan moyen, Z; la valeur courante de Z, et N nombre de points dans un domaine donné. R doit donc être égal à zéro pour une surface parfaitement plane.

La présente invention concerne également une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau telle que définie ci-dessus, caractérisée en ce que la sous-couche présente un taux de pureté d'environ au moins 80%, et notamment d'environ 90% à environ 100%, comme cela est vérifié par des analyses par XPS ou infrarouge, et est notamment exempte de solvant, de sel de diazonium et de ses dérivés.

Par "solvant", on désigne notamment celui qui a été utilisé pour effectuer la formation de la sous-couche. Ceci peut être vérifié par un test infrarouge ou un test XPS.

Par "dérivés de sel de diazonium", on désigne notamment ArN2+, ArOH ou ArH.

L'absence du signal du solvant peut être vérifiée par infrarouge, par exemple selon la nature du solvant, par l'absence de la bande nitrile de l'acétonitrile à 2254 cm' ou de la bande carbonyle du diméthylformamide à 1675 cm-'.

L'absence d'électrolyte peut être vérifiée par l'absence de chlore (dans le cas où l'électrolyte est un perchlorate) qui apparaît vers 1095 cm-' et vers 208 eV (C12p) ou par l'absence de fluor (dans le cas où l'électrolyte est un tétrafluoroborate) qui apparaît vers 1050 et 1075 cm- ' et vers 687 eV (Fls), respectivement par des analyses IR (cm-') et XPS (eV). L'absence de sel de diazonium résiduel (ArN2+) peut être vérifiée par l'absence de la bande caractéristique des sels de diazonium vers 2300 cm-' en IR.

Concernant l'absence du produit d'hydrolyse du diazonium (ArOH), le phénol correspondant peut être observé par l'absence en IR de la bande OH vers 3300-3500 cm-'.

L'absence du produit de réduction du diazonium (ArH) peut être vérifiée dans les solvants de rinçage par chromatographie en phase gazeuse (CPV) ou en phase liquide (CLHP) par comparaison avec un échantillon authentique.

Par ailleurs, la sous-couche est exempte d'électrolytes susceptibles d'intervenir dans le procédé de greffage des greffons amorceurs dérivés d'un sel de diazonium, lesquels sont à l'origine portés notamment par des sels de diazonium. Il en est de même pour le contre-ion du sel de diazonium, par exemple de l'ion tétrafluoroborate. On peut vérifier l'absence d'électrolyte comme décrit ci-dessus.

L'un des intérêts des zones conductrices ou semi-conductrices modifiées de l'invention est qu'il ne peut y avoir de monomère dans la sous-couche, qui résulterait de l'utilisation, comme amorceur de polymérisation, d'un monomère portant, d'une part, une fonction acrylate et, d'autre part, une fonction susceptible d'initier la polymérisation de composés vinyliques. En particulier, dans la sous-couche des zones conductrices ou semiconductrices de l'invention, il n'y a pas de monomère vinylique parce que la sous-couche n'est pas faite à base de polymère vinylique.

Une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau avantageuse selon l'invention est caractérisée en ce que les liaisons intervenant dans les greffons de la sous-couche et formant une suite continue de liaisons covalentes de la surface dudit matériau vers l'extrémité de la couche polymérique sont des liaisons non hydrolysables.

Les liaisons intervenant entre la surface et les greffons de la souscouche sont non hydrolysables.

L'expression "liaisons intervenant dans les greffons de la sous-couche" désigne les liaisons chimiques comprises entre l'atome de la surface où est accroché le greffon et le dernier atome de la couche polymérique.

L'expression "suite continue de liaisons covalentes" correspond à la situation selon laquelle, en suivant le chemin le plus court entre l'atome de la surface et le dernier atome de la couche polymérique, toutes les liaisons reliant les atomes situés sur ce chemin sont covalentes.

L'expression "liaisons non hydrolysables" désigne des liaisons ne pouvant pas être coupées par contact du matériau avec une solution aqueuse ou partiellement aqueuse ou plus généralement par réaction avec un solvant à propriétés acides ou basiques, et notamment des liaisons non hydrolysables de pH 0 à pH 14, de préférence de pH 1 à pH 13. Cependant, il ne faut pas exclure la possibilité de la présence de groupes pendants (latéraux) hydrolysables, tels que les esters du PMMA.

Une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau préférée de l'invention comprend une chaîne de polymère de la couche polymérique par liaison atome du greffon-atome de la zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt, notamment par liaison covalente carbone du greffonatomes de la zone.

Une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau, préférée selon l'invention, est caractérisée en ce que les chaînes de polymères présentent une masse 30 moléculaire sensiblement identique les unes par rapport aux autres et en ce que lesdites chaînes sont liées de façon sensiblement perpendiculaire à la surface dudit matériau, formant ainsi des brosses denses.

L'expression "chaînes liées de façon sensiblement perpendiculaire à la surface dudit matériau" désigne des chaînes polymères dont l'orientation moyenne est proche de la verticale locale de la surface par opposition à des chaînes dont l'orientation serait proche de la surface elle-même.

L'expression "brosses denses" désigne l'ensemble des chaînes polymériques liées à la surface de telle sorte que leur orientation est sensiblement perpendiculaire à la surface, leurs longueurs sensiblement égales et la distance entre ces chaînes nettement inférieures à leur longueur (Edmondson et al., 2004).

Plus particulièrement, l'épaisseur totale de la couche polymérique croît en 10 épaisseur, tout en gardant une rugosité constante, ce qui démontre bien que toutes les chaînes de polymères sont sensiblement de la même longueur.

Selon un mode de réalisation avantageux, la zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau selon la présente invention est caractérisée en ce que la sous-couche présente une épaisseur sensiblement uniforme et en ce que les greffons constituant ladite sous-couche sont liés de façon sensiblement perpendiculaire à la surface dudit matériau.

L'expression "couche d'épaisseur sensiblement uniforme" désigne une couche dont l'épaisseur est du même ordre de grandeur sur toute la surface de la zone.

La présente invention concerne également une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau telle que définie ci-dessus, caractérisée en ce que les greffons sont des composés aromatiques, notamment des groupes aryles, dans lesquels le groupe aromatique est un reste aromatique en C6-C20, substitué par un ou plusieurs substituants fonctionnels, notamment un atome d'halogène, tel qu'un atome de brome, ou un reste hétéroaromatique de 4 à 20 atomes, substitué par un ou plusieurs substituants fonctionnels, comportant un ou plusieurs hétéaroatomes choisis parmi l'oxygène, l'azote, le soufre ou le phosphore.

Selon un mode de réalisation avantageux, il n'y a pas de liaison de type aliphatique entre les atomes de la zone et l'atome du greffon directement lié à la zone. En d'autres termes, de façon avantageuse, les atomes du greffon directement liés aux atomes de la zone sont impliqués, dans le greffon, dans des liaisons aromatiques.

La présente invention concerne également une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau telle que définie ci-dessus, dans laquelle le groupe aromatique comporte un ou plusieurs substituants choisis dans le groupe constitué par: les radicaux aliphatiques, linéaires ou ramifiés de 1 à 20 atomes de carbone, comportant éventuellement une ou plusieurs double(s) ou triple(s) liaison(s), éventuellement substitués par des radicaux carboxyles, NO2, OH, amino protégé disubstitué, amino monosubstitué protégé, cyano, diazonium, alcoxy de 1 à 20 atomes de carbone, alcoxycarbonyle de 1 à 20 atomes de carbones, alkylcarbonyloxy de 1 à 20 atomes de carbone, vinyle éventuellement fluoré ou allyle, les atomes d'halogène, des groupes ammonium comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, des anhydrides d'acide comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, des dérivés de l'urée ou de la thiourée comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, des fonctions oximes et des acides lo phosphoniques, les radicaux aryles éventuellement substitués par des radicaux carboxyles, NO2, OH, amino protégé disubstitué, amino monosubstitué protégé, cyano, diazonium, alcoxy de 1 à 20 atomes de carbone, alcoxycarbonyle de 1 à 20 atomes de carbone, alkylcarbonyloxy de 1 à 20 atomes de carbone, vinyle éventuellement fluoré ou allyle, les atomes d'halogène, des groupes ammonium comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, des anhydrides d'acide comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, des dérivés de l'urée ou de la thiourée comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, des fonctions oximes et des acides phosphoniques, les radicaux carboxyles, NO2, OH, amino protégé disubstitué, amino monosubstitué protégé, cyano, diazonium, alcoxy de 1 à 20 atomes de carbone, alcoxycarbonyle de 1 à 20 atomes de carbone, alkylcarbonyloxy de 1 à 20 atomes de carbone, vinyle éventuellement fluoré, les atomes d'halogène, des groupes ammonium comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, des anhydrides d'acide comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, des dérivés de l'urée ou de la thiourée comprenant de 1 à 20 atomes de carbone, des fonctions oximes et des acides phosphoniques.

Une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau avantageuse selon l'invention est caractérisée en ce que la sous-couche se présente sous la forme de greffons composés chacun d'un seul groupe aryle, ce qui correspond à une monocouche. L'expression "monocouche de greffons" désigne une sous-couche dont les greffons ne comportent qu'un groupe aryle. La formation d'une telle monocouche peut être vérifiée en mesurant son épaisseur par AFM (Anariba et al., 2003).

Il est intéressant d'obtenir une monocouche dans les applications où on cherche à fabriquer les couches les plus fines possibles, par exemple en microélectronique et dans le cadre plus général des nanotechnologies.

Selon un mode de réalisation avantageux de l'invention, la zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau est caractérisée en ce que les monomères à partir desquels la couche polymérique est obtenue sont choisis parmi les composés comprenant au moins une double liaison terminale, par exemple, les composés vinyliques (acryliques, méthacryliques, styréniques) et notamment le styrène, éventuellementsubstitué, les acrylates d'alkyle, les acrylates d'alkyle l0 substitué, le méthacrylate d'alkyle, le méthacrylate d'alkyle substitué, l'acrylonitrile, le méthacrylonitrile, l'acrylamide, le méthacrylamide, le N-alkylacrylamide, le N-alkylméthacrylamide, le N-dialkylacrylamide, le N-dialkylmethacrylamide, l'isoprène, le butadiène, l'éthylène, l'acétate de vinyle et ses dérivés, les éthers de vinyle, la N- vinylpyrrolidone, la 4-vinylpyridine, la 3-vinylpyridine, la 2- vinylpyridine, et notamment le méthacrylate de méthyle, le méthacrylate d'éthyle, le méthacrylate de propyle et ses isomères, le méthacrylate de butyle et ses isomères, le 2-éthylhexyl méthacrylate, le méthacrylate d'isobornyle, l'acide méthacrylique, le méthacrylate de benzyle, le méthacrylate de phényle, le méthacrylonitrile, le méthylstyrène, l'acrylate de méthyle, l'acrylate d'éthyle, l'acrylate de propyle et ses isomères, l'acrylate de butyle et ses isomères, le 2-éthylhexyl acrylate, l'acrylate d'isobornyle, l'acide acrylique, l'acrylate de benzyle, l'acrylate de phényle, le méthacrylate de glycidyle, le 2-hydroxyéthyl méthacrylate, le méthacrylate d'hydroxypropyle et ses isomères, le méthacrylate d'hydroxybutyle et ses isomères, le méthacrylate de N- diméthylaminoéthyle, le 2-(diéthylamino)éthylméthacrylate, le méthacrylate de triéthylèneglycol, l'anhydride itaconique, l'acide itaconique, le benzylméthacrylate, le 2-(diméthylamino)éthylméthacrylate, le 2-(diméthylamino) éthylacrylate, l'acrylate de glycidyle, le 2- hydroxyéthyl acrylate, les isomères hydroxypropyliques des acrylates, l'hydroxybutyl acrylate et ses isomères, l'acrylate de N- diéthylaminoéthyl, l'acrylate de triéthylèneglycol, le N-méthylacrylamide, le N,N- diméthylacrylamide, le N-tert-butylméthacrylamide, le N-n- butylméthacrylamide, le N-méthylolméthacrylamide, la N- isopropylacrylamide, le N-éthylolméthacrylamide, le N-tert- butylacrylamide, le N-n-butylacrylamide, le N-méthylolacrylamide, le N- éthylolacrylamide, l'acide vinylbenzoïque et ses isomères, le diéthylaminostyrène et ses isomères, l'acide méthylvinylbenzoïque et ses isomères, le diéthylamino méthylstyrène et ses isomères, l'acide p- vinylbenzoïque et son sel de sodium, le méthacrylate de triméthoxysilylpropyle, le méthacrylate de triéthoxysilypropyle, le méthacrylate de diisopropoxyméthylsilylpropyle, le méthacrylate de diméthoxysilylpropyle, le méthacrylate de diéthoxysilylpropyle, le méthacrylate de dibutoxysilylpropyle, le méthacrylate de disopropoxysilylpropyle, l'acrylate de triméthoxysilylpropyle, l'acrylate de triéthoxysilylpropyle, l'acrylate de tributoxysilpropyle, l'acrylate de diméthoxyméthylsilypropyle, l'acrylate de diéthoxyméthylsilypropyle, l'acrylate de dibutoxyméthylsilypropyle, l'acrylate de diisopropoxyméthylsilypropyle, l'acrylate de Io diméthoxysilylpropyle, l'acrylate de diéthoxysilylpropyle, l'acrylate de dibutoxysilypropyle, l'acrylate de diisopropoxysilylpropyle, l'anhydride maléique, le N-phénylmaléimide, le N-butylmaléimide, le butadiène, l'isoprène, le chloroprène, le 2-(2-oxo-1-imidazolidinyl) éthyle, le 2-méthyl-2-propanoate, la N-vinyl pyrrolidone, la N-vinyl imidazole, la 1-[2-[[2-hydroxy-3-(2-propyl)propyl)]amino]éthyl]-2- imidazolidin- one, l'acide crotonique, l'acide vinylsulfonique et ses dérivés, la 2méthacryloyloxyéthylphosphorylcholine, les monomères de type phosphorylcholine, les méthacrylates d'oligo(éthylène glycol), le sel d'ammonium du sulfatoéthyl méthacrylate, le glycérométhacrylate, le 2-(Nmorpholino)éthyl méthacrylate et le 2-(N-3-sulfopropyl-N,N-diméthyl ammonium)éthyl méthacrylate, ainsi que les composés comportant au moins une fonction vinylique tels que les téléchéliques, les agents de réticulation.

Les monomères préférés sont les suivants: styrènes polymérisés par ATRP: Cl CF3 OAc méthacrylates polymérisés par ATRP:

O O co

OSiMe3

O

(CH2CH2O),, Me ç0

O

ço O O O\ o Il CH CH O_p O + 3 1 o i 3 CH3 CH3 acrylates polymérisés par ATRP: O O O 0 O O o

OH o o

\CnH2n j CmF2m+1 O O 0 C11 H22 Ac OAc FcO

CN

N-isopropylacrylamide polymérisé par ATRP: NH 25 La présente invention concerne également une zone conductrice ou semi- conductrice d'intérêt d'un matériau telle que définie ci-dessus, caractérisée en ce que le monomère est choisi parmi le styrène ou les dérivés d'acrylate et de méthacrylate mono-30 ou multifonctionnels.

La présente invention concerne également une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau telle que définie ci-dessus, caractérisée en ce que le polymère de la couche polymérique est choisi parmi le polystyrène ou les dérivés de polyacrylate ou de polyméthacrylate.

Une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau, préférée selon l'invention, est caractérisée en ce que le polymère de la couche polymérique est obtenu par l'un des procédés de polymérisation, notamment de polymérisation radicalaire suivants: photopolymérisation, polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP), polymérisation par nitroxyde (NMP) ou polymérisation par ouverture de cycles (ROP).

Plus particulièrement, la zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau telle que définie ci-dessus est caractérisée en ce que ledit polymère est obtenu par polymérisation, notamment par polymérisation radicalaire par transfert d'atome, et en ce que l'extrémité de la chaîne dudit polymère contient un atome d'halogène, notamment un atome de brome, éventuellement substituable par des copolymères formant un deuxième bloc ou des molécules actives telles que des aminoalcools, des allyl alcools, de l'anhydride maléique, des sucres, des acides nucléiques, des peptides, des protéines, des molécules perfluorées ou des molécules à activité pharmaceutique.

Les alcools allyliques et l'anhydride maléique permettent de repartir sur des modifications chimiques, c'est-à-dire de refonctionnaliser la surface; les sucres, les acides nucléiques, les peptides et les protéines visent les bio-capteurs et les surfaces biocompatibles; les molécules perfluorées visent en particulier la connectique et la protection des surfaces; les molécules à activité pharmaceutique visent les prothèses où le dépôt de médicaments permet d'améliorer la compatibilité de celle-ci.

La présente invention concerne également une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau telle que définie ci-dessus, caractérisée en ce que l'amorceur est un dérivé halogéné, notamment bromé ou un dérivé de type alcoxyamine ou un dérivé d'a-hydroxy alkylphénone, un dérivé d'a-dialcoxy acétophénône, un dérivé d'éther de benzoïne, un dérivé d'a-amino alkylphénone, un dérivé de cétone aromatique tel que la benzophénone ou l'anthraquinone, un dérivé de maléimide N-aliphatique ou N-aromatique, un dérivé de xanthate, un dérivé de dithiocarbamate, un dérivé de thioxanthone, un dérivé d'oxyde de phosphine, ou un dérivé d'alcool, de trithiocarbonate ou de dithioester.

Selon un mode de réalisation avantageux, la zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau de l'invention est caractérisée en ce que les liaisons atomes du greffon-atomes de la zone, notamment les liaisons covalentes carbone-atomes de la zone, entre les greffons de la sous-couche et la surface de ladite zone sont telles qu'elles résistent à un lavage par ultrasons.

Selon un autre mode de réalisation avantageux, la zone conductrice ou semi- conductrice d'intérêt d'un matériau de l'invention est caractérisée en ce que le polymère constituant la couche polymérique est lié aux greffons de la sous-couche par l'intermédiaire d'une liaison covalente non hydrolysable, et notamment par l'intermédiaire d'une liaison covalente carbone-carbone.

Une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau particulièrement avantageuse selon l'invention est caractérisée en ce que la liaison covalente entre un greffon de la sous-couche et un polymère de la couche polymérique est telle qu'elle évite le décrochage par hydrolyse du polymère formant ladite couche polymérique.

La présente invention concerne également une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau telle que définie ci-dessus, dans laquelle le matériau est choisi parmi les métaux purs ou les alliages, et notamment le fer, le nickel, le platine, l'or, le cuivre, le zinc, le cobalt, le titane, le chrome, l'argent, le tantale, les aciers en particulier inoxydables, les alliages de titane, les alliages de chrome cobalt, le molybdène, le manganèse, le vanadium, le nitinol, ou parmi les semi-conducteurs, notamment le silicium dopé ou non, mono- ou polycristallin, le silicium hydrogéné, le nitrure de tantale, le nitrure de titane, le nitrure de tantale, le carbure de silicium, le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium.

Une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau préférée selon l'invention est caractérisée en ce qu'elle est biostable, biocompatible et résistante à la corrosion, ou en ce que le polymère de la couche polymérique est biodégradable.

La présente invention concerne également un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau, pour obtenir une zone conductrice ou semi-conductrice, telle que définie ci-dessus, dont la surface est modifiée, caractérisé en ce qu'il comprend la fixation sur la surface de cette zone d'un greffon amorceur de polymérisation tel que défini ci-dessus, en mettant notamment en contact ladite zone conductrice ou semi-conductrice avec une solution d'un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation.

La présente invention concerne également un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce que la fixation sur la surface de cette zone d'un greffon dérivé d'un amorceur de polymérisation tel que défini ci-dessus, est effectuée par une réaction chimique comprenant la mise en contact de la zone conductrice ou semi- conductrice avec une solution d'un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation dans un solvant, notamment un solvant aprotique, ou un solvant protique acide, pendant un temps suffisant permettant la fixation de la sous-couche de greffons telle que définie ci- dessus sur la surface de ladite zone.

Io L'expression "solvant aprotique" désigne un solvant qui ne cède que difficilement un proton, comme par exemple l'acétonitrile, le diméthyformamide ou le diméthylsulfoxyde.

L'expression "solvant protique acide" désigne un solvant susceptible de fournir facilement un proton auquel on a ajouté une certaine quantité d'un acide par exemple l'eau, les alcools, leurs mélanges en présence d'un acide. En effet, les sels de diazonium ne sont stables que dans des milieu dont le pH est inférieur à environ 2.

Dans le cadre de la présente invention, il est possible de greffer les sels de diazonium en milieu aqueux acide, par exemple dans des mélanges d'eau et d'un autre solvant (en milieu acide).

L'expression "pendant un temps suffisant permettant la fixation de la sous-couche de greffons sur la surface de la zone" désigne le temps nécessaire pour obtenir une sous couche d'épaisseur recherchée, qui est de l'ordre de l'heure.

Ce mode de réalisation est avantageux dans la mesure où il ne nécessite aucun équipement électrochimique et qu'une simple cuve où tremper les échantillons est 25 suffisante.

Un procédé avantageux selon l'invention est caractérisé en ce que le sel de diazonium répond à la formule ArN2+ X dans laquelle Ar représente un groupe aromatique portant une fonction susceptible d'amorcer la polymérisation tel que défini ci-dessus et X- représente un anion avantageusement choisi parmi les halogènes, les sulfates, les phosphates, les perchlorates, les tétrafluoroborates, les carboxylates et les hexafluorophosphates.

La présente invention concerne également un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau, pour obtenir une zone conductrice ou semi-conductrice dont la surface est modifiée telle que définie ci-dessus, caractérisé en ce qu'il comprend la fixation sur la surface de cette zone d'un greffon amorceur tel que défini ci-dessus, par réduction électrochimique d'un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation, en mettant en contact la zone conductrice ou semi-conductrice avec une solution du sel de diazonium dans un solvant.

Ce mode de réalisation permet d'obtenir des sous-couches très épaisses pouvant atteindre le micron.

Selon un mode de réalisation avantageux, le procédé de l'invention est caractérisé en ce que l'étape de fixation du greffon est une étape de réduction électrochimique du sel de diazonium et consiste à polariser négativement la zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau par rapport à une électrode de référence ou à une anode également en contact avec la solution du sel de diazonium, l'anode et la cathode pouvant être éventuellement séparées l'une de l'autre, par exemple par un diaphragme ou une membrane.

Un procédé préféré de l'invention est un procédé tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce que la réduction électrochimique a lieu en présence d'un électrolyte, le compartiment anodique et cathodique étant éventuellement séparés, le compartiment anodique comportant éventuellement le solvant et l'électrolyte, le compartiment cathodique comportant éventuellement le solvant, l'électrolyte et le sel de diazonium.

Selon un mode de réalisation avantageux, le procédé de l'invention est caractérisé en ce que le sel de diazonium répond à la formule ArN2+ X-, dans laquelle Ar représente un groupe aromatique portant une fonction amorceur de polymérisation tel que défini ci-dessus et X- représente un anion, l'anion X" du sel de diazonium étant avantageusement choisi parmi les halogènes, les sulfates, les phosphates, les perchlorates, les tétrafluoroborates, les carboxylates et les hexafluorophosphates.

La présente invention concerne également un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau tel que défini ci-dessus, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: une étape de fixation sur la surface de ladite zone d'un greffon amorceur de polymérisation tel que défini ci-dessus, en mettant en contact la zone conductrice ou semi-conductrice avec une solution d'un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation dans un solvant, ladite étape de fixation étant notamment effectuée par réduction électrochimique du sel de diazonium, permettant l'obtention d'une zone conductrice ou semi-conductrice de surface modifiée par liaison de nature covalente, à sa surface, desdits greffons amorceurs, lesdits greffons formant une sous-couche telle que définie ci-dessus, et une étape de polymérisation, notamment radicalaire, par photopolymérisation, polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP), polymérisation par nitroxyde (NMP) ou polymérisation par ouverture de cycle (ROP), ladite réaction de polymérisation radicalaire impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

De telles polymérisations initiées à partir de la surface (polymérisation "grafting from") permettent un contrôle facile de la fonctionnalité, de la densité et de l'épaisseur des brosses obtenues.

Un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semi15 conductrice avantageux selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une étape de polymérisation par photopolymérisation, consistant à mettre en contact ladite zone conductrice ou semi-conductrice, de surface modifiée par liaison, de nature covalente, à sa surface, avec des greffons amorceurs, avec au moins un monomère tel que défini ci-dessus, et à soumettre l'ensemble formé par ledit matériau conducteur ou semiconducteur et ledit monomère à des radiations électromagnétiques ou actiniques, notamment des radiations UV, pour initier la polymérisation, ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la 25 formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

Ce mode de réalisation s'applique à des surfaces de formes compliquées et se fait à température ordinaire.

Un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice avantageux selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une étape de polymérisation par polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP), consistant à mettre en contact ladite zone conductrice ou semi-conductrice, de surface modifiée, par liaison, de nature covalente, à sa surface avec des greffons amorceurs, avec au moins un monomère tel que défini ci-dessus, et à activer lesdits amorceurs par un complexe de métal de transition, pour transformer lesdits amorceurs en radicaux susceptibles de réagir avec le monomère, ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

Dans ce mode de réalisation, et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, greffé à la surface, est activé par un complexe de métal de transition pour engendrer un radical susceptible de réagir avec ledit monomère. Le processus est une polymérisation vivante permettant de contrôler la longueur des chaînes et de former des copolymères à blocs.

L'avantage de ce mode de réalisation réside en la possibilité de faire croître des brosses à partir de la surface en utilisant une grande variété de monomères; le caractère de polymérisation vivante contrôlée permet d'obtenir des chaînes polymères de faible indice de polymolécularité possédant des terminaisons de chaîne fonctionnalisées et pouvant donc être utilisées comme macroamorceur pour fabriquer des copolymères di ou tri blocs. Ce procédé s'applique également à des surfaces de formes complexes où le procédé de "grafting onto" ne serait que difficilement praticable.

Un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice avantageux selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une étape de polymérisation correspondant à une polymérisation initiée par des nitroxydes (NMP), consistant à mettre en contact ladite zone conductrice ou semi-conductrice, de surface modifiée par liaison, de nature covalente, à sa surface, avec des greffons amorceurs, avec au moins un monomère tel que défini ci-dessus, et à activer thermiquement lesdits amorceurs, pour les transformer, par l'intermédiaire d'une coupure homolytique, en des radicaux susceptibles de réagir avec le monomère, ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

Dans ce mode de réalisation, la fonction amorceur portée par le greffon est une fonction alcoxyamine qui est activée thermiquement, ce qui provoque une coupure homolytique et engendre un radical susceptible de réagir avec ledit monomère. Le processus est une polymérisation vivante permettant de contrôler la longueur des chaînes, de former des copolymères blocs et d'obtenir des chaînes de faible indice de polymolécularité.

Un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice avantageux selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une étape 5 de polymérisation par polymérisation par ouverture de cycle (ROP), consistant à mettre en contact ladite zone conductrice ou semi-conductrice, de surface modifiée par liaison, de nature covalente, à sa surface avec des greffons amorceurs, avec au moins un monomère cyclique tel que défini ci-dessus, et avec un catalyseur organométallique permettant d'ouvrir ledit monomère cyclique et de créer le centre actif de la polymérisation, ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

Ce mode de réalisation peut s'effectuer à partir d'un grand nombre de polymères commerciaux et c'est une polymérisation vivante contrôlée permettant d'obtenir des chaînes de faible polydispersité.

La polymérisation par ouverture de cycles (ROP) d'esters cycliques conduit à des polyesters aliphatiques biocompatibles et biodégradables. Le mécanisme d'ouverture de cycle est basé sur une réaction de coordination-insertion d'un alcoolate d'aluminium, d'étain ou de terre rare avec la liaison ester du monomère cyclique. Le catalyseur approprié peut être obtenu in situ par échange de ligand avec un alcool (ici l'amorceur greffé contenant une fonction hydroxyle) et un catalyseur tel que l'octanoate d'étain ou le triéthyl aluminium, le triisopropanoate d'aluminium ou de lanthanide.

La polymérisation par ouverture de cycles est une polymérisation contrôlée vivante qui, à partir d'une surface fonctionnalisée OH, NH ou SO2CF3, en présence d'un catalyseur tel que Et3Al, Sn(Oct)2, permet de polymériser par ouverture de cycle des monomères cycliques tels que des lactones, des lactides et des oxazolines. Dans le cadre de la présente invention, l'amorceur fixé sur la surface, c'est-à-dire sur la sous- couche, est un groupe aryle notamment substitué par un groupe hydroxyle ou hydroxyalkyle.

La présente invention concerne également un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semi-conductrice tel que défini cidessus, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: une étape de fixation sur la surface de ladite zone d'un greffon dérivé d'un sel de diazonium et portant une fonction amorceur de polymérisation tel que défini ci-dessus, en mettant en contact la zone conductrice ou semi-conductrice avec une solution dudit sel de diazonium portant ladite fonction amorceur de polymérisation dans un solvant, ladite étape de fixation étant notamment effectuée par réaction chimique, permettant l'obtention d'une zone conductrice ou semi-conductrice de surface modifiée par liaison de nature covalente à sa surface desdits greffons amorceurs, lesdits greffons formant une sous-couche telle que définie ci- dessus, et une étape de polymérisation radicalaire par photopolymérisation, polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP), polymérisation par nitroxyde (NMP) ou polymérisation par ouverture de cycle (ROP), ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et l'amorceur dont dérive le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

Ce mode de réalisation permet de faire croître à partir de la surface des chaînes polymères de longueurs sensiblement égales et ce procédé s'applique également à des surfaces de forme complexes où le "grafting onto" n'est que difficilement praticable.

Un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice avantageux selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une étape de polymérisation par photopolymérisation, consistant à mettre en contact ladite zone conductrice ou semi-conductrice, de surface modifiée par liaison, de nature covalente à sa surface avec des greffons amorceurs, avec au moins un monomère tel que défini ci-dessus, et à soumettre l'ensemble formé par ladite zone conductrice ou semiconductrice et ledit monomère à des radiations électromagnétiques ou actiniques, notamment des radiations UV, pour initier la polymérisation, ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

Un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice avantageux selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une étape de polymérisation par polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP), consistant à mettre en contact ladite zone conductrice ou semi-conductrice, de surface modifiée, par liaison de nature covalente à sa surface des greffons amorceurs, avec au moins un monomère tel que défini ci-dessus, et à activer lesdits amorceurs par un complexe de métal de transition, pour transformer lesdits amorceurs en des radicaux susceptibles de réagir avec le monomère, ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

Un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice avantageux selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une étape de polymérisation correspondant à une polymérisation initiée par des nitroxydes (NMP), consistant à mettre en contact ladite zone conductrice ou semi-conductrice, de surface modifiée, par liaison de nature covalente à sa surface des greffons amorceurs, avec au moins un monomère tel que défini ci-dessus, et à activer thermiquement lesdits amorceurs, pour les transformer, par l'intermédiaire d'une coupure homolytique, en des radicaux susceptibles de réagir avec le monomère, ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

Ce mode de réalisation s'applique à des surfaces de forme compliquée et se fait à température ordinaire.

Un procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice avantageux selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une étape de polymérisation correspondant à une polymérisation par ouverture de cycle (ROP), consistant à mettre en contact de ladite zone conductrice ou semi-conductrice, de surface modifiée, par liaison de nature covalente à sa surface des greffons amorceurs, avec au moins un monomère cyclique tel que défini ci-dessus, et avec un catalyseur organométallique permettant d'ouvrir ledit monomère cyclique et de créer le centre actif de la polymérisation, ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini ci-dessus et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie ci-dessus.

Selon un mode de réalisation avantageux, le procédé de l'invention peut comprendre une étape d'initiation photochimique avant l'étape de polymérisation ATRP ou NMP.

La présente invention concerne également un procédé tel que défini cidessus, 5 caractérisé en ce que l'étape de polymérisation radicalaire est effectuée en présence d'un solvant et d'un catalyseur tel qu'un complexe de métaux de transition. La présente invention concerne également un procédé tel que défini ci-

dessus, caractérisé en ce que l'étape de polymérisation radicalaire est effectuée en présence d'un amorceur externe tel qu'un dérivé halogéné, notamment bromé ou un dérivé de type alcoxyamine ou un dérivé d'a-hydroxy alkylphénone, un dérivé d'a-dialcoxy acétophénone, un dérivé d'éther de benzoïne, un dérivé d'a-amino alkylphénone, un dérivé de cétone aromatique tel que la benzophénone ou l'anthraquinone, un dérivé de maléimide N-aliphatique ou N-aromatique, un dérivé de xanthate, un dérivé de dithiocarbamate, un dérivé de thioxanthone, un dérivé d'oxyde de phosphine, ou un dérivé d'alcool, de trithiocarbonate ou de dithioester.

L'utilisation d'un amorceur en solution permet de faire croître des chaînes polymères en solution et donc de vérifier les critères auxquels doit répondre la polymérisation.

La présente invention concerne également une zone conductrice ou semiconductrice telle qu'obtenue par mise en oeuvre du procédé tel que défini ci-dessus.

La présente invention concerne également l'utilisation d'une zone conductrice ou semi-conductrice telle que définie ci-dessus, pour la préparation: d'un objet de forme quelconque constitué de matériau comportant ladite zone, ou de surfaces métalliques présentant une résistance accrue vis-à-vis de la corrosion, ou de stents, d'implants, de prothèses ou d'éléments utilisables en microélectronique.

La présente invention concerne également l'utilisation d'une zone conductrice ou semi-conductrice telle que définie ci-dessus, pour la préparation de matériaux comportant des zones conductrices ou semiconductrices présentant une couche supplémentaire, notamment une couche polymérique supplémentaire constituée de copolymères à blocs, ou une couche fonctionnelle supplémentaire constituée de molécules actives telles que des aminoalcools, des allyl alcools, de l'anhydride maléique, des sucres, des acides nucléiques, des peptides ou des protéines.

La présente invention concerne également un sel de diazonium répondant à l'une des formules chimiques suivantes: N=N F4B CH Br N=N CH3 F4B CH2 Br N=N F4B 10' N=N F4B CHZ O i i H Br O CH3 H3C CH3 H3C CHz O C C Br N=N i H O N O CH3 F4B CH3 H3C CH3 N N F4B

DESCRIPTION DES FIGURES

La Figure 1 représente le voltamogramme de 1 dans une solution acétonitrile (ACN) + 0,1 M NBu4BF4 sur une électrode de carbone vitreux (Référence ECS. v = 0.2 5 Vs-1: (a) premier cycle, (b) second cycle, (c) troisième cycle).

La Figure 2 représente le résultat d'une chronoampérométrie sur une électrode de fer dans une solution ACN + 0,1 M NBu4BF4 + 2 mM de 1. (E = 0,85 V/SCE. Référence ECS).

La Figure 3 représente le résultat de la voltamétrie cyclique a) d'une électrode de carbone vitreux greffée par 2: CV+2 dans une solution ACN + 0,1 M NBu4BF4 et b) d'une solution NEt4Br (1mM) sur une électrode de carbone vitreux propre (Référence ECS. v = 0,2 Vs-1).

La Figure 4 représente le résultat de la voltamétrie cyclique a) d'une électrode de carbone vitreux greffée par 1: CV+1 dans une solution ACN + 0,1 M NBu4BF4 et b) d'une solution NEt4Br (1mM) sur une électrode de carbone vitreux propre (Référence ECS. v = 0,2 Vs-1).

La Figure 5 représente le spectre IRRAS de: (a) Fe + 1 et (b) 1 avant le greffage. La Figure 6 représente le spectre XPS d'une surface de fer greffée par 1: Fe + 1. 25 La Figure 7 représente le spectre XPS du Cls d'un échantillon Fe + 1.

Les Figures 8A, 8B, 8C, 8D et 8E représentent respectivement des images AFM pour Fe, Fe+l, Fe+l + PMMA sans amorceur en solution, Fe+1+PAnBu sans amorceur en solution et Fe+1 + PMMA avec un amorceur en solution.

La Figure 9 représente l'épaisseur et la rugosité de la couche de polymère PMAnBu en fonction du temps de polymérisation. La courbe avec les losanges correspond à la mesure de la rugosité de la couche de polymère, celle avec les carrés à l'épaisseur de la couche de polymère et celle avec les triangles à la hauteur des agrégats. L'axe des ordonnées correspond à la rugosité de la couche de polymère, l'épaisseur de la couche de polymère ou à la hauteur des agrégats en mm. L'axe des abscisses représente le temps de polymérisation par ATRP en heures.

La Figure 10 représente le spectre XPS d'un échantillon Fe + 1 + PMMA.

La Figure 11 représente le spectre XPS du Cls de Fe + 1 + PMMA (préparé avec un amorceur en solution).

La Figure 12 représente le spectre XPS du Cls de Fer + 1 + PAnBu (préparé sans amorceur en solution).

La Figure 13 représente le spectre IRRAS de (a) : Fe + 1, (b) : Fe + 1 + PMMA 15 avec amorceur dans la solution, (c) : Fe + 1 + PMMA sans amorceur dans la solution.

La Figure 14 représente le spectre IRRAS de (a) : Fe + 1, (b) : Fe + 1 + PAnBu avec amorceur dans la solution.

I - GREFFAGE ET POLYMÉRISATION ATRP

M R1

M = Métal i0 CuCl/PMDETA CuCl2/PMDETA t R2 + Br- R5 CH3 PMDETA (CH3)2N(CH2)2IN(CH2)2N(CH3)2 <CH3 COOCH3 H COOBu

T R3

Schéma 1 1 - Fixation du greffon sur le métal 1-1. Synthèse des sels de diazonium Les amines de départ ont été synthétisées one pot à partir du 1-(4- aminophényl)éthanol et du (4-aminophényl)méthanol. Deux sels de diazonium originaux BF4 +N2C6H4CH(CH3)Br 1 et BF4" +N2C6H4CH2Br 2 ont été synthétisés par les méthodes standard de diazotation.

Synthèse de 1 CH OH CH3 Me4NBr HBr 48% 150 C/16h CH Br CH3 HBF4 48% + Br N2 ( 1 CH

-

NaNO2 BF4 CH3 0 C Dans un ballon de 50 ml, 1g de 2-amino-5méthylbenzylalcool (7,28 10-3 mol; 1 éq.) et 1,23 g de bromure de tétraméthylammonium (8.10-3 mol; 1,1 éq) sont placés dans 5 ml d'une solution aqueuse d'acide bromhydrique 48% (1, 82.10-2 mol; 2,5 éq.). La solution obtenue est laissée agitée à 150 C, sous atmosphère d'argon pendant 15 heures. Un précipité jaune s'est formé. Le mélange réactionnel est refroidi a 0 C, 5mL d'une solution aqueuse d'acide tétrafluoroborique 48% (1,68.10"2 mol; 5,6 éq.) préalablement refroidie à 0 C sont additionnés. L'agitation est maintenue pendant 15 minutes. 0,55 g de nitrite de sodium (8.10-3 mol; 1,1 éq.) sont dissous dans un minimum d'eau déminéralisée. La solution obtenue est refroidie à 0 C puis elle est ajoutée progressivement au milieu réactionnel. Un précipité marron apparaît. L'agitation est maintenue pendant 30 minutes à 0 C, puis la solution est placée au réfrigérateur pendant une nuit afin que le sel de diazonium précipite. Après filtration sur verre fritté, le précipité est lavé avec une solution aqueuse de tétrafluoroborate de sodium 5%, du méthanol, et de l'éther diéthylique, puis il est séché sous vide. Une poudre marron est obtenue.

+ NH3 CH Br Br CH3 Synthèse de 2, NH3 CH2Br HBF4 48% N2+ (-1 CH2Br BrNaNO2 BF4 0 C Dans un ballon de 50 ml, 0,5g de 2-aminobenzylalcool (4,6. 10-3 mol, 1 éq.) et 0,78 g de bromure de tétraméthylammonium (5,06.10-3 mol; 1,1 éq) sont placés dans 5 ml d'une solution aqueuse d'acide bromhydrique 48% (1,82.10"2 mol; 3,96 éq.). La solution obtenue est laissée agitée à 150 C, sous atmosphère d'argon pendant 15 heures. Un précipité jaune s'est formé. Le mélange réactionnel est refroidi a 0 C, 4, 5 mL d'une solution aqueuse d'acide tétrafluoroborique 48% (1,64.10-2 mol; 3,56 éq.) préalablement refroidie à 0 C sont additionnés. L'agitation est maintenue pendant 15 minutes. 0,34 g de nitrite de sodium (5,06.10"3 mol; 1,1 éq.) sont dissous dans un minimum d'eau déminéralisée. La solution obtenue est refroidie à 0 C puis elle est ajoutée progressivement au milieu réactionnel. Un précipité marron apparaît. L'agitation est maintenue pendant 30 minutes à 0 C, puis la solution est placée au réfrigérateur pendant une nuit afm que le sel de diazonium précipite. Après filtration sur verre fritté, le précipité est lavé avec une solution aqueuse de tétrafluoroborate de sodium 5%, du méthanol, et de l'éther diéthylique, puis il est séché sous vide. Une poudre marron est obtenue.

1-2. Greffage des groupes aryles Les réactions ont été effectuées sur des électrodes de carbone puis transposées sur fer (Figure 1). On observe une vague irréversible, large, monoélectronique à Epc= -0,31 V/SCE qui correspond à la réduction concertée du sels de diazonium en radical aryle qui réagit avec la surface du fer selon la réaction RI (voir schéma 1). Lors des balayages successifs, la hauteur de cette vague devient très faible comme il est habituel avec les sels de diazonium, la surface étant progressivement bloquée par le greffage de groupes aryles. Sur fer, on ne peut observer cette vague, le fer étant trop facilement oxydable.

Me4NBr > NH3+ CH2Br HBr 48% Br- 150 C / 16h Les électrodes de fer sont soigneusement polies à la pâte à diamant (1 m) puis rincées sous ultrasons dans l'acétone désoxygéné pendant 5 minutes afin d'éviter au maximum l'oxydation de la surface. Pour effectuer le greffage nous avons procédé par chronoampérométrie en nous plaçant à des potentiels plus négatifs (AE = -0,54 V) que le pic mesuré sur carbone (et plus cathodique que le potentiel d'oxydation du fer). La Figure 2 montre une chute brutale du courant qui correspond au blocage de l'électrode.

Après greffage, les électrodes sont soigneusement rincées dans l'ACN sous ultrasons afin d'éliminer les molécules qui ne seraient que physiquement adsorbées sur la surface.

Il est aussi possible d'effectuer le greffage par simple immersion de la plaque de fer traitée comme précédemment dans une solution désoxygénée par un courant d'argon 20 mM de 1 ou 2 pendant une heure.

1-3. Caractérisation de la surface greffée par voltamétrie cyclique Après rinçage soigneux de l'électrode dans l'acétone, dans une cuve à ultrasons, celle-ci est transférée dans une solution ne contenant que le solvant et l'électrolyte (ACN + 0,1 M NBu4BF4). Sur la Figure 3, on observe le voltamogramme d'une électrode de carbone vitreux greffé par réduction de 2: CV+ 2; on observe une vague irréversible à Epa = - 1,98 V/SCE correspondant à la réduction de la liaison C-Br. Sur le balayage retour, on observe un pic à Epa = + 0,83 V/SCE qui correspond à l'oxydation du bromure formé au niveau du pic cathodique. Par comparaison, la réduction du bromure de benzyle dans les mêmes conditions donne un pic à Epc _ -1, 95 V/SCE et l'oxydation du bromure de tétraéthylammonium conduit à un pic à Epa = 0,86 V/SCE. Un voltamogramme similaire est obtenu dans le cas de 1: CV + 1 (Figure 4). Les pics cathodiques et anodiques correspondent donc respectivement aux réactions R6 et R7 du Schéma 2 ci-dessous.

+ Br- R6 Br- - 1 e- --->- 1 /2 B r2 R7 Schéma 2 Les deux voltamogrammes des Figures 3 et 4 témoignent donc du greffage de la surface de carbone vitreux par les groupes aryles provenant de 1 et 2.

1-4. Caractérisation de la surface greffée par spectroscopie IR La Figure 5 représente le spectre IR par réflexion (IRRAS) d'une surface de fer greffée par 1 É Fe+1.

La différence la plus frappante entre le spectre du diazonium et le spectre de la couche organique greffée est l'absence de la bande à 2258 cm 1 indiquant que le diazonium a bien été réduit et n'est pas seulement adsorbé sur la surface. On observe clairement sur le spectre de Fe + 1 la signature du groupe aromatique avec la vibration du cycle à 1579 et 1508 cm-1; les vibrations dans le plan des liaisons C-H à 1083 cm-1 et enfin les vibrations C-H hors du plan à 834, 793 et 700 cm 1. On observe une différence intéressante dans la zone des CH, alors que les vibrations du cycle aromatique sont bien visibles dans le spectre de 1 à 3086 cm 1, elles disparaissent au profit des vibrations CH aliphatiques à 2964 cmldans le spectre de Fe + 1. Ceci est dû aux règles de sélection qui favorisent les vibrations dont le moment dipolaire est perpendiculaire à la surface, comme peuvent l'être en partie les vibrations des CH aliphatiques de 1. C'est probablement le même effet qui est responsable de l'affaiblissement des bandes à 1083 cm-1 dans le spectre de Fe + 1.

1-5. Caractérisation de la surface greffée par XPS La Figure 6 représente le spectre à large balayage d'une surface Fe + 1. On observe la présence du pic du fer indiquant ainsi la présence d'une couche organique relativement mince (inférieure à la profondeur d'analyse de l'XPS qui est d'environ 5 nm). Le pic du brome à 69 eV et celui du carbone à 285 eV témoignent de la présence de la couche organique (mais aussi d'une contamination externe pour ce qui concerne le carbone). L'oxygène à 530 eV correspond à la présence résiduelle d'oxyde sur la surface alors que l'azote (400 eV) provient aussi d'une contamination par l'atmosphère alors que le fluor (685 eV) correspond très probablement à des traces d'électrolyte resté sur la surface malgré le rinçage des échantillons. La Figure 7 présente le spectre du pic Cl s du carbone d'un échantillon de Fe + 1, on observe un épaulement correspondant après déconvolution à un pic situé à 283,2 eV et qui est indicatif de carbone lié au métal, par comparaison le carbure de fer apparaît à 283 eV.

Les caractérisations spectroscopiques décrites ci-dessus montrent bien que les greffons bromés ont bien été fixés sur la surface du fer. Nous allons maintenant montrer qu'il est possible à partir de ces greffons utilisés comme amorceurs de faire croître des polymères sur la surface. Les surfaces greffées par simple immersion de la plaque présentent des caractéristiques semblables à celles décrites ci-dessus.

2 - Croissance du polymère à partir du greffon 2-1. Polymérisation Les conditions expérimentales du greffage ont été ajustées en utilisant un amorceur en solution et nous avons vérifié que la polymérisation présentait bien les critères d'une polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP).

Deux monomères ont été utilisés: d'une part le méthacrylate de méthyle (MMA) 15 et d'autre part l'acrylate de n-butyle (AnBu), qui doivent conduire respectivement au polyméthacrylate de méthyle (température de transition vitreuse Tg = 100 C) et au polyacrylate de n-butyle (Tg = 55 C). Des conditions expérimentales typiques sont rassemblées dans le Tableau 1 ci-dessous; les pastilles préalablement greffées comme décrit ci-dessus sont immergées dans les solutions de polymérisation (voir conditions 20 expérimentales dans le Tableau 1).

Après cette étape, les plaques de fer sont soigneusement rincées aux ultrasons dans du dichlorométhane. Un test a été effectué afin de vérifier que le cycle de rinçage était suffisant pour éliminer les résidus de polymère adsorbé à la surface de fer. Une plaque de fer mise en contact avec une solution de PMMA-toluène est chauffée 4 h à 90 C en l'absence d'amorceur et de chlorure de cuivre. Ensuite, après 4 lavages de 5 minutes dans du dichlorométhane aux ultrasons, l'analyse de la plaque par IRRAS ne révèle aucun signal de polymère. A ce moment, il reste du PMMA dans le solvant de rinçage (analyse IR) mais le polymère a complètement disparu du chloroforme après un cinquième lavage. Comme ce cycle de rinçage a été appliqué aux plaques de fer immergées dans les solutions de polymérisation contenant Cu/Cl et l'amorceur, les signaux caractéristiques du PMMA et PAnBu en IRRAS et XPS peuvent être attribués à du polymère greffé et non adsorbé (Figures 10, 11, 12, 13, 14).

2871162 34 Tableau 1. Conditions expérimentales de la polymérisation par ATRP .

Solvant Monomère [Mono] [1-PEBr] [PMDETA] [Cu(I)Cl] [Cu(II)Cl] Cu(ll) /Cu(I) Toluène MMA 4,78 2,4.10.2 1,3.10-2 8,0.10"3 4,0.10-3 0,5 Toluène MMA 4,78 0 1,3.10"2 8,0.10-3 4,0.l0-3 0,5 Toluène AnBu 5,80 4,7. 10-2 2,3.10"2 2,1.10.2 2,0.10"3 0,09 Toluène AnBu 5,80 0 2,4.10"2 2,1. 10"2 2,3.10-3 0,11 a) Concentrations en mol L-' ; T = 90 C; [Amorceur] /[PMDETA]/[Cu] = 2/1/1; [MMA]/[Amorceur]=200; [AnBu]/[Amorceur]=120; (b) les solutions préalablement dégazées contenant le ligand PMDETA: pentaméthylediéthylènetriamine (voir Schéma 1), le monomère et l'amorceur 1-PEBr sont ajoutés sous atmosphère d'azote sur la pastille de fer et le chlorure de cuivre. Temps de réaction: MMA 250 minutes pour des taux de conversion du monomère de 40% environ, AnBu 400 minutes pour des taux de conversion de 80%.

2-2. Caractérisation des surfaces recouvertes de polymère Les surfaces obtenues à partir du sel de diazonimum 1 doivent présenter les formules suivantes: ICI, Br COâCH3 CH3 COOCH3 CI, Br COâCH3 CH3 COOCH3 Fe + 1+ PMMA 3 Cl, Br 1 COâCH3 CH3 COOCH3 CH3 Ch CH3 Ch CH3 Cf- Fe + 1 + PAnBu 2-2-1. Caractérisation par AFM.

Les Figures 8A, 8B, 8C et 8D montrent les images obtenues par AFM sur des plaques de Fe, Fe+l, Fer+I+PMMA et Fer+1+PAnBu. Dans ces deux derniers cas, il s'agit des revêtements polymères greffés sans utiliser d'amorceur en solution mais uniquement l'amorceur lié au substrat de fer, mais aussi d'une surface Fer+1+PMMA obtenue en présence d'un amorceur ajouté dans la solution.

L'image montre que la morphologie de la surface du fer est nettement modifiée par le greffage de l'amorceur et le revêtement polymère conséquent. La rugosité maximale croît dans le sens Fe < Fer+1 < Fer+1+ PAnBu < Fer+l+PMMA. Les dénivellations entre les hauteurs maximales obtenues sur Fer + 1 et Fer + 1 + polymère peut atteindre une centaine de nanomètres. Ainsi, sur la figure 8E, représentant Fer+I+PMMA avec un amorceur, l'épaisseur atteint environ 200 nm, ce qui montre qu'il est possible d'obtenir des couches relativement épaisses.

La Figure 9 représente la variation de l'épaisseur de la couche greffée, de la hauteur des agrégats observables sur la surface et de la rugosité de celle-ci en fonction du temps de polymérisation de PAnBu sur une surface Fe+l. On observe ainsi que, lorsque la couche croît, la rugosité reste constante ce qui conforte le fait que l'on obtienne des brosses denses: les chaînes de polymère s'allongent mais leurs différences de longueur ne changent pas avec leur taille.

2-2-2. Caractérisation par XPS La Figure 6 présente le spectre d'une surface de fer greffée par le sel de diazonium 1. La Figure 10 présente la même surface après greffage de MMA, c'est à dire, recouverte de PMMA (Fe + 1 + PMMA). Elle montre une augmentation nette des intensités relatives des raies Cl s et Ois par rapport à celle du fer. Le Tableau 2 indique les compositions de surface pour les surfaces greffées par 1 puis recouvertes de polymères.

Tableau 2. Analyse XPS de la surface C N O Fe Cu Br Cl F Fe + 1 57,9 1, 6 22,9 3,5 0,0 1,1 0,0 13 Fe + 1 + PMMA 62,3 1,7 27,8 0,9 0,6 1,5 4,2 1,1 Fe + 1 + PAnBu 63,1 2, 8 23, 8 3,0 0,1 0,4 0,3 1,15 On observe l'augmentation de la proportion relative de carbone après greffage des polymères. Le pourcentage surfacique d'oxygène augmente plus particulièrement dans le cas du PMMA, plus riche en oxygène que le PAnBu. Le pourcentage de fer diminue sensiblement surtout dans le cas du PMMA, indiquant clairement la croissance d'une couche organique sur la surface. La faible décroissance lors de la polymérisation de l'AnBu indique soit une couche plus fine, soit une couche irrégulière présentant de nombreux défauts.

Il est intéressant de noter que pour Fer + 1, la raie Br3d est centrée à 70,8 eV, une indication claire de la présence de brome dans un environnement organique et plus particulièrement dans une liaison C-Br. Toutefois, après croissance de chaînes de polymères, la présence de brome est persistante à la surface des plaques greffées. Ceci suggère que tous les sels de diazonium, analogues d'amorceurs ATRP greffés ne réagissent pas. En outre, à la surface de Fer+1+polymère, un épaulement à basse énergie de liaison indique la possibilité de l'existence d'ions bromures, probablement piégés par le polymère, qui n'ont pas pu être éliminés lors du cycle de lavage aux ultrasons.

Dans le cas de Fer+1+PAnBu, le chlore est détecté par sa raie principale C12p centrée à 199,2 eV. Cette valeur est proche de la limite basse de l'intervalle d'énergie de liaison pour le C12p dans le PVC (196,5-198ev). Ceci montre, de manière indiscutable, que les chlorures provenant du catalyseur réagissent avec les chaînes greffées de polymères en croissance pour enfin constituer les terminaisons de celles-ci (voir schéma 2) sous forme de -CH2-CH2-Cl.

Afin de vérifier si l'ATRP est effectivement initiée en surface, nous avons comparé la composition chimique de surface de plaques de fer traitées en présence ou en absence d'amorceur ajouté en solution (Tableau 3). Il apparaît que l'absence d'amorceur en solution n'empêche pas la polymérisation d'avoir lieu en surface et cela grâce au greffage préalable de sel de diazonium bromé par réduction électrochimique à la surface de fer. La valeur plus élevée du pourcentage atomique de carbone en l'absence d'amorceur en solution semble indiquer la présence de chaînes macromoléculaires plus longues.

Tableau 3. Analyse XPS de la surface en présence et en absence d' amorceur dans la solution.

C N O Fe Cu Br Cl F Fe + 1 + PAnBu sans amorceur 68,9 2,1 20,0 2,0 1,5 2, 3 0,5 0,4 Fe + 1 + PAnBu 63,1 2,8 23,8 2,3 0,1 0,4 0,3 1,1 avec amorceur Le spectre à haute résolution du C 1 s de Fer + 1 + PMMA (Figure 11) présente une composante centrée à 289 eV, caractéristique du carbone OC=O du PMMA, il en en est de même pour le Fer + 1 + PAnBu représenté sur la Figure 12.

Les résultats de l'analyse XPS démontrent donc la présence des deux polymères 5 sur la surface du fer.

2-2-3. Caractérisation par IRRAS La Figure 13 présente les spectres de Fe + 1 et de Fe +1 + PMMA avec et sans amorceur en solution. La différence la plus remarquable entre le spectre de Fe + 1 et les deux autres est l'apparition, après l'étape de polymérisation, d'une bande très intense à 1735 cm-1 qui signe la présence du polymère par son groupe pendant carbonyle. Cette preuve de l'existence du PMMA greffé en surface est renforcée par l'apparition de bandes larges et symétriques à 1271 et 1148 cm-1 qui sont caractéristiques de la liaison C-O. Il en est de même pour le Fe+1+PAnBu (voir Figure 14).

Les spectres IRRAS confirment donc de manière irréfutable la présence du polymère sur la surface.

II - GREFFAGE ET POLYMÉRISATION PAR L'INTERMÉDIAIRE DE NITROXYDES (NMP) La polymérisation par l'intermédiaire de nitroxydes est une méthode de polymérisation contrôlée basée sur le blocage réversible du radical porteur de la chaîne active par un radical nitroxyde. Elle a été utilisée pour faire croître, sur du silicium, des brosses de polystyrène de plus de 100 nm (Huang et al., 2001).Comme indiqué dans le Schéma 5 (voir ciaprès), un amorceur comportant une fonction alcoxyamine est greffé sur la surface. Lors du chauffage, le groupe alcoxyamine attaché à la surface est coupé pour donner le radical alkyle et le radical nitroxyde stable: TEMPO. La recombinaison du radical styrénique avec le radical stable nitroxyde (TEMPO) conduit à une nouvelle alcoxyamine susceptible de se décomposer thermiquement. L'établissement d'un équilibre entre espèces dormantes et espèces actives grâce au blocage réversible de la chaîne en croissance par le radical TEMPO permet de limiter les réactions de terminaisons et ainsi de contrôler l'étape de propagation.

1 - Synthèse et greffage du sel de diazonium Nous avons synthétisé le sel de diazonium du Schéma 5 à partir de l'amine correspondante dans HBF4 en présence de NaNO2. Ce sel de diazonium est greffé électrochimiquement en maintenant le potentiel d'une pastille de fer traitée comme précédemment pendant 300s à -0.8 V/SCE dans ACN + 0,1 M NBu4BF4. Le greffage de l'initiateur a été vérifié par XPS qui montre un rapport C/N = 19 et O/N = 1,3 proche de ce qui est attendu pour la surface greffée (C/N = 17 et 0/N = 1)(schéma 4).

2. Polymérisation à partir de l'alcoxyamine greffée La pastille de fer greffée comme ci-dessus est immergée dans du styrène distillé (10 mL) et la température est portée à 130 C pendant 24 heures. La pastille est ensuite lavée avec du dichlorométhane (cycles de 5 minutes aux ultrasons) pour enlever le polystyrène qui n'est que déposé sur la surface. La présence de polystyrène sur la surface est confirmée par IRRAS par comparaison avec un film de polystyrène étalon. Fe

le-ON ACN 130 C Schéma 4 III - GREFFAGE ET POLYMÉRISATION PAR OUVERTURE DE CYCLE (ROP) La polymérisation par ouverture de cycles d'esters cycliques produit des polyesters aliphatiques biocompatibles, biodégradables et biorésorbables. Les polymères synthétisés par cette méthode sont les poly(c-caprolactone), poly(lactide), poly(yvalérolactone) , poly(acide glycolique), poly((3-propiolactone). Le poly(c-caprolactone) est un polymère qui présente l'intérêt d'être miscible à beaucoup d'autres polymères.

La polymérisation s'effectue par un mécanisme de coordination-insertion à partir d'un amorceur de type octoate d'étain (Sn(oct)2) ou triisopropanolate d'aluminium (Al(OiPr)3) ou triéthylaluminium (AlEt3)(cf. schéma 5). Les alcoolates d'aluminium ou d'étain peuvent être formés in situ par échange avec des fonctions hydroxyles disponibles. Dans notre cas, la fonction hydroxyle peut être fournie par le sel de diazonium greffé sur la surface de fer (cf. schéma 6).

O

O\ + (RO)3Al

RO \

Al OR O Osn _ RO\ Il Al O 0 OR RO-C \ RO'

RO

Al OR RO H3O+ OR n+1

OR n

Schéma 5: Mécanisme de polymérisation par coordination-insertion 1. Synthèse et greffage du sel de diazonium Nous avons synthétisé le sel de diazonium du 4-aminophénol +N2C6H4OH, de l'alcool 4-aminobenzylique + N2C6H4CH2OH et du 2-(4-aminophenyl)éthanol selon les méthodes classiques de diazotation par NaNO2 en milieu acide HBF4. Ces trois composés présentent en voltamrnétrie cyclique une vague irréversible et large située 2. Polymérisation par ouverture de cycle à partir des greffons hydroxylés Fe CH2OH 1 e- CH2OH + N2 respectivement à Ep = -0.28, -0.39, -0.12 V/SCE. Le greffage est effectué en maintenant le potentiel 300 mV plus négatif que le pic pendant 300 s dans ACN + 0,1 M NBu4BF4. La surface greffée présente par IRRAS le signal caractéristique des groupes alcools à 3380 cm-1.

AI(OR)3 élimination ROH par distillation azéotropique CH2OAI(OR)2 polymérisation ester cyclique + terminaison H+ H,- l HJm O

O

n H 2 Schéma 6.

Les monomères (E-caprolactone) et le solvant (toluène) sont purifiés par distillation sur CaH2. La plaque de fer contenant les fonctions hydroxyles est purifiée par des distillations azéotropiques du toluène sur paroi froide (élimination des traces d'eau). Les solutions de monomère (s-caprolactone c = 10-2 mol L-1) et d'amorceur (tri- isopropylate d'aluminium c = 10-3 mol L-1) sont alors ajoutées dans le toluène (20 mL) par un transfert à la canule sous atmosphère inerte d'azote et la polymérisation est réalisée à 100 C pendant 20 heures. La pastille est alors rincée soigneusement pendant 20 minutes sous ultrasons dans le toluène puis l'éther. Un spectre IRRAS de la surface présente un pic caractéristique de la fonction ester à 1730 cm-1.

IV - PROTOCOLE GÉNÉRAL DE PHOTOPOLYMÉRISATION Une petite quantité de formulation à polymériser est déposée à l'aide d'une pipette sur une lame inox recouverte d'une sous-couche préalablement électrogreffée. Le film est ensuite formé en étalant la formulation à l'aide d'un wire-coater (permettant l'obtention d'une épaisseur donnée). La lame inox est déposée sur une plaque de verre avant d'être exposée à la lumière UV. L'exposition est effectuée à l'aide d'une lampe UV Fusion F300S montée sur un convoyeur modèle LC6E.

Après irradiation, les lames inox sont nettoyés à l'acétone afin d'éliminer tout 5 monomère non polymérisé. Paramètres pouvant être variés: Epaisseur du dépôt: 10 ou 26 gm suivant le

wire-coater utilisé.

Dose de radiation reçue contrôlée par la vitesse de déroulement du convoyeur ainsi que par le nombre de passes sous la lampe.

Plage d'irradiation: contrôlée par le type de lampe utilisé (H ou D) (Fusion UV Systems, Inc., Maryland, USA).

Les ampoules utilisées sont des ampoules de quartz comportant un mélange de gaz inertes constitué d'argon, de néon et de mercure sous pression moyenne. A l'application d'un courant, la température du mélange augmente et vaporise la faible quantité de mercure présente: un arc de vapeur de mercure est donc généré ; cela correspond à une ampoule de type H avec de maxima d'émissions entre 240-270 nm et 350-380 nm. Les ampoules de type D sont préparées en ajouter un dopant pour modifier les maxima d'émission.

La quantité de radiation reçue par les échantillons ainsi que le choix de la lampe 20 sont dictés par la formulation à polymériser ainsi que par la nature du photoamorceur (PI) électrogreffé.

Exemples:

1) Formule: 79,9% SR610 (polyéthylène glycol 600 diacrylate (monomère pour polymérisation radicalaire) ; Cray-Valley) + 20% SR454 (triméthylolpropane triacrylate 25 éthoxylé (monomère pour polymérisation radicalaire) ; Cray-Valley) + 0,1% triéthanolamine (TEA) photoamorceur (PI) : benzophénone Epaisseur: 26 m Dose: 20 passes à une vitesse de déroulement du tapis de 2 crois Ampoule: D 2) Formule: PI: Epaisseur: Dose: Ampoule: 3) Formule: PI: Epaisseur: Dose: Ampoule: 4) Formule: PI: Epaisseur: Dose: Ampoule: 5) Formule: PI: Epaisseur: Dose: Ampoule: 79,5% SR610 + 20% SR454 + 0,5% TEA benzophénone 26 m passes à une vitesse de déroulement du tapis de 2 cm/s D 79,5% SR610 + 20% SR454 + 0,5% TEA benzophénone 26 m 3 passes à une vitesse de déroulement du tapis de 2 cm/s D 79% SR610 + 20% SR454 + 1% TEA benzophénone 26 m 2 passes à une vitesse de déroulement du tapis de 2 omis D 79% SR610 + 20% SR454 + 1% TEA benzophénone 26 m 1 passe à une vitesse de déroulement du tapis de 1,5 cmls D 6) Formule: PI: Epaisseur: Dose: Ampoule: 79,5% SR610 + 20% SR454 + 0,5% TEA maléimide 26 m passes à une vitesse de déroulement du tapis de 2 omis D Synthèse de lames d'inox à partir du sel de diazonium dérivé de la benzophénone Les essais sont faits en milieu acide sulfurique 0,1 N et le sel de diazonium dérivé de la benzophénone est utilisé à une concentration de 2.10-3 M. o N2+ BF4- L'électrode de travail est une électrode en inox 316L qui est nettoyée avec un détergent et rincée à l'eau distillée aux ultrasons.

La contre électrode est une feuille de platine. Le rapport de surface entre la contre électrode et l'électrode de travail est d'au moins 3.

L'électrode de référence est une électrode d'argent (Ag/AgC1O4).

Un flux continu d'argon dans la solution permet de chasser l'oxygène.

La technique électrochimique de synthèse utilisée est la voltammétrie cyclique.

* Plusieurs tentatives sont faites en modifiant le potentiel final de balayage, et en gardant les autres paramètres fixes, à savoir une vitesse de balayage de 200 mV/s et un nombre de cycles effectués de 10, le potentiel initial étant le potentiel d'équilibre. Les essais ont 20 été faits avec trois potentiels finaux: -1, -1.3 et -1.5 V/(Ag/Ag+).

Et dans les trois cas l'analyse infrarouge nous permet de montrer que la surface d'inox est bien modifiée, par la présence de la bande du carbonyle caractéristique du greffon à 1665 cm-1 (C=O), 1600 cm-1 (élongation C=C).

Synthèse de lames d'inox à partir du 4-diazonium N-phénylmaléimide de tétrafluoroborate N2BF4 o Les essais sont faits en milieu acide sulfurique 0,1 N et le sel de 4-diazonium N-phénylmaléimide de tétrafluoroborate est utilisé à une concentration de 2.10-3 M. Les électrodes utilisées sont les mêmes que dans le cas précédent. Un bullage à l'argon est fait dans la solution tout le long des expériences.

La technique électrochimique de synthèse utilisée est la voltammétrie cyclique. Plusieurs tentatives sont faites en modifiant la vitesse de balayage, et en gardant les autres paramètres fixes, à savoir un potentiel fmal de -1.7 V/(Ag/Ag+) et un nombre de cycles effectués de 10, le potentiel initial étant le potentiel d'équilibre. Les essais ont été faits avec trois vitesses de balayage: 20, 50 et 200 mV/s.

Et dans les trois cas l'analyse infrarouge nous permet de montrer que la surface d'inox est bien modifiée, par la présence de la bande du carbonyle caractéristique du 10 greffon à 1730 cm-1 (C=O), 1600 et 1535 cm-' (élongation C=C).

Synthèse de lames d'inox à partir de l'irgacure Les essais sont faits en milieu organique, en utilisant le diméthylformamide (DMF) comme solvant, le perchlorate de tétraéthylammonium à une concentration de 5.10-2 M comme sel de fond, le sel de 4-nitro benzène diazonium à une concentration de 2.10-3 M comme amorceur de polymérisation et le monomère irgacure (1-[4-(2-hydroxyéthoxy)-phényl]-2- hydroxy-2-méthyl-1-propane-1-one, CIBA) à une concentration de 2 M. Les électrodes utilisées sont les mêmes que dans les cas précédents.

Un bullage à l'argon est fait dans la solution tout le long des expériences.

La technique électrochimique de synthèse utilisée est la voltammétrie cyclique. Plusieurs tentatives sont faites en modifiant la vitesse de balayage (20 et 50 mV/s), et le nombre de cycles (10 et 20). Le potentiel final est de -3 V/(Ag/Ag+), et le potentiel initial est le potentiel d'équilibre.

L'analyse infrarouge nous permet de montrer que la surface est bien modifiée par le polymère, car les bandes caractéristiques sont présentes, bien que leur intensité soit assez faible (moins de 1 % de transmittance) : 3350 cm-1 (OH), 1672 cm-1 (C=O), 1600 cm-1 (élongation C=C).

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Claims

REVENDICATIONS

1. Utilisation d'au moins un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation, d'une part pour la formation d'une souscouche obtenue par greffage d'un greffon dérivé dudit sel de diazonium et portant une fonction amorceur de polymérisation à la surface d'un matériau conducteur ou semi-conducteur et d'autre part pour la formation sur ladite sous-couche d'une couche polymérique obtenue par polymérisation, notamment radicalaire, in situ d'au moins un monomère, initiée à partir de ladite fonction amorceur de polymérisation.

2. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau, la surface de ladite zone étant modifiée, et comprenant les couches suivantes: une sous-couche constituée de greffons amorceurs dérivés d'un sel de 15 diazoniurn et liés à ladite surface, la totalité des liaisons intervenant entre ladite sous- couche et la surface de ladite zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt étant des liaisons covalentes, ladite sous-couche étant caractérisée en ce que: ^ elle présente une épaisseur d'environ 1 nm à environ 1 m, et de 20 préférence d'environ 3 nm à environ 100 nm, ^ les greffons directement liés à la surface de ladite zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt le sont notamment par une liaison atome du greffon-atome de la zone, notamment par une liaison covalente carbone du greffon-atomes de ladite zone, une couche polymérique située sur la susdite sous-couche, constituée d'un polymère résultant de la polymérisation, notamment radicalaire, in situ d'au moins un monomère en présence de l'amorceur tel que défini ci- dessus, ladite couche polymérique présentant une épaisseur d'environ 0,1 m à environ 100 m, la couche polymérique couvrant d'environ 80% à environ 100% de la surface de ladite zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt, notamment d'environ 95% à environ 100% de ladite zone.

3. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon la revendication 2, caractérisée en ce que la sous-couche présente un taux de pureté d'environ au moins 80%, et notamment d'environ 90% à environ 100%, et est notamment exempte de solvant, de sel de diazonium et de ses dérivés.

4. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon la revendication 2 ou 3, caractérisée en ce que les liaisons intervenant dans les greffons de la sous-couche et formant une suite continue de liaisons covalentes de la surface dudit matériau vers l'extrémité de la couche polymérique sont des liaisons non hydrolysables.

5. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon l'une des revendications 2 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend une chaîne de polymère de la couche polymérique par liaison atome du greffonatome de la zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt, notamment par liaison covalente carbone du greffon-atomes de la zone.

6. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que les chaînes de polymères présentent une masse moléculaire sensiblement identique les unes par rapport aux autres et en ce que lesdites chaînes sont liées de façon sensiblement perpendiculaire à la surface dudit matériau, formant ainsi des brosses denses.

7. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d',un matériau selon l'une des revendications 2 à 6, caractérisée en ce que les greffons sont des composés aromatiques, notamment des groupes aryles, dans lesquels le groupe aromatique est un reste aromatique en C6-C20, substitué par un ou plusieurs substituants fonctionnels, notamment un atome d'halogène, tel qu'un atome de brome, ou un reste hétéroaromatique de 4 à 20 atomes, substitué par un ou plusieurs substituants fonctionnels, comportant un ou plusieurs hétéaroatomes choisis parmi l'oxygène, l'azote, le soufre ou le phosphore.

8. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon la revendication 2 à 7, caractérisée en ce que la sous-couche se présente sous la forme de greffons composés chacun d'un seul groupe aryle, ce qui correspond à une monocouche.

9. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, caractérisée en ce que le monomère est choisi parmi les composés comprenant au moins une double liaison terminale, et notamment le styrène ou les dérivés d'acrylate et de méthacrylate mono- ou multifonctionnels.

10. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon l'une quelconque des revendications 2 à 9, caractérisée en ce que le polymère de la couche polymérique est obtenu par l'un des procédés de polymérisation, notamment de polymérisation radicalaire suivants: photopolymérisation, polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP), polymérisation par nitroxyde (NMP) ou polymérisation par ouverture de cycles (ROP).

11. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon la revendication 10, caractérisée en ce que ledit polymère est obtenu par polymérisation, notamment radicalaire par transfert d'atome, et en ce que l'extrémité de la chaîne dudit polymère contient un atome d'halogène, notamment un atome de brome, éventuellement substituable par des copolymères à blocs ou des molécules actives telles que des aminoalcools, des allyl alcools, de l'anhydride maléique, des sucres, des acides nucléiques, des peptides, des protéines, des molécules perfluorées ou des molécules à activité pharmaceutique.

12. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon l'une quelconque des revendications 2 à 11, caractérisée en ce que l'amorceur est un dérivé halogéné, notamment bromé ou un dérivé de type alcoxyamine ou un dérivé d'ahydroxy alkylphénone, un dérivé d'a-dialcoxy acétophénone, un dérivé d'éther de benzoïne, un dérivé d'a-amino alkylphénone, un dérivé de cétone aromatique tel que la benzophénone ou l'anthraquinone, un dérivé de maléimide N-aliphatique ou N-aromatique, un dérivé de xanthate, un dérivé de dithiocarbamate, un dérivé de thioxanthone, un dérivé d'oxyde de phosphine, ou un dérivé d'alcool, de trithiocarbonate ou de dithioester.

13. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon l'une quelconque des revendications 2 à 12, caractérisée en ce que les liaisons atomes du greffon-atomes de la zone, notamment les liaisons covalentes carbone-atomes de la zone, entre les greffons de la souscouche et la surface de ladite zone sont telles qu'elles résistent à un lavage par ultrasons.

14. Zone conductrice ou semi-conductrice d'intérêt d'un matériau selon l'une quelconque des revendications 2 à 13, dans laquelle le matériau est choisi parmi les métaux purs ou les alliages, et notamment le fer, le nickel, le platine, l'or, le cuivre, le zinc, le cobalt, le titane, le chrome, l'argent, le tantale, les aciers en particulier inoxydables, les alliages de titane, les alliages de chrome cobalt, le molybdène, le manganèse, le vanadium, le nitinol, ou parmi les semi-conducteurs, notamment le silicium dopé ou non, mono- ou polycristallin, le silicium hydrogéné, le nitrure de tantale, le nitrure de titane, le nitrure de tantale, le carbure de silicium, le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium.

15. Procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau, pour obtenir une zone conductrice ou semi-conductrice dont la surface est modifiée selon l'une des revendications 2 à 14, caractérisé en ce qu'il comprend la fixation sur la surface de,cette zone d'un greffon amorceur de polymérisation tel que défini dans la revendication 2, en mettant notamment en contact ladite zone conductrice ou semi-conductrice avec une solution d'un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation.

16. Procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau selon la revendication 15, caractérisé en ce que la fixation sur la surface de cette zone d'un greffon dérivé d'un amorceur de polymérisation tel que défini dans la revendication 2, est effectuée par une réaction chimique comprenant la mise en contact de la zone conductrice ou semi-conductrice avec une solution d'un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation dans un solvant, notamment un solvant aprotique, ou un solvant protique acide pendant un temps suffisant permettant la fixation de la sous-couche de greffons telle que définie dans la revendication 2 sur la surface de ladite zone.

17. Procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau, pour obtenir une zone conductrice ou semi-conductrice dont la surface est modifiée selon l'une des revendications 2 à 14, caractérisé en ce qu'il comprend la fixation sur la surface de cette zone d'un greffon amorceur tel que défini dans la revendication 2, par réduction électrochimique d'un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation, en mettant en contact la zone conductrice ou semi-conductrice avec une solution du sel de diazonium dans un solvant.

18. Procédé selon l'une des revendications 16 ou 17, caractérisé en ce que le sel de diazonium répond à la formule ArN2+ X'., dans laquelle Ar représente un groupe aromatique portant une fonction amorceur de polymérisation tel que défini dans la revendication 2 et X" représente un anion, l'anion X- du sel de diazonium étant avantageusement choisi parmi les halogènes, les sulfates, les phosphates, les perchlorates, les tétrafluoroborates, les carboxylates et les hexafluorophosphates.

19. Procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice d'intérêt d'un matériau selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: une étape de fixation sur la surface de ladite zone d'un greffon amorceur de polymérisation tel que défini dans la revendication 2, en mettant en contact la zone conductrice ou semi-conductrice avec une solution d'un sel de diazonium portant une fonction amorceur de polymérisation dans un solvant, ladite étape de fixation étant notamment effectuée par réduction électrochimique du sel de diazonium, permettant l'obtention d'une zone conductrice ou semi-conductrice de surface modifiée par liaison de nature covalente, à sa surface, desdits greffons amorceurs, lesdits greffons formant une sous-couche telle que définie dans la revendication 2, et une étape de polymérisation, notamment radicalaire, par photopolymérisation, polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP), polymérisation par nitroxyde (NMP) ou polymérisation par ouverture de cycle (ROP), ladite réaction de polymérisation radicalaire impliquant un monomère tel que défini dans la revendication 9 et la fonction amorceur portée par le greffon de la sous- couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie dans la revendication 2.

20. Procédé de modification de la surface d'une zone conductrice ou semiconductrice selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: une étape de fixation sur la surface de ladite zone d'un greffon dérivé d'un sel de diazonium et portant une fonction amorceur de polymérisation tel que défini dans la revendication 2, en mettant en contact la zone conductrice ou semi-conductrice avec une solution dudit sel de diazonium portant ladite fonction amorceur de polymérisation dans un solvant, ladite étape de fixation étant notamment effectuée par réaction chimique, permettant l'obtention d'une zone conductrice ou semi-conductrice de surface modifiée par liaison de nature covalente à sa surface desdits greffons amorceurs, lesdits greffons formant une sous-couche telle que définie dans la revendication 2, et une étape de polymérisation radicalaire par photopolymérisation, polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP), polymérisation par nitroxyde (NMP) ou polymérisation par ouverture de cycle (ROP), ladite réaction de polymérisation impliquant un monomère tel que défini dans la revendication 9 et l'amorceur dont dérive le greffon de la sous-couche, ce qui aboutit à la formation du polymère constituant la couche polymérique telle que définie dans la revendication 2.

21. Utilisation d'une zone conductrice ou semi-conductrice selon l'une quelconque des revendications 2 à 14, pour la préparation: d'un objet de forme quelconque constitué de matériau comportant ladite zone, ou de surfaces métalliques présentant une résistance accrue vis-à-vis de la 30 corrosion, ou de stents, d'implants, de prothèses ou d'éléments utilisables en micro électronique, ou de matériaux comportant des zones conductrices ou semi-conductrices présentant une couche supplémentaire, notamment une couche polymérique supplémentaire constituée de copolymères à blocs, ou une couche fonctionnelle supplémentaire constituée de molécules actives telles que des aminoalcools, des allyl alcools, de l'anhydride maléique, des sucres, des acides nucléiques, des peptides ou des protéines.

22. Sel de diazonium répondant à l'une des formules chimiques suivantes: NN F4B N=N F4B-

CH

N N CH2 0 C I C Br F4B O CH3 N=N F4B CH2 O C i H Br O CH3 N=N F4B CHI 0 C CH Br II 1 O CH3 N=N F4B

H-O-N

CH3 H3C CH3