FR2860342A1 - Circuit integre a dispositif formant capteur de rayonnement - Google Patents
Circuit integre a dispositif formant capteur de rayonnement Download PDFInfo
- Publication number
- FR2860342A1 FR2860342A1 FR0409389A FR0409389A FR2860342A1 FR 2860342 A1 FR2860342 A1 FR 2860342A1 FR 0409389 A FR0409389 A FR 0409389A FR 0409389 A FR0409389 A FR 0409389A FR 2860342 A1 FR2860342 A1 FR 2860342A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- radiation
- circuit
- integrated circuit
- sensitive
- circuit unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/57—Protection from inspection, reverse engineering or tampering
- H01L23/576—Protection from inspection, reverse engineering or tampering using active circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/026—Semiconductor dose-rate meters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/245—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors using memory cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Ce circuit intégré est caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif (3) formant capteur de rayonnement et une unité (4) de circuit ayant une fonctionnalité déterminée à l'avance, le dispositif (3) formant capteur de rayonnement ayant au moins un élément sensible au rayonnement qui a au moins une propriété de circuit qui se modifie de manière irréversible lorsqu'une zone de rayonnement a dépassé une valeur déterminée à l'avance.
Description
Circuit intégré à dispositif formant capteur de rayonnement
Dans des circuits électroniques, surtout dans des circuits dans lesquels sont mémorisées des informations dont il faut protéger l'accès, se pose le problème de l'obligation de protéger le circuit vis-à-vis d'une analyse qui n'est pas autorisée, notamment vis-à-vis d'un espionnage des données mémorisées. Une façon de faire de ce genre s'effectue dans bien des cas par un procédé à faisceau d'ions, ce que l'on appelle le procédé FIB (focused ion beam). Une mesure pour protéger des circuits électriques d'une analyse de ce genre ou d'une manipulation de ce genre est décrite au DE 101 11 027. une cellule de mémoire à protéger y est reliée à une antenne par laquelle la cellule de mémoire est déchargée lors d'une attaque de ce genre. Un inconvénient est que la reprogrammation est réversible et ne peut plus apparaître après un retour de ce genre ou que des contenus de mémoire sont modifiés dans le sens de l'agresseur.
Une autre possibilité d'effectuer une attaque de circuit électronique dont les contenus doivent être protégés consiste par exemple à modifier par du rayonnement radioactif, par exemple par du rayonnement alpha, le fonctionnement du circuit ou les contenus des mémoires. Des attaques de ce genre sont efficaces même si le circuit électronique n'est pas en fonctionnement et peuvent faire que l'on provoque d'une manière délibérée un comportement défectueux du circuit électronique.
L'invention vise donc à rendre décelable, au moins lors de la première remise en fonctionnement d'un circuit électronique, qu'il a été soumis par exemple à un rayonnement radioactif qui a dépassé une dose donnée à l'avance.
On y parvient par un circuit intégré caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif formant capteur de rayonnement et une unité de circuit ayant une fonctionnalité déterminée à l'avance, le dispositif formant capteur de rayonnement ayant au moins un élément sensible au rayonnement qui a au moins une propriété de circuit, qui se modifie de manière irréversible lorsqu'une dose de rayonnement a dépassé une valeur déterminée à l'avance. Par le fait que le circuit intégré est muni d'un dispositif formant capteur de rayonnement et que certains éléments du circuit sont reliés en une unité de circuit qui détermine la fonctionnalité du circuit intégré, l'élément de circuit sensible au rayonnement comportant au moins une propriété de circuit qui se modifie de façon irréversible lorsqu'une dose de rayonnement déterminée à l'avance est dépassée, on peut constater sans ambiguïté que le circuit imprimé a été exposé à un rayonnement de ce genre.
En prévoyant un dispositif de contrôle de la propriété de circuit et la liaison du dispositif de contrôle au dispositif de circuit, il est possible après la constatation du dépassement de la dose de rayonnement déterminée à l'avance, de modifier la fonctionnalité de l'unité de circuit. Celle-ci peut être par exemple une remise à l'état initial ou une mise hors circuit de l'unité de circuit, que ce soit dans toute sa fonctionnalité ou dans une fonctionnalité partielle. II est également possible d'émettre un certain signal ou de le mémoriser. Comme élément sensible au rayonnement on préfère par exemple une diode ou un transistor.
De préférence le dispositif de contrôle est relié à l'unité de circuit de façon à déterminer, lorsqu'il est reconnu une modification de la propriété de circuit de l'élément sensible au rayonnement, la fonctionnalité de l'unité de circuit.
Aux dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemple: la figure 1 représente le circuit intégré suivant un schéma fonctionnel et la figure 2 représente la connexion de principe d'un élément sensible au rayonnement.
II est représenté à la figure 1 un circuit 1 intégré qui a une unité 4 de circuit. Cette unité de circuit comprend plusieurs éléments du circuit, qui déterminent la fonctionnalité de cette unité de circuit. Ces éléments de circuit peut être par exemple un microcontrôleur, une mémoire RAM, une mémoire ROM et d'autres éléments périphériques qui permettent le fonctionnement pour obtenir au total la fonctionnalité souhaitée. La fonctionnalité réelle et sa réalisation en technique de circuit n'est pas indiquée davantage en détails parce qu'elle n'est pas déterminante pour l'invention. A proximité de l'unité 4 de circuit est prévu un élément 3 sensible au rayonnement, qui est relié à son tour à une unité 2 de contrôle. Un deuxième élément 3 sensible au rayonnement facultatif est représenté.
La figure 2 représente un exemple de réalisation simple suivant une représentation de principe d'un élément sensible au rayonnement. II y est prévu une diode 31 qui est reliée dans le sens bloquant d'une part à un potentiel VCC de tension de fonctionnement et d'autre part par une résistance 32 à un potentiel GND de masse. Au noeud de liaison entre la diode 31 et la résistance 32 est raccordée une entrée du comparateur ou d'une unité 34 de comparaison. Une deuxième entrée de comparateur 34 est reliée à une source 33 de tension de référence.
Dans le cas normal la diode est polarisée dans le sens bloquant.
Il n'y passe ainsi pas de courant ou seulement le courant de blocage prévu suivant sa spécification. Ce courant de blocage donne une chute de tension minimum aux bornes de la résistance 32. Cette chute 32 de tension est en conséquence comparée dans le comparateur 34 à la tension Uref de référence qui est donnée par la source 33 de tension de référence. Or il est maintenant prévu que, dans le cas normal, par exemple la chute de tension aux bornes de la résistance 32 corresponde à la tension Uref de référence. Le comparateur indique alors un signal déterminé à l'avance à la sortie OUT suivant que la chute de tension aux bornes de la résistance 32 dépasse ou non une valeur déterminée à l'avance par rapport à la tension de référence.
A partir d'un certain rayonnement radioactif les propriétés d'une diode de ce genre se modifient en sorte qu'elle n'a plus de propriétés de blocage ou que le courant de blocage augmente significativement. Cela peut se remarquer immédiatement par une grande chute de tension aux bornes de la résistance 32 dès que le circuit entre en fonctionnement. Le comparateur émet en conséquence dans ce cas un signal de sortie correspondant sur la sortie OUT.
Rapporté à la figure 1 cela signifierait que le comparateur 34 est prévu à la figure 1 à la sortie de l'élément sensible au rayonnement et est relié à l'unité 2 de contrôle. Celle-ci constate à nouveau que le comparateur 34 émet un signal de sortie qui est à interpréter comme le fait qu'un rayonnement radioactif a agi sur le circuit, ce rayonnement ayant dépassé une dose déterminée à l'avance. Dans l'exemple de réalisation de la figure 1, le dispositif 2 de contrôle envoie alors un signal de contrôle à l'unité 4 de circuit.
Cela peut signifier que l'unité 4 de circuit est débranchée, qu'une fonctionnalité correspondante est interrompue ou qu'il s'effectue par exemple un retour à l'état initial de tous les contenus de mémoire.
Comme il est éventuellement possible d'effectuer des manipulations d'un circuit intégré au moyen d'un rayonnement radioactif et de protéger ainsi l'élément 3 sensible au rayonnement du rayonnement par une couverture appropriée, un perfectionnement avantageux prévoit qu'il y ait au moins un autre élément 3a sensible au rayonnement. Dans ce cas comme dans toutes les mesures de sécurité, il faut faire le départ entre le coût et l'utilité. II est d'autant plus difficile de recouvrir tous les éléments sensibles au rayonnement et d'effectuer simultanément au moyen du rayonnement la manipulation souhaitée ou d'effectuer la manipulation sans que celle-ci soit détectée au moins par l'un des éléments sensibles au rayonnement qu'il y a plus d'éléments sensibles au rayonnement sur le circuit intégré. D'autre part un grand nombre d'éléments sensibles au rayonnement de ce genre présentent l'inconvénient qu'ils prennent de la place, alors que le circuit représenté à la figure 2 ne prend que très peu de place.
Au lieu de la diode représentée à la figure 2, on pourrait prévoir aussi un transistor ayant une connexion adéquate. En outre, la modification de la propriété électrique d'une résistance en polysilicium pourrait être exploitée.
Il est avantageux en tout cas, que par l'élément sensible au rayonnement décrit l'exposition à un rayonnement est détectée même si pendant le rayonnement le circuit intégré est mis hors circuit. Dès que le circuit intégré est remis en fonctionnement, la reconnaissance de l'exposition à un rayonnement s'effectue immédiatement et peut être ainsi mise à profit pour mettre l'unité de circuit dans un état sûr déterminé à l'avance.
Enumération des signes de référence 1 Circuit intégré 2 Dispositif de contrôle 3 Elément sensible au rayonnement 4 Unité de circuit 31 Diode 32 Résistance 33 Source de tension de référence 34 Unité de comparaison
Claims (9)
1. Circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif (3) formant capteur de rayonnement et une unité (4) de circuit ayant une fonctionnalité déterminée à l'avance, caractérisé en ce que le dispositif (3) formant capteur de rayonnement a au moins un élément sensible au rayonnement, lequel a au moins une propriété de circuit qui se modifie de manière irréversible lorsqu'une zone de rayonnement a dépassé une valeur déterminée à l'avance.
2. Circuit intégré suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la propriété de circuit est contrôlée par un dispositif (2) de contrôle.
3. Circuit intégré suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le dispositif (2) de contrôle est relié à l'unité de circuit de façon à déterminer, lorsqu'il est reconnu une modification de la propriété de circuit de l'élément (31) sensible au rayonnement, la fonctionnalité de l'unité de circuit.
4. Circuit intégré suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la modification de la fonctionnalité est une mise hors circuit de l'unité (4) de circuit.
5. Circuit intégré suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la modification de fonctionnalité est une remise à un état déterminé à l'avance de l'unité de circuit.
6. Circuit intégré suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'élément de circuit sensible au rayonnement est une diode (31).
7. Circuit intégré suivant l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'élément de circuit sensible au rayonnement est un transistor.
8. Circuit intégré suivant l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'élément de circuit sensible au rayonnement est une résistance en polysilicium.
9. Circuit intégré suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'unité (4) de circuit comprend au moins un élément choisi parmi un microcontrôleur, une RAM et une ROM.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10345240A DE10345240A1 (de) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | Integrierte Schaltung mit Strahlungssensoranordnung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2860342A1 true FR2860342A1 (fr) | 2005-04-01 |
FR2860342B1 FR2860342B1 (fr) | 2007-11-09 |
Family
ID=34306139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0409389A Expired - Fee Related FR2860342B1 (fr) | 2003-09-29 | 2004-09-06 | Circuit integre a dispositif formant capteur de rayonnement |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7180071B2 (fr) |
DE (1) | DE10345240A1 (fr) |
FR (1) | FR2860342B1 (fr) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004015546B4 (de) * | 2004-03-30 | 2011-05-12 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip mit integrierter Schaltung und Verfahren zum Sichern einer integrierten Halbleiterschaltung |
US7994622B2 (en) * | 2007-04-16 | 2011-08-09 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages having cavities for receiving microelectric elements |
DE102007058003B4 (de) * | 2007-12-03 | 2019-12-05 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement, Sensorelement, Verwendung eines Halbleiterbauelements sowie Verfahren zur Abwehr von Lichtangriffen |
DE102010045328A1 (de) | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Giesecke & Devrient Gmbh | Portabler Datenträger |
US9690578B2 (en) | 2013-02-20 | 2017-06-27 | Intel Corporation | High dose radiation detector |
DE102013112552B4 (de) * | 2013-11-14 | 2017-05-24 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Sichern einer Schaltungsanordnung gegen wiederholte Lichtangriffe |
US9672880B2 (en) | 2014-06-16 | 2017-06-06 | Honeywell International Inc. | Radiation upset detection |
US20170038425A1 (en) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | Fisher Controls International Llc | Apparatus and methods to detect semiconductor device degradation due to radiation exposure |
US11316210B2 (en) | 2018-11-21 | 2022-04-26 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Control unit for a battery module or system |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910707A (en) * | 1984-09-27 | 1990-03-20 | Siemens Aktiengesellschaft | EEPROM with protective circuit |
EP0417447A2 (fr) * | 1989-09-12 | 1991-03-20 | International Business Machines Corporation | Protection de données par détection d'intrusions dans des ensembles électroniques |
EP0510434A2 (fr) * | 1991-04-26 | 1992-10-28 | Hughes Aircraft Company | Dispositif et procédé pour empêcher l'analyse d'un circuit sécurisé |
EP1128248A1 (fr) * | 2000-02-21 | 2001-08-29 | Infineon Technologies AG | Puce à semi-conducteur comportant un élément photosensible |
DE10101281C1 (de) * | 2001-01-12 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Schutzschaltung gegen die Möglichkeit des Ausspionierens von Daten bzw. Informationen |
US20020130248A1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-09-19 | Ernst Bretschneider | Circuit arrangement and method of protecting at least a chip arrangement from manipulation and/or abuse |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2617979B1 (fr) * | 1987-07-10 | 1989-11-10 | Thomson Semiconducteurs | Dispositif de detection de la depassivation d'un circuit integre |
US5485011A (en) * | 1994-01-28 | 1996-01-16 | Larry C. Y. Lee | Two-sided integrated-circuit PIR sensor package |
GB2289983B (en) * | 1994-06-01 | 1996-10-16 | Simage Oy | Imaging devices,systems and methods |
US5753920A (en) * | 1995-07-26 | 1998-05-19 | California Institute Of Technology | Integrated charge monitor |
DE19601390C2 (de) * | 1996-01-16 | 1998-07-16 | Siemens Ag | Mikrochip |
US5861652A (en) * | 1996-03-28 | 1999-01-19 | Symbios, Inc. | Method and apparatus for protecting functions imbedded within an integrated circuit from reverse engineering |
US6414318B1 (en) * | 1998-11-06 | 2002-07-02 | Bridge Semiconductor Corporation | Electronic circuit |
WO2001054057A1 (fr) * | 2000-01-19 | 2001-07-26 | Infineon Technologies Ag | Circuit de protection integre |
ATE350766T1 (de) * | 2000-08-21 | 2007-01-15 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zum schutz einer integrierten schaltung |
DE10044837C1 (de) * | 2000-09-11 | 2001-09-13 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Detektieren eines unerwünschten Angriffs auf eine integrierte Schaltung |
DE10101330A1 (de) * | 2001-01-13 | 2002-07-18 | Philips Corp Intellectual Pty | Elektrische oder elektronische Schaltungsanordnung und Verfahren zum Schützen der selben von Manipulation und/oder Missbrauch |
DE10111027C1 (de) | 2001-03-07 | 2002-08-08 | Infineon Technologies Ag | Schaltung für FIB-Sensor |
DE10140045B4 (de) * | 2001-08-16 | 2006-05-04 | Infineon Technologies Ag | IC-Chip mit Schutzstruktur |
DE10155802B4 (de) * | 2001-11-14 | 2006-03-02 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip mit FIB-Schutz |
DE10360998B4 (de) * | 2003-12-23 | 2008-09-04 | Infineon Technologies Ag | Schutz von Chips gegen Attacken |
-
2003
- 2003-09-29 DE DE10345240A patent/DE10345240A1/de not_active Ceased
-
2004
- 2004-09-06 FR FR0409389A patent/FR2860342B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-28 US US10/952,240 patent/US7180071B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910707A (en) * | 1984-09-27 | 1990-03-20 | Siemens Aktiengesellschaft | EEPROM with protective circuit |
EP0417447A2 (fr) * | 1989-09-12 | 1991-03-20 | International Business Machines Corporation | Protection de données par détection d'intrusions dans des ensembles électroniques |
EP0510434A2 (fr) * | 1991-04-26 | 1992-10-28 | Hughes Aircraft Company | Dispositif et procédé pour empêcher l'analyse d'un circuit sécurisé |
EP1128248A1 (fr) * | 2000-02-21 | 2001-08-29 | Infineon Technologies AG | Puce à semi-conducteur comportant un élément photosensible |
DE10101281C1 (de) * | 2001-01-12 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Schutzschaltung gegen die Möglichkeit des Ausspionierens von Daten bzw. Informationen |
US20020130248A1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-09-19 | Ernst Bretschneider | Circuit arrangement and method of protecting at least a chip arrangement from manipulation and/or abuse |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7180071B2 (en) | 2007-02-20 |
FR2860342B1 (fr) | 2007-11-09 |
DE10345240A1 (de) | 2005-05-04 |
US20050067587A1 (en) | 2005-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Helfmeier et al. | Breaking and entering through the silicon | |
EP1062633B1 (fr) | Dispositifs pour masquer les operations effectuees dans une carte a microprocesseur | |
EP2162846B1 (fr) | Cryptoprocesseur a protection de donnees amelioree | |
FR2668274A1 (fr) | Circuit integre a securite d'acces amelioree. | |
FR2697673A1 (fr) | Circuit à fusible, pour circuit intégré. | |
FR2667169A1 (fr) | Circuit de production de haute tension pour un circuit de memoire a semiconducteur. | |
EP2164031A1 (fr) | Procédé et dispositif de protection d'un microcircuit contre des attaques | |
EP1293856A1 (fr) | Circuit Intégré sécurisé comprenant des parties à caractère confidentiel, et procédé pour sa mise en action | |
FR2860342A1 (fr) | Circuit integre a dispositif formant capteur de rayonnement | |
US20100301896A1 (en) | Phase-change memory security device | |
EP2285038B1 (fr) | Surveillance de l'activité d'un circuit électronique | |
EP1922733B1 (fr) | Cellule memoire volatile remanente | |
EP3264460B1 (fr) | Procédé de protection d'un circuit intégré, et circuit intégré correspondant | |
EP0267114B1 (fr) | Circuit intégré pour la mémorisation et le traitement d'informations de manière confidentielle comportant un dispositif anti-fraude | |
EP0510434A2 (fr) | Dispositif et procédé pour empêcher l'analyse d'un circuit sécurisé | |
EP0735489B1 (fr) | Procédé de protection de zones de mémoires non volatiles | |
EP1220101A1 (fr) | Procédé et dispositif de protection contre le piratage de circuits intégrés | |
FR2811164A1 (fr) | Circuit integre avec dispositif de protection | |
WO2002093332A1 (fr) | Procede de protection d'un circuit logique contre des attaques exterieures, et unite logique comprenant un circuit logique a proteger contre des attaques exterieures | |
EP2860668B1 (fr) | Procédé et dispositif de réalisation de fonction par un microcircuit | |
EP1873537B1 (fr) | Détection de type de détecteur de pics parasites dans l'alimentation d'un circuit intégré | |
EP1715436A2 (fr) | Protection du déroulement d'un programme exécuté par un circuit intégré ou de données contenues dans ce circuit | |
EP1295297B1 (fr) | Circuit de detection d'utilisation | |
WO2015033069A1 (fr) | Procédé de mise en place de moyens de sécurité dans un dispositif électronique à mémoire, et dispositif pour la mise en œuvre dudit procédé | |
FR2766594A1 (fr) | Dispositif de re-initialisation a commande externe pour une memoire non volatile en circuit integre |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |
Effective date: 20120531 |