FR2864272A1 - Circuit de pompe a charge a rendement elevee, a faible cout - Google Patents

Abstract

La présente invention se caractérise par l'utilisation de dispositifs MOS à canal P pour réaliser des commutateurs d'une pompe à charge à circuit intégré, tout en maintenant une chute de tension maximale (inférieure à VDD) sur chaque transistor. La pompe à charge comprend un condensateur de pompage connecté à un noeud de pompage, un premier dispositif MOS à canal P connecté à un noeud d'entrée, un second dispositif MOS à canal P connecté à un noeud de sortie, un troisième dispositif MOS à canal P communiquant électriquement avec le premier dispositif MOS à canal P et un condensateur auxiliaire connecté au premier dispositif MOS à canal P. Le premier dispositif MOS à canal P est configuré pour connecter le noeud de pompage au noeud d'entrée lorsque le condensateur de pompage n'est pas à une tension surélevée. Le second dispositif MOS à canal P est configuré pour transférer une charge électrique du noeud de pompage au noeud de sortie lorsque le condensateur de pompage n'est pas à une tension surélevée.

Description

CIRCUIT DE POMPE A CHARGE A RENDEMENT ELEVE,

A FAIBLE COUT

La présente invention concerne le domaine de la conception des circuits intégrés et, plus spécifiquement, le domaine des circuits de pompe à charge.

Les circuits de pompe à charge sont fréquemment utilisés dans les circuits intégrés semi-conducteurs pour fournir une tension supérieure à la tension d'une alimentation, souvent une batterie, ou une tension de polarité inverse. Ces circuits sont particulièrement utiles dans les mémoires rémanentes flash et EEPROM, mais sont de plus en plus utilisés dans les circuits analogiques de manière à augmenter la plage dynamique et à simplifier la conception des circuits. L'un des circuits de pompe à charge les plus populaires est la pompe à charge Dickson 10, représentée sur la figure 1, dans laquelle les circuits multi-étage à condensateur commuté sont montrés. Chaque étage est constitué d'un condensateur 12 et d'un transistor de type MOS à canal N 14 qui fonctionne comme une diode. Ces transistors ont leur partie de support ou leur substrat connecté à la terre, leur drain et leur grille connectés ensemble au condensateur d'étage et leur source connectée au condensateur de l'étage suivant. Deux horloges à phase inversée, non représentées, sont utilisées pour pomper la charge d'étage en étage. Le gain maximal par étage de la pompe à charge Dickson 10 est (VDD VT), où VT est la tension de seuil d'un dispositif MOS à canal N. Pour certaines applications, la pompe à charge Dickson 10 présente un certain nombre d'inconvénients. A titre d'exemple, le nombre d'étages pouvant être mis en cascade est limité par la quantité de l'accroissement de la chute de tension entre la source et la partie de support d'un dispositif MOS à canal N résultant en une augmentation de VT spectaculaire sur les derniers étages.

Un autre inconvénient significatif réside en ce que des transistors dédiés haute tension à oxyde secondaire sont nécessaires pour soutenir une importante chute de tension entre la grille et la partie de support de manière fiable. Ceci rend impossible la conception de pompes à charge de Dickson en utilisant des dispositifs standard basse tension à couche mince qui peuvent soutenir une chute maximale de VDD.

De nombreuses améliorations apportées à la structure de base de Dickson ont été réalisées pour surmonter la dégradation du gain due à la tension de seuil décrite précédemment. Parmi le nombre important de solutions proposées, la structure de pompe à charge à quatre phases décrite par Hongshin Lin et Nai-Hsein Chen dans le document New Four-Phase Generation Circuits for Low- Voltage Charge Pumps , publié dans Proc ISCAS' 2001, ressort comme une approche très efficace pour éviter la dégradation du gain due à la tension de seuil. A titre d'exemple, une tension de sortie de 9 V a été obtenue en utilisant une pompe à dix étages, en partant d'une alimentation de 1 V. Toutefois, cette approche n'est pas réalisable pour un procédé MOS à canal C traditionnel. Une autre solution impliquant de surmonter la dégradation du gain due à la tension de seuil en utilisant des transistors basse tension est décrite dans le brevet US n 5 874 850 délivré à Pulvirenti. Le brevet 850 utilise un schéma d'horloge à deux phases et des dispositifs MOS à canal N avec une technologie de puits triple. Les procédés 2864272 3 à puits triple nécessitent des étapes de masquage et d'attaque supplémentaires par rapport au procédé MOS à canal C traditionnel. Un objectif de l'invention est d'obtenir une pompe à charge à rendement élevé surmontant les inconvénients de l'art antérieur.

L'objectif précédent a été atteint avec une pompe à charge présentant un gain amélioré par étage obtenu en limitant l'influence de la tension de seuil et l'effet de corps. La présente invention se caractérise par l'utilisation de dispositifs MOS à canal P pour réaliser des commutateurs d'une pompe à charge à circuit intégré car des limitations des transistors MOS à canal N de l'art antérieur en raison de la chute de tension de seuil et de l'effet de corps ne sont pas présentes avec des commutateurs à canal P. En outre, la différence de tension entre tous les noeuds des dispositifs MOS à canal P n'excède jamais VDD sur la pompe à charge de la présente invention. De cette manière, l'oxyde secondaire de grille nécessaire pour les puits triples et les puits N n'est pas nécessaire, en général, sur la pompe à charge de la présente invention. Le gain par étage de la structure de pompe à charge de la présente invention est très proche de VDD et est limité uniquement par les parasites. Une structure de pompe à charge de la présente invention comporte un condensateur de pompage connecté à un noeud de pompage, un premier dispositif MOS à canal P connecté à un noeud d'entrée, un deuxième dispositif MOS à canal P connecté à un noeud de sortie, un troisième dispositif MOS à canal P communiquant électriquement avec le premier dispositif MOS à canal P et un condensateur auxiliaire connecté au premier dispositif MOS à canal P. Dans ce mode de réalisation, le premier dispositif MOS à canal P 2864272 4 communique électriquement avec le condensateur de couplage et est configuré pour connecter le noeud de pompage au noeud d'entrée lorsque le condensateur de pompage n'a pas sa tension surélevée. Le deuxième dispositif MOS à canal P communique électriquement avec le condensateur de pompage et est configuré pour transférer le courant électrique du noeud de pompage au noeud de sortie lorsque le condensateur de pompage a sa tension surélevée. Au même moment, le deuxième dispositif MOS à canal P est configuré pour éviter une contre-réaction de courant inverse du noeud de sortie au noeud de pompage lorsque le condensateur de pompage présente une tension surélevée. Le troisième dispositif MOS à canal P est configuré pour commuter une grille du premier dispositif MOS à canal P à un potentiel surélevé du noeud de pompage de façon à éviter la contre-réaction de courant du noeud de pompage au noeud d'entrée lorsque le condensateur de pompage est à une tension surélevée. Le condensateur auxiliaire est configuré pour générer un dépassement négatif sur la grille du premier dispositif MOS à canal P et pour commuter l'appareil à un état ACTIF lorsque le courant électrique est transféré du noeud d'entrée au noeud de pompage.

Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, l'étage de pompe à charge comprend une structure d'étage de pompe à charge symétrique comprenant, en outre, une première sous-structure et une deuxième sous-structure. Chaque sous-structure peut, en outre, comprendre une structure de pompe à charge décrite précédemment.

Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, l'appareil permettant de générer une tension d'alimentation en interne à l'intérieur d'un circuit 2864272 5 intégré comprend un étage de pompe à charge commandé indépendamment comportant un noeud de commande d'entrée, un condensateur de pompage connecté à un noeud de pompage, un premier dispositif MOS à canal P connecté au noeud de commande d'entrée, un deuxième dispositif MOS à canal P connecté à un noeud de commande de sortie, et un troisième dispositif MOS à canal P communiquant électriquement avec le premier dispositif MOS à canal P. Dans ce mode de réalisation, le premier dispositif MOS à canal P communique électriquement avec le condensateur de couplage et est configuré pour connecter le noeud de pompage au noeud de commande d'entrée lorsque le condensateur de pompage n'est pas à une tension surélevée. Le deuxième dispositif MOS à canal P communique électriquement avec le condensateur de pompage et est configuré pour transférer un courant électrique du noeud de pompage au noeud de commande de sortie lorsque le condensateur de pompage est à une tension surélevée. Le deuxième dispositif MOS à canal P est configuré pour éviter une contre-réaction de courant inverse du noeud de commande de sortie au noeud de pompage lorsque le condensateur de pompage n'est pas à une tension surélevée et le troisième dispositif MOS à canal P est configuré pour commuter une grille du premier dispositif MOS à canal P à un potentiel surélevé du noeud de pompage de manière à éviter la contre-réaction de courant inverse du noeud de pompage au noeud de commande d'entrée lorsque le condensateur de pompage présente une tension surélevée. Chaque sous-structure comprend, en outre, un condensateur auxiliaire connecté au premier dispositif MOS à canal P. Le condensateur auxiliaire est configuré pour générer un dépassement négatif sur la grille du premier dispositif MOS à canal P et est configuré pour commuter l'appareil à l'état ACTIF lorsqu'un courant électrique est transféré du noeud de commande d'entrée au noeud de pompage.

Dans un mode de réalisation supplémentaire de la présente invention, l'appareil de génération de tension d'alimentation interne dans un circuit intégré comprend une structure d'étage de pompe à charge symétrique commandée indépendamment, comportant une première sous- structure commandée indépendamment et une deuxième sous- structure commandée indépendamment. Chaque sous-structure commandée indépendamment comprend, en outre, une structure de pompe à charge décrite précédemment.

Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, un appareil de génération d'une tension d'alimentation interne dans un circuit intégré comprend une pluralité d'étages de pompe à charge symétriques en cascade connectés en série avec un premier étage de charge de pompe symétrique connecté à un noeud d'entrée, un dernier étage de charge de pompe symétrique connecté à un noeud de sortie et, de préférence, mais pas obligatoirement, au moins un étage de pompe symétrique intermédiaire, entre ceux-ci. Dans ce mode de réalisation, chaque étage de charge de pompe symétrique comprend, en outre, une première sous-structure et une deuxième sous- structure, chacune d'elle pouvant être une structure de pompe à charge telle que décrite précédemment.

Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, un appareil de génération d'une tension d'alimentation interne dans un circuit intégré comprend un étage de charge de pompe symétrique connecté à un noeud d'entrée, avec une pluralité d'étages de pompe à charge symétriques commandés indépendamment connectés en cascade en série. La pluralité d'étages de pompe à charge symétriques commandés indépendamment connectés en cascade en série comprend, en outre, un premier étage de charge de pompe symétrique commandé indépendamment connecté à l'étage de charge de pompe symétrique, un dernier étage de charge de pompe symétrique commandé indépendamment connecté à un n ud de sortie, et au moins un étage de charge de pompe symétrique commandé indépendamment entre ceux-ci. Chaque étage de charge de pompe symétrique commandé indépendamment comporte une première sous-structure commandée indépendamment et une deuxième sousstructure commandée indépendamment, qui peuvent chacune comprendre une structure de pompe de charge commandée indépendamment, décrite précédemment.

La figure 1 est un schéma de circuit simplifié d'une pompe à charge de Dickson de l'art antérieur.

La figure 2A est un schéma de circuit d'une pompe de charge à étage unique symétrique de la présente invention. La figure 2B est une représentation simplifiée de la pompe à charge à étage unique de la figure 2.

Les figures 3A à 3D sont des schémas de cadencement par horloge décrivant le fonctionnement de l'étage de la pompe à charge unique de la figure 2A lors d'une période.

La figure 4 est un schéma de circuit d'une structure de pompe à charge à N étages de la présente invention utilisant des étages de base en cascade de la figure 2B.

La figure 5A est un schéma de circuit d'une variante d'un mode de réalisation de la présente invention, à savoir un étage de pompe de charge unique commandé indépendamment.

La figure 5B est une représentation simplifiée de l'étage de pompe de charge unique commandé indépendamment de la figure 5A.

La figure 6 montre une structure de pompe à charge 5 multi-étage qui utilise un étage de pompe à charge unique, commandé indépendamment de la figure 5B.

En se référant à la figure 2A, la pompe à charge à étage unique symétrique 20 comprend 6 dispositifs MOS à canal P basse tension 22, 24, 26, 28, 30 et 32, deux condensateurs élévateurs de tension 34 et 35 et deux condensateurs auxiliaires 38 et 40. Chaque dispositif de pompe à charge symétrique 20 comprend deux sous-structures équivalentes, à savoir une première sous-structure de pompe à charge et une deuxième sous- structure de pompe à charge. La première sous-structure comporte 3 dispositifs MOS à canal P basse tension 23, 24 et 26, un condensateur élévateur de tension unique 34 et un condensateur auxiliaire unique 38; alors que la deuxième sous-structure comprend 3 dispositifs MOS à canal P basse tension 28, 30 et 32, un condensateur élévateur de tension unique 36 et un condensateur auxiliaire unique 40. La première sous-structure de la pompe à charge et la deuxième sous-structure de la pompe à charge peuvent être identiques.

En bref, en supposant qu'une tension d'entrée Vin est appliquée au n ud d'entrée 42, l'opération de base des composants de l'étage 20 de la pompe peut être décrite à l'aide d'une sous-structure de pompe à charge unique comme suit. Le condensateur élévateur de tension 34 de la première sousstructure ou le condensateur élévateur de tension 36 de la deuxième sousstructure est un condensateur de couplage de grande capacité utilisé pour 2864272 9 cette opération de pompage de charge de base. Soit le dispositif MOS à canal P 24 de la première sous-structure, soit le dispositif MOS à canal P 30 de la deuxième sous-structure est utilisé pour transférer la charge du noeud 48 de la première sous-structure (ou du noeud 50 de la deuxième sous-structure) au noeud de sortie 44 et pour éviter une contre-réaction de courant inverse du noeud de sortie 44 vers l'un ou l'autre des noeuds de pompage 48 et 50.

Le dispositif MOS à canal P 22 de la première sous-structure ou le dispositif MOS à canal P 28 de la deuxième sous-structure est utilisé pour connecter le dispositif de condensateur élévateur de tension 34 du noeud de pompage de la première sous-structure ou le condensateur élévateur de tension 36 de la deuxième sous-structure à la tension d'entrée Vin appliquée au noeud d'entrée 42 lorsque le condensateur élévateur de tension 34 de la première sous-structure ou le condensateur élévateur de tension 36 de la deuxième sous-structure n'est pas pompé. Le condensateur élévateur de tension 34 de la première sous-structure ou le condensateur élévateur de tension 36 de la deuxième sous-structure n'est pas pompé lorsque le potentiel de pompage de la première sous-structure ou le potentiel de pompage de la deuxième sous-structure est bas. La figure 2B simplifie la prise en compte des entrées et des sorties de la figure 2A.

En se référant de nouveau à la figure 2A, le dispositif MOS à canal P 26 de la première sous-structure ou le dispositif MOS à canal P 32 de la deuxième sous- structure est utilisé pour commuter la grille du dispositif MOS à canal P 22 de la première sous-structure ou le dispositif MOS à canal P 28 de la deuxième sous- structure au potentiel de noeud de pompe à tension surélevée (en connectant les noeuds de pompage 40 ou 50 à la grille des dispositifs MOS à canal P 22 ou 28) afin d'éviter une contre-réaction de courant inverse vers l'entrée lorsque le condensateur élévateur de tension 34 de la première sous-structure ou le condensateur élévateur de tension 36 de la deuxième sous-structure est à une tension surélevée. Le condensateur auxiliaire de faible capacité 38 du condensateur auxiliaire de faible capacité de la première sous-structure 40 de la deuxième sous-structure est utilisé pour générer un dépassement négatif sur la grille du dispositif MOS à canal P 22 de la première sous-structure ou du dispositif MOS à canal P 28 de la deuxième sous-structure et pour passer ce dispositif à l'état ACTIF lorsque la charge est transférée du noeud d'entrée 42 au noeud 48 de la première sous-structure ou au noeud 50 de la deuxième sous- structure.

En régime stable, le potentiel de noeud de pompage net au noeud de pompage net 48 de la première sous-structure 20 varie dans la plage suivante: Noeud de pompage net V Ç [Vin; Vin + Crl*VDD] ; (Eq.l) Où Cri- 1/(1 + Cparl/Cpumpl), Vin est la tension d'entrée et Cpumpl est la capacité du condensateur 25 élévateur de tension 34.

En général, Cparl est la capacité parasite totale au noeud 48, due aux dispositifs 22, 24 26 et 30 des première et deuxième sous-structures ainsi qu'à l'acheminement net.

Toutefois, en supposant que Cpumpl Cparl, Crl est très proche de 1. Ce qui résulte en la plage de variation approximative suivante, pour le potentiel de noeud de 2864272 11 pompage net au noeud de pompage net 48 de la première sous-structure: Noeud de pompage net V Ç [Vin; Vin + VDD]. (Eq.2) Dans cette approximation, la capacité parasite au noeud 48 est si petite qu'elle peut être négligée.

En se référant toujours à la figure 2A, le potentiel au noeud auxiliaire 52 de la première sous-structure ou le potentiel au noeud auxiliaire 54 de la deuxième sous-structure commute à Vin + VDD lors de la période de pompage du premier noeud de pompage net 48 de la première sous-structure ou lors de la période de pompage du deuxième noeud de pompage 50 de la deuxième sous-structure, du fait que lors de la période de pompage du premier noeud de pompage net 48 de la première sous-structure, ou lors de la période de pompage du deuxième noeud de pompage net 50 de la deuxième sous-structure, le dispositif MOS à canal P 26 de la première sousstructure est à l'état CONDUCTEUR ou du fait que le dispositif MOS à CANAL P 32 de la deuxième sous-structure est à l'état CONDUCTEUR.

A la fin de l'opération de pompage, le potentiel 01 au noeud 46 de la première sous-structure ou le potentiel 02 au noeud 47 de la deuxième sous-structure passe au niveau bas et le potentiel au noeud 48 de la première sous-structure ou le potentiel au noeud 50 de la deuxième sousstructure ainsi que le potentiel au noeud 52 de la première sousstructure ou le potentiel au noeud 40 de la deuxième sous-structure baisse au potentiel d'entrée Vin. A ce moment, le potentiel 01aux au niveau du condensateur auxiliaire 38 de la première sous-structure ou le potentiel 02aux au niveau du condensateur auxiliaire 40 de la deuxième sous-structure commute au niveau bas pour amener le deuxième noeud auxiliaire netauxl (netaux2) au- 2864272 12 dessous du potentiel d'entrée Vin, rendant ainsi le dispositif 22 de la première sous-structure CONDUCTEUR ou rendant le dispositif 28 de la deuxième sous-structure CONDUCTEUR.

Le potentiel Vlow au noeud netauxl 52 de la première sous-structure lors du dépassement négatif est égal à : Vlow = Vin - Cr2*VDD; (Eq.3) Où Cr2 = 1/ (l+Cpar2/Cauxl) et Cpar2 est la capacité parasite totale au noeud netauxl 52 du fait du dispositif 22 et du dispositif 26.

La condition suivante doit également être satisfaite pour atteindre une fonctionnalité correcte de l'étage de pompe à charge 20 de la figure 2A: Cr2*VDD >Vt; (Eq.4) Où Vt est la tension de seuil du dispositif P. En se référant aux figures 3A à 3D, les schémas de cadencement par horloge montrés fournissent une description du fonctionnement de l'étage de pompe à charge unique 20 de la figure 2A lors d'une période, basée sur le fonctionnement des première et deuxième sous-structures de l'étage de pompe unique 20 de la figure 2A. Les conditions initiales suivantes sont présupposées: I>1 (100 sur la figure 3A) est au niveau bas, (Maux (102 sur la figure 3B) est au niveau bas, 42 (104 sur la figure 3C) est au niveau haut, et 02aux (106 sur la figure 3D) est au niveau haut. En conséquence, les potentiels initiaux au noeud netpump2 50, netaux2 54, netpumpl 48, et netauxl 52 sont comme suit (en supposant que Cri = 1 pour plus de simplicité) . Vnetpump2 = Vnetaux2 = Vin + VDD; (Eq 5) Vnetpumpl = Vin; (Eq 6) Vnetauxl = Vlow; (Eq.7) Après que le potentiel (Maux commute sur VDD (102 sur la figure 3B) le potentiel au noeud netauxl 52 s'élève de Vlow à Vin du fait de la tension sur le condensateur de couplage 38. Ensuite, le potentiel 41 (100 sur la figure 3A) commute à VDD, le potentiel au noeud 48 s'élève jusqu'à Vin + VDD, ainsi que le potentiel au noeud 52 qui est connecté au noeud 48 par le dispositif 20. A la phase suivante, le potentiel 432 passe au niveau bas (104 sur la figure 3C), commutant le potentiel au noeud 50 sur Vin et commutant le potentiel au noeud 54 sur Vin via le dispositif 32. A ce moment-là, le potentiel au noeud 50 est au niveau bas et est égal à Vin. En conséquence, le dispositif 24 devient conducteur et le transfert de charge du noeud de pompage net 48 au noeud de sortie 44 a lieu. Toutefois, du fait que le dispositif 22 et le dispositif 30 ont des potentiels de grille égaux à Vin + VDD, ils sont à l'état BLOQUE et il n'existe aucun transfert de charge inverse.

Lors de la dernière phase de la même période, (taux (106 sur la figure 3D) passe au niveau bas de manière à commuter le potentiel au noeud netaux2 54 sur Vlow. En conséquence, le dispositif 28 devient conducteur et transfère la charge du noeud d'entrée 42 au noeud 50 qui devient le noeud pompé suivant.

En conséquence, pour simplifier la description, lors de la première moitié de la période, la charge est transférée du noeud 48 au noeud de sortie 44 et du noeud d'entrée 42 au noeud 50. Lorsque ce transfert de charge est terminé, la deuxième moitié symétrique de la période 2864272 14 commence par une commutation du potentiel (taux (106 sur la figure 3D) à l'état haut de manière à faire passer le potentiel du noeud 54 de Vlow à Vin.

Ensuite, le potentiel 02 (104 sur la figure 3C) passe au niveau haut pour élever la tension du potentiel au n ud 50 et élever la tension du potentiel au noeud 54 à Vin + VDD. Ceci est suivi par le passage au niveau bas du potentiel I1 (100 sur la figure 3A) pour passer le dispositif 30 à l'état CONDUCTEUR pour commencer le transfert de charge du noeud 50 au noeud de sortie 44.

Enfin, la dernière phase comprend la commutation du potentiel (taux (102 sur la figure 3B) au niveau bas, de manière à passer le dispositif 22 à l'état CONDUCTEUR. Pendant cette deuxième moitié de période, la charge passe maintenant du noeud d'entrée 42 au noeud pompé suivant 48 et du noeud pompé 50 au noeud de sortie 44. Une caractéristique très importante de la structure de pompe à charge de la présente invention réside en ce que la chute de tension entre les quatre noeuds de chaque dispositif n'excède pas VDD lors de l'opération de pompage. En outre, la partie de support des dispositifs MOS à canal P est toujours à un potentiel supérieur.

En se référant à la figure 4, une structure de pompe à charge à N-étages 70 est montrée, dans laquelle N est un nombre entier qui peut être obtenu en mettant les étages de base 60 de la figure 2B en cascade. Le gain par étage est limité uniquement par la capacité parasite, et peut être rendu très proche de VDD. En supposant une pompe à charge à N étages avec Vin à l'entrée et qu'aucun courant n'est tiré à la sortie, la tension de sortie maximale est la suivante VoutMAX = Vin + N * Crl * VDD (Eq.8)

EXEMPLE 1

Une tension de sortie de 10,6 Volts peut être obtenue en utilisant 10 étages d'une structure de pompe à charge de la présente invention qui emploie des dispositifs de 0,18 m avec une alimentation de 1 volt. Ceci représente 96 % du gain moyen de VDD par étage pour une structure à 10 étages.

Un autre aspect de la présente invention est dirigé vers un étage de pompe à charge unique commandé indépendamment 110 comme illustré sur la figure 5A et, sous forme simplifiée, sur la figure 5B. La seule différence entre l'étage de pompe à charge unique commandé indépendamment 110 de la présente invention comme illustré sur la figure 5A et l'étage de pompe à charge unique 20 de la présente invention tel que décrit sur la figure 2A réside en ce que le dispositif 112 et le dispositif 114 de la figure 5A peuvent être commandés indépendamment en utilisant les lignes de commande Ctrlinl 116 et Ctrlin2 118 comme signaux d'entrée.

La figure 6 est une structure de pompe à charge 160 qui utilise l'étage de base 150 de la figure 5B. Le premier étage 162 est identique à l'étage de base 60 de la figure 2B du fait que les signaux de commande d'entrée Ctrlinl 164 et Ctrlin2 166 sont connectés à la tension d'entrée Vin 168. En conséquence, le premier étage 162 ne peut être commandé indépendamment. Toutefois, chaque étage de pompe à charge suivant 170, 172, 174, etc, peut être commandé indépendamment. En effet, à titre d'exemple, l'étage de pompe à charge 170 peut être commandé indépendamment du fait que les signaux de commande d'entrée Ctrlinl 173 et Ctrlin2 175 pour l'étage 170 sont connectés aux signaux de sortie Ctrloutl 163 et Ctrlout2 165 de l'étage précédent 162, qui peuvent être rendus indépendants les uns des autres.

En se référant toujours à la figure 5A, pendant l'opération de pompage sur le noeud 120, la différence de tension entre le drain et la grille du dispositif 112 est de 2VDD, alors que la différence de tension entre le drain et la grille du dispositif 26 de la figure 2A est de VDD.

Lorsque le n ud 120 n'est pas pompé, la différence de tension entre le drain et la grille du dispositif 112 est la même que la différence de tension entre le drain et la grille du dispositif 26 de la figure 2A.

De façon similaire, lors de l'opération de pompage sur le noeud 122, la différence de tension entre le drain et la grille du dispositif 114 est de 2VDD, au lieu de la différence de tension de VDD entre le drain et la grille du dispositif 32 de la figure 2A. Lorsque le n ud 122 n'est pas pompé, la différence de tension entre le drain et la grille du dispositif 114 est la même que la différence de tension entre le drain et la grille du dispositif 32 de la figure 2A. Un effet symétrique est observé sur le n ud 120 impliquant le dispositif 112.

La structure de pompe à charge 110 de la figure 5A est parfaitement fonctionnelle et présente le même niveau de performance que la structure de pompe à charge 20 de la figure 2A. Toutefois, du fait que la différence de tension maximale pour le dispositif 112 et le dispositif 114 entre leurs drains et leurs grilles lors de l'opération de pompage est de 2VDD, l'étage de la pompe à charge 110 de la figure 5A ne peut être mis en uvre en utilisant des dispositifs MOS à canal P à couche mince basse tension. Au lieu de cela, l'étage de pompe à charge 110 de la figure 5A est mis en oeuvre en utilisant des dispositifs MOS à canal P avec un oxyde secondaire pour le dispositif 112 et le dispositif 114, alors que des dispositifs MOS à canal P à couche mince peuvent être utilisés pour le reste de l'étage de pompage. En comparaison, l'étage de pompe à charge 20 de la figure 2A peut être mis en oeuvre en utilisant uniquement des dispositifs MOS à canal P à couche mince.

Il existe plusieurs avantages principaux à l'utilisation des structures de pompe à charge de la présente invention décrites sur les figures 2A et 5A.

Plus spécifiquement, les deux structures 20 (sur la figure 2A) et 110 (sur la figure 5A) de la présente invention bénéficient du gain optimal parétage du fait qu'elles ne subissent pas de dégradation du fait de la tension de seuil. En effet, le gain par étage est limité uniquement par les parasites. Les deux structures 20 (sur la figure 2A) et 110 (sur la figure 5A) de la présente invention conviennent parfaitement pour l'opération basse tension. En outre, l'étage de pompe à charge de la figure 2A est compatible avec les applications CMOS standards et peut être réalisé avec des procédés MOS à canal P à couche mince.

Claims (6)

REVENDICATIONS

1. Appareil de génération d'une tension d'alimentation interne dans un circuit intégré caractérisé en ce qu'il comprend: une pluralité d'étages de pompe à charge symétrique connectés en cascade en série possédant: un premier étage de charge de pompe symétrique, connecté à un noeud d'entrée; et un dernier étage de charge de pompe symétrique 10 connecté à un noeud de sortie.

2. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend, en outre: au moins un étage de charge de pompe symétrique 15 intermédiaire entre ceux-ci.

3. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacun desdits étages de charge de pompe symétrique comprend, en outre, une première sous-structure et une seconde sous-structure, chacune desdites sous-structures comprenant, en outre: un condensateur de pompage connecté à un noeud de pompage; un premier dispositif MOS à canal P connecté à un noeud d'entrée, ledit premier dispositif MOS à canal P étant configuré pour communiquer électriquement avec ledit condensateur de couplage, dans lequel ledit premier dispositif MOS à canal P est configuré pour connecter ledit noeud de pompage audit noeud d'entrée lorsque le condensateur de pompage n'est pas à une tension surélevée; un second dispositif MOS à canal P connecté à un noeud de sortie, ledit second dispositif MOS à canal P étant configuré pour communiquer électriquement avec ledit condensateur de pompage, ledit second dispositif MOS à canal P étant configuré pour transférer une charge électrique dudit noeud de pompage audit noeud de sortie lorsque ledit condensateur de pompage présente une tension surélevée, ledit second dispositif MOS à canal P étant configuré pour éviter une contre-réaction du courant inverse dudit noeud de sortie audit noeud de pompage lorsque ledit condensateur de pompage n'est pas à une tension surélevée; et un troisième dispositif MOS à canal P configuré pour communiquer électriquement avec ledit premier dispositif MOS à canal P, dans lequel ledit troisième dispositif MOS à canal P est configuré pour connecter ledit noeud de pompage à une grille dudit second dispositif pour éviter une contre-réaction de courant inverse dudit noeud de pompage audit noeud d'entrée lorsque le condensateur de pompage est à une tension surélevée.

4. Appareil de génération d'une tension d'alimentation interne dans un circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend: un étage de charge de pompe symétrique connecté à un noeud d'entrée; et une pluralité d'étages de pompe à charge symétrique commandés indépendamment connectés en cascade en série comprenant: un premier étage de charge de pompe symétrique commandé indépendamment connecté audit étage de charge de pompe symétrique, et un dernier étage de charge de pompe symétrique commandé indépendamment connecté à un noeud de sortie.

5. Appareil selon la revendication 4, caractérisé en ce 5 qu'il comprend, en outre: au moins un étage de charge de pompe symétrique commandé indépendamment intermédiaire entre ceux-ci.

6. Appareil selon la revendication 4, caractérisé en ce que chacun desdits étages de pompe à charge symétrique commandé indépendamment comprend, en outre, une première sous-structure commandée indépendamment et une seconde sous-structure commandée indépendamment, chacune desdites sous-structures commandées indépendamment comportant: un noeud de commande d'entrée; un condensateur de pompage connecté à un noeud de pompage; un premier dispositif MOS à canal P connecté audit premier noeud de commande d'entrée, ledit premier dispositif MOS à canal P étant configuré pour communiquer électriquement avec ledit condensateur de couplage, dans lequel ledit premier dispositif MOS à canal P est configuré pour connecter ledit noeud de pompage audit noeud de commande d'entrée lorsque ledit condensateur de pompage n'est pas à une tension surélevée; un second dispositif MOS à canal P connecté à un noeud de commande de sortie, ledit second dispositif MOS à canal P étant configuré pour communiquer électriquement avec ledit condensateur de pompage, ledit second dispositif MOS à canal P étant configuré pour transférer le courant électrique dudit noeud de pompage audit noeud de commande de sortie lorsque ledit condensateur de pompage est à une tension surélevée, ledit second dispositif MOS à canal P étant configuré pour éviter une contre- réaction de courant inverse dudit noeud de commande de sortie audit noeud de pompage lorsque ledit condensateur de pompage n'est pas à une tension surélevée; et un troisième dispositif MOS à canal P configuré pour communiquer électriquement avec ledit premier dispositif MOS à canal P, dans lequel ledit troisième dispositif MOS à canal P est configuré pour connecter ledit noeud de pompage à une grille dudit second dispositif pour éviter une contre-réaction de courant inverse dudit noeud de pompage audit noeud de commande d'entrée lorsque ledit condensateur de pompage est à une tension surélevée.