DE10051933A1 - Reaction chamber for molding semiconductor wafer, comprises chamber body with chamber for semiconductor wafer, through-holes in wall of chamber body and temperature sensors arranged in through-holes - Google Patents

Reaction chamber for molding semiconductor wafer, comprises chamber body with chamber for semiconductor wafer, through-holes in wall of chamber body and temperature sensors arranged in through-holes

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DE10051933A1 DE2000151933 DE10051933A DE10051933A1 DE 10051933 A1 DE10051933 A1 DE 10051933A1 DE 2000151933 DE2000151933 DE 2000151933 DE 10051933 A DE10051933 A DE 10051933A DE 10051933 A1 DE10051933 A1 DE 10051933A1
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Abstract

A reaction chamber comprises a chamber body (3) with a chamber (2) for a semiconductor wafer (1), a number of through-holes in the wall of the chamber body and temperature sensors arranged in the through-holes. Each of the sensors comprises a cylindrical covering (6) arranged in the chamber (2) to close the covering and hold the wafer; and a sensor fixing element. Preferred Features: The fixing element has a cylindrical section which is screwed into the cover, and grooves formed in the section for guiding the thermoelement to the upper surface of the covering.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Reaktionskammer zum Formen eines Halbleiter-Wafers, und insbesondere auf eine Reaktionskammer zum Formen einer Schicht auf einem Halbleiter-Wafer zur Verwendung in der Vorrichtung zur Fertigung von Halbleiterspitzen.The invention relates to a reaction chamber for Forms a semiconductor wafer, and especially one Reaction chamber for forming a layer on one Semiconductor wafers for use in the device for Manufacture of semiconductor tips.

Wenn der Halbleiter-Wafer in der Reaktionskammer bearbeitet wird, um darauf eine Schicht bzw. einen Film auszubilden, stehen die Temperatur des Halbleiter-Wafers und die Qualität des darauf ausgebildeten Films in enger Beziehung zueinander, so daß es nötig ist, die Temperatur des Halbleiter-Wafers in der Reaktionskammer genau zu steuern bzw. zu überwachen.If the semiconductor wafer in the reaction chamber is processed to have a layer or film on it to train, the temperature of the semiconductor wafer and the quality of the film trained on it in narrower Relationship to each other so that it is necessary to control the temperature of the Control semiconductor wafers in the reaction chamber precisely or monitor.

In der herkömmlichen Reaktionskammer wird daher die Temperatur des Halbleiter-Wafers in der Reaktionskammer während der Behandlung bzw. Bearbeitung durch ein Infrarotstrahlungsthermometer gemessen, oder Temperaturbedingungen zur Ausbildung des Films werden im voraus durch Verwenden einer Wafer-Attrappe bestimmt, die mit einem Thermoelement versehen ist, um die Temperatur des Halbleiter-Wafers zu steuern.In the conventional reaction chamber, the Temperature of the semiconductor wafer in the reaction chamber during treatment or processing by a Infrared radiation thermometer measured, or Temperature conditions for the formation of the film are in the determined in advance by using a dummy dummy that with is provided with a thermocouple to control the temperature of the Control semiconductor wafers.

Die Temperatur des Halbleiter-Wafers kann jedoch durch das Infrarotstrahlungsthermometer nicht korrekt gemessen werden, da die Wärmestrahlungsrate des Halbleiter-Wafers entsprechend der Temperatur oder der Art des auszubildenden Films variiert.The temperature of the semiconductor wafer can, however, by the infrared radiation thermometer is not measured correctly because the heat radiation rate of the semiconductor wafer  according to the temperature or type of trainee Films vary.

Ferner muß im Fall der Verwendung der Wafer-Attrappe das Thermoelement auf einer Oberfläche eines dünnen Wafers angebracht werden. Das Thermoelement löst sich jedoch leicht von dem Wafer, und es ist nötig, zusätzlich eine gegenüber Luft abdichtende Vorrichtung, wie z. B. eine Durchführung für die Leitungsdrähte des Thermoelements, die vom Inneren der Reaktionskammer nach außen verlaufen, bereitzustellen.Furthermore, in the case of using the dummy dummy, that Thermocouple on a surface of a thin wafer be attached. However, the thermocouple is easily released of the wafer, and it is necessary to additionally face one Air sealing device, such as. B. an implementation for the thermocouple lead wires from the inside of the Run reaction chamber to the outside to provide.

Demgemäß ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine Reaktionskammer vorzuschlagen, die frei von den obigen Mängeln ist.Accordingly, it is an object of the invention to provide a Propose reaction chamber that is free from the above Defects.

Diese Erfindung bringt eine Reaktionskammer in Vorschlag, wie sie im Anspruch 1 angegeben ist. Bevorzugte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben. Diese können wie folgt zusammengefaßt werden.This invention introduces a reaction chamber Proposal as specified in claim 1. Preferred Refinements are specified in the subclaims. This can be summarized as follows.

Eine Reaktionskammer zum Formen eines Halbleiter-Wafers, mit einem Kammerkörper mit einem Raum zur Aufnahme eines Halbleiter-Wafers darin, einer Mehrzahl von Durchgangslöchern, die in einer Wand des Kammerkörpers vorgesehen sind, und Temperatur-Abfühlvorrichtungen, die jeweils an den Durchgangslöchern angeordnet sind, zum Abfühlen der Temperatur des Halbleiter-Wafers in dem Raum, wobei jede der Temperatur-Abfühlvorrichtungen eine zylindrische Abdeckung, die in dem Raum zum Schließen des entsprechenden Durchganglochs und zum Haltern des Halbleiter- Wafers in dem Raum angeordnet ist, sowie ein Temperatursensor-Befestigungselement, das über das Durchgangsloch von außerhalb des Kammerkörpers in die zylindrische Abdeckung einzusetzen ist, umfaßt.A reaction chamber for forming a semiconductor wafer, with a chamber body with a space for receiving a Semiconductor wafers therein, a plurality of Through holes in a wall of the chamber body and temperature sensing devices are provided are each arranged on the through holes for Sensing the temperature of the semiconductor wafer in the room, each of the temperature sensing devices being one cylindrical cover that is in the space to close the corresponding through hole and for holding the semiconductor Wafers is arranged in the room, as well as a Temperature sensor fastener that over the  Through hole from outside the chamber body in the cylindrical cover is used, includes.

Das Temperatursensor-Befestigungselement umfaßt einen zylindrischen Abschnitt, der in die Abdeckung einzuschrauben ist, und an einer Außenumfangsfläche des zylindrischen Abschnitts ausgebildete Nuten zum Führen eines Thermoelements zum oberen Abschnitt der Abdeckung.The temperature sensor fastener includes one cylindrical section that screw into the cover and on an outer peripheral surface of the cylindrical one Section formed grooves for guiding a thermocouple to the top section of the cover.

Das Temperatursensor-Befestigungselement umfaßt einen zylindrischen Abschnitt, der in die Abdeckung einzusetzen ist, an einer Außenumfangsfläche des zylindrischen Abschnitts ausgebildete Nuten zum Führen eines Thermoelements zum oberen Abschnitt der Abdeckung, sowie einen an einem Ende des zylindrischen Abschnitts vorgesehenen Flansch, um in das Durchgangsloch eingeschraubt zu werden.The temperature sensor fastener includes one cylindrical section that insert into the cover is on an outer peripheral surface of the cylindrical portion trained grooves for guiding a thermocouple to the top Section of the cover, as well as one at one end of the cylindrical portion provided flange to fit into the Through hole to be screwed in.

Diese und andere Aspekte und Aufgaben der vorliegenden Erfindung sind aus der folgenden Beschreibung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen besser verständlich. Es ist anzumerken, daß die folgende Beschreibung zwar bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung angibt, diese jedoch nur der Veranschaulichung dienen und nicht einschränkend sein sollen. Viele Änderungen und Modifikationen können innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden, ohne vom Geist derselben abzuweichen, wobei die Erfindung alle diese Modifikationen einbezieht.These and other aspects and tasks of the present Invention are related from the following description easier to understand with the attached drawings. It is it should be noted that although the following description preferred Embodiments of the present invention indicate this however, are for illustration only and not should be restrictive. Many changes and Modifications can be made within the scope of protection present invention can be made without the spirit the same, the invention being all these Includes modifications.

Andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung sind dem Fachmann aus der folgenden detaillierten Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen ersichtlich. Other objects, features and advantages of the invention are that Those skilled in the art from the following detailed description and the attached drawings.  

In der Zeichnung zeigen:The drawing shows:

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Reaktionskammer gemäß der vorliegenden Erfindung, Fig. 1 is a plan view of a reaction chamber according to the present invention,

Fig. 2 eine vertikal geschnittene Seitenansicht der Reaktionskammer gemäß der vorliegenden Erfindung, Fig. 2 is a vertical sectional side view of the reaction chamber according to the present invention,

Fig. 3 eine vertikal geschnittene Seitenansicht einer Temperatur-Abfühlvorrichtung der Reaktionskammer der vorliegenden Erfindung, Fig. 3 is a vertical sectional side view of a temperature sensing means of the reaction chamber of the present invention,

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht eines Temperatursensor-Befestigungselements gemäß Fig. 3, Fig. 4 is a perspective view of a temperature sensor fixing element according to FIG. 3,

Fig. 5 eine vertikal geschnittene Seitenansicht der Temperatur-Abfühlvorrichtung gemäß Fig. 3 in einem kombinierten Zustand, Fig. 5 is a vertical sectional side view of the temperature-sensing device according to Fig. 3 in a combined state,

Fig. 6 eine vertikal geschnittene Seitenansicht einer Temperatur-Abfühlvorrichtung der anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und Fig. 6 is a vertical sectional side view of a temperature-sensing device of the other embodiment of the present invention, and

Fig. 7 eine vertikal geschnittene Seitenansicht einer Vorrichtung zur Bearbeitung eines Halbleiter- Wafers. Fig. 7 is a vertically sectioned side view of a device for processing a semiconductor wafer.

Gemäß Fig. 1 bis Fig. 5 umfaßt eine Reaktionskammer einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen flachen Kammerkörper 3, der aus hochreinem Quarz mit einem Raum 2 zur Aufnahme beispielsweise eines scheibenartigen Halbleiter-Wafers 1 darin gefertigt ist, eine an einem Ende 3a des Kammerkörpers 3 angebrachte Rohrleitung 4 zum Einleiten eines Behandlungsgases in den Raum 2 im Kammerkörper 3, eine Mehrzahl von an einer Bodenwand 3b des Kammerkörpers 3 vorgesehenen Durchgangslöchern 5 zum Verbinden des Raums 2 mit der Außenseite des Kammerkörpers 3, und an der Bodenwand 3b ausgebildete, jeweils den Durchgangslöchern 5 entsprechende Temperatur- Abfühlvorrichtungen zum Abfühlen der Temperatur des Halbleiter-Wafers 1 im Raum 2.According to Fig. 1 to Fig. 5, a reaction chamber of a first embodiment of the present invention comprises a flat chamber body 3 , which is made of high-purity quartz with a space 2 for receiving, for example, a disk-like semiconductor wafer 1 therein, one at one end 3 a of Chamber body 3 attached pipe 4 for introducing a treatment gas into the space 2 in the chamber body 3 , a plurality of through holes 5 provided on a bottom wall 3 b of the chamber body 3 for connecting the space 2 to the outside of the chamber body 3 , and formed on the bottom wall 3 b , temperature sensing devices corresponding to the through holes 5 for sensing the temperature of the semiconductor wafer 1 in the room 2 .

Jede der Temperatur-Abfühlvorrichtungen umfaßt eine zylindrische Abdeckung 6 zum Haltern des Wafers 1 in dem Raum 2, von der die offene Seite beispielsweise durch eine Schweißverbindung an der Bodenwand 3b befestigt ist, um so das entsprechende Durchgangsloch 5 zu schließen, einen an der Innenumfangsfläche des Durchgangslochs 5 an der unteren Seite desselben ausgebildeten Gewindeaufnahmeabschnitt 3c sowie ein Temperatursensor-Befestigungselement 9, das über das Durchgangsloch 5 in die zylindrische Abdeckung 6 einzusetzen ist.Each of the temperature sensing devices comprises a cylindrical cover 6 for holding the wafer 1 in the space 2, from which the open side is b fixed, for example by welding to the bottom wall 3 so as to close the corresponding through-hole 5, one on the inner peripheral surface the through hole 5 on the lower side of the same formed thread receiving portion 3 c and a temperature sensor fastening element 9 , which is to be inserted into the cylindrical cover 6 via the through hole 5 .

Das Temperatursensor-Befestigungselement 9 umfaßt einen aus Quarz gefertigten zylindrischen Abschnitt 8b, der in die Abdeckung 6 einzusetzen ist, auf beiden Seiten einer Außenumfangsfläche des zylindrischen Abschnitts 8b ausgebildete Nuten 8c, einen am unteren Abschnitt des zylindrischen Abschnitts 8b vorgesehenen Flansch 8a, einen an einer Außenumfangsfläche des Flansches 8a so ausgebildeten Gewindeabschnitt 7, daß er mit dem Gewindeaufnahmeabschnitt 3c des Durchgangslochs 5 verschraubt werden kann, Durchgangslöcher 8d, die vertikal im Flansch 8a ausgebildet sind, um jeweils mit den Nuten 8c zu kommunizieren, und eine an der unteren Oberfläche des Flansches 8a ausgebildete Nut 8e für einen Befestiger, z. B. einem Schraubendreher.The temperature sensor fastening element 9 comprises a cylindrical section 8 b made of quartz, which is to be inserted into the cover 6 , grooves 8 c formed on both sides of an outer peripheral surface of the cylindrical section 8 b, a flange 8 provided on the lower section of the cylindrical section 8 b a, a formed on an outer peripheral surface of the flange 8 a threaded portion 7 that it can be screwed to the threaded receiving portion 3 c of the through hole 5 , through holes 8 d, which are formed vertically in the flange 8 a to each with the grooves 8 c communicate, and a formed on the lower surface of the flange 8 a groove 8 e for a fastener, for. B. a screwdriver.

Ein Thermoelement 11 verläuft durch die Durchgangslöcher 8d und die Nuten 8c so hindurch, daß es an einen Meßabschnitt 10 des Thermoelements 11 an einer Oberfläche einer Decke 6a der Abdeckung 6 gelangt. In Fig. 5 bezeichnet die Bezugsziffer 12 Zuleitungs- bzw. Anschlußdrähte für das Thermoelement 10, und 13 bezeichnet aus einem elektrisch isolierenden Quarz gefertigte Wülste (beads) für die Anschlußdrähte 12.A thermocouple 11 runs through the through holes 8 d and the grooves 8 c so that it reaches a measuring section 10 of the thermocouple 11 on a surface of a ceiling 6 a of the cover 6 . In Fig. 5, reference numeral 12 denotes lead wires for the thermocouple 10 , and 13 denotes beads for the lead wires 12 made of an electrically insulating quartz.

Fig. 6 zeigt eine Temperatur-Abfühlvorrichtung für die Reaktionskammer der anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei dieser Ausführungsform ist ein Gewindeaufnahmeabschnitt 18 an einer Innenumfangsfläche der Abdeckung 6 und ein dazu passender Gewindeabschnitt 8f an der Außenumfangsfläche des zylindrischen Abschnitts 8b vorgesehen. Fig. 6 shows a temperature sensing device for the reaction chamber of another embodiment of the present invention. In this embodiment, a thread receiving portion 18 on an inner peripheral surface of the cover 6 and a mating threaded portion 8 is f b provided on the outer peripheral surface of the cylindrical portion. 8

Bei dieser Ausführungsform kann das Temperatursensor- Befestigungselement 9 direkt an der Abdeckung 6 befestigt sein.In this embodiment, the temperature sensor fastening element 9 can be fastened directly to the cover 6 .

Die Reaktionskammer gemäß der vorliegenden Erfindung wird zusammen mit dem auf den Abdeckungen 6 ruhenden Halbleiter-Wafer 1 in einen Raum 15 in einem Heizofen 14 eingeführt, wie Fig. 7 zeigt.The reaction chamber according to the present invention, together with the semiconductor wafer 1 resting on the covers 6, is introduced into a space 15 in a heating furnace 14 , as shown in FIG. 7.

Eine Bezugsziffer 16 bezeichnet zwei im Raum 15 gegenüber dem Kammerkörper 3 angeordnete Wärmeausgleichsplatten, und 17 bezeichnet eine Heizeinheit des Ofens 14. A reference numeral 16 denotes two heat compensation plates arranged in the space 15 opposite the chamber body 3 , and 17 denotes a heating unit of the furnace 14 .

Die Erfindung bietet wesentliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Reaktionsröhren bzw. -kammern. Beispielsweise kann gemäß der vorliegenden Erfindung die Temperatur des Halbleiter-Wafers bei der Behandlung bzw. Bearbeitung korrekt gemessen und überwacht werden. Ferner ist das Thermoelement nicht direkt am Halbleiter-Wafer befestigt, und es ist nicht innerhalb des Kammerkörpers positioniert, so daß es nicht nötig ist, irgendeine luftdichte Durchführung für den Anschlußdraht des Thermoelements vorzusehen.The invention offers significant advantages over conventional reaction tubes or chambers. For example According to the present invention, the temperature of the Semiconductor wafers correct during treatment or processing be measured and monitored. Furthermore, the thermocouple not attached directly to the semiconductor wafer and it is not positioned within the chamber body so that it does not some airtight bushing is necessary for the Provide connection wire of the thermocouple.

Claims (3)

1. Eine Reaktionskammer zum Formen eines Halbleiter-Wafers, mit einem Kammerkörper (3) mit einem Raum (2) zur Aufnahme eines Halbleiter-Wafers (1) darin, einer Mehrzahl von Durchgangslöchern (5), die in einer Wand des Kammerkörpers vorgesehen sind, und Temperatur-Abfühlvorrichtungen, die jeweils an den Durchgangslöchern (5) angeordnet sind, zum Abfühlen der Temperatur des Halbleiter-Wafers (1) in dem Raum (2), wobei jede der Temperatur-Abfühlvorrichtungen eine zylindrische Abdeckung (6), die in dem Raum zum Schließen des entsprechenden Durchganglochs (5) und zum Haltern des Halbleiter-Wafers (1) in dem Raum (2) angeordnet ist, sowie ein Temperatursensor-Befestigungselement (9), das über das Durchgangsloch (5) von außerhalb des Kammerkörpers (3) in die zylindrische Abdeckung (6) einzusetzen ist, umfaßt.1. A reaction chamber for forming a semiconductor wafer, having a chamber body ( 3 ) with a space ( 2 ) for receiving a semiconductor wafer ( 1 ) therein, a plurality of through holes ( 5 ) which are provided in a wall of the chamber body , and temperature sensing devices, each located at the through holes ( 5 ), for sensing the temperature of the semiconductor wafer ( 1 ) in the space ( 2 ), each of the temperature sensing devices having a cylindrical cover ( 6 ) shown in the space for closing the corresponding through-hole ( 5 ) and for holding the semiconductor wafer ( 1 ) is arranged in the space ( 2 ), and a temperature sensor fastening element ( 9 ) which is connected via the through-hole ( 5 ) from outside the chamber body ( 3 ) is to be inserted into the cylindrical cover ( 6 ). 2. Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das Temperatursensor-Befestigungselement (9) einen zylindrischen Abschnitt (8b), der in die Abdeckung (6) einzuschrauben ist, und an einer Außenumfangsfläche des zylindrischen Abschnitts (8b) ausgebildete Nuten (8c) zum Führen eines Thermoelements (11) zum oberen Abschnitt der Abdeckung (6), umfaßt.2. Reaction chamber according to claim 1, wherein the temperature sensor fastening element ( 9 ) has a cylindrical section ( 8 b), which is to be screwed into the cover ( 6 ), and grooves ( 8 c) formed on an outer peripheral surface of the cylindrical section ( 8 b). for guiding a thermocouple ( 11 ) to the upper portion of the cover ( 6 ). 3. Reaktionskammer gemäß Anspruch 1, wobei das Temperatursensor-Befestigungselement (9) einen zylindrischen Abschnitt (8b), der in die Abdeckung (6) einzusetzen ist, an einer Außenumfangsfläche des zylindrischen Abschnitts (8b) ausgebildete Nuten (8c) zum Führen eines Thermoelements (11) zum oberen Abschnitt der Abdeckung (6), und einen an einem Ende des zylindrischen Abschnitts (8b) vorgesehenen Flansch (8a), um in das Durchgangsloch (5) eingeschraubt zu werden, umfaßt.3. Reaction chamber according to claim 1, wherein the temperature sensor fastener ( 9 ) has a cylindrical portion ( 8 b) to be inserted into the cover ( 6 ) on an outer peripheral surface of the cylindrical portion ( 8 b) formed grooves ( 8 c) Guide a thermocouple ( 11 ) to the upper portion of the cover ( 6 ), and at one end of the cylindrical portion ( 8 b) provided flange ( 8 a) to be screwed into the through hole ( 5 ).
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CN112951690A (en) * 2021-01-29 2021-06-11 上海诺硕电子科技有限公司 Semiconductor vacuum equipment and temperature detection method

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