FR2801138A1 - REACTION TUBE FOR THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR WAFER - Google Patents

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Abstract

Tube de réaction pour la fabrication d'une plaquette de semi-conducteur (1), reçue dans l'espace (2) d'un corps de tube (3), dont une paroi (3b) comporte un certain nombre de trous traversants; des dispositifs de détection de température formés sur les trous traversants détectent la température de la plaquette (1). Chacun des dispositifs de détection de température comprend un capuchon cylindrique (6) qui ferme le trou traversant correspondant et qui supporte la plaquette de semi-conducteur (1).Un élément de fixation de détecteur de température, introduit dans le capuchon cylindrique (6) par le trou traversant, comprend une partie cylindrique à visser dans le capuchon (6) et dont la surface périphérique extérieure comporte des rainures pour amener un thermocouple à la partie supérieure du capuchon (6).Reaction tube for producing a semiconductor wafer (1), received in the space (2) of a tube body (3), one wall (3b) of which has a number of through holes; temperature sensing devices formed on the through holes sense the temperature of the wafer (1). Each of the temperature sensing devices comprises a cylindrical cap (6) which closes the corresponding through-hole and which supports the semiconductor wafer (1). A temperature sensor fixing member, inserted into the cylindrical cap (6) through the through-hole, comprises a cylindrical part to be screwed into the cap (6) and the outer peripheral surface of which has grooves for bringing a thermocouple to the upper part of the cap (6).

Description

ARRIERE PLAN DE L'INVENTIONBACKGROUND OF THE INVENTION

1. Domaine de l'invention1. Field of the invention

La présente invention concerne un tube de réac-  The present invention relates to a reaction tube.

tion pour la fabrication d'une plaquette de semi-conducteur et, plus particulièrement, un tube de réaction pour former un film sur une plaquette de semi-conducteur destinée à être utilisée dans le dispositif de fabrication d'un lot de puces  tion for the manufacture of a semiconductor wafer and, more particularly, a reaction tube for forming a film on a semiconductor wafer intended for use in the device for manufacturing a batch of chips

de semi-conducteurs.of semiconductors.

2. Description de l'art antérieur2. Description of the prior art

Dans le cas o la plaquette de semi-conducteur est traitée pour former un film sur celle-ci dans le tube de réaction, la température de la plaquette de semi-conducteur et la qualité du film formé sur celle-ci sont étroitement  In the case where the semiconductor wafer is treated to form a film thereon in the reaction tube, the temperature of the semiconductor wafer and the quality of the film formed thereon are closely

liées l'une à l'autre, de sorte qu'il est nécessaire de con-  related to each other, so it is necessary to con-

trôler avec précision la température de la plaquette de semi-  accurately monitor the temperature of the semi-insert

conducteur dans le tube de réaction.  conductor in the reaction tube.

Par suite, dans le tube de réaction convention-  Consequently, in the reaction tube convention-

nel, la température de la plaquette de semi-conducteur dans  nel, the temperature of the semiconductor wafer in

le tube de réaction est mesurée par un thermomètre à rayonne-  the reaction tube is measured by a rayon thermometer-

ment infrarouge pendant le traitement, ou des conditions de  infrared during treatment, or conditions of

température pour la formation du film sont déterminées préli-  temperature for film formation are determined beforehand

minairement en utilisant une fausse plaquette munie d'un thermocouple sur celle-ci pour contrôler la température de  Minerally by using a false plate fitted with a thermocouple on it to control the temperature of

cette plaquette de semi-conducteur.this semiconductor wafer.

Cependant, la température de la plaquette de se-  However, the temperature of the platelet

mi-conducteur ne peut être mesurée correctement par le ther-  semiconductor cannot be measured correctly by the therm

momètre à rayonnement infrarouge car le taux de rayonnement de chaleur de la plaquette de semi-conducteur varie suivant  infrared radiation mometer because the rate of heat radiation from the semiconductor wafer varies according to

la température ou le type de film à former.  the temperature or type of film to be formed.

De plus, dans le cas o l'on utilise la fausse plaquette, le thermocouple doit être monté sur une surface d'une plaquette mince. Cependant, le thermocouple se retire facilement de la plaquette et il est nécessaire de prévoir un dispositif supplémentaire tel qu'une traversée pour assurer l'étanchéité à l'air des fils conducteurs du thermocouple qui  In addition, when using the false plate, the thermocouple must be mounted on a surface of a thin plate. However, the thermocouple is easily removed from the wafer and it is necessary to provide an additional device such as a bushing to ensure the airtightness of the thermocouple conducting wires which

passent de l'intérieur à l'extérieur du tube de réaction.  pass from the inside to the outside of the reaction tube.

RESUME DE L' INVENTIONSUMMARY OF THE INVENTION

Par suite, la présente invention a pour but de  Consequently, the present invention aims to

créer un tube de réaction qui soit débarrassé des défauts ci-  create a reaction tube that is free of the above faults

dessus. A cet effet, la présente invention concerne un  above. To this end, the present invention relates to a

tube de réaction pour la fabrication d'une plaquette de semi-  reaction tube for the production of a semi-insert

conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un corps de tube muni d'un espace pour recevoir dans celui-ci une plaquette de  conductor, characterized in that it comprises a tube body provided with a space for receiving therein a plate of

semi-conducteur, un certain nombre de trous traversants pré-  semiconductor, a number of through holes pre-

vus dans une paroi du corps de tube, et des dispositifs de détection de température formés respectivement sur les trous traversants pour détecter la température de la plaquette de  seen in a wall of the tube body, and temperature sensing devices formed respectively on the through holes to sense the temperature of the wafer

semi-conducteur dans l'espace de réception, chacun des dispo-  semiconductor in the reception area, each of the

sitifs de détection de température comprenant un capuchon cy-  temperature detection devices including a cy-

lindrique disposé dans cet espace de réception pour fermer le trou traversant correspondant et pour supporter la plaquette de semiconducteur dans cet espace, et un élément de fixation  lindrique arranged in this reception space to close the corresponding through hole and to support the semiconductor wafer in this space, and a fixing element

de détecteur de température devant être introduit dans le ca-  temperature sensor to be inserted in the case

puchon cylindrique par le trou traversant en partant de  cylindrical puchon through the through hole starting from

l'extérieur du corps de tube.the outside of the tube body.

Suivant une autre caractéristique de l'invention, l'élément de fixation de détecteur de température comprend une partie cylindrique destinée à se visser dans le capuchon,  According to another characteristic of the invention, the temperature detector fixing element comprises a cylindrical part intended to be screwed into the cap,

et des rainures formées sur la surface périphérique exté-  and grooves formed on the outer peripheral surface

rieure de la partie cylindrique pour amener un thermocouple à  of the cylindrical part to bring a thermocouple to

la partie supérieure du capuchon.the top of the cap.

Suivant une autre caractéristique encore de  According to yet another characteristic of

l'invention, l'élément de fixation de détecteur de tempéra-  the invention, the temperature sensor fixing element

ture comprend une partie cylindrique destinée à être intro-  ture comprises a cylindrical part intended to be intro

duite dans le capuchon, des rainures formées sur la surface périphérique extérieure de la partie cylindrique pour amener un thermocouple à la partie supérieure du capuchon, et une collerette prévue sur une extrémité de la partie cylindrique  duite in the cap, grooves formed on the outer peripheral surface of the cylindrical part to bring a thermocouple to the upper part of the cap, and a flange provided on one end of the cylindrical part

de manière à venir se visser dans le trou traversant.  so as to be screwed into the through hole.

Ces aspects ainsi que d'autres aspects et autres  These and other aspects and others

buts de la présente invention seront mieux appréciés et com-  aims of the present invention will be better appreciated and understood.

pris à la lecture de la description détaillée qui suit et qui  taken from reading the detailed description which follows and which

se réfère aux dessins annexés. On comprendra cependant que la  refers to the accompanying drawings. It will be understood, however, that the

description qui suit, bien qu'elle indique des modes de réa-  description which follows, although it indicates modes of reaction

lisation préférentiels de la présente invention, n'est donnée qu'à titre d'illustration et non de limitation. Beaucoup de changements et de modifications peuvent être apportés tout en restant dans l'esprit et le cadre de la présente invention.  Preferential reading of the present invention, is given only by way of illustration and not by limitation. Many changes and modifications can be made while remaining within the spirit and scope of the present invention.

BREVE DESCRIPTION DES DESSINSBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

La présente invention sera décrite ci-après de  The present invention will be described below from

manière plus détaillée à l'aide de modes de réalisation re-  in more detail using embodiments re-

présentés sur les dessins annexés dans lesquels:  shown in the accompanying drawings in which:

* la figure 1 est une vue en plan d'un tube de réaction se-  * Figure 1 is a plan view of a reaction tube

lon la présente invention; * la figure 2 est une vue de côté, en coupe verticale, du tube de réaction selon la présente invention; * la figure 3 est une vue de côté, en coupe verticale, d'un dispositif de détection de température du tube de réaction de la présente invention; * la figure 4 est une vue en perspective d'un élément de  the present invention; * Figure 2 is a side view, in vertical section, of the reaction tube according to the present invention; * Figure 3 is a side view, in vertical section, of a temperature detection device of the reaction tube of the present invention; * Figure 4 is a perspective view of an element of

fixation du détecteur de température représenté à la fi-  fixing the temperature detector shown in figure

gure 3; * la figure 5 est une vue de côté, en coupe verticale, du  gure 3; * Figure 5 is a side view, in vertical section, of the

dispositif de détection de température représenté à la fi-  temperature detection device shown in figure

gure 3, dans un état combiné; * la figure 6 est une vue de côté, en coupe verticale, d'un dispositif de détection de température selon un autre mode de réalisation de la présente invention; et * la figure 7 est une vue de côté, en coupe verticale, d'un  gure 3, in a combined state; * Figure 6 is a side view, in vertical section, of a temperature detection device according to another embodiment of the present invention; and * Figure 7 is a side view, in vertical section, of a

dispositif pour le traitement d'une plaquette de semi-  device for processing a semi-insert

conducteur.driver.

DESCRIPTION DES MODES DE REALISION PREFERENTIELS  DESCRIPTION OF THE PREFERENTIAL DESIGN MODES

Comme représenté dans les figures 1 à 5, un tube  As shown in Figures 1 to 5, a tube

de réaction selon un premier mode de réalisation de la pré-  of reaction according to a first embodiment of the pre-

sente invention comprend un corps de tube plat 3 réalisé en quartz de haute pureté et muni d'un espace 2 pour recevoir dans celui-ci par exemple une plaquette 1 de semi-conducteur  sente invention comprises a flat tube body 3 made of high purity quartz and provided with a space 2 to receive therein for example a semiconductor wafer 1

en forme de disque, un tuyau 4 monté sur une première extré-  disc-shaped, a pipe 4 mounted on a first end

mité 3a du corps de tube 3 pour introduire un gaz de traite-  mite 3a of the tube body 3 to introduce a treatment gas

ment dans l'espace 2 à l'intérieur du corps de tube 3, un certain nombre de trous traversants 5 prévus sur une paroi inférieure 3b du corps de tube 3 pour faire communiquer  ment in the space 2 inside the tube body 3, a number of through holes 5 provided on a bottom wall 3b of the tube body 3 to communicate

l'espace 2 avec l'extérieur du corps de tube 3, et des dispo-  space 2 with the outside of the tube body 3, and

sitifs de détection de température formés sur la paroi infé-  temperature detection devices formed on the lower wall

rieure 3b en correspondance avec les trous traversants 5 respectifs pour détecter la température de la plaquette de  3b in correspondence with the respective through holes 5 to detect the temperature of the wafer

semi-conducteur 1 dans l'espace 2.semiconductor 1 in space 2.

Chacun des dispositifs de détection de tempéra-  Each of the temperature sensing devices

ture comprend un capuchon cylindrique 6 pour supporter la plaquette 1 dans l'espace 2, le côté ouvert de chacun de ces dispositifs de détection de température étant fixé à la paroi inférieure 3b par exemple par soudage, de manière à fermer le  ture comprises a cylindrical cap 6 for supporting the wafer 1 in the space 2, the open side of each of these temperature detection devices being fixed to the bottom wall 3b for example by welding, so as to close the

trou traversant 5 correspondant, une partie de filetage fe-  through hole 5 corresponding, part of female thread

melle 3c formée sur la surface périphérique intérieure du  3c melle formed on the inner peripheral surface of the

trou traversant 5 du côté inférieur de celui-ci, et un élé-  through hole 5 on the lower side thereof, and an ele

ment de fixation de détecteur de température 9 devant être  temperature sensor fixing element 9 to be

introduit dans le capuchon cylindrique 6 par le trou traver-  introduced into the cylindrical cap 6 through the through hole

sant 5.health 5.

L'élément de fixation de détecteur de température 9 comprend une partie cylindrique 8b réalisée en quartz et devant être introduite dans le capuchon 6, des rainures 8c formées des deux côtés de la surface périphérique extérieure de la partie cylindrique 8b, une collerette 8a formée sur la partie inférieure de la partie cylindrique 8b, une partie de filetage mâle 7 formée sur la surface périphérique extérieure  The temperature sensor fixing element 9 comprises a cylindrical part 8b made of quartz and having to be introduced into the cap 6, grooves 8c formed on both sides of the outer peripheral surface of the cylindrical part 8b, a flange 8a formed on the lower part of the cylindrical part 8b, a male thread part 7 formed on the outer peripheral surface

de la collerette 8e de manière à venir se visser dans la par-  of the 8th flange so as to be screwed into the

tie de filetage femelle 3c du trou traversant 5, des trous traversants 8d formés verticalement dans la collerette 8a de manière à communiquer respectivement avec les rainures 8c, et  female thread tie 3c of the through hole 5, through holes 8d formed vertically in the flange 8a so as to communicate respectively with the grooves 8c, and

une rainure 8e formée horizontalement sur la surface infé-  a groove 8e formed horizontally on the lower surface

rieure de la collerette 8a pour recevoir un outil de fixation  flange 8a to receive a fixing tool

tel qu'un tournevis.such as a screwdriver.

Un thermocouple 11 s'étend de manière à passer à  A thermocouple 11 extends so as to pass to

travers les trous traversants 8d et les rainures 8c pour at-  through the through holes 8d and the grooves 8c for at-

teindre une partie de mesure 10 du thermocouple 11 à l'endroit d'une surface de plafond 6a du capuchon 6. Dans la figure 5, la référence numérique 12 désigne des fils d'amenée  dyeing a measurement part 10 of the thermocouple 11 at the location of a ceiling surface 6a of the cap 6. In FIG. 5, the reference numeral 12 designates lead wires

de courant pour le thermocouple 10, et la référence 13 dési-  current for thermocouple 10, and reference 13 desi-

gne des isolateurs réalisés en quartz électriquement isolant,  gene insulators made of electrically insulating quartz,

pour les fils d'amenée de courant 12.  for current supply wires 12.

La figure 6 représente un dispositif de détection  Figure 6 shows a detection device

de température du tube de réaction selon l'autre mode de réa-  temperature of the reaction tube according to the other reaction mode

lisation de la présente invention. Dans ce dernier mode de réalisation, une partie de filetage femelle 18 est prévue sur  of the present invention. In this latter embodiment, a female thread part 18 is provided on

la surface périphérique intérieure du capuchon 6, et une par-  the inner peripheral surface of the cap 6, and a part

tie de filetage mâle 8f est prévue sur la surface périphéri-  8f male thread tie is provided on the peripheral surface

que extérieure de la partie cylindrique 8b.  that exterior of the cylindrical part 8b.

Dans ce mode de réalisation, l'élément de fixa-  In this embodiment, the fixing element

tion 9 du détecteur de température peut être fixé directement  tion 9 of the temperature sensor can be attached directly

au capuchon 6.cap 6.

Le tube de réaction selon la présente invention, ainsi que la plaquette de semi-conducteur 1 reposant sur les capuchons 6, sont introduits dans un espace 15 à l'intérieur  The reaction tube according to the present invention, as well as the semiconductor wafer 1 resting on the caps 6, are introduced into a space 15 inside.

du four de chauffage 14, comme représenté à la figure 7.  the heating oven 14, as shown in FIG. 7.

La référence numérique 16 désigne deux plaques d'égalisation de chaleur disposées dans l'espace 15 en face du corps de tube 3, et la référence numérique 17 désigne un  The reference numeral 16 designates two heat equalization plates arranged in the space 15 opposite the tube body 3, and the reference numeral 17 designates a

élément de chauffage du four 14.furnace heating element 14.

EFFET DE L'INVENTIONEFFECT OF THE INVENTION

La présente invention fournit des avantages im-  The present invention provides substantial advantages.

portants par rapport au tube de réaction conventionnel. Par exemple, selon la présente invention, la température de la plaquette de semi- conducteur peut être mesurée et contrôlée correctement au cours du traitement. De plus, le thermocouple n'est pas fixé directement à la plaquette de semi-conducteur, et n'est pas positionné à l'intérieur du corps de tube, de sorte qu'il n'est pas nécessaire de prévoir des traversées d'alimentation quelconques étanches à l'air pour les fils  load bearing compared to the conventional reaction tube. For example, according to the present invention, the temperature of the semiconductor wafer can be measured and properly controlled during processing. In addition, the thermocouple is not fixed directly to the semiconductor wafer, and is not positioned inside the tube body, so it is not necessary to provide crossings of any airtight supply for the wires

d'amenée de courant du thermocouple.  thermocouple current supply.

Claims (3)

R E V E N D I C A T I ON SR E V E N D I C A T I ON S ) Tube de réaction pour la fabrication d'une plaquette de semi-conducteur (1), caractérisé en ce qu'il comprend: * un corps de tube (3) muni d'un espace (2) pour recevoir dans celui-ci une plaquette de semi-conducteur (1), un certain nombre de trous traversants (5) prévus dans une paroi (3a) du corps de tube (3), et  ) Reaction tube for the manufacture of a semiconductor wafer (1), characterized in that it comprises: * a tube body (3) provided with a space (2) for receiving therein a semiconductor wafer (1), a number of through holes (5) provided in a wall (3a) of the tube body (3), and * des dispositifs de détection de température formés respec-  * temperature detection devices trained respectively tivement sur les trous traversants (5) pour détecter la température de la plaquette de semi-conducteur (1) dans  through the through holes (5) to detect the temperature of the semiconductor wafer (1) in l'espace (2), chacun des dispositifs de détection de tem-  space (2), each of the time detection devices pérature comprenant un capuchon cylindrique (6) disposé  temperature comprising a cylindrical cap (6) disposed dans l'espace (2) pour fermer le trou traversant (5) cor-  in the space (2) to close the through hole (5) cor- respondant et pour supporter la plaquette de semi-  corresponding and to support the semi-insert conducteur (1) dans l'espace (2), et un élément de fixa-  conductor (1) in space (2), and a fixing element tion de détecteur de température (9) devant être introduit dans le capuchon cylindrique (6) par le trou traversant  tion of temperature sensor (9) to be introduced into the cylindrical cap (6) through the through hole (5) en partant de l'extérieur du corps de tube (3).  (5) starting from the outside of the tube body (3). 2 ) Tube de réaction selon la revendication 1, caractérisé en ce que  2) Reaction tube according to claim 1, characterized in that l'élément de fixation de détecteur de température (9) com-  the temperature sensor fixing element (9) comprises prend une partie cylindrique (8b) destinée à se visser dans le capuchon (6), et des rainures (8c) formées sur la surface périphérique extérieure de la partie cylindrique (8b) pour amener un thermocouple (11) à la partie supérieure (6a) du  takes a cylindrical part (8b) intended to be screwed into the cap (6), and grooves (8c) formed on the outer peripheral surface of the cylindrical part (8b) to bring a thermocouple (11) to the upper part (6a ) of capuchon (6).cap (6). 3 ) Tube de réaction selon la revendication 1, caractérisé en ce que  3) Reaction tube according to claim 1, characterized in that l'élément de fixation de détecteur de température (9) com-  the temperature sensor fixing element (9) comprises prend une partie cylindrique (8b) destinée à être introduite  takes a cylindrical part (8b) intended to be introduced dans le capuchon (6), des rainures (8c) formées sur la sur-  in the cap (6), grooves (8c) formed on the surface face périphérique extérieure de la partie cylindrique (8b) pour amener un thermocouple (11) à la partie supérieure (6a)  outer peripheral face of the cylindrical part (8b) for bringing a thermocouple (11) to the upper part (6a) du capuchon (6), et une collerette (8a) prévue sur une extré-  of the cap (6), and a flange (8a) provided on an end mité de la partie cylindrique (8b) de manière à venir se vis-  mity of the cylindrical part (8b) so as to come vis- ser dans le trou traversant (5).be in the through hole (5).
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