FR2769988A1 - Transistor a effet de champ de detection ayant une pluralite de pastilles formant source de detection - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un transistor à effet de champ de détection pouvant présenter une pluralité de rapports de courant de détection. Le transistor à effet de champ de détection comporte une pluralité de pastilles de détection (SP31, SP32, SP33 ) isolées les unes des autres (S31, S32, S33, 534, S35 ) ou connectées entre elles par le biais de fusibles en film mince métallique pouvant être électriquement coupés et un nombre variable de cellules de détection unitaires (SCA31, SCA32, SCA33 ) formées sous chacune des pastilles de détection. La pastille de détection est sélectionnée par liaison par un fil ou en faisant fondre un fusible en film mince métallique et un rapport de courant de détection peut être obtenu diversement grâce à la sélection.Application à l'alimentation de charges électriques.
Description
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DETECTION AYANT UNE
PLURALITE DE PASTILLES FORMANT SOURCE DE DETECTION
ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION
1. Domaine de l'invention La présente invention concerne un composant à semi-conducteur de puissance et plus particulièrement un transistor à effet de champ (FET) de détection ayant
une source de détection supplémentaire.
2. Description de la technique apparentée
En général, un MOSFET (Transistor à effet de champ du type Métal-OxydeSemiconducteur) de puissance ayant un circuit d'attaque simple et un retard de temps relativement faible en tant que dispositif de commutation ou dispositif de commande pour fournir de la puissance à une charge est utilisé pour un circuit tel qu'une alimentation à découpage, un ballast de
lampe ou un circuit d'entraînement de moteur.
Le MOSFET de puissance est composé d'une matrice dans laquelle des milliers - des dizaines de milliers de cellules de commutation sont connectées en parallèle sur une puce. Ici, le courant qui traverse le MOSFET de puissance et une charge doit être détecté. Le courant de charge est en général détecté (ou estimé) en établissant des résistances de puissance à valeur fractionnaire en série dans un trajet de courant de charge et en mesurant les chutes de tension dans les
résistances de puissance de valeur fractionnaire.
Toutefois, la résistance de puissance à valeur fractionnaire nécessite une consommation de puissance supérieure du fait du courant de charge élevé et la consommation de puissance provoque une réduction de l'efficacité d'un système dans sa globalité. De plus, le prix de la résistance de puissance à valeur fractionnaire est supérieur à celui d'une résistance au carbone usuelle, ce qui provoque une augmentation du
prix du système dans sa globalité.
Récemment, un transistor à effet de champ (FET) de détection comportant un transistor à effet de champ principal et un transistor à effet de champ secondaire, dans lesquels le transistor à effet de champ secondaire est conçu pour transporter un pourcentage prédéterminé du courant transporté par le transistor à effet de
champ principal a été propose.
La figure 1 est un schéma de circuit équivalent d'un transistor à effet de champ de détection classique
(transistor à effet de champ de détection).
Tel que représenté sur la figure 1, dans le transistor à effet de champ de détection, contrairement à un MOSFET de puissance typique, un transistor à effet de champ principal Qm et un transistor à effet de champ secondaire Qs sont connectés en parallèle, et deux sources sont fournies. Ici, la source du transistor à effet de champ principal Qm est mise à la masse et la source (source de détection) du transistor à effet de champ secondaire Qs est connectée à une résistance de détection de courant Rs, afin de détecter une chute de
tension Vs de la résistance de détection de courant.
Le courant Id fourni à un drain D du transistor à effet de champ de détection est divisé en la source du transistor à effet de champ principal Qm et la source de détection du transistor à effet de champ secondaire Qs. Puisqu'une valeur de la résistance à l'état passant du MOSFET est inversement proportionnelle au nombre de cellules dans le transistor à effet de champ, le nombre de cellules principales composant le transistor à effet de champ principal Qm est différent du nombre des cellules de détection composant le transistor à effet de champ secondaire Qs de sorte que le courant Im transmis au transistor à effet de champ principal Qm et le courant Is transmis au transistor à effet de champ secondaire Qs présentent un rapport de courant qui dépend du nombre de cellules. En général, le nombre de cellules de détection est des centaines voire des milliers de fois inférieur au nombre de cellules principales, de sorte que la valeur de la résistance à l'état passant du transistor à effet de champ secondaire Qs est supérieure à celle du transistor à effet de champ principal Qm. Ainsi, la plus grande partie du courant de drain Id circule à travers le transistor à effet de champ principal Qm et une faible quantité de courant circule à travers le transistor à
effet de champ secondaire Qs.
Puisqu'une structure de la cellule principale est identique à celle de la cellule de détection, leurs caractéristiques de tension et d'intensité sont identiques. De préférence, le rapport du nombre de cellules principales sur celui de cellules de détection est égal au rapport du courant qui circule à travers la cellule principale sur celui qui circule à travers la cellule de détection. Par exemple, lorsque le rapport du nombre de cellules principales sur celui de cellules de détection est n, le courant de drain Id du transistor à effet de champ de détection et une tension Vs appliquée à la résistance de détection de courant Rs sont exprimés, respectivement, de la façon suivante: Id = Is + Im = Is + n.Is = (n+1). Is Vs = Is. Rs = Id/(n+l). Rs Par conséquent, le courant de drain Id qui passe à travers le transistor à effet de champ de détection global est exprimé de la façon suivante:
Id = (n+l)/Rs. Vs.
C'est-à-dire que, tel que représenté sur la figure 1, lorsque la résistance de détection de courant Rs ayant une faible résistance est connectée au transistor à effet de champ secondaire Qs, et que le courant Is traversant le transistor à effet de champ secondaire Qs est calculé en mesurant la chute de tension Vs de la résistance, et qu'ensuite la valeur est employée pour le rapport du nombre de cellules principales sur celui de cellules de détection, le courant Id traversant le transistor à effet de champ de
détection global peut être estimé.
Tel que décrit ci-dessus, puisque le courant qui traverse le transistor à effet de champ de détection peut être estimé en utilisant un courant de plusieurs milliampères à travers la résistance de détection de courant Rs, le courant de charge peut être mesuré sans qu'il y ait une consommation de puissance importante en utilisant le transistor à effet de champ de détection à
la place du transistor MOSFET de puissance.
Le rapport du courant (rapport du courant de détection) du transistor à effet de champ principal sur celui du transistor à effet de champ secondaire est l'élément test le plus important pour le transistor à effet de champ de détection, et le rapport du courant de détection doit être maintenu à un niveau déterminé pour mesurer avec plus d'exactitude la charge de courant. En général, le rapport du courant de détection requis pour le transistor à effet de champ de détection est modifié en fonction d'un circuit appliqué, ce qui signifie que le nombre de cellules de détection est modifié. Par conséquent, grâce à la technique classique, une configuration de transistor à effet de champ de détection doit être modifiée pour être utilisée pour d'autres circuits appliqués. C'est-à-dire que des transistors à effet de champ de détection ayant plusieurs rapports de courant de détection doivent être conçus et fabriqués, respectivement, pour ne pas
détériorer l'efficacité.
En particulier, le rapport du courant de détection peut être différent d'une valeur de configuration en fonction du matériau utilisé pour
fabriquer le transistor à effet de champ de détection.
Par conséquent, dans la technique classique, puisque le rapport du courant de détection est fixé après la fabrication du transistor à effet de champ de détection, le transistor à effet de champ de détection ne peut pas être appliqué pour les circuits d'application à utiliser si le rapport du courant de détection est différent de la valeur de la configuration, ce qui nécessite un nouveau transistor à effet de champ de détection et une nouvelle configuration pour le nouveau transistor à effet de
champ de détection.
RESUME DE L'INVENTION
Pour résoudre les problèmes mentionnés ci-dessus, un objet de la présente invention est de fournir un transistor à effet de champ de détection présentant la possibilité de modifier un rapport du courant de détection, c'est-à-dire une pluralité de rapports de
courant de détection, après la fabrication d'une puce.
Par conséquent, pour atteindre l'objet mentionné ci-dessus, un transistor à effet de champ de détection selon la présente invention comporte une matrice de cellules principale, une pastille principale, une pluralité de matrices de cellules de détection et une
pluralité de pastilles de détection.
La matrice de cellules principale présente une pluralité de cellules MOSFET connectées en parallèle, et la pastille principale est connectée électriquement aux sources de la pluralité de cellules MOSFET de la
matrice de cellules principale.
La pluralité de matrices de cellules de détection peut être composée d'une pluralité de cellules de détection unitaires ayant des drains et des grilles connectés aux grilles et aux drains des cellules MOSFET de la matrice de cellules principale et la pluralité de pastilles de détection peuvent correspondre à chacune de la pluralité des matrices de cellules de détection et peuvent être connectées électriquement aux sources des cellules de détection unitaires de la matrice de
cellules de détection correspondante, respectivement.
Ici, la pluralité de matrices de cellules de détection peuvent être composées d'un nombre différent de cellules de détection unitaires ou d'un nombre identique de cellules de détection unitaires, respectivement, et la structure des cellules de détection unitaires peut être identique à celle des cellules MOSFET de la matrice de cellules principale, de sorte que la cellule de détection unitaire présente les mêmes caractéristiques de courant- tension que la
cellule MOSFET.
La pluralité de pastilles de détection peut être formée de telle sorte que les pastilles de détection sont isolées électriquement les unes des autres ainsi que de la pastille principale. De plus, la pluralité de pastilles de détection peut être formée de façon que les pastilles de détection soient électriquement connectées à la pastille principale et à la pastille de détection adjacente par le biais d'un fusible de film
fin de métal pouvant être coupé électriquement.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
Les objets et avantages de la présente invention mentionnés ci-dessus apparaîtront plus clairement
d'après la description détaillée d'un mode de
réalisation de celle-ci, en référence aux dessins joints parmi lesquels: la figure 1 est un schéma de circuit équivalent d'un transistor à effet de champ de détection classique; la figure 2 est une vue en plan représentant schématiquement une partie de cellule de détection du transistor à effet de champ de détection selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 3 est un schéma de circuit équivalent du transistor à effet de champ de détection de la figure 2; la figure 4 est une vue en plan représentant schématiquement une partie de cellule de détection d'un transistor à effet de champ de détection selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention; la figure 5 est un schéma de circuit équivalent du transistor à effet de champ de détection de la figure 4; la figure 6 est une vue en plan représentant schématiquement une partie de cellule de détection du transistor à effet de champ de détection selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; et la figure 7 est un schéma de circuit équivalent au transistor à effet de champ de détection de la
figure 6.
DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES
Les figures 2 et 3 illustrent un transistor à effet de champ de détection selon un premier mode de réalisation de la présente invention, la figure 2 est une vue en plan représentant schématiquement une partie de cellule de détection et la figure 3 est un
équivalent de celle-ci.
Le transistor à effet de champ (FET) de détection selon un premier mode de réalisation de la présente invention, tel que représenté sur la figure 2, comporte une matrice de cellules principale MCA, une pastille principale MP, une pluralité de matrices de cellules de détection SCA11, SCA12 et SCA13 ayant chacune un nombre différent ou identique de cellules de détection unitaires SC et une pluralité de pastilles de détection
SP11, SP12 et SP13-
Les cellules de détection unitaires SC sont connectées en parallèle dans une matrice de cellules de détection, et chaque source des cellules de détection unitaires, c'est-à-dire chaque source de détection, est connectée à une pastille de détection. Par exemple, chaque source des cellules de détection unitaires SC de la première matrice de cellules de détection SCAll est
connectée à une première pastille de détection SP1l.
Par conséquent, chacune des matrices de cellules de détection SCA11, SCA12 et SCA13 est connectée à l'une
des pastilles de détection SP11, SP12 et SP13.
De préférence, la structure de la cellule de détection unitaire SC est identique à celle de la cellule unitaire de la matrice de cellules principale MCA de sorte que la cellule de détection unitaire SC présente les mêmes caractéristiques de courant-tension qu'une cellule unitaire faisant partie de la matrice de cellules principale. Les première, deuxième et troisième matrices de cellules de détection SCA11, SCA12 et SCA13 sont isolées électriquement non seulement de la matrice de cellules principale (non représentée) mais également les unes des autres, et les pastilles de détection SP1l1, SP12 et SP13 sont connectées à une borne d'un paquet de transistors à effet de champ de détection par le biais d'un fil
conducteur, par exemple un fil métallique.
Tel que décrit précédemment, le transistor à effet de champ de détection selon un premier mode de réalisation comporte une pluralité de pastilles de cellules séparées électriquement et chacune des pastilles de détection est connectée à l'une des matrices de cellules de détection présentant un certain nombre de cellules de détection, respectivement. Par conséquent, le rapport du courant de détection peut être commandé à plusieurs reprises par la pastille de
détection choisie par un processus de liaison par fil.
Le schéma de circuit équivalent de la figure 2
est représenté sur la figure 3.
Tel que représenté sur la figure 3, selon le transistor à effet de champ de détection du premier mode de réalisation, un transistor à effet de champ principal Qm1 et trois transistors à effet de champ secondaires Qsjl, Qs12 et Qs13 sont connectés en parallèle, et chacun des transistors à effet de champ secondaires Qsll, Qs12 et Qs13 est connecté à une résistance de détection de courant RS par le biais des
commutateurs Sll, S12 et S13.
Ici, les transistors à effet de champ secondaires QSll, Qs12 et Qs13 correspondent à chacune des matrices de cellules de détection SCA11, SCA12 et SCA13 et les trois commutateurs Sll, S12 et S13 sont
activés/désactivés par une liaison par fil ou non.
Par exemple, lorsque le fil (non représenté) est lié à la première pastille de détection SP1l1 de la figure 2, le premier commutateur Sll est activé et les deuxième et troisième commutateurs S12 et S13 sont désactivés. Le courant Id1 fourni au drain D du transistor à effet de champ de détection est divisé vers une source du transistor à effet de champ principal Qm1 et la source de détection du premier transistor à effet de champ secondaire Qsll. Le rapport entre le courant Im1 fourni au transistor à effet de champ principal Qm1 et le courant Is1l transmis au premier transistor à effet de champ secondaire Qsjl dépend du nombre de cellules existant entre le transistor à effet de champ principal Qm1 et le premier transistor à effet de champ secondaire Qsjl. Toutefois, lorsque le fil est lié à la deuxième pastille de détection SP12, le deuxième commutateur S12 est activé et le courant de drain Id1 est divisé en le courant Im1 transmis au transistor à effet de champ principal Qm1 et le courant Is12 transmis au deuxième transistor à effet de champ secondaire Qs12. Par conséquent, le rapport du courant de détection dépend du nombre de cellules existant dans le transistor à effet de champ principal Qm1 et le nombre de cellules présentes dans
le transistor à effet de champ secondaire Qs12.
Selon le premier mode de réalisation de la présente invention, une pluralité de pastilles de
détection qui sont séparées électriquement est fournie.
Ici, les matrices de cellules de détection présentant un certain nombre de cellules sont connectées à chacune des pastilles de détection, respectivement. Par conséquent, le rapport du courant de détection peut être modifié en fonction de la pastille de détection choisie par la liaison par fil. En conséquence, seul un processus est modifié après la liaison par fil, pour fabriquer le transistor à effet de champ de détection ayant plusieurs rapports de courant de détection. Par il conséquent, la présente invention permet de concevoir une puce de la même manière afin d'augmenter l'efficacité de la configuration (design) et abaisser le coût. La figure 4 est une vue en plan représentant schématiquement une partie de cellule de détection d'un transistor à effet de champ de détection selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention et la figure 5 est un schéma de circuit équivalent du transistor à effet de champ de détection de la figure 4. En référence aux figures 4 et 5, un deuxième mode de réalisation de la présente invention est le même que le premier mode de réalisation, à l'exception du fait que la pluralité de pastilles de détection est isolée en coupant la pluralité de fusibles en film mince métallique S21 et S22 au lieu de lier par fil une
pastille de détection.
Tel que représenté sur la figure 4, le transistor à effet de champ de détection selon le deuxième mode de réalisation comporte une matrice de cellules principale MCA, une pastille principale MP, une matrice de
cellules de détection SCA21 et une pluralité de, c'est-
à-dire des première à troisième, pastilles de détection SP21, SP22 et SP23. La deuxième pastille de détection SP22 (pastille de détection principale) à laquelle un fil doit être lié, est connectée aux première et troisième pastilles de détection SP21 et SP23 (pastilles de détection auxiliaires) par le biais d'un premier et d'un deuxième fusibles en film mince métallique S21 et S22. Chacune des première à troisième pastilles de détection SP21 à SP23 est connectée à un nombre identique ou différent de cellules de détection unitaires, les cellules de détection unitaires
composant une matrice de cellules de détection SCA21.
De préférence, les premier et deuxième fusibles en film mince métallique S21 et S22 sont conçus pour être coupés électriquement à la suite d'une surintensité, et présenter par exemple une largeur à 1 à 5 im et une longueur de 10 à 20 pm. Il est également préférable qu'une pluralité de matrices de cellules de détection soit fournie comme dans le premier mode de réalisation, dans lequel chacune des pastilles de détection est connectée à l'une des matrices de
cellules de détection.
Lorsque le rapport du courant de détection dépasse une valeur de configuration lors d'un processus de fabrication de transistor à effet de champ de détection, le nombre de cellules de détection est commandé en faisant fondre le premier et/ou le deuxième fusible en film mince métallique S21 et S22 ou pas, afin d'obtenir un rapport du courant de détection souhaité. Par exemple, lorsque la réduction du rapport du courant de détection due à l'augmentation de la tension de maintien dans le transistor à effet de champ de détection est détectée après la fabrication d'un dispositif, une pointe entre en contact avec les surfaces du premier et/ou du deuxième fusible en film mince métallique S21 et/ou S22, et une intensité comprise entre des dizaines de milliampères et plusieurs ampères est appliquée sur la pointe, afin de faire fondre électriquement le premier et/ou le deuxième fusible en film mince métallique S21 et/ou S22. Par conséquent, le nombre de cellules de détection est réduit à celui des cellules de détection connectées à la première et/ou à la troisième pastille de détection SP21 et/ou SP23 afin d'augmenter le rapport
du courant de détection.
Tel que représenté sur la figure 5, selon le transistor à effet de champ de détection du deuxième mode de réalisation, un transistor à effet de champ principal Qm2 et trois transistors à effet de champ secondaires Qs21, Qs22 et Qs23 sont connectés en parallèle et le deuxième transistor à effet de champ secondaire Qs22 est connecté aux premier et troisième transistors à effet de champ secondaires Qs21 et Qs23 par le biais des premier et deuxième commutateurs S21
et S22.
Les premier et deuxième commutateurs indiqués par les numéros de référence identiques aux premier et deuxième fusibles en film mince métallique S21 et S22 de la figure 4 sont activés/désactivés en coupant ou non les premier et deuxième fusibles en film mince métallique. Par exemple, lorsque le premier fusible en film mince métallique S21 de la figure 4 est électriquement coupé, le premier commutateur S21 est désactivé et le courant de drain Id2 est divisé vers le courant principal Im2 et les deuxième et troisième courants secondaires IS22 et Is23. Par conséquent, le rapport du courant de détection augmente autant que le premier courant secondaire Is21, si on compare au rapport du courant de détection qui existe lorsque le premier
fusible en film mince métallique S21 n'est pas coupé.
Tel que décrit ci-dessus, le transistor à effet de champ de détection selon le deuxième mode de réalisation permet de réduire le nombre de cellules de détection en coupant le fusible en film mince métallique afin d'augmenter le rapport du courant de détection. C'est-à- dire que le rapport d'intensité de détection peut être commandé pour atteindre une valeur souhaitée. En référence aux figures 6 et 7, un troisième mode de réalisation de la présente invention est le même que le premier et le deuxième modes de réalisation, sauf qu'on utilise les cellules de détection non sélectionnées en tant que cellules principales. C'est-à-dire que les pastilles de détection sont choisies par liaison par film comme dans le premier mode de réalisation et chacune des pastilles de détection SP1 à SP33 est isolée en coupant une pluralité de fusibles en film mince métallique S31 à S35 comme dans le deuxième mode de réalisation et en même temps, les pastilles de détection non sélectionnées sont laissées connectées à la pastille de
source principale MP.
Tel que représenté sur la figure 6, le transistor à effet de champ de détection selon le troisième mode de réalisation de la présente invention comporte une pluralité de, par exemple les première à troisième, matrices de cellules de détection SCA31, SCA32 et SCA33, chacune ayant des nombres identiques ou différents de cellules de détection unitaires SC, une pluralité de pastilles de détection SP31, SP32 et SP33, une pastille de source principale MP et une matrice de cellules principale MCA. Les pastilles de détection SP31, SP32 et SP33 sont connectées à la pastille de source principale MP par le biais des premier, deuxième et troisième fusibles en film mince métallique et connectés les uns aux autres par le biais des quatrième et cinquième fusibles en film mince métallique S34 et
S35.
Ici, chacune des matrices de cellules de détection SCA31, SCA32 et SCA33 est connectée à l'une des pastilles de détection SP31, SP32 et SP33 comme dans le premier mode de réalisation et il est préférable que les premier à cinquième fusibles en film mince métallique S31 à S35 aient une taille leur permettant d'être coupés électriquement à la suite
d'une surintensité.
Selon le transistor à effet de champ de détection mentionné ci-dessus, l'une est choisie parmi les première à troisième pastilles de détection SP31 à SP33 par liaison par fil, et les fusibles en film mince métallique connectés à la pastille de détection choisie sont coupés, afin d'isoler la pastille de détection sélectionnée de la pastille principale MP et d'autres
pastilles de détection non sélectionnées.
Par exemple, lorsque la matrice de cellules de détection ayant un rapport d'intensité de détection souhaité est une première matrice de cellules de détection, un fil est lié à la première pastille de détection SP31 et les premier et quatrième fusibles minces métalliques S31 et S34 sont coupés électriquement. En conséquence, la première pastille de détection SP31 est séparée électriquement de la pastille principale MP et des deuxième et troisième pastilles de détection SP32 et SP33. A ce moment-là, contrairement au deuxième mode de réalisation, les deuxième et troisième pastilles de détection non sélectionnées SP32 et SP33 sont connectées à la pastille principale MP, de sorte que les deuxième et troisième matrices de cellules de détection SCA32 et SCA33 peuvent être utilisées comme matrices de cellules principales. La figure 7 est un schéma de circuit équivalent du transistor à effet de champ de détection de la
figure 6.
Tel que représenté sur la figure 7, selon le transistor à effet de champ de détection du troisième mode de réalisation, un transistor à effet de champ principal Qm3 et trois transistors à effet de champ secondaires Qs31, Qs32 et Qs33 sont connectés en parallèle et le transistor à effet de champ principal Qm3 et les premier à troisième transistors à effet de champ secondaires Qs31, Qs32 et Qs33 sont connectés par le biais des premier à troisième commutateurs S31, S32 et S33, respectivement. Les premier à troisième transistors à effet de champ secondaires Qs31, Qs32 et Qs33 sont connectés l'un à l'autre par le biais des quatrième et cinquième commutateurs S34 et S35, respectivement, et connectés à une résistance de détection de courant RS par le biais des sixième à
huitième commutateurs S36, S37 et S38.
Tel que décrit précédemment, les premier à cinquième commutateurs S31 à S35 sont activés/désactivés en faisant coupant ou non les premier à cinquième fusibles en film mince métallique, et les sixième à huitième commutateurs S36 à S38 sont
activés/désactivés par des liaisons par fil ou non.
Par exemple, lorsque les premier à quatrième fusibles en film mince métallique S31 et S34 de la figure 6 sont coupés électriquement, et que le fil est lié à la première pastille de détection SP31, les premier, quatrième, sixième et huitième commutateurs S31, S34, S37 et S38 sont désactivés et les autres commutateurs sont activés. Par conséquent, le courant de drain Id3 est divisé en courant principal Im2 et des premier, deuxième et troisième courants secondaires Is31, Is32 et Is33, les deuxième et troisième courants secondaires Is32 et Is33 agissant en tant que courants
principaux.
Par conséquent, selon le transistor à effet de champ de détection du troisième mode de réalisation, le rapport du courant de détection peut être commandé diversement en fonction de la pastille de détection sélectionnée par une liaison par fil, et les cellules de détection non sélectionnées peuvent être utilisées en tant que cellules principales sans qu'il y ait de flottement, afin d'augmenter l'efficacité de
l'utilisation des cellules de détection. Le transistor à effet de champ de détection selon la présente invention
comporte une pluralité de pastilles de détection qui sont isolées ou connectées électriquement par un fusible en film mince métallique pouvant être coupé électriquement, chacune des pastilles de détection étant connectée à un nombre identique ou différent de cellules de détection unitaires. Par conséquent, la pastille de détection est sélectionnée par liaison par fil ou par coupure du fusible en film mince métallique, afin d'obtenir plusieurs rapports de courant de détection, d'augmenter l'efficacité de configuration (design) et de réduite
les coûts de fabrication.
Claims (18)
1. Transistor à effet de champ de détection comprenant: une matrice de cellules principale (MCA) ayant une pluralité de cellules de transistor MOSFET connectées en parallèle; une pastille principale (MP) connectée électriquement aux sources de la pluralité de cellules MOSFET de la matrice de cellules principale; une pluralité de matrices de cellules de détection (SCA11, SCA12, SCA13) composée d'une pluralité de cellules de détection unitaires (SC) ayant des drains et des grilles connectés aux grilles et aux drains des cellules MOSFET de la matrice de cellules principale; et une pluralité de pastilles de détection (SP11, SP12, SP13) correspondant à chacune des matrices de la pluralité de matrices de cellules de détection et connectées électriquement aux sources de cellules de détection unitaires (SC) de la matrice de cellules de
détection correspondante, respectivement.
2. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 1, dans lequel la pluralité de matrices de cellules de détection sont composées d'un nombre différent de cellules de détection unitaires, respectivement.
3. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 1, dans lequel la pluralité de matrices de cellules de détection sont composées du même nombre de cellules de détection unitaires, respectivement.
4. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 1, dans lequel la structure des cellules de détection unitaires est identique à celle des cellules MOSFET de la matrice de cellules principale de sorte que la cellule de détection unitaire présente les mêmes caractéristiques de
courant-tension que la cellule MOSFET.
5. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 1, dans lequel la pluralité de pastilles de détection sont isolées électriquement non seulement de la pastille principale mais également les
unes des autres.
6. Transistor à effet de champ de détection comprenant: une matrice de cellules principale (MCA) ayant une pluralité de cellules MOSFET connectées en parallèle; une pastille principale (MP) électriquement connectée aux sources de la pluralité de cellules MOSFET de la matrice de cellules principale; une matrice de cellules de détection (SCA21) composée d'une pluralité de groupes de cellules de détection unitaires ayant chacun une grille et un drain connectés à la grille et au drain de la cellule MOSFET de la matrice de cellules principale; une pluralité de pastilles de détection (SP21, SP22, SP23), chacune ayant au moins une pastille de détection centrale à laquelle un fil doit être connecté et au moins une pastille de détection auxiliaire à laquelle le fil n'est pas connecté, correspondant à chaque groupe de la pluralité de groupes de cellules de détection unitaires, et connectées électriquement à des sources des cellules de détection unitaires du groupe de cellules de détection unitaires correspondant; et au moins un fusible en film mince métallique (S21, S22) pouvant être coupé électriquement, pour connecter la pastille de détection centrale à la
pastille de détection auxiliaire, respectivement.
7. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 6, dans lequel la pluralité de groupes de cellules de détection unitaires sont composés d'un nombre différent de cellules de détection
unitaires, respectivement.
8. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 6, dans lequel la pluralité de groupes de cellules de détection unitaires sont composés du même nombre de cellules de détection
unitaires, respectivement.
9. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 6, dans lequel la structure des cellules de détection unitaires est identique à celle des cellules MOSFET de la matrice de cellules principale de sorte que la cellule de détection unitaire présente les mêmes caractéristiques de
courant-tension que la cellule MOSFET.
10. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 6, dans lequel le fusible en film mince métallique est formé de façon à présenter une taille telle qu'il soit coupé par un courant de
quelques dizaines de milliampères à plusieurs ampères.
11. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 6, dans lequel le fusible en film mince métallique présente une largeur de 1 à 5 jim
et une longueur de 10 à 20 pm.
12. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 9, dans lequel le nombre de cellules de détection unitaires du groupe de cellules de détection unitaires connectées à la pastille de détection centrale est relativement supérieur au nombre de cellules de détection unitaires agencées dans
d'autres pastilles de détection.
13. Transistor à effet de champ de détection comprenant: une matrice de cellules principale (MCA) ayant une pluralité de cellules MOSFET connectées en parallèle; une pastille principale (MP) connectée électriquement aux sources d'une pluralité de cellules MOSFET de la matrice de cellules principale; une pluralité de matrices de cellules de détection (SCA31, SCA32, SCA33) composée d'une pluralité de cellules de détection unitaires (SC) ayant des grilles et des drains connectés aux grilles et aux drains des cellules MOSFET de la matrice de cellules principale; une pluralité de pastilles de détection (SPA31, SPA32, SPA33) correspondant à chaque matrice de la pluralité de matrices de cellules de détection, et connectées électriquement aux sources des cellules de détection unitaires de la matrice de cellules de détection correspondante; et une pluralité de fusibles en film mince métallique pouvant être coupés électriquement, pour connecter la pluralité de pastilles de détection à la pastille principale et la pluralité de pastilles de
détection entre elles.
14. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 13, dans lequel la pluralité de matrices de cellules de détection sont composées d'un nombre différent de cellules de détection unitaires,
respectivement.
15. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 13, dans lequel la pluralité de matrices de cellules de détection sont composées du même nombre de cellules de détection unitaires,
respectivement.
16. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 13, dans lequel la structure des cellules de détection unitaires est identique à celle des cellules MOSFET de la matrice' de cellules principale de sorte que la cellule de détection unitaire présente les mêmes caractéristiques de
courant-tension que les cellules MOSFET.
17. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 13, dans lequel le fusible en film mince métallique est formé de façon à présenter une taille lui permettant d'être coupé électriquement par un courant de quelques dizaines de milliampères à
plusieurs ampères.
18. Transistor à effet de champ de détection selon la revendication 13, dans lequel le fusible en film mince métallique présente une largeur de 1 à 5 pm et une
longueur de 10 à 20 pm.
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Effective date: 20160229 |