FR2852144A1 - Procede de delimitation d'un element conducteur dispose sur une couche isolante, dispositif et transistor obtenus par ce procede - Google Patents

Procede de delimitation d'un element conducteur dispose sur une couche isolante, dispositif et transistor obtenus par ce procede Download PDF

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Abstract

Une couche conductrice est déposée sur une couche isolante (2) disposée sur un substrat (4). Un masque (5) est formé sur au moins une zone (6) de la couche conductrice, destinée à former l'élément conducteur, délimitant ainsi dans la couche conductrice au moins une zone complémentaire (7) non-recouverte par le masque (5). Après formation du masque (5), les zones complémentaires (7) de la couche conductrice sont oxydées, de manière à être rendues isolantes. L'oxydation peut comporter une implantation d'oxygène et/ou une oxydation thermique. Le matériau de la couche conductrice et l'oxygène peuvent former un oxyde volatil s'évaporant en partie ou en totalité.

Description

i
Procédé de délimitation d'un élément conducteur disposé sur une couche isolante, dispositif et transistor obtenus par ce procédé Domaine technique de l'invention L'invention concerne un procédé de délimitation d'un élément conducteur disposé sur une couche isolante, comportant le dépôt d'une couche conductrice sur la face avant de la couche isolante disposée sur un substrat, la formation 10 d'un masque sur au moins une zone de la couche conductrice destinée à former l'élément conducteur, de manière à délimiter dans la couche conductrice au moins une zone complémentaire non-recouverte par le masque, et l'enlèvement du masque.
État de la technique Les dispositifs micro-électroniques comportent souvent des éléments conducteurs 1 (figure 3) séparés d'un substrat 4 par une couche isolante 2 très 20 fine. Par exemple, la grille des transistors de type MOS (" metal oxide semiconductor: MOS ") de différentes natures, en particulier métallique, est séparée du substrat semiconducteur par une couche isolante dont l'épaisseur peut être de l'ordre de quelques nanomètres. Un procédé typique de réalisation d'un tel élément conducteur est illustré aux figures 1 à 3. La formation de 25 l'élément conducteur 1 est effectuée par dépôt d'une couche en matériau conducteur 3 sur une couche isolante 2, disposée sur un substrat 4, et délimitation par gravure de la couche en matériau conducteur 3 à travers un masque 5 en résine qui est ensuite enlevé. Le masque est formé sur une zone 6 de la couche conductrice 3 destinée à former l'élément conducteur 1, délimitant ainsi, dans la couche conductrice et la couche isolante, des zones complémentaires 7 non-recouvertes par le masque 5. Or, la gravure peut dégrader (par exemple déformer ou oxyder) les zones complémentaires 7 de la couche isolante 2 et le substrat 4, ce qui est d'autant plus difficile à éviter que 5 l'épaisseur de la couche isolante 2 est faible. Certes, une gravure du matériau conducteur 3 sélective par rapport au matériau de la couche isolante 2 permet d'arrêter la gravure avant d'atteindre le substrat 4. Cependant une gravure sélective est difficile à obtenir. Par exemple, la gravure du nitrure de titane (TiN) est typiquement effectuée par des procédés à base d'hydrofluorocarbures 10 (CHXFy). Les mêmes procédés sont utilisés pour la gravure d'oxydes, en particulier de la silice (SiO2). La sélectivité de la gravure d'une couche isolante par rapport au TiN est donc très faible et la dégradation de l'oxyde, voire un percement de la couche isolante et la dégradation du substrat sous-jacent,
inévitable.
Dans certains procédés connus, le substrat 4 peut être oxydé ou déformé en fin de gravure à travers la couche isolante 2. Cette oxydation peut être désavantageuse, notamment dans le cas d'un substrat de type SOI (" silicon on insulator: SOI ") comportant une couche active très fine, dont la résistance est 20 ainsi fortement augmentée.
Objet de l'invention L'invention a pour but de remédier à ces inconvénients et, en particulier, de délimiter un élément conducteur disposé sur une couche isolante sans dégradation de la couche isolante et du substrat, afin de préserver les caractéristiques de résistance du dispositif.
Selon l'invention, ce but est atteint par le fait que, après formation du masque, les zones complémentaires de la couche conductrice sont rendues isolantes.
Selon un développement de l'invention, les zones complémentaires de la couche conductrice sont rendues isolantes par oxydation.
Selon un mode de réalisation préférentiel, l'oxydation des zones complémentaires de la couche conductrice comporte, avant l'enlèvement du masque, une implantation d'oxygène.
Selon une autre caractéristique de l'invention, le procédé comporte un recuit de stabilisation et d'évaporation de manière à ce que le matériau de la couche conductrice et l'oxygène implanté forment un oxyde volatil, la couche conductrice s'évaporant au moins en partie. li5 Selon un développement de l'invention, le dépôt de la couche conductrice comporte une première étape, de dépôt d'une première couche conductrice, et une seconde étape, de dépôt d'une seconde couche conductrice sur la face avant de la première couche conductrice. 20 Selon un développement de l'invention, l'oxydation des zones complémentaires de la couche conductrice comporte une oxydation thermique après enlèvement du masque, de manière à ce que la surface de la seconde couche conductrice soit oxydée sur les parois latérales et sur la face avant et que les zones 25 complémentaires de la première couche conductrice soient oxydées sur toute l'épaisseur de la première couche conductrice.
L'invention a également pour objet un dispositif obtenu par le procédé cidessus, la zone de la seconde couche conductrice faisant saillie à la périphérie de la zone de la première couche conductrice, et un transistor comportant une électrode de grille réalisée par le procédé ci-dessus.
Description sommaire des dessins
D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, 10 dans lesquels: Les figures 1 à 3 représentent un procédé selon l'art antérieur.
Les figures 4 à 6 représentent un mode de réalisation particulier d'un procédé selon l'invention.
Les figures 7 à 10 représentent un autre mode de réalisation particulier d'un procédé selon l'invention, comportant le dépôt de deux couches conductrices superposées et une gravure.
Les figures 11 et 12 représentent des étapes d'un mode de réalisation particulier d'un procédé selon l'invention, comportant une oxydation thermique.
Les figures 13 et 14 représentent des étapes d'un mode de réalisation particulier d'un procédé selon l'invention, comportant un recuit de stabilisation et d'évaporation.
Les figures 15 et 16 représentent des étapes d'un mode de réalisation particulier d'un procédé selon l'invention, comportant une oxydation thermique et une 25 évaporation.
Description de modes particuliers de réalisation.
La figure 4 montre l'empilement d'un substrat 4 semiconducteur (par exemple Si, Ge, SiGe), d'une couche isolante 2 et d'une couche conductrice 3. Un masque 5 est disposé en face avant, sur la zone 6 de la couche conductrice 3, destinée à former l'élément conducteur, délimitant ainsi, dans la couche 5 conductrice, les zones complémentaires 7, nonrecouvertes par le masque 5. Le masque 5 peut être en résine ou constitué d'une bicouche (une couche de résine organique et une couche sacrificielle minérale, appelée " masque dur ").
Afin de délimiter un élément conducteur, les zones complémentaires 7 de la couche conductrice 3 sont rendues isolantes lors du procédé selon l'invention. 10 Comme représenté à la figure 5, les zones complémentaires 7 de la couche conductrice sont oxydées sur toute l'épaisseur de la couche conductrice, tandis que la zone 6 de la couche conductrice est protégée par le masque 5. Le matériau de la couche conductrice est choisi parmi les matériaux dont l'oxyde est isolant de sorte que les zones complémentaires 7 ne soient plus 15 conductrices après oxydation. Par exemple, les zones complémentaires 7 de la couche conductrice 3 peuvent former, après oxydation, un oxyde solide dans lequel les atomes d'oxygène et les atomes du matériau conducteur sont intégrés dans un seul réseau cristallin, les atomes d'oxygène se substituant, par exemple, aux atomes du matériau conducteur. Ainsi, l'élément conducteur 1 est 20 formé par les parties non-isolantes, notamment non-oxydées, de la couche conductrice, tandis que les zones rendues isolantes forment une barrière latérale de l'élément conducteur. Ensuite, le masque 5 est enlevé (figure 6).
Dans un mode de réalisation particulier, représenté à la figure 7, la couche 25 conductrice 3 est constitué par des première et seconde couches conductrices 3a et 3b superposées. Le masque 5 est formé au-dessus des couches 3a et 3b.
La seconde couche conductrice 3b peut être gravée avant oxydation de la couche 3a. Comme représenté à la figure 8, lorsque les zones complémentaires 7 de la seconde couche conductrice 3b sont enlevées par la gravure, seule la zone 6b de la seconde couche conductrice 3b est conservée.
Les zones complémentaires 7 de la première couche conductrice 3a peuvent 5 ensuite être oxydées par une implantation d'oxygène, la zone 6a de la première couche conductrice 3a étant protégée par le masque 5 (figure 9). L'implantation est, par exemple, effectuée par accélération d'ions oxygène ou par un procédé de gravure ionique réactive (" réactive ion etching: RIE "). Puis, le masque 5 est enlevé (figure 10). On peut ensuite procéder à une stabilisation thermique de 10 l'état métastable de la couche comportant l'oxygène implanté par un recuit sous atmosphère inerte, par exemple une atmosphère d'argon. L'élément conducteur 1 est alors formé par la superposition de la partie résiduelle (zone 6b) de la couche 3b et par la partie non-oxydée (zone 6a) de la couche 3a.
Dans une variante de réalisation, le masque 5 est enlevé (figure 11) après gravure de la seconde couche conductrice 3b (figure 8). Les zones complémentaires 7 de la première couche conductrice 3a sont ensuite oxydées par oxydation thermique. Dans ce cas, représenté à la figure 12, le matériau de la seconde couche conductrice 3b est oxydé en surface à la fois sur ses parois 20 latérales et sur sa face avant, tandis que les zones complémentaires 7 de la première couche conductrice 3a sont oxydées sur toute l'épaisseur de la première couche conductrice 3a. La diffusion des atomes à haute température dans les matériaux peut également conduire à une oxydation périphérique de la zone 6a de la première couche conductrice 3a sous la seconde couche 25 conductrice 3b, comme représenté à la figure 12.
La première couche conductrice 3a est, de préférence, en TiN et la seconde couche conductrice 3b en silicium polycristallin. Ainsi, un oxynitrure TiOXNY se forme lors de l'oxydation.
Dans une autre variante de réalisation, le procédé comporte un recuit de stabilisation et d'évaporation après une implantation d'oxygène utilisant des techniques du type implantation ionique ou plasma. La figure 13 illustre 5 l'évaporation des zones complémentaires 7 oxydées de la première couche conductrice. En effet, pendant le recuit, le matériau de la première couche conductrice 3a et l'oxygène implanté forment un oxyde volatil et les zones complémentaires 7 oxydées de la couche conductrice 3a s'évaporent. Selon la durée du recuit ou la dose d'oxygène implanté, les zones complémentaires 10 s'évaporent en partie (figure 13) ou en totalité (figure 14). L'enlèvement du masque 5 peut être effectué après le recuit si le masque est minéral. Dans le cas d'un masque en résine, il s'enlève avant.
Pour l'application du procédé avec évaporation, le matériau de la première 15 couche conductrice 3a est, de préférence, pris dans le groupe comprenant le tungstène, le molybdène, le nickel et le cobalt, et le matériau de la seconde couche conductrice 3b est du silicium polycristallin, un nitrure métallique ou un siliciure métallique comportant, par exemple, du tungstène, du tantale ou du molybdène (WSix, MoSix, TaSi).
Par exemple, en utilisant une première couche conductrice 3a en tungstène, les atomes d'oxygène sont implantés dans le cristal de tungstène dans un état métastable, par exemple sur des sites interstitiels. Un oxyde de tungstène se forme ensuite pendant le recuit de stabilisation. L'oxyde de type WOx (x étant 25 compris entre 1 et 3) est volatil et s'évapore. Typiquement ce phénomène peut être obtenu au-dessus de 2000C. Dans le cas de cette technique, la diffusion latérale d'oxygène est quasiment supprimée et l'oxydation périphérique de la zone 6a de la première couche conductrice 3a sous la zone 6b de la seconde couche conductrice 3b, représentée à la figure 12, est très faible.
Dans un autre développement du procédé avec évaporation, représenté aux figures 15 et 16, un oxyde volatil est formé par oxydation thermique à partir du matériau de la couche conductrice 3 et de l'oxygène. Sur la figure 15, la couche 5 conductrice 3 est constituée par une première couche conductrice 3a et une seconde couche conductrice 3b gravée. Après enlèvement du masque 5 en résine, l'oxydation thermique peut être effectuée dans un four, par exemple à une température supérieure à 2000C pour le tungstène. Dans ce cas, un oxyde volatil du tungstène W03 se forme et s'évapore. Les figures 15 et 16 illustrent ce 10 processus respectivement en cours d'évaporation et après évaporation complète. Ce processus favorise la diffusion des atomes d'oxygène dans le matériau conducteur et la périphérie de la zone 6a de la première couche conductrice 3a est oxydée sous la zone 6b de la seconde couche conductrice 3b. Ainsi, cette zone périphérique s'évapore également et on obtient un 15 dispositif dont la zone 6b de la seconde couche conductrice 3b fait saillie à la périphérie de la zone 6a de la première couche conductrice 3a. La zone 6a de la première couche conductrice 3a est alors réduite. Afin de limiter la réduction de la zone 6a et une dégradation du substrat 4, l'oxydation thermique peut être arrêtée dès que la seconde couche conductrice s'est évaporée ou juste avant. 20 Les zones complémentaires 7 rendues isolantes peuvent alors présenter, de préférence, une épaisseur au moins égale à une couche atomique. Comme représenté aux figures 15 et 16, le matériau de la seconde couche conductrice 3b est oxydé en surface sur les parois latérales et sur la face avant.
L'électrode de grille d'un transistor peut être réalisée par le procédé décrit cidessus. Dans ce cas, le substrat 4 est constitué par une couche active en matériau semiconducteur, par exemple en silicium homogène ou silicium sur isolant (SOI). Le procédé selon l'invention permet de délimiter l'électrode de grille en évitant une déformation des zones du substrat correspondant aux zones complémentaires 7 et en évitant la diffusion des espèces oxydantes dans la couche active ou dans la couche isolante entre l'électrode de grille et la couche active. La réalisation de l'électrode de grille par deux couches superposées 3a et 3b présente plusieurs avantages. Cela permet, notamment, 5 de réduire les contraintes exercées par le matériau conducteur sur l'isolant, de masquer des implantations source et drain effectuées après la réalisation de l'électrode de grille, d'assurer un contact avec les interconnexions, d'éviter toute oxydation du matériau de grille postérieure à la réalisation de l'électrode de grille et de protéger le matériau de grille d'une métallisation (siliciuration) auto-alignée 10 de la source et du drain.

Claims (15)

Revendications
1. Procédé de délimitation d'un élément conducteur (1) disposé sur une 5 couche isolante (2), comportant le dépôt d'une couche conductrice (3) sur la face avant de la couche isolante (2) disposée sur un substrat (4), la formation d'un masque (5) sur au moins une zone (6) de la couche conductrice (3) destinée à former l'élément conducteur (1), de manière à délimiter dans la couche conductrice au moins une zone complémentaire (7) non-recouverte par 10 le masque (5), et l'enlèvement du masque (5), procédé caractérisé en ce que, après formation du masque (5), les zones complémentaires (7) de la couche conductrice (3) sont rendues isolantes.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones 15 complémentaires (7) de la couche conductrice (3) sont rendues isolantes par oxydation.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'oxydation des zones complémentaires (7) de la couche conductrice (3) comporte, avant 20 l'enlèvement du masque (5), une implantation d'oxygène.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte un recuit de stabilisation et d'évaporation, de manière à ce que le matériau de la couche conductrice (3) et l'oxygène implanté forment un oxyde volatil, la couche 25 conductrice (3) s'évaporant au moins en partie.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que les zones complémentaires (7) rendues isolantes ont une épaisseur au moins égale à une couche atomique.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte, en fin d'oxydation, une étape de stabilisation thermique sous atmosphère inerte.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, caractérisé en ce que le dépôt de la couche conductrice (3) comporte une première étape, de dépôt d'une première couche conductrice (3a), et une seconde étape, de dépôt d'une seconde couche conductrice (3b) sur la face avant de la première couche 10 conductrice (3a).
8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte, après la formation du masque (5) et avant l'oxydation, une gravure de la seconde couche conductrice (3b).
9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'oxydation des zones complémentaires (7) de la couche conductrice (3) comporte une oxydation thermique après enlèvement du masque (5), de manière à ce que la surface de la seconde couche conductrice (3b) soit oxydée sur les parois 20 latérales et sur la face avant et que les zones complémentaires (7) de la première couche conductrice (3a) soient oxydées sur toute l'épaisseur de la première couche conductrice (3a).
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce 25 que la première couche conductrice (3a) est en TiN et la seconde couche conductrice (3b) est en silicium polycristallin.
11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que, pendant l'oxydation thermique, le matériau de la couche conductrice (3) et l'oxygène forment un oxyde volatil, la couche conductrice (3) s'évaporant au moins en partie pendant l'oxydation thermique.
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisé en 5 ce que le matériau de la première couche conductrice (3a) est pris dans le groupe comprenant le tungstène, le molybdène, le nickel et le cobalt, et le matériau de la seconde couche conductrice (3b) est du silicium polycristallin.
13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce 10 que les zones complémentaires (7) de la couche conductrice (3) forment, après oxydation, un oxyde solide.
14. Dispositif comportant un élément conducteur (1) disposé sur une couche isolante (2), caractérisé en ce qu'il est obtenu par le procédé selon l'une 15 quelconque des revendications 7 à 12, la zone (6b) de la seconde couche conductrice (3b) faisant saillie à la périphérie de la zone (6a) de la première couche conductrice (3a).
15. Transistor comportant une électrode de grille, caractérisé en ce que 20 l'électrode de grille est réalisée par le procédé selon l'une quelconque des
revendications 1 à 13.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2886763A1 (fr) * 2005-06-06 2006-12-08 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un composant comportant au moins un element a base de germanium et composant ainsi obtenu

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7784882B2 (en) 2006-09-26 2010-08-31 The Boeing Company Power interrupt management for an aircraft electric brake system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3867148A (en) * 1974-01-08 1975-02-18 Westinghouse Electric Corp Making of micro-miniature electronic components by selective oxidation
US4666556A (en) * 1986-05-12 1987-05-19 International Business Machines Corporation Trench sidewall isolation by polysilicon oxidation
US20010020723A1 (en) * 1998-07-07 2001-09-13 Mark I. Gardner Transistor having a transition metal oxide gate dielectric and method of making same
JP2002134544A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法、および半導体装置
US6451657B1 (en) * 1998-10-23 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Transistor with an ultra short channel length defined by a laterally diffused nitrogen implant

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6331490B1 (en) * 1998-03-13 2001-12-18 Semitool, Inc. Process for etching thin-film layers of a workpiece used to form microelectric circuits or components
US6528363B2 (en) * 2001-03-19 2003-03-04 International Business Machines Corporation Fabrication of notched gates by passivating partially etched gate sidewalls and then using an isotropic etch

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3867148A (en) * 1974-01-08 1975-02-18 Westinghouse Electric Corp Making of micro-miniature electronic components by selective oxidation
US4666556A (en) * 1986-05-12 1987-05-19 International Business Machines Corporation Trench sidewall isolation by polysilicon oxidation
US20010020723A1 (en) * 1998-07-07 2001-09-13 Mark I. Gardner Transistor having a transition metal oxide gate dielectric and method of making same
US6451657B1 (en) * 1998-10-23 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Transistor with an ultra short channel length defined by a laterally diffused nitrogen implant
JP2002134544A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法、および半導体装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"DEFECT-FREE SI IN REGROWN SIMOX STRUCTURES", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, IBM CORP. NEW YORK, US, vol. 35, no. 3, 1 August 1992 (1992-08-01), pages 60 - 61, XP000326169, ISSN: 0018-8689 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2002, no. 09 4 September 2002 (2002-09-04) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2886763A1 (fr) * 2005-06-06 2006-12-08 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un composant comportant au moins un element a base de germanium et composant ainsi obtenu
EP1732122A2 (fr) * 2005-06-06 2006-12-13 Commissariat A L'Energie Atomique Procédé de réalisation d'un composant comportant au moins un élément à base de germanium et composant ainsi obtenu
US7361592B2 (en) 2005-06-06 2008-04-22 Commissariat A L'energie Atomique Method for producing a component comprising at least one germanium-based element and component obtained by such a method
EP1732122A3 (fr) * 2005-06-06 2009-11-11 Commissariat A L'Energie Atomique Procédé de réalisation d'un composant comportant au moins un élément à base de germanium et composant ainsi obtenu

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