FR2828350A1 - Dispositif de circuit doubleur de frequence - Google Patents

Dispositif de circuit doubleur de frequence Download PDF

Info

Publication number
FR2828350A1
FR2828350A1 FR0209818A FR0209818A FR2828350A1 FR 2828350 A1 FR2828350 A1 FR 2828350A1 FR 0209818 A FR0209818 A FR 0209818A FR 0209818 A FR0209818 A FR 0209818A FR 2828350 A1 FR2828350 A1 FR 2828350A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
circuit
terminal
circuit device
frequency
frequency doubling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR0209818A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2828350B1 (fr
Inventor
Laws Peter Graham
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Microsemi Semiconductor Ltd
Original Assignee
Zarlink Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zarlink Semiconductor Ltd filed Critical Zarlink Semiconductor Ltd
Publication of FR2828350A1 publication Critical patent/FR2828350A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2828350B1 publication Critical patent/FR2828350B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
    • H03B19/06Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
    • H03B19/14Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device

Abstract

Un dispositif de circuit doubleur de fréquence (40) comprend un circuit de redressement double alternance comportant une entrée et une première borne, la première borne étant connectée à une première borne d'alimentation par l'intermédiaire d'une première source de courant (45), et l'entrée formant une entrée du dispositif de circuit doubleur de fréquence. Le dispositif utilise également un circuit de transistor polarisé (46) comportant une première borne connectée à la première borne d'alimentation par l'intermédiaire d'une seconde source de courant (47) et connectée à la première borne du circuit de redressement. Les bornes de sortie du circuit de redressement et du circuit de transistor polarisé (46) forment des bornes de sortie différentielles du dispositif de circuit doubleur de fréquence (40).

Description

d'appui latéral (14).
La présente invention, concerne un dispositif de circuit
doubleur de fréquence.
I1 est maintenant courant, pour les téléphones cellulaires, d' avoir la cap acité de fonctionner dans des bandes de fréquences multi s ples, l'une de ces bandes se situant typiquement autour de 900 MHz et une autre bande se situant autour de 1800-1900 MHz. I1 est courant de munir ces télophones d'un circuit doubleur de fréquence pour réduire le nombre de modules d'oscillateurs commandés en tension (VCO) nécessai
res (une source à 900 MHz est doublée à 1800 MHz).
to Un circuit doubleur de fréquence connu comprend un ctr cuit à diodes non linéaire qui génère des harmoniques d'un signal d'en trée, l'un d es h armoniqu es étant à la fré qu ence double de celle du sign al d'entrée Cependant, ces circuits n'ont pas un bon rendement de puis sance et nécessitent des quantités importantes de filtrage pour isoler
s l'harmonique requis.
Un autre ctrcuit connu est représenté schématiquement dans la figure 1. En se référant à la figure 1, le circuit doubleur de fré quence 10 comprend une borne d'entrée 11 à laquelle on applique un si gnal radiofréquence, un circuit déphaseur 12, un mélangeur 13, un filtre o passe-bande 14, et une borne de sortie 15. Le circuit déphaseur 12 pro duit des versions en phase et en quadrature du signal d'entrée, qui sont appliquées à deux entrées de signaux différentes du mélangeur 13. La sortie du mélangeur contient un signal à la fréquence double de celle du signal d'entrée, que le filtre 14 laisse alors passer, tandis que les signaux 2s aux autres fréquences sont bloqués par le filtre. Le besoin d'un circuit dé phaseur est considéré comme un inconvénient, et la plupart des réalisa tions nécessitent également des amplificateurs limiteurs pour générer les
signaux de commande en quadrature.
Un troisième circuit doubleur de fréquence connu est repré senté schématiquement dans la figure 2. En se référant à la figure 2, le circuit 20 comprend une paire de transistors bipolaires 21, 22 dont les électrodes d'émetteur sont connectées à la masse 23 par l'intermédiaire d'une résistance 24. Les électrodes de collecteur des transistors 21, 22 sont connectées l'une à l'autre ainsi qu'à une borne d'alimentation positive 3s 28 par l'intermédiaire d'une charge de filtre passif comprenant une in ductance 25, un condensateur 26 et une résistance 27. IJn signal d'entrée différentiel est appliqué aux bornes d'entrée 29, 30 qui sont connectées respectivement aux électrodes de base des transistors 21, 22, et une sortie à une seule extrémité est prévue comme borne de sortie 31 qui se trouve
connectée aux collecteurs des transistors. Les transistors 21, 22 effec-
tuent un redressement à double alternance du signal d'entrée, et le signal de signal de sortie obtenu est filtré par la charge de filtre 25, 26, 27. De s méme, bien que cela ne donne pas un bon rendement de conversion de puissance, on prévoit une sortie à une seule extrémité, tandis que des
sorties différentielles sont habituellement préférables.
La présente invention a pour but de créer un dispositif de circuit doubleur de fréquence qui comporte une sortie différentielle et qui
lO présente une bonne réjection de la fréquence d'un signal d'entrée.
A cet effet, la présente invention concerne un Dispositif de ctrcuit doubleur de fréquence, caractérisé en ce qu'il comprend: un circuit redresseur à double alternance comportant une entrée et une première borne, la première borne étant connectée à une première borne d'alimen s tation par l'intermédiaire d'une première source de courant, et l'entrée
formant une entrée du dispositif de ctrcuit doubleur de fréquence; un cir-
cuit de transistor polarisé comportant une première borne connectée à la première borne d'alimentation par l'intermédiaire d'une seconde source à courant constant, en étant connecté à la première borne du circuit de re dressement; les bornes de sortie du circuit de redressement et du circuit
de transistor polarisé formant des bornes de sortie différentielles du dis-
positif de circuit doubleur de fréquence.
Suivant d'autres caractéristiques de l'invention, la première borne du circuit de transistor polarisé est connectée à la première borne s du circuit de redressement par un condensateur. Les sorties du circuit de redressement et du circuit de transistor polarisé sont connectées à une seconde borne d'alimentation par l'intermédiaire d'une charge de filtre. La
charge de filtre est un filtre à inductance-capacité-résistance. Une induc-
tance du filtre comporte une prise centrale connectée à la seconde borne d'alimentation. Il comprend en outre un filtre actif connecté aux bornes de sortie différentielles. Les sources de courant sont des sources à courant essentiellement constant. Les sources de courant sont formoes de circuits
miroirs de courant à base de transistors.
La présente invention concerne également un radiotélé
phone incluant un circuit doubleur de fréquence tel que ci-dessus.
La présente invention sera décrite ci-après de manière plus
détaillée à l' aide de modes de réalisation représentés sur les dessins an-
nexés dans lesquels: - les figures 1 et 2 représentent des dispositifs de circuits doubleurs de fréquence selon l'art antérieur; et - les figures 3 à 5 représentent respectivement des dispositifs de circuits doubleurs de fréquence selon un premier mode de réalisation, un se s cond mode de réalisation et un troisième mode de réalisation de l'in vention. En se référant à la figure 3, celle-ci représente un circuit doubleur de fréquence 40 comprenant un circuit redresseur double alter nance constitué d'un premier transistor bipolaire npn 41 et d'un second to transistor bipolaire npn 42 dont les électrodes de collecteur sont connec tées l'une à l'autre et dont les électrodes de base sont connectées aux bor nes respectives 43, 44 d'une entrée différentielle. Les électrodes d'émetteur des transistors 41, 42 sont connectées l'une à l'autre et au potentiel de la
masse par l'intermédiaire d'une première source à courant constant 45.
s Un transistor polarisé 46 comporte une électrode de base connectée à une source de polarisation et une électrode d'émetteur connectée au potentiel de la masse par l'intermédiaire d'une seconde source à courant constant 47. Les sources de courant 45, 47 sont des circuits miroirs de courant à base de transistors. Les électrodes d'émetteur des transistors de redres o seur 41, 42 sont connectées à l'électrode d'émetteur du transistor polarisé 46 par l'intermédiaire d'un premier condensateur 48. Des bornes de sortie différentielles 50, 49 sont connectees respectivement à l'électrode de col lecteur du transistor polarisé 46 et aux électrodes de collecteur branchées
en commun des transistors redresseurs 41, 42.
Une première résistance 51 connecte les électrodes de col lecteur branchées en commun des transistors de redresseur 41, 42, à une borne d'alimentation positive Vcc. Une seconde résistance 52 connecte à Vcc l'électrode de collecteur du transistor polarisé 46. Les bornes de sortie 49, 50 sont connectées l'une à l'autre par un second condensateur 53 et une inductance 54 qui sont branchés en parallèle. Les résistances 51, 52, le condensateur 53 et l'inductance 54 constituent ensemble une charge connectant le reste du circuit doubleur de fréquence 40 à Vcc, et consti
- tuent également un filtre.
Le fonctionnement du circuit doubleur de fréquence 40 est le suivant: un signal d'entrée différent reçu aux bornes d'entrée 43, 42 est
redressé à double alternance par les transistors de redressement 41 42.
Cela produit des variations de courant à la fois aux collecteurs des tran sistors de redressement 41, 42 et à leurs émetteurs. Le signal fourni aux électrodes d'émetteur branchées en commun des transistors de redresse ment 41, 42 contient un grand signal d'harmonique du second ordre du signal d'entrée, en plus de quelques harmoniques pairs d'ordres plus éle vés. Si le signal drentrée est complètement symétrique, c'est à dire si les deux moitiés sont de même amplitude et de phases opposées, des niveaux minimum de la fréquence d'entrée fondamentale et des harmoniques im pairs quelconques sont générés aux électrodes d'émetteur branchées en
commun des transistors de redressement 41, 42.
Le transistor polarisé 46, du fait que son électrode d'émet o teur est connectée aux électrodes d'émetteur des transistors de redresse ment 41, 42, est forcé de conduire un courant qui est en concordance mais en opposition de phase avec le signal de courant fourni par la com binaison des transistors de redressement. Par suite, un signal de courant est fourni à l'électrode de collecteur du transistor polarisé 46, et donc à la borne de sortie 50, ce signal de courant présentant une composante alter native de même amplitude mais en opposition de phase avec le signal de courant fourni à l'autre borne de sortie 49. Le premier condensateur 48 assure l'isolation en courant continu du transistor polarisé 46 par rapport au transistor de redressement 41, 42. Le branchement du premier con o densateur 48 signifie également que la tension de la source de polarisation connectée à l'électrode de base du transistor polarisé 46, n'est pas critique à condition que le transistor polarisé soit maintenu dans un état de fonc tionnement normal. Le branchement du premier condensateur 48 a pour résultat que l'état de polarisation à courant continu des bornes de sortie 49, 50, est déterminé uniquement par les sources de courant 45, 47 et par les résistances 51, 52, ce qui permet d'obtenir un bon équilibrage du si
gnal de sortie différentiel.
Comme le signal différentiel fourni par le transistor polarisé 46 et les transistors de redressement 41, 42, contient un niveau élevé de signal de second harmonique, il suffit de relativement peu de filtrage. Le filtre de charge peut donc prendre la forme d'un circuit résonnant à faible Q (facteur de qualité), qui est constitué par les résistances 51, 52, le se cond condensateur 53 et l'inductance 54. Comme il suffit d'un faible Q. le filtre de charge se fabrique facilement sur du silicium, ce qui permet au 3s circuit doubleur de fréquence 40 d'être réalisé facilement sous la forme
d'un circuit intégré (IC) radiofréquence (RF).
Un second mode de réalisation d'un dispositif de circuit doubleur de fréquence selon la présente invention est représenté dans la figure 4. En se rétérant à la figure 4, le circuit doubleur de fréquence 60 est le même que celui de la figure 3, sauf qu'il utilise un filtre de charge différent. Les mêmes références numériques que celles de la figure 3 sont
conservées pour les éléments identiques.
Une inductance 61 comporte une prise centrale connectée à Vcc, et ses bornes d'extrémité sont connectées respectivement aux bornes de sortie 49, 50. Un condensateur 62 et une résistance 63 sont branchés
en parallèle aux bornes de l'inductance 61.
Un autre dispositif de filtre de charge est représenté dans le l0 circuit doubleur de fréquence 70 de la figure 5. Ici, une première résis tance 71 et une seconde résistance 72 connectent respectivement à Vcc les électrodes de collecteur branchées en commun du redresseur 41, 42 et l' électro de de collecteur du transistor polaris é 46. D es condensateurs de même valeur 74, 75 sont branchées én série entre les bornes de sortie 49, , en parallèle sur une inductance 73. Une borne 76 est connectée au point milieu des condensateurs 74, 75. La borne 76 est une borne de
masse virtuelle qui peut être connectée à Vcc ou à la masse.
Dans une variante de réalisation (non représentée), les électrodes de base des transistors de redressement 41, 42 sont branchées aux bornes d'entrée 43, 44 par des condensateurs de couplage respectifs, et les transistors de redressement sont polarisés par branchement à une source de tension par l'intermédiaire de résistances de polarisation res
pectives de valeur élevée.
Pour les applications basse fréquence un ctrcuit de filtre actif peut être utilisé à la place des filtres passifs représentés dans les fi
gures 3 à 5.
Au lieu de circuits miroirs de courant à base de transistors, les sources de courant 45, 47 peuvent être des résistances, et la polarisa
tion peut être effectuée aux bornes d'entrée 43, 44.
On remarquera que les circuits doubleurs de fréquence dé crits ci-dessus sont capables de fonctionner à des tensions d'alimentation basses avec un bon rendement de conversion de puissance et à un coût relativement faible. On remarquera également qu'on peut obtenir les mê mes propriétés lorsqu'on réalise l'un quelconque des circuits avec des
s transistors à effet de champ à la place de transistors bipolaires.

Claims (6)

R E V E N D I C A T I O N S
1 ) Dispositif de circuit doubleur de fréquence (40), caractérisé en ce qu'il comprend: un circuit redresseur à double alternance (41,42) comportant une entrée s et une première borne, la première borne étant connectée à une première borne d'alimentation par l'intermédiaire d'une première source de courant (45), et l'entrée formant une entrée du dispositif de circuit doubleur de fréquence (40), un ctrcuit de transistor polarisé (46) comportant une première borne con
o nectée à la première borne d'alimentation par l'intermédiaire d'une se-
conde source à courant constant (47), en étant connecté à la première borne du circuit de redressement; les bornes de sortie du circuit de redressement (41, 42) et du ctrcuit de transistor polarisé (46) formant des bornes de sortie différentielles (49,50)
is du dispositif de circuit doubleur de fréquence (40).
2 ) Dispositif de circuit doubleur de fréquence (40) selon la revendica-
tion 1, caractérisé en ce que la première borne du ctrcuit de transistor polarisé (46) est connectée à la
première borne du circuit de redressement (41,42) par un condensateur.
3 ) Dispositif de ctrcuit doubleur de fréquence (40) selon l'une quelconque
des revendications précédentes,
caractérisé en ce que les sorties du circuit de redressement (41, 42) et du circuit de transistor polarisé (46) sont connectées à une seconde borne d'alimentation par l'in
termédiaire d'une charge de filtre.
4 ) Dispositif de circuit doubleur de fréquence (40) selon la revendica tion 3, caractérisé en ce que
la charge de filtre est un filtre à inductance-capacité-résistance.
ss 5 ) Dispositif de ctrcuit doubleur de fréquence (40) selon la revendica-
tion 4, caractérisé en ce qu' une inductance (61) du filtre comporte une prise centrale connectée à la
seconde borne d'alimentation.
6 ) Dispositif de ctrcuit doubleur de fréquence (40) selon l'une quelconque
s des revendications précédentes,
caractérisé en ce qu'
il comprend en outre un filtre actif connecté aux bornes de sortie différen-
tielles (49, 50).
o 7 ) Dispositif de ctrcuit doubleur de fréquence (40) selon l'une quelconque
des revendications précédentes,
caractérisé en ce que les sources de courant (45, 47) sont des sources à courant essentiellement constant. 8 ) Dispositif de circuit doubleur de fréquence (40) selon la revendica tion 7, caractérisé en ce que les sources de courant (45, 47) sont formées de circuits miroirs de courant
à base de transistors.
9 ) Radiotéléphone, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit doubleur de fréquence (40) selon l'une quelconque des revendi
FR0209818A 2001-08-03 2002-08-01 Dispositif de circuit doubleur de frequence Expired - Fee Related FR2828350B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0119014A GB2378593B (en) 2001-08-03 2001-08-03 A frequency doubler circuit arrangement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2828350A1 true FR2828350A1 (fr) 2003-02-07
FR2828350B1 FR2828350B1 (fr) 2004-09-10

Family

ID=9919792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0209818A Expired - Fee Related FR2828350B1 (fr) 2001-08-03 2002-08-01 Dispositif de circuit doubleur de frequence

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6664824B2 (fr)
DE (1) DE10232861A1 (fr)
FR (1) FR2828350B1 (fr)
GB (1) GB2378593B (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4142149A1 (fr) * 2021-08-26 2023-03-01 Stmicroelectronics Sa Doubleur et tripleur radiofrequence

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4780865B2 (ja) * 2001-07-19 2011-09-28 富士通セミコンダクター株式会社 周波数逓倍装置
US7239854B2 (en) * 2002-03-15 2007-07-03 Infineon Technologies Ag Frequency-doubling circuit arrangement, and mobile radio having that circuit arrangement
US6861891B2 (en) * 2002-11-25 2005-03-01 Dragonwave, Inc. Sub-harmonic mixer
US6864728B1 (en) * 2003-02-28 2005-03-08 Xilinx, Inc. Frequency multiplier and amplification circuit
US7324561B1 (en) 2003-06-13 2008-01-29 Silicon Clocks Inc. Systems and methods for generating an output oscillation signal with low jitter
US7098753B1 (en) 2003-06-13 2006-08-29 Silicon Clocks, Inc. Oscillator with variable reference
US7019565B2 (en) * 2003-11-04 2006-03-28 Broadcom Corporation Methods and systems for fully differential frequency doubling
CN100525073C (zh) 2003-12-19 2009-08-05 艾利森电话股份有限公司 倍频装置和用于倍频的方法
US7962114B2 (en) * 2007-01-12 2011-06-14 International Business Machines Corporation Drain-pumped sub-harmonic mixer for millimeter wave applications
US8228112B2 (en) * 2007-07-13 2012-07-24 International Business Machines Corporation Switch with reduced insertion loss
TWI473419B (zh) * 2010-01-19 2015-02-11 Ind Tech Res Inst 倍頻器
US8446141B1 (en) * 2010-06-04 2013-05-21 Maxim Integrated Products, Inc. Bandgap curvature correction circuit for compensating temperature dependent bandgap reference signal
US8786330B1 (en) 2013-03-12 2014-07-22 Infineon Technologies Ag System and method for a frequency doubler
US8901973B2 (en) * 2013-04-19 2014-12-02 Keysight Technologies, Inc. Multi-band frequency multiplier
US9817041B2 (en) 2013-10-18 2017-11-14 Nxp Usa, Inc. mm-Wave frequency peak detector
US9214928B2 (en) * 2014-01-31 2015-12-15 Freescale Semiconductor, Inc. Clock doubling circuit and method of operation
US10432179B1 (en) 2018-03-22 2019-10-01 Globalfoundries Inc. Methods, apparatus, and system for frequency doubler using a passive mixer for millimeter wave devices

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3566247A (en) * 1969-09-03 1971-02-23 Bell Telephone Labor Inc Frequency multiplier circuit with low temperature dependence
JPS6054503A (ja) * 1983-09-05 1985-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 偶数次高周波逓倍回路
US5815014A (en) * 1996-06-28 1998-09-29 The Whitaker Corporation Transistor based frequency multiplier

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1190149A (en) 1967-12-12 1970-04-29 Hoechst Ag Gold Hydroxydiacetate and Process for its Preparation
US5434522A (en) * 1993-09-08 1995-07-18 Mpr Teltech Ltd. Frequency doubler circuit having a diode quad with a grounded port
EP0744832B1 (fr) * 1995-05-24 2001-11-28 Infineon Technologies AG Circuit pour la génération d'un signal de sortie orthogonal à un signal d'entrée et utilisation de ce circuit
KR100243489B1 (ko) * 1995-11-22 2000-02-01 니시무로 타이죠 주파수 변환기 및 이를 이용한 무선 수신기
JP3372198B2 (ja) * 1997-09-17 2003-01-27 株式会社東芝 周波数逓倍器
JP3977591B2 (ja) * 2000-04-27 2007-09-19 株式会社東芝 周波数逓倍回路および半導体集積回路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3566247A (en) * 1969-09-03 1971-02-23 Bell Telephone Labor Inc Frequency multiplier circuit with low temperature dependence
JPS6054503A (ja) * 1983-09-05 1985-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 偶数次高周波逓倍回路
US5815014A (en) * 1996-06-28 1998-09-29 The Whitaker Corporation Transistor based frequency multiplier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 009, no. 185 (E - 332) 31 July 1985 (1985-07-31) *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4142149A1 (fr) * 2021-08-26 2023-03-01 Stmicroelectronics Sa Doubleur et tripleur radiofrequence
FR3126570A1 (fr) * 2021-08-26 2023-03-03 Stmicroelectronics Sa Doubleur et tripleur radiofréquence

Also Published As

Publication number Publication date
DE10232861A1 (de) 2003-02-13
US20030025537A1 (en) 2003-02-06
GB0119014D0 (en) 2001-09-26
GB2378593B (en) 2003-09-17
GB2378593A (en) 2003-02-12
FR2828350B1 (fr) 2004-09-10
US6664824B2 (en) 2003-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2828350A1 (fr) Dispositif de circuit doubleur de frequence
EP1424776A1 (fr) Circuit oscillateur commandé en tension pour un dispositif électronique basse puissance
FR2513042A1 (fr) Etage d'entree amplificateur et melangeur a transistors pour un radiorecepteur
FR2783110A1 (fr) Dispositif de circuit melangeur a rejection d'image
FR2635424A1 (fr) Modulateur et emetteur
US5481104A (en) Photodetector circuit with actively damped tuned input
FR2547126A1 (fr) Circuit convertiseur de tension en courant
US7091757B2 (en) Frequency generator and communication system
FR2826523A1 (fr) Redresseur synchrone auto-commande
FR2701612A1 (fr) Procédé de commande de la puissance appliquée à un onduleur à résonance.
EP0726648B1 (fr) Circuit d'accord pour un appareil récepteur notamment un récepteur de télévision
EP0620636B1 (fr) Oscillateur à fréquence commandée par tension
EP0661806B1 (fr) Capacité commandée en tension
FR2813481A1 (fr) Modulateur de frequence a faible bruit ayant une frequence porteuse variable
FR2748615A1 (fr) Circuit oscillateur
FR2832271A1 (fr) Tuner comprenant un convertisseur de tension
EP0971476B1 (fr) Oscillateur présentant deux sorties en quadrature
FR2794869A1 (fr) Dispositif de generation et/ou de detection d'un signal radar
US7518438B2 (en) FM detector circuit with unbalanced/balanced conversion
JPS6347103Y2 (fr)
FR2776862A1 (fr) Oscillateur lc pouvant etre commande
FR2486339A1 (fr) Detecteur synchrone
US7378709B2 (en) Oscillator with a guard ring formed around an N well and constituent components integrally formed on the N well, on a semiconductor substrate
JP2003264430A (ja) 周波数4逓倍方法、周波数4逓倍器、およびそれを用いた電子装置
EP1276226B1 (fr) Circuit destiné à générer une conductance négative substantiellement constante en fonction de la fréquence

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse