FR2765069A1 - DEVICE FOR PROTECTING AN ELECTRICAL CIRCUIT AGAINST INTERFACE MICRODECHARGES - Google Patents

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Abstract

The invention concerns a device for protecting an electric circuit against interface micro-discharges and corresponding radio interference, comprising, in the proximity of the electric circuit (10), an element (2, 20) attenuating/absorbing the electromagnetic wave generated by said micro-discharges and vibrations affecting the electric circuit. The invention is applicable to all types of electric circuits, in particular in the field of Hi Fi.

Description

DISPOSITIF~~DE~PROTECTION D'UN CIRCUIT ELECTRIffUE
CONTRE LES MICRODECHARGES D'INTERFACE.
~~ ~ PROTECTION DEVICE OF AN ELECTRICAL CIRCUIT
AGAINST INTERFACE MICRODECHARGES.

L'invention concerne un dispositif de protection d'un circuit electrique contre les microdécharges d'interface et l'application de ce dispositif à des circuits électriques spécifiques. The invention relates to a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and the application of this device to specific electrical circuits.

Le phénomène de microdécharges électriques a eté mis en évidence dans le cadre de la dégradation avérée de la qualité de restitution sonore de la musicalité des chaînes haute fidélité. The phenomenon of electrical micro-discharges has been highlighted in the context of the proven deterioration in the quality of sound reproduction of the musicality of high-fidelity channels.

Lorsque, dans ce type d'appareil, une interface conducteur électrique -isolant est soumise à un champ électrique variable, des décharges électriques se produisent au niveau de cette interface, même dans le cas où ces champs électriques sont engendrés à partir de tensions de faible valeur, de l'ordre du millivolt, valeurs de tensions très courantes lors de la mise en oeuvre de signaux audiofréquences. Ces décharges, bien que très rapides, 0,1 Ps, et à des niveaux relatifs de -80 dB par rapport au signal audiofréquences, sont toutefois susceptibles d'engendrer des champs électriques variables rayonnés non négligeables. Elles sont plus particulièrement designées par l'expression micro-décharges d'interface. En particulier, elles présentent des fréquences de récurrence appartenant au domaine de fréquences du spectre audible et sont corrélées avec le signal audiofréquences, ce qui rend ces dernières particulièrement nocives quant à la qualité de restitution sonore et à la musicalité de ce type d'appareil.When, in this type of device, an electrical conductor-insulator interface is subjected to a variable electric field, electric discharges occur at this interface, even in the case where these electric fields are generated from low voltages. value, of the order of a millivolt, very common voltage values when implementing audio frequency signals. These discharges, although very fast, 0.1 Ps, and at relative levels of -80 dB compared to the audio frequency signal, are however likely to generate significant radiated electric fields that are not negligible. They are more particularly designated by the expression micro-interface discharges. In particular, they have recurrence frequencies belonging to the frequency domain of the audible spectrum and are correlated with the audio frequency signal, which makes the latter particularly harmful as regards the quality of sound reproduction and the musicality of this type of device.

Des éléments techniques relatifs à leur mode de production, en vue d'une meilleure musicalité, ont été décrits notamment dans a demande de brevet français n" 96 12369 déposée le 10 octobre 1996 et incorporée dans la présente demande de brevet à titre de référence. Technical elements relating to their mode of production, with a view to better musicality, have been described in particular in a French patent application No. 96 12369 filed on October 10, 1996 and incorporated in the present patent application for reference.

Ainsi, lorsqu'un conducteur électrique isole est soumis à un champ électrique variable, des décharges se produisent à l'interface conducteur électrique diélectrique/ isolant, suivant un processus de relaxation selon l'hypo- thèse la plus vraisemblable, confer figure Oa. Les champs électriques rayonnés par rapport à la masse ou tension de référence de l'appareil peuvent toutefois être importants, en tout cas non négligeables. Thus, when an isolated electrical conductor is subjected to a variable electric field, discharges occur at the dielectric / insulating electrical conductor interface, according to a relaxation process according to the most likely hypothesis, see figure Oa. The electric fields radiated with respect to the reference mass or voltage of the device can however be significant, in any case not negligible.

Dans le cadre d'une modélisation du phénomène tel que représenté en figure Ob, basée sur l'hypothèse de la décharge disruptive ou claquage d'une couche isolante immédiatement en contact avec le conducteur électrique, C désigne la capacité électrique des couches isolantes immédiatement en contact avec le conducteur électrique, C2 la capacité conducteur - tension de référence ou masse, e désigne un éclateur "provoquant" le phénomène de microdécharge. Within the framework of a modeling of the phenomenon as represented in figure Ob, based on the hypothesis of disruptive discharge or breakdown of an insulating layer immediately in contact with the electrical conductor, C denotes the electrical capacity of the insulating layers immediately in contact with the electrical conductor, C2 the conductor capacity - reference voltage or ground, e designates a spark gap "causing" the phenomenon of micro-discharge.

La tension variable relevée aux bornes de la capacité électrique C des couches immédiatement en contact avec le conducteur électrique est représentée en figure Oc. The variable voltage measured across the electrical capacitance C of the layers immediately in contact with the electrical conductor is shown in Figure Oc.

Cette tension témoigne de l'existence d'oscillations de relaxation très rapides dont la fréquence de récurrence perturbe le signal audiofréquences.This tension testifies to the existence of very rapid relaxation oscillations whose frequency of recurrence disturbs the audio frequency signal.

Les microdécharges ont donc une origine, un comportement et un effet premier qui les apparentent directement aux décharges partielles (DP) bien connues en isolation
Haute Tension, voire à l'effet couronne qui se manifeste dans un gaz autour de conducteurs portés à des potentiels élevés.
Micro-discharges therefore have an origin, behavior and primary effect which directly relate them to partial discharges (DP) well known in isolation
High Voltage, or even to the corona effect which manifests itself in a gas around conductors brought to high potentials.

Des travaux et investigations menés relativement au phénomène des microdècharges, au sein des laboratoires d'ELECTRICITE DE FRANCE par Monsieur T.JOHAET, ont permis toutefois d'en préciser certaines caractéristiques. However, work and investigations carried out on the phenomenon of micro-discharges in ELECTRICITE DE FRANCE laboratories by Mr. T. JOOET have made it possible to specify certain characteristics.

les microdécharges apparaissent pour des tensions
électriques de milieu très faibles, inférieures au
millivolt. Elles ne semblent pas soumises à un effet
de seuil.
micro-discharges appear for voltages
very weak medium electrics, less than
millivolt. They don't seem to have an effect
threshold.

la tension de claquage de ces microdécharges est très
faible, probablement comprise entre 1 ,uV et 1 mV.
the breakdown voltage of these micro-discharges is very
weak, probably between 1, uV and 1 mV.

les fronts de décharge sont très rapides, inférieurs
à 1 ns.
the discharge fronts are very fast, lower
at 1 ns.

les microdécharges engendrent nécessairement locale
ment une onde électromagnétique qui constitue, notam
ment pour les circuits électriques ou électroniques
audiofréquences, un élément perturbateur majeur.
micro-discharges necessarily generate local
an electromagnetic wave which constitutes, in particular
ment for electrical or electronic circuits
audio frequencies, a major disturbing element.

En outre, des décharges de même type peuvent apparaître à la surface externe de l'isolant recouvrant le conducteur, en fait à l'interface isolant - air. Ce phénomène est en particulier justifié par l'effet Maxwell-Wagner selon lequel des concentrations de charges électriques à l'interface entre deux couches de matériaux isolants peuvent se produire.In addition, discharges of the same type can appear on the external surface of the insulation covering the conductor, in fact at the insulation-air interface. This phenomenon is in particular justified by the Maxwell-Wagner effect according to which concentrations of electric charges at the interface between two layers of insulating materials can occur.

Des investigations supplémentaires ont montré que ces microdécharges étaient éminemment sensibles à l'état vibratoire, au sens mécanique du terme, de leur support. Ce phénomène apparente donc, en outre, le phénomène des microdécharges électriques aux phénomènes tribo-électriques connus, avec toutefois l'existence supplémentaire d'une ou plusieurs ondes électromagnétiques néfastes, en raison de leur effet direct sur les signaux électroniques audiofréquences engendrés, transmis ou traités par ces circuits. Additional investigations have shown that these micro-discharges are eminently sensitive to the vibratory state, in the mechanical sense of the term, of their support. This phenomenon therefore appears, moreover, the phenomenon of electrical micro-discharges to known triboelectric phenomena, with however the additional existence of one or more harmful electromagnetic waves, due to their direct effect on the electronic audio-frequency signals generated, transmitted or processed by these circuits.

Leur mode d'action vis-à-vis du conducteur électrique support peut, en référence à la figure Od, être établi de la manière ci-après. Their mode of action with respect to the support electrical conductor can, with reference to FIG. Od, be established in the following manner.

Correspondant en fait à un phénomène de microclaquage conducteur - isolant, elles perturbent le courant électrique transitant dans le conducteur électrique support en y prélevant de l'énergie électrique. L'importance de cette perturbation dépend bien entendu des conditions locales du milieu conducteur support. Compte tenu des valeurs de capacités électriques très réduites mises en jeu, quelques picofarads, leur mode d'action local est faible.Corresponding in fact to a phenomenon of conductive - insulating microclacking, they disturb the electric current flowing in the electrical conductor support by taking electrical energy there. The importance of this disturbance depends of course on the local conditions of the supportive conducting medium. Given the very small electrical capacity values involved, some picofarads, their local mode of action is weak.

Toutefois, leur mode d'action global ne peut être négligé.However, their overall mode of action cannot be overlooked.

En effet, le phénomène de microdécharges se traduit globale ment par une onde électromagnétique, comme toute décharge, laquelle peut être guidée par les parties conductrices. La longueur d'onde associée au phénomène de microdécharges est comprise dans le vide entre 1 et 30 cm, ce qui correspond à des fréquences radioélectriques comprises entre 3 et 30 GHz.Indeed, the phenomenon of micro-discharges is generally reflected by an electromagnetic wave, like any discharge, which can be guided by the conductive parts. The wavelength associated with the phenomenon of micro-discharges is between 1 and 30 cm in a vacuum, which corresponds to radio frequencies between 3 and 30 GHz.

Une confirmation directe des phénomènes et caractéristiques précités a pu être obtenue, d'une part, par la mise en évidence de la transmission d'une telle onde électromagnétique, par l'intervalle isolant, de quelques millimètres, existant entre la borne de sortie d'une alimentation et le boîtier de cette alimentation, lui-même connecte à la terre, et, d'autre part, par l'atténuation susceptible d'être apportée à cette onde électromagnétique selon l'un des objets mêmes de la présente invention. Direct confirmation of the aforementioned phenomena and characteristics could be obtained, on the one hand, by highlighting the transmission of such an electromagnetic wave, by the insulating interval, of a few millimeters, existing between the output terminal d 'a power supply and the housing of this power supply, itself connects to the earth, and, on the other hand, by the attenuation likely to be brought to this electromagnetic wave according to one of the very objects of the present invention.

Lorsque l'onde associée aux microdécharges d'interface atteint un circuit électronique, une partie de celle-ci est captée par les éléments du circuit, lesquels, en raison de leur caractéristique de transfert non linéaires aux fréquences considérées - c'est en particulier le cas des soudures et des contacts - procèdent à un phénomène de détection générateur de tensions parasites. When the wave associated with the interface micro-discharges reaches an electronic circuit, part of this is picked up by the elements of the circuit, which, because of their nonlinear transfer characteristic at the frequencies considered - this is in particular the welds and contacts - proceed to a detection phenomenon generating parasitic voltages.

Ce phénomène est d'ailleurs aggravé par le fait que les microdécharges sont fréquemment corrélées avec le signal électronique BF transmis ou même avec les vibrations mécaniques engendrées ou introduites par ce dernier, lequel peut alors être fortement perturbé. This phenomenon is further aggravated by the fact that the micro-discharges are frequently correlated with the transmitted electronic signal BF or even with the mechanical vibrations generated or introduced by the latter, which can then be strongly disturbed.

Ainsi, compte tenu du phénomène précité et plus particulièrement du caractère micro-ondes, de type SHF, de l'onde électromagnétique parasite, car associée aux microdécharges d'interface, ainsi engendrée, l'action paradoxale de celle-ci sur les circuits peut être résumée ci-après
- les composants électriques discrets sont susceptibles de servir à la fois d'émetteurs et de récepteurs.
Thus, taking into account the aforementioned phenomenon and more particularly of the microwave character, of SHF type, of the parasitic electromagnetic wave, because associated with the interface micro-discharges, thus generated, the paradoxical action of this one on the circuits can be summarized below
- the discrete electrical components are likely to serve at the same time of transmitters and receivers.

En qualité de récepteurs, ils peuvent capter leur propre émission, et ainsi l'amplifier, ou celle de composants extérieurs
- l'influence de l'onde électromagnétique associée aux microdécharges d'interface sur le signal utile se produit par intermodulation et détection, compte tenu des non linéarités de transfert existant à de telles fréquences radioélectrique :
- la disposition des composants est très importante car elle conditionne l'aptitude de ces derniers à capter ou non cette onde électromagnétique. Ainsi, il peut paraitre plus avantageux de disposer ces composants suivant des directions quelconques ...
As receivers, they can receive their own emission, and thus amplify it, or that of external components.
- the influence of the electromagnetic wave associated with the interface micro-discharges on the useful signal occurs by intermodulation and detection, taking into account the non-linearities of transfer existing at such radio frequencies:
- the arrangement of the components is very important because it conditions the ability of the latter to pick up or not this electromagnetic wave. Thus, it may seem more advantageous to arrange these components in any directions ...

- la câblage, pour cette même raison, est critique ainsi que la composition et la structure des circuits imprimés, car chaque conducteur constitue, aux fréquences précitées, une antenne émettrice réceptrice. La présence d'isolant sur les fils de cablage favorise d'ailleurs le processus générateur de cette onde électromagnétique
- un composant d'apparence anodine, tel qu'un bypass ou un socle de fiche de connexion, peut se révéler désastreux
- les isolants électriques ou autres ecrans absorbants présentent un comportement très variable aux fréquences précitées et peuvent par exemple focaliser, réfléchir ou diffracter les ondes en donnant des résultats totalement inattendus
- l'onde associée aux microdécharges d'interface peut être guidée à l'extérieur des conducteurs et est donc parfaitement en mesure de franchir une prise, un transformateur ou autre composant tel que bobinage
- le conditionnement en rack ou autre de maquettes, fonctionnant parfaitement sur table d'étude, peut s'avérer catastrophique pour la musicalité des appareils audiofréquences, alors que les mesures électroniques classiques, telles que le rapport signal à bruit, n'ont pas été sensiblement modifiés, voire apparaissent meilleures. En fait, un tel conditionnement a eu pour effet inattendu la création d'un résonateur ou meme un "four à micro-ondes" pour l'onde électromagnétique associée aux microdécharges d'interface
- l'onde électromagnétique issue de microdécharges peut elle-meme déclencher d'autres microdécharges sur les interfaces isolant - conducteur ou isolants - isolants où se trouvent des champs électriques de type électrostatique associés au signal audio, par un effet de type effet d'avalanche
- l'alimentation secteur apparalt comme une source majeure de microdécharges - tension élevée, 230 V - propagation de microdécharges engendrées par l'ensemble
des récepteurs raccordés dans le voisinage.
- the wiring, for this same reason, is critical as well as the composition and structure of the printed circuits, because each conductor constitutes, at the aforementioned frequencies, a transmitting receiving antenna. The presence of insulation on the wiring leads also promotes the generating process of this electromagnetic wave
- a seemingly harmless component, such as a bypass or a plug socket, can be disastrous
- electrical insulators or other absorbent screens exhibit very variable behavior at the above frequencies and can for example focus, reflect or diffract the waves giving totally unexpected results
- the wave associated with the interface micro-discharges can be guided outside the conductors and is therefore perfectly able to pass through a socket, transformer or other component such as winding
- the rack or other packaging of models, working perfectly on a study table, can prove to be catastrophic for the musicality of the audio-frequency devices, whereas conventional electronic measurements, such as the signal to noise ratio, have not been significantly modified, or even appear better. In fact, such conditioning had the unexpected effect of creating a resonator or even a "microwave oven" for the electromagnetic wave associated with the interface micro-discharges.
- the electromagnetic wave resulting from micro-discharges can itself trigger other micro-discharges on the insulating - conductive or insulating - insulating interfaces where there are electric fields of the electrostatic type associated with the audio signal, by an effect of the avalanche effect type
- the mains supply appears to be a major source of micro-discharges - high voltage, 230 V - propagation of micro-discharges generated by the assembly
receivers connected in the vicinity.

La présente invention a pour objet la mise en oeuvre d'un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface. The present invention relates to the implementation of a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges.

Un autre objet de la présente invention concerne plus particulièrement la mise en oeuvre de moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique associée aux microdécharges d'interface de tout circuit électrique. Another object of the present invention relates more particularly to the implementation of means for attenuation of the electromagnetic wave associated with the interface micro-discharges of any electrical circuit.

Un autre objet de la présente invention concerne également, de manière plus spécifique, la mise en oeuvre de moyens d'absorption de l'onde électromagnétique associée aux microdécharges d'interface de tout circuit électrique. Another object of the present invention also relates, more specifically, to the use of means for absorbing the electromagnetic wave associated with the interface micro-discharges of any electrical circuit.

Un autre objet de la présente invention est également, de manière plus spécifique, la mise en oeuvre de moyens d'absorption des vibrations mécaniques susceptibles d'affecter le circuit électrique aux fins de réduire la contribution tribo-électrique à l'onde électromagnétique associée aux microdécharges d'interface. Another object of the present invention is also, more specifically, the use of means for absorbing mechanical vibrations capable of affecting the electrical circuit in order to reduce the triboelectric contribution to the electromagnetic wave associated with interface micro-downloads.

Le dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, objet de la présente invention, incorporant de tels moyens, sera mieux compris à la lecture de la description et à l'observation des dessins ci-après, dans lesquels, outre les figures Oa à Od relatives à des éléments techniques connus de l'inventeur, Monsieur P.JOHANNET
- la figure la représente un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans un premier mode de réalisation
- la figure lb représente un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans un deuxième mode de réalisation
- la figure 2 représente un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par un haut-parleur,
- les figures 3a, 3b et 3c représentent un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par la cellule de lecture et les conducteurs de raccordement électrique d'un phonocapteur
- les figures 4a et 4b représentent un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par un transformateur et un transformateur d'isolement respectivement
- les figures 5a et 5b représentent, dans une première et une deuxième variante de réalisation, un dispositif de protection d'un circuit electrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par un circuit de composants discrets câblés sur une plaquette de circuit imprimé
- les figures 6a, 6b, 6c et 6d représentent un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par une prise électrique ou électronique particulière
- les figures 7a et 7b représentent un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par des éléments discrets cablés sur une plaquette de circuit imprimé
- la figure 8 représente un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, conforme a l'objet de la présente invention, dans le cas où le circuit électrique est constitué par une alimentation stabilisée.
The device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and radioelectric interference generated by these interface micro-discharges, object of the present invention, incorporating such means, will be better understood on reading the description and on observation of the drawings below, in which, in addition to the figures Oa to Od relating to technical elements known to the inventor, Mr. P.JOHANNET
- Figure la shows a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, according to the object of the present invention, in a first embodiment
- Figure lb shows a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, according to the object of the present invention, in a second embodiment
FIG. 2 represents a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit consists of a loudspeaker,
FIGS. 3a, 3b and 3c represent a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit is constituted by the reading cell and the electrical connection conductors of a phonosensor
- Figures 4a and 4b show a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, according to the object of the present invention, in the case where the electrical circuit is constituted by a transformer and a transformer isolation respectively
- Figures 5a and 5b show, in a first and a second variant embodiment, a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the circuit electrical consists of a circuit of discrete components wired on a printed circuit board
- Figures 6a, 6b, 6c and 6d show a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit consists of an electrical outlet or special electronics
- Figures 7a and 7b show a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, according to the object of the present invention, in the case where the electrical circuit consists of discrete elements wired on a wafer circuit board
- Figure 8 shows a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, in the case where the electrical circuit is constituted by a stabilized supply.

Les différentes figures sont représentées en coupe, au moins partielle, afin de mieux mettre en évidence les différents constituants. The different figures are shown in section, at least partially, in order to better highlight the different constituents.

Une description plus détaillée d'un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, sera maintenant donnée dans un premier puis dans un deuxième mode de réalisation en relation avec les figures la et lb. A more detailed description of a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and radio interference generated by these interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, will now be given in a first then in a second embodiment in relation to Figures la and lb.

D'une manière générale, on indique que le dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, objet de la présente invention, a vocation à une application à tout type de circuit électrique, la notion de circuit électrique couvrant un domaine aussi large que celui relatif à des conducteurs électriques, ou simples câbles électriques, des circuits électriques beaucoup plus élaborés tels que des transformateurs, des circuits électriques à composants discrets ou sous forme de composants à circuit intégré câblés sur une plaquette de circuit imprimé, des prises électriques et/ou électroniques, des appareils électrodyna miques tels que les hauts-parleurs ou les cellules de lecture de phonocapteurs par exemple. In general, it is indicated that the device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and the radio interference generated by these interface micro-discharges, object of the present invention, is intended for an application of all types electric circuit, the concept of electric circuit covering a field as wide as that relating to electric conductors, or simple electric cables, much more elaborate electric circuits such as transformers, electric circuits with discrete components or in the form of components with integrated circuit wired to a printed circuit board, electrical and / or electronic sockets, electrodynamic devices such as loudspeakers or phonosensor reading cells for example.

D'une manière générale, le dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, objet de la présente invention, est remarquable en ce qu'il comprend, au voisinage de ce circuit électrique, un élément d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface. In general, the device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and radio interference generated by these interface micro-discharges, object of the present invention, is remarkable in that it comprises, in the vicinity of this electrical circuit, an attenuation element of the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges.

En référence à la figure la et à titre d'exemple non limitatif, le circuit électrique, sur cette figure, est réputé constitué par une pluralité de conducteurs électriques tels que des fils émaillés de 5/10ème de mm de diamètre, ces conducteurs portant la référence 1 sur la figure la. With reference to FIG. 1a and by way of nonlimiting example, the electrical circuit, in this figure, is deemed to be constituted by a plurality of electrical conductors such as enameled wires 5 / 10ths of a mm in diameter, these conductors carrying the reference 1 in FIG.

L'élément d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface, normalement présentes à l'interface entre les conducteurs électriques 1 précités et l'espace environnant, voire l'émail constituant isolant recouvrant ces fils ou conducteurs électrique, porte la référence 2 sur la figure la. The attenuation element of the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges, normally present at the interface between the above-mentioned electrical conductors 1 and the surrounding space, or even the insulating constituent enamel covering these wires or electrical conductors, bears the reference 2 in Figure la.

Dans le mode de réalisation tel que représenté en figure la, l'élément d'atténuation 2 de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface comprend avantageusement un revêtement de matériau semi-conducteur appliqué sur la surface externe du conducteur électrique 1. In the embodiment as shown in FIG. 1 a, the attenuation element 2 of the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges advantageously comprises a coating of semiconductor material applied to the external surface of the electrical conductor 1.

Ainsi, l'élément 2, conformément à un aspect particulièrement avantageux de la présente invention, est constitué par ce matériau semi-conducteur dont la résistivité linéique est choisie dans une plage de valeurs adaptée, de façon à permettre à la fois le maintien de la surface externe du conducteur électrique à un potentiel électrique statique de valeur locale constante, voisine de celle du conducteur électrique 1, et d'absorber l'ensemble des courants électriques erratiques de décharge provoqués par les microdécharges d'interface, et ainsi atténuer l'onde électromagnétique engendrée par celles-ci.Thus, the element 2, in accordance with a particularly advantageous aspect of the present invention, consists of this semiconductor material whose linear resistivity is chosen within a suitable range of values, so as to allow both the maintenance of the external surface of the electrical conductor at a static electrical potential of constant local value, close to that of the electrical conductor 1, and absorbing all of the erratic electrical discharge currents caused by the interface micro-discharges, and thus attenuating the wave electromagnetic generated by them.

D'une manière plus spécifique, on indique que le revêtement semi-conducteur constituant l'élément 2 d'atténuation de l'onde électromagnétique présente une résistivité linéique de valeur p comprise entre 0,1 Qm et 10 Qm.  More specifically, it is indicated that the semiconductor coating constituting the element 2 for attenuation of the electromagnetic wave has a linear resistivity of value p between 0.1 Qm and 10 Qm.

Dans un mode de réalisation non limitatif du dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la presente invention, on indique que l'élément 2 absorbant de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface peut être constitué par une solution saline liquide ou un gel de celle-ci présentant une résistivité voisine de 0,7 Qm correspondant à celle du sérum physiologique par exemple, cette solution s'étant montrée particulièrement performante. In a non-limiting embodiment of the device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and radio interference generated by these interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, it is indicated that the element 2 absorbing the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges can consist of a liquid saline solution or a gel thereof having a resistivity close to 0.7 Qm corresponding to that of physiological saline for example, this solution s 'being shown to be particularly effective.

Bien entendu, ainsi que représenté sur la figure la précitée, il est alors nécessaire, afin de constituer cet élément absorbant en un manchon enrobant les conducteurs 1 électriques, de prévoir une enceinte formée par exemple par un tube plastique en polyéthylène ou en polytétrafluoréthylène par exemple, portant la référence 2o sur la même figure la. Of course, as shown in the aforementioned figure, it is then necessary, in order to constitute this absorbent element in a sleeve coating the electrical conductors 1, to provide an enclosure formed for example by a plastic tube made of polyethylene or polytetrafluoroethylene for example , bearing the reference 2o in the same figure la.

L'enceinte ainsi réalisée peut être fermée de manière étanche au moyen de manchons d'étanchéité d'extrémité, notés 2. sur la figure la, l'étanchéité pouvant en outre être parfaite au moyen d'un joint silicone, portant la référence 22 sur la même figure la, l'ensemble joint silicone / manchon d'étanchéité précité, 22, 2, permettant la traversée étanche des conducteurs électriques 1 par exemple. Enfin, une gaine thermorétractable 23 peut être prévue à chaque extrémité de l'enceinte ou tube plastique 2o pour constituer ainsi un cabale protégé conformément à l'objet de la présente invention et portant la référence CP ultérieurement dans la description. Le passage des conduc teurs électriques i au travers du manchon d'étanchéité 2: peut être colmaté au moyen d'une résine poxy par exemple, référencée 2 sur la figure la. The enclosure thus produced can be closed in leaktight manner by means of end sealing sleeves, denoted 2. in FIG. 1a, the sealing being able moreover to be perfect by means of a silicone seal, bearing the reference 22 in the same figure la, the aforementioned silicone seal / sealing sleeve assembly, 22, 2, allowing the sealed passage of the electrical conductors 1 for example. Finally, a heat-shrinkable sheath 23 can be provided at each end of the enclosure or plastic tube 2o so as to constitute a cabal protected in accordance with the object of the present invention and bearing the reference CP later in the description. The passage of the electrical conductors i through the sealing sleeve 2: can be sealed with a poxy resin for example, referenced 2 in FIG.

Enfin, dans un mode de réalisation préférentiel, on indique que l'élément d'atténuation 2 peut par exemple être constitué par une solution de chlorure de sodium NaCl à 0,9t ou encore par le sérum physiologique. Finally, in a preferred embodiment, it is indicated that the attenuating element 2 can for example be constituted by a sodium chloride solution NaCl at 0.9t or also by physiological saline.

Selon un aspect particulièrement avantageux du dispositif de protection, objet de la présente invention, on indique que l'élément d'atténuation 2 de l'onde électromagnétique engendrée par les microdécharges d'interface comprend un élément absorbant de cette onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface. According to a particularly advantageous aspect of the protection device, object of the present invention, it is indicated that the attenuation element 2 of the electromagnetic wave generated by the interface micro-discharges comprises an element absorbing this electromagnetic wave generated by these micro-discharges interface.

Ainsi, il s'est avére, ainsi qu'il sera décrit de manière plus détaillée ultérieurement dans la description, que, outre l'atténuation et l'absorption de l'ensemble des courants électriques erratiques de décharges provoqués par les microdécharges d'interface, cette atténuation ayant pour effet selon les lois de Maxwell d'atténuer en conséquence l'amplitude du champ électromagnétique ainsi rayonné, ce même élément d'atténuation 2 de l'onde électromagnétique permettait également d'assurer une absorption de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface par une atténuation du champ électrique propagé par rayonnement en raison de la propriété semi-conductrice de l'élément d'atténuation 2 précité. Thus, it turned out, as will be described in more detail later in the description, that, in addition to the attenuation and the absorption of all the erratic electric currents of discharges caused by the interface micro-discharges , this attenuation having the effect according to Maxwell's laws of consequently attenuating the amplitude of the electromagnetic field thus radiated, this same element of attenuation 2 of the electromagnetic wave also made it possible to ensure absorption of the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges by an attenuation of the electric field propagated by radiation due to the semiconductor property of the abovementioned attenuation element 2.

On rappelle en effet que pour une propagation guidée d'une onde électromagnétique dans un guide d'onde, les conditions aux limites des parois électriquement conductrices du guide d'onde imposent une valeur de champ sensiblement nulle au voisinage de ces parois. De la même manière, l'élément d'atténuation 2, en raison de ses propriétés semiconductrices, a pour effet de réduire la valeur du champ électromagnétique ainsi rayonné en raison de l'apparition du phénomène de microdécharges d'interface. It is recalled in fact that for a guided propagation of an electromagnetic wave in a waveguide, the boundary conditions of the electrically conductive walls of the waveguide impose a field value substantially zero in the vicinity of these walls. In the same way, the attenuation element 2, because of its semiconductor properties, has the effect of reducing the value of the electromagnetic field thus radiated due to the appearance of the phenomenon of interface micro-discharges.

Une deuxième variante de réalisation du dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, sera maintenant décrite en liaison avec la figure lb. A second alternative embodiment of the device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and radio interference generated by these interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, will now be described in conjunction with the figure. lb.

Dans le cas de la figure lb, on indique que, à titre d'exemple non limitatif, le circuit électrique peut par exemple être constitue par un transformateur électrique. In the case of FIG. 1b, it is indicated that, by way of nonlimiting example, the electrical circuit can for example be constituted by an electrical transformer.

Dans un tel cas, il s'est avéré particulièrement avantageux de constituer l'élément 2 d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par les microdécharges d'interface sous forme d'élément absorbant des vibrations mécaniques susceptibles d'affecter le circuit électrique considéré. On comprend en effet qu'un transformateur électrique, portant la référence 1 sur la figure lb, est le siège de vibrations électromécaniques, ces vibrations électromécaniques étant susceptibles de provoquer l'apparition de microdécharges électriques et, en conséquence, l'apparition de parasites radioélectriques consécutifs à l'existence de ces microdécharges.In such a case, it has proven to be particularly advantageous to constitute the element 2 for attenuation of the electromagnetic wave generated by the interface micro-discharges in the form of an element absorbing mechanical vibrations liable to affect the electrical circuit considered. . It is in fact understood that an electrical transformer, bearing the reference 1 in FIG. 1b, is the seat of electromechanical vibrations, these electromechanical vibrations being capable of causing the appearance of electrical micro-discharges and, consequently, the appearance of radio interference consecutive to the existence of these micro-discharges.

Sur la figure lb, la référence 2 désigne ainsi l'élément d'atténuation de l'onde électromagnétique engen drée par les microdécharges, cet élément constituant un élément absorbant des vibrations mécaniques précitées. De préférence, il peut alors consister en un élément pulvérulent présentant des propriétés semi-conductrices telles que mentionnées précédemment. In FIG. 1b, the reference 2 thus designates the element for attenuating the electromagnetic wave generated by the micro-discharges, this element constituting an element absorbing the above-mentioned mechanical vibrations. Preferably, it can then consist of a pulverulent element having semiconductor properties as mentioned above.

Sur la même figure lb, la référence 2o désigne un boîtier dans lequel le circuit électrique 1, constitué par un transformateur, immergé dans l'élément 2 pulvérulent, et cet élément pulvérulent, sont contenus, ainsi que représenté sur la figure lb précitée. In the same figure 1b, the reference 2o designates a box in which the electrical circuit 1, constituted by a transformer, immersed in the powdery element 2, and this powdery element, are contained, as shown in the aforementioned figure 1b.

Bien entendu, d'autres mesures peuvent être prévues afin de diminuer au maximum l'influence des microdécharges d'interface, mesures telles que par exemple graphitage des bobinages du transformateur au moyen d'une couche de graphite très mince et graphitage des conducteurs électriques destinés à assurer la liaison avec l'extérieur entre le transformateur, constituant le circuit électrique 1, et les circuits extérieurs. Le boîtier 20 peut être constitué par tout boîtier en matériau plastique adapté suffisamment rigide. Of course, other measures can be provided in order to minimize the influence of the interface micro-discharges, measures such as for example graphiting of the transformer windings by means of a very thin graphite layer and graphiting of the electrical conductors intended to ensure the connection with the outside between the transformer, constituting the electrical circuit 1, and the external circuits. The housing 20 may be constituted by any housing made of suitable plastic material which is sufficiently rigid.

Dans un mode de réalisation préférentiel, on indique que l'élément pulvérulent 2 était constitué par du sable siliceux auquel avait été ajouté 0,1% en masse de graphite en poudre. In a preferred embodiment, it is indicated that the pulverulent element 2 was constituted by silica sand to which 0.1% by mass of powdered graphite had been added.

Le phénomène des microdécharges d'interface se rapproche, par ses effets, des parasites électromagnétiques. The effects of interface micro-discharges are similar to electromagnetic interference.

Toutefois, il s'en distingue de la manière la plus nette en raison de son mode d'action particulièrement complexe, lequel nécessite une protection spécifique correspondante.However, it stands out most clearly because of its particularly complex mode of action, which requires corresponding specific protection.

Ce mode d'action est lié en fait aux différentes sources de microdécharges d'interface.This mode of action is in fact linked to the various sources of interface micro-discharges.

Parmi celles-ci, on distingue
- les sources puissantes, mais non corrélées avec le signal audio perturbé : essentiellement le secteur à 50 Hz (et ses harmoniques ...) et ses organes de transformation transformateurs, moteurs
- les sources puissantes corrélées avec le signal audio perturbé : les hauts-parleurs et les câbles ampli-HP
- les sources faibles non corrélées avec le signal audio perturbé : conducteurs voisins de la chaîne, ils sont généralement négligeaDles vis-à-vis des autres sources
- les sources faibles corrélées avec le signal audio perturbé : essentiellement l'électronique et le câblage associé, supposé à l'abri des vibrations, ce qui n'est pas toujours le cas et explique l'intérêt des pointes et autres supports antivibratoires ...
Among these, there are
- powerful sources, but not correlated with the disturbed audio signal: essentially the sector at 50 Hz (and its harmonics ...) and its transformers, transformers, motors
- powerful sources correlated with the disturbed audio signal: loudspeakers and ampli-HP cables
- weak sources not correlated with the disturbed audio signal: neighboring conductors of the chain, they are generally neglected vis-à-vis other sources
- weak sources correlated with the disturbed audio signal: mainly electronics and associated wiring, assumed to be sheltered from vibrations, which is not always the case and explains the advantage of spikes and other anti-vibration supports. .

Les modes d'action sur le signal audio des microdécharges et de leur onde associée peuvent consister, sans exclusion
- En une action directe sur le courant du signal utile au moment où les microdécharges se produisent. Les modélisation montrent que cet effet est vraisemblablement négligeable, compte tenu des très faibles valeurs de capacités mises en jeu.
The modes of action on the audio signal of the micro-discharges and their associated wave can consist, without exclusion
- By a direct action on the current of the useful signal at the moment when the micro-discharges occur. The modeling shows that this effect is probably negligible, given the very low capacity values involved.

- En la détection par des éléments non linéaires du circuit de l'onde électromagnétique emise par les microdécharges : ce mode d'action est plus vraisemblable, la détection pouvant être réalisée par des éléments partiellement redresseurs tels que soudures ou contacts bi-métalliques : le problème des soudures a été maintes fois soulevé par les Audiophiles. A noter qu'aux fréquences envisagées, tous les éléments conducteurs sont plus ou moins redresseurs. Il est concevable qu'une onde fortement corrélée avec le signal audio, redressée et réinjectée dans les circuits, puisse effectivement dégrader la musicalité
- En l'action des sources externes non corrélées avec le signal utile (secteur), bien que plus difficile à appréhender. Néanmoins, l'efficacité des filtres secteur conçus en supposant l'existence des microdécharges - et en cherchant à les éliminer - fournit un mode d'action probable
le secteur à 50 Hz et les transformateurs associés
fournissent une onde de microdécharges non corrélée avec
le signal audio mais d'amplitude importante,
cette onde est susceptible de favoriser voire déclencher
des microdécharges sur les circuits audio qui, eux, sont
polarisés par le signal lui-même,
on se trouve alors en présence d'un phénomène d'avalanche
ou l'élément déclenchant est le secteur à 50 Hz et où le
signal déclenché va être une onde de microdécharges sur le
signal utile, avec tout un ensemble d'intermodulations
entre celui-ci et e signal à 50 Hz et ses harmoniques.
- In the detection by non-linear elements of the circuit of the electromagnetic wave emitted by the micro-discharges: this mode of action is more likely, the detection being able to be carried out by partially rectifying elements such as welds or bi-metallic contacts: the welding problem has been raised many times by Audiophiles. Note that at the frequencies envisaged, all the conductive elements are more or less rectifiers. It is conceivable that a wave strongly correlated with the audio signal, rectified and reinjected into the circuits, could effectively degrade the musicality
- In the action of external sources not correlated with the useful signal (sector), although more difficult to grasp. However, the efficiency of the mains filters designed by supposing the existence of micro-discharges - and by seeking to eliminate them - provides a probable mode of action.
the sector at 50 Hz and the associated transformers
provide a micro-discharge wave not correlated with
the audio signal but of significant amplitude,
this wave is likely to favor even trigger
micro-discharges on the audio circuits which are
polarized by the signal itself,
we are then in the presence of an avalanche phenomenon
or the triggering element is the sector at 50 Hz and where the
triggered signal is going to be a wave of micro-discharges on
useful signal, with a whole set of intermodulations
between this and the 50 Hz signal and its harmonics.

L'efficacité du dispositif de protection vis-à-vis des microdécharges, objet de la présente invention, confirme indirectement leur existence. The effectiveness of the device for protecting against micro-discharges, object of the present invention, indirectly confirms their existence.

- La protection de base consiste à entourer les conducteurs supposés isolés par un matériau semi-conducteur
suffisamment conducteur pour favoriser un équipotentialité
locale, suffisemment résistant pour dissiper et absorber l'onde
associée aux microdécharges.
- Basic protection consists in surrounding the supposedly insulated conductors with a semiconductor material
conductive enough to promote equipotentiality
local, sufficiently resistant to dissipate and absorb the wave
associated with micro-discharges.

- les microdécharges étant engendrées aux interfaces conducteurs - iolants, les condensateurs produisent euxmêmes des microdécharges. Seuls les condensateurs à air (ou à vide) pourront présenter une certaine efficacité. - the micro-discharges being generated at the conductor - insulator interfaces, the capacitors themselves produce micro-discharges. Only air (or vacuum) capacitors can have a certain efficiency.

- la protection des transformateurs contre l'émis- sion de microdécharges consiste à les enrober dans un absorbant mécanique permettant en même temps de dissiper l'onde électromagnétique. - the protection of transformers against the emission of micro-discharges consists in coating them in a mechanical absorbent making it possible at the same time to dissipate the electromagnetic wave.

- En mode différentiel, l'absorption des microdécharges peut être effectuée préférentiellement par circuits
RC
R : résistance non-inductive, de préférence carbone, de
valeur proche de l'impédance caractéristique des conduc
teurs considérés,
C : capacité à air ou à vide.
- In differential mode, the absorption of micro-discharges can be carried out preferentially by circuits
RC
R: non-inductive resistance, preferably carbon, of
value close to the characteristic impedance of the conduits
tutors considered,
C: air or vacuum capacity.

- En mode commun, l'absorption de l'onde électromagnétique associée aux microdécharges est délicate et implique l'enrobage des circuits dans un milieu semi-conducteur, absorbant également les vibrations dans le cas d'éléments vibrants (moteurs, transformateurs). - In common mode, the absorption of the electromagnetic wave associated with micro-discharges is delicate and involves the coating of circuits in a semiconductor medium, also absorbing vibrations in the case of vibrating elements (motors, transformers).

Une description plus détaillée d'un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, lorsque ce circuit électrique est constitué par un haut-parleur, sera maintenant donnée en liaison avec la figure 2. A more detailed description of a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and parasites generated by these interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, when this electric circuit consists of a loudspeaker, will now be given in connection with FIG. 2.

De maniere classique, le haut-parleur représenté sur la figure précitée comprend une culasse magnétique, notée
CU, munie d'un logement d'entrefer LE et d'une bobine électrique solidaire d'une membrane de haut-parleur, la membrane étant notée M sur la figue 2 précitée. De manière classique, la membrane M est solidaire à sa périphérie de l'armature A, l'armature A ayant sensiblement la forme d'un saladier lui-même solidaire de la culasse magnétique CU. Une bobine électrique répartie à la base de la membrane M est engagée dans le logement d'entrefer LE, la bobine étant reliée à des bornes de sortie BSl et BS2 et à des câbles de liaison de ces bornes vers les bornes de sortie d'un amplificateur électrique.
Conventionally, the loudspeaker shown in the above-mentioned figure comprises a magnetic yoke, noted
CU, provided with an air-gap housing LE and an electric coil integral with a loudspeaker diaphragm, the diaphragm being denoted M in FIG. 2 above. Conventionally, the membrane M is secured at its periphery to the frame A, the frame A having substantially the shape of a bowl itself secured to the magnetic yoke CU. An electric coil distributed at the base of the membrane M is engaged in the air gap housing LE, the coil being connected to output terminals BSl and BS2 and to cables connecting these terminals to the output terminals of a electric amplifier.

D'une manière générale, et afin d'assurer la protection de l'ensemble du haut-parleur représenté en figure 2 contre le phénomène de microdécharges d'interface, on indique que, d'une première part, la bobine placee à la base de la membrane v, peut être munie d'un revêtement d'une mince couche de graphite, la bobine pour cette raison portant la référence 1 sur la figure 2. In general, and in order to ensure the protection of the entire loudspeaker shown in FIG. 2 against the phenomenon of interface micro-discharges, it is indicated that, firstly, the coil placed at the base of the membrane v, may be provided with a coating of a thin layer of graphite, the coil for this reason bearing the reference 1 in FIG. 2.

Outre le graphitage de la bobine de haut-parleur précédemment mentionné, on indique que le dispositif, objet de la présente invention, représenté en figure 2, comprend une garniture en mousse de matériau semi-conducteur, portant la référence 20, cette garniture étant placée en fond du logement d'entrefer LE. En outre, les parois du logement d'entrefer comportent également un revêtement en matériau semi-conducteur, portant pour cette raison la même référence 20.  In addition to the graphitation of the aforementioned loudspeaker coil, it is indicated that the device, object of the present invention, represented in FIG. 2, includes a foam lining of semiconductor material, bearing the reference 20, this lining being placed at the bottom of the LE air gap housing. In addition, the walls of the air gap housing also have a coating of semiconductor material, for this reason bearing the same reference 20.

Enfin, on indique qu un revêtement protecteur des bornes BS1 et BS2 peut être prévu, ce revêtement assurant une protection des bornes et des câbles de liaison de ces bornes, ce revêtement protecteur pouvant être constitué par un matériau semi-conducteur recouvrant ces derniers sur au moins une partie de leur longueur. Finally, it is indicated that a protective coating of the terminals BS1 and BS2 can be provided, this coating ensuring protection of the terminals and of the connection cables of these terminals, this protective coating being able to consist of a semiconductor material covering the latter on at minus part of their length.

On comprend ainsi que la booine revetue d'une couche de graphite lo est ainsi munie d'un revêtement en matériau semi-conducteur et que le revêtement protecteur des bornes BS1 et BS2 et des câbles de liaison de ces bornes peut être réalisé au moyen de la même mousse conductrice que celle qui est utilisée et placée en fond du logement d'entrefer LE. It is thus understood that the booine coated with a layer of graphite lo is thus provided with a coating of semiconductor material and that the protective coating of the terminals BS1 and BS2 and of the connection cables of these terminals can be produced by means of the same conductive foam as that which is used and placed at the bottom of the LE air gap housing.

Dans un mode de réalisation non limitatif, on indique que les cables de liaison entre les bornes BS1 et
BS2 et les bornes de l'amplificateur électrique précité peuvent être réalisés sous forme de câbles protégés CP tel que décrit précédemment en liaison avec la figure la.
In a nonlimiting embodiment, it is indicated that the connection cables between the terminals BS1 and
BS2 and the terminals of the aforementioned electric amplifier can be produced in the form of protected cables CP as described above in connection with FIG.

En outre, en extrémité des câbles de liaison précités, c'est-à-dire des câbles protégés CP par exemple, un filtre réjecteur des très hautes fréquences radioélectriques peut être prévu, ce filtre réjecteur étant connecté à l'extrémité des câbles ou de la partie des câbles de liaison recouverte par le matériau semi-conducteur. In addition, at the end of the aforementioned connecting cables, that is to say protected cables CP for example, a filter rejector of very high radio frequencies can be provided, this filter rejector being connected to the end of the cables or the part of the connecting cables covered by the semiconductor material.

Dans un mode de réalisation non limitatif, on indique que le filtre réjecteur peut être constitué par une résistance de faible valeur en série avec l'âme centrale des câbles, les résistances désignées par R sur la figure 2 étant reliées par une capacité C de faible valeur. On indique que, dans un exemple de réalisation non limitatif, les résistances R avaient une valeur comprise entre 0,1 et 2,5 Q, alors que la capacité C avait pour valeur une valeur comprise entre 30 et 100 pF et la résistance R' une valeur comprise entre 10 et 50 Q.  In a nonlimiting embodiment, it is indicated that the rejection filter can be constituted by a resistor of low value in series with the central core of the cables, the resistors designated by R in FIG. 2 being connected by a capacitance C of low value. It is indicated that, in a nonlimiting exemplary embodiment, the resistors R had a value between 0.1 and 2.5 Q, while the capacitance C had a value between 30 and 100 pF and the resistance R ' a value between 10 and 50 Q.

D'une manière plus spécifique, on indique que dans le cadre du dispositif, objet de la présente invention, un justificatif de la mise en oeuvre de ce dispositif tel que décrit en liaison avec la figure 2 sera donné ci-après. More specifically, it is indicated that in the context of the device which is the subject of the present invention, proof of the implementation of this device as described in connection with FIG. 2 will be given below.

Les bobines de haut-parleur sont constituées par exemple par une ou deux couches de fils conducteurs électriques émaillés sur un tube isolant, solidaire de la membrane
M et qui, en raison de leur position dans le logement d'entrefer LE, baignent ainsi dans un champ magnétique uniforme.
The loudspeaker coils consist for example of one or two layers of enamelled electrical conductor wires on an insulating tube, integral with the membrane
M and which, due to their position in the air gap housing LE, thus bathe in a uniform magnetic field.

Les booines sont de ce fait soumises à des vibrations intenses en raison de leur fonction essentielle et engendrent ainsi une grande quantité de microdécharges qui peuvent perturber l'amplificateur de sortie par l'intermé diaire des câbles de liaison précédemment cités. The boxes are therefore subject to intense vibrations due to their essential function and thus generate a large amount of micro-discharges which can disturb the output amplifier through the aforementioned connection cables.

Le dispositif objet de la présente invention, tel que décrit en liaison avec la figure 2, permet de diminuer sensiblement les microdécharges créées à la source du circuit constitué par les bobines de haut-parleur en absorbant notamment l'onde électromagnétique émise par ces microdécharges. The device which is the subject of the present invention, as described in connection with FIG. 2, makes it possible to substantially reduce the micro-discharges created at the source of the circuit formed by the speaker coils by absorbing in particular the electromagnetic wave emitted by these micro-discharges.

Le niveau d'émission des microdécharges est diminué au moyen d'une application contrôlée d'un matériau semiconducteur tel que le graphite sur la bobine elle-même, la bobine étant ainsi graphitée pour constituer la bobine graphitée 1o précédemment mentionnée dans la description. The emission level of the micro-discharges is reduced by means of a controlled application of a semiconductor material such as graphite on the coil itself, the coil being thus graphitized to constitute the graphitized coil 1o previously mentioned in the description.

L'application de graphite peut être réalisée par pulvérisation d'un film de graphite sur un support distinct de la bobine, le graphite utilisé étant par exemple le
Graphit 33, ou le Blindotub disponibles dans le commerce.
The application of graphite can be carried out by spraying a graphite film on a support separate from the coil, the graphite used being for example the
Graphit 33, or the commercially available Blindotub.

Après séchage complet du film de graphite sur le support précité, un prélèvement du graphite sec est réalisé au moyen d'un outil tel qu'un tampon, de façon à noircir le tampon précité. After the graphite film has completely dried on the aforementioned support, a dry graphite is removed using a tool such as a pad, so as to blacken the aforementioned pad.

Le graphite est ainsi régulièrement appliqué sur la bobine du haut-parleur au moyen du tampon sur toute la surface de la bobine précitée. The graphite is thus regularly applied to the loudspeaker coil by means of the buffer over the entire surface of the above-mentioned coil.

Un polissage peut être réalisé avec un tampon exempt de graphite, le polissage apparaissant convenablement réalisé lorsque la bobine de haut-parleur prend un aspect brillant légèrement grisé. A polishing can be carried out with a graphite-free pad, the polishing appearing suitably carried out when the loudspeaker coil takes on a slightly gray glossy appearance.

L'absorption de l'onde électromagnétique émise par les microdécharges est réalisée par l'intermédiaire de la mousse semi-conductrice 2 placée en fond de logement d'entrefer LE, au voisinage de la bobine, et, en tout état de cause, dans les parties de la culasse CU ne gênant pas le déplacement de la membrane, c'est-à-dire fond de culasse, cache-noyau constitué par un dôme par exemple, lequel, sur la figure 2, porte également la référence 20 pour cette raison.  The absorption of the electromagnetic wave emitted by the micro-discharges is carried out by means of the semiconductor foam 2 placed at the bottom of the air-gap housing LE, in the vicinity of the coil, and, in any event, in the parts of the cylinder head CU not impeding the movement of the membrane, that is to say the bottom of the cylinder head, core cover constituted by a dome for example, which, in FIG. 2, also bears the reference 20 for this right.

En ce qui concerne la mousse utilisée, cette mousse semi-conductrice peut par exemple etre constituée par la mousse haute densité Vermason et Vitec de résistivité inférieure ou égale à 15 Qm, une telle mousse présentant la particularité d'être constituée par des cellules ouvertes. With regard to the foam used, this semi-conductive foam can for example be constituted by the high density Vermason and Vitec foam with a resistivity less than or equal to 15 Qm, such foam having the particularity of being constituted by open cells.

Une mousse adéquate pour realiser l'opération précitée peut être constituée par la mousse Vermason et Vitec portant la référence 167-848 du catalogue FARNELL. Toutefois, une mousse plus conductrice dont la résistivité est sensiblement égale à 1 Qm peut être préférée.A foam suitable for carrying out the above operation may consist of Vermason and Vitec foam bearing the reference 167-848 from the FARNELL catalog. However, a more conductive foam whose resistivity is substantially equal to 1 Qm may be preferred.

En ce qui concerne l'opération de graphitage de la bobine, on indique que le revêtement ainsi constitué forme, conformément à l'objet de la présente invention, un revete- ment semi-conducteur permettant de créer une équipotentialité locale et une régularisation du champ superficiel, ce revêtement étant toutefois suffisamment résistant pour éviter d'enfermer les microdécharges dans une cavité résonante. En d'autres termes, on indique que l'excédent de couche de graphite sur la bobine est susceptible de dégrader les résultats obtenus. As regards the graphitization operation of the coil, it is indicated that the coating thus formed forms, in accordance with the object of the present invention, a semiconductor coating making it possible to create local equipotentiality and regularization of the field. surface, this coating however being sufficiently resistant to avoid enclosing the micro-discharges in a resonant cavity. In other words, it is indicated that the excess graphite layer on the coil is likely to degrade the results obtained.

Les longueurs d'onde mises en jeu par le phénomène des microdécharges d'interface sont des longueurs d'onde centimétriques. En conséquence, les mousses semi-conductrices destinées à absorber l'onde électromagnétique engendrée par les microdécharges d'interface à ces longueurs d'onde peuvent présenter avantageusement des irrégularités ou indentations de cet ordre de grandeur de longueur, de façon à être efficaces du point de vue de l'absorption et éviter tout phénomène de réflexion de cette onde électromagnétique. The wavelengths brought into play by the phenomenon of interface micro-discharges are centimetric wavelengths. Consequently, the semiconductor foams intended to absorb the electromagnetic wave generated by the interface micro-discharges at these wavelengths can advantageously have irregularities or indentations of this order of magnitude of length, so as to be effective from the point of absorption and avoid any phenomenon of reflection of this electromagnetic wave.

En ce qui concerne toutefois les capacités C utilisées pour constituer le filtre réjecteur des très hautes fréquences radioéleczriques, on indique que ces capacités peuvent de préférence être constituées par des capacités à air, dans lesquelles le phénomène de microdécharges est faible, ou, de préférence, par des capacités encapsulées sous vide ou dans un gaz neutre, le cas échéant dans l'air. Le fait d'utiliser des capacités encapsulées est particulièrement avantageux, dans la mesure où l'encapsulation sous vide, sous atmosphère constituée par un gaz neutre voire dans l'air, constitue une protection aux variations de l'atmosphère environnante, les filtres réjecteurs ainsi constitués conservant de ce fait une très grande stabilité en fréquences, en particulier en fréquences de coupure des très hautes fréquences transmises. However, with regard to the capacities C used to constitute the filter for rejecting very high radio frequencies, it is indicated that these capacities can preferably be constituted by air capacities, in which the phenomenon of micro-discharges is weak, or, preferably, by capacities encapsulated under vacuum or in a neutral gas, if necessary in air. The fact of using encapsulated capacities is particularly advantageous, since encapsulation under vacuum, in an atmosphere constituted by a neutral gas or even in air, constitutes a protection against variations in the surrounding atmosphere, the rejection filters as well constituted thereby retaining very high frequency stability, in particular in the cutoff frequencies of the very high frequencies transmitted.

Enfin, dans le cas de hauts-parleurs utilisant du ferrofluide dans l'entrefer, en particulier dans le cas des hauts-parleurs connus sous le nom de "tweeters", le dispositif, objet de la présente invention, peut alors consister en outre à incorporer de 0,1 à 1% en masse de graphite colloïdal dans le ferrofluide, afin d'absorber l'onde électromagnétique engendrée par le phénomène des microdécharges. Finally, in the case of loudspeakers using ferrofluid in the air gap, in particular in the case of loudspeakers known under the name of "tweeters", the device, object of the present invention, can then also consist of incorporate 0.1 to 1% by mass of colloidal graphite in the ferrofluid, in order to absorb the electromagnetic wave generated by the phenomenon of micro-discharges.

Une description plus détaillée du dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, sera maintenant décrit en liaison avec les figures 3a à 3c lorsque le circuit est constitué par les cellules de lecture des disques ou phonogrammes encore désignés par microsillons. A more detailed description of the device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and radio interference generated by these interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, will now be described in conjunction with FIGS. 3a to 3c when the circuit consists of cells for reading discs or phonograms still designated by microgrooves.

Un rappel succinct du fonctionnement d'une cellule de lecture d'un phonocapteur classique sera donné de manière ci-après. A brief reminder of the operation of a reading cell of a conventional phonosensor will be given below.

Un phonocapteur comporte habituellement une pointe de lecture reliée électriquement à deux bobines mobiles, les deux bobines mobiles étant à 90" pour constituer en fait une cellule de lecture stéréophonique. Les bobines mobiles sont mobiles autour d'un axe de pivotement dans un champ magnétique, noté H. A phonosensor usually comprises a read tip electrically connected to two moving coils, the two moving coils being 90 "to constitute in fact a stereophonic reading cell. The moving coils are movable around a pivot axis in a magnetic field, noted H.

Dans un tel cas, ainsi que représenté notamment en figures 3a et 3b, le dispositif, objet de la présente invention, comporte un revêtement en matériau semi-conducteur couvrant les fils constitutifs des bobines mobiles ainsi que les cables électriques. In such a case, as shown in particular in FIGS. 3a and 3b, the device, object of the present invention, comprises a coating of semiconductor material covering the wires making up the voice coils as well as the electric cables.

Ainsi que représenté sur les figures précitées, le revêtement en matériau semi-conducteur recouvrant les fils constitutifs des bobines mobiles peut être réalise par un graphitage de ces bobines suivant le processus précédemment décrit en liaison avec les bobines de hauts-parleurs. Une telle opération demande toutefois un soin particulier en raison de la finesse du fil conducteur utilisé pour réaliser ces bobines mobiles. As shown in the aforementioned figures, the coating of semiconductor material covering the wires making up the moving coils can be produced by graphitizing these coils according to the process previously described in connection with the speaker coils. However, such an operation requires special care due to the fineness of the conductive wire used to make these moving coils.

En outre, une mousse absorbante en matériau semiconducteur est introduite au niveau de tout circuit et de tout logement ou interstice lorsque cette introduction n' est pas susceptible de gêner le mouvement des bobines mobiles précitées. Sur les figures 3a et 3b, on a ainsi représenté, outre le graphitage des bobines mobiles, la présence d'un capuchon m de mousse semi-conductrice entourant la tête de lecture proprement dite, et d'un manchon entourant les câbles reliant les bobines mobiles à l'amplificateur du signal délivré par les bobines mobiles. Pour cette raison, et dans la même manière que dans le cas des figures précédentes, sur les figures 3a et 3b, les bobines mobiles graphitées portent la référence 1G, les fils conducteurs reliant les bobines mobiles à l'amplificateur portent la référence 1; et le capuchon m et le manchon en mousse semiconductrice rapportés sur la tête de lecture proprement dite et sur les câbles 1. graphités portent la référence 20.  In addition, an absorbent foam of semiconductor material is introduced at the level of any circuit and of any housing or gap when this introduction is not liable to hinder the movement of the above-mentioned moving coils. In Figures 3a and 3b, there is thus shown, in addition to the graphitation of the moving coils, the presence of a cap m of semiconductor foam surrounding the read head itself, and of a sleeve surrounding the cables connecting the coils mobile amplifiers of the signal delivered by the mobile coils. For this reason, and in the same manner as in the case of the preceding figures, in FIGS. 3a and 3b, the graphite voice coils bear the reference 1G, the conducting wires connecting the voice coils to the amplifier bear the reference 1; and the cap m and the sleeve of semiconductor foam attached to the read head itself and to the cables 1. graphitized bear the reference 20.

Des précautions particulières doivent être prises en ce qui concerne la protection des conducteurs reliés à la cellule de lecture, c'est-à-dire aux bobines mobiles précitées et passant dans le bras de lecture ainsi que représenté en figure 3a ou en figure 3b. Special precautions must be taken with regard to the protection of the conductors connected to the reading cell, that is to say to the above-mentioned moving coils and passing through the reading arm as shown in FIG. 3a or in FIG. 3b.

D'une manière générale, il est avantageux de procéder au recâblage du bras de la manière ci-après
- choix des conducteurs 1: fil émaillé de l/lOème à 2/10ème de mm de diamètre, double émaillage polyuréthane haute température par exemple
- remplacement des conducteurs existants par ce conducteur graphité ainsi que décrit précédemment dans la description relativement aux bobines de hauts-parleurs
- enrobage des conducteurs électriques li graphités précités dans de la mousse semi-conductrice 20, de façon à constituer un manchon protecteur tout le long du bras de lecture.
In general, it is advantageous to rewire the arm in the following manner
- choice of conductors 1: enameled wire from l / lOème to 2 / 10th of a mm in diameter, double high temperature polyurethane enameling for example
- replacement of existing conductors with this graphite conductor as described previously in the description relating to the speaker coils
- Coating of the aforementioned graphical electrical conductors in semiconductor foam 20, so as to constitute a protective sleeve along the tonearm.

On indique en particulier que le câblage peut être effectué, soit à l'intérieur du bras de lecture, ainsi que représenté en figure 3a, le manchon étant introduit à l'intérieur de ce bras, soit, au contraire, ainsi que représenté en figure 3b, à l'extérieur du bras de lecture, l'ensemble manchon t conducteurs électriques pouvant alors être maintenu au moyen de ligatures ou colliers de serrage en rubans de polytétrafluoréthylène. Ces rubans de serrage portent la référence 2 sur la figure 3b. It is indicated in particular that the wiring can be carried out, either inside the tonearm, as shown in FIG. 3a, the sleeve being inserted inside this arm, or, on the contrary, as shown in FIG. 3b, outside the tonearm, the sleeve and electrical conductor assembly can then be maintained by means of ligatures or cable ties made of polytetrafluoroethylene ribbons. These tightening tapes bear the reference 2 in FIG. 3b.

Bien entendu, en sortie des câbles de liaison 1 précités, c'est-à-dire en fait à l'entrée de l'amplificateur de lecture, un filtre de réjection des hautes fréquences radioélectriques est prévu, ce filtre étant constitué par une résistance R et une capacité C de valeur comparable à celle précédemment mentionnée dans la description relativement aux hauts-parleurs. On comprend bien sûr que dans le cadre d'une tete de lecture stéréophonique, laquelle comporte une vo;e gauche G et une voie droite D, un filtre de réjection est prévu pour chaque voie gauche et droite, ainsi que représenté en figure 3c. Dans ce cas, le filtre réjecteur peut être placé sous la table de lecture elle-même
TL, ainsi que représenté de manière schématique sur la figure 3c. Les résistances et capacités R, C utilisées sont des résistances de même nature et de même valeur que celles indiquees précédemment dans la description relativement à la constitution du filtre réjecteur pour le haut-parleur.
Of course, at the output of the aforementioned connection cables 1, that is to say in fact at the input of the read amplifier, a filter for rejection of high radio frequencies is provided, this filter being constituted by a resistor R and a capacitance C of value comparable to that previously mentioned in the description relative to the loudspeakers. It is of course understood that in the context of a stereophonic read head, which has a left channel G and a right channel D, a rejection filter is provided for each left and right channel, as shown in FIG. 3c. In this case, the rejector filter can be placed under the reading table itself
TL, as shown schematically in Figure 3c. The resistors and capacitors R, C used are resistors of the same nature and of the same value as those indicated previously in the description relative to the constitution of the rejection filter for the loudspeaker.

Une description plus détaillée d'un dispositif conforme à l'objet de la présente invention, mis en oeuvre lorsque le circuit électrique est celui d'un transformateur de tension d'alimentation, sera maintenant donnée en liaison avec les figures 4a et b.  A more detailed description of a device according to the object of the present invention, implemented when the electrical circuit is that of a supply voltage transformer, will now be given in conjunction with FIGS. 4a and b.

Ainsi que représenté sur la figure 4a, le transformateur de tension d'alimentation comprend un bobinage primaire, noté 1, et un bobinage secondaire, noté 12. As shown in FIG. 4a, the supply voltage transformer comprises a primary winding, denoted 1, and a secondary winding, denoted 12.

Le dispositif, objet de la présente invention, comporte, de manière analogue au dispositif représenté en figure lb, un boitier 2 constituant une enceinte étanche munie de traversees étanches, ainsi que représenté de manière schématique sur la figure 4a. Les traversées étanches portent la référence 2,. L'enceinte étanche formée par le boîtier 2c comprend et contient le bobinage primaire 11 et le bobinage secondaire 1 et est en outre remplie, de même que dans le cas de la figure lb, d'un matériau semiconducteur absorbant les vibrations mécaniques du transformateur. En outre, les bobinages primaire 1: et secondaire 12 sont interconnectés aux traversées étanches par l'intermédiaire de câbles de liaison portant sur la figure les références 13 et l;.  The device, object of the present invention, comprises, similarly to the device shown in FIG. 1b, a box 2 constituting a sealed enclosure provided with sealed bushings, as shown schematically in FIG. 4a. Sealed bushings are marked with the reference 2 ,. The sealed enclosure formed by the housing 2c comprises and contains the primary winding 11 and the secondary winding 1 and is also filled, as in the case of FIG. 1b, with a semiconductor material absorbing the mechanical vibrations of the transformer. In addition, the primary 1: and secondary 12 windings are interconnected to the watertight crossings by means of connection cables bearing in the reference numbers 13 and 1 ;.

De préférence, et de manière analogue aux circuits électriques précédemment décrits dans la description relativement, d'une part, à la bobine de haut-parleur, et, d'autre part, aux bobines mobiles de tête de lecture, les fils électriques constitutifs des bobinages primaire et secondaire 1: et 1 ainsi que les fils électriques permettant d'assurer la liaison des bobinages primaire et secondaire aux traversées étanches 1; et 14 comportent avantageusement un revêtement en matériau semi-conducteur. Ce matériau semiconducteur peut être constitué par un film de graphite déposé et poli conformément aux indications données précédemment dans la description. Preferably, and analogously to the electrical circuits previously described in the description, on the one hand, to the loudspeaker coil, and, on the other hand, to the read head moving coils, the electrical wires constituting the primary and secondary windings 1: and 1 as well as the electrical wires making it possible to ensure the connection of the primary and secondary windings to watertight bushings 1; and 14 advantageously comprise a coating of semiconductor material. This semiconductor material may consist of a graphite film deposited and polished in accordance with the indications given previously in the description.

En outre, 1 'enceinte étanche formée par le boîtier 20 est remplie de matériau semi-conducteur, élément absorbant des vibrations mécaniques, les bobinages primaire et secondaire 1 et 1 précités étant ainsi noyés dans le matériau semi-conducteur 2 précité.  In addition, the sealed enclosure formed by the housing 20 is filled with semiconductor material, an element absorbing mechanical vibrations, the aforementioned primary and secondary windings 1 and 1 thus being embedded in the aforementioned semiconductor material 2.

De la meme manière que dans le cas de la figure lb, le matériau semi-conducteur élément absorbant des vibrations mécaniques est constitué par un matériau pulvérulent tel qu'un sable graphité dans les conditions qui seront données ci-après dans la description. In the same way as in the case of FIG. 1b, the semiconductor material element absorbing mechanical vibrations consists of a pulverulent material such as graphite sand under the conditions which will be given below in the description.

Un justificatif de la mise en oeuvre d'un tel dispositif relativement à la protection des circuits transformateurs contre les phénomènes de microdécharges d'interface sera maintenant introduit. Proof of the implementation of such a device relative to the protection of transformer circuits against the phenomena of interface micro-discharges will now be introduced.

D'une manière générale, après les hauts-parleurs et les cellules phonocaptrices, les transformateurs constituent une source majeure de microdécharges d'interface
- des bobinages isolés sous tension sont généralement accessibles en surface externe de ces transformateurs, la surface externe des transformateurs toriques étant d'ailleurs entièrement constituée d'enroulements
- les efforts électrodynamiques et les contraintes de magnetostriction induisent un niveau de vibration élevé, multipliant les microdécharges, et ce, d'autant plus que l'enroulement externe est raccordé â la phase plutôt qu'au neutre du réseau d'alimentation alternatif.
In general, after the loudspeakers and the phonocaptric cells, the transformers constitute a major source of interface micro-discharges
- insulated windings under voltage are generally accessible on the external surface of these transformers, the external surface of the toroidal transformers also being entirely made up of windings
- the electrodynamic forces and the constraints of magnetostriction induce a high level of vibration, multiplying the micro-discharges, and this, all the more since the external winding is connected to the phase rather than to the neutral of the AC supply network.

Ainsi, les mesures permettant d'atténuer ou sensiblement supprimer le phénomène de microdécharges d'interface au niveau d'un circuit tel qu'un transformateur consistent
- à créer une équipotentialité locale au niveau des bobinages externes
- à empêcher ou absorber au maximum les vibrations mécaniques
- à absorber l'onde électromagnétique emise par les microdécharges et les courants engendrés par celle-ci.
Thus, the measures making it possible to attenuate or substantially eliminate the phenomenon of interface micro-discharges at the level of a circuit such as a transformer consist
- to create local equipotentiality at the level of the external windings
- to prevent or absorb mechanical vibrations as much as possible
- to absorb the electromagnetic wave emitted by micro-discharges and the currents generated by it.

De la même manière que dans le cas des bobines de haut-parleur par exemple, ou des ondines mobiles de cellule de phonocapteur, la création d'une couche équipotentielle locale au niveau des enroulements externes du transformateur peut être réalisée par pulvérisation de graphite Blindotub ou Graphit 33 sur la surface extérieure du transformateur dans les conditions décrites précédemment ans la description. In the same way as in the case of loudspeaker coils for example, or mobile undines of phonosensor cell, the creation of a local equipotential layer at the level of the external windings of the transformer can be carried out by spraying of graphite Blindotub or Graphit 33 on the exterior surface of the transformer under the conditions described above in the description.

Afin de réaliser l'atténuation et l'absorption des vibrations mécaniques, les enroulements primaires 11 et 12 du transformateur sont placés dans le boîtier étanche 2o précédemment mentionné, l'espace transformateur - boîtier n'étant de préférence jamais inférieur à 1 cm, afin de permettre l'insertion d'une couche adéquate de matériau semi-conducteur pulvérulent d'épaisseur suffisante, afin de permettre l'absorption des vibrations mecaniques précitées. In order to achieve attenuation and absorption of mechanical vibrations, the primary windings 11 and 12 of the transformer are placed in the above-mentioned waterproof housing 2o, the transformer - housing space preferably never being less than 1 cm, so to allow the insertion of an adequate layer of powdery semiconductor material of sufficient thickness, in order to allow the absorption of the above mechanical vibrations.

Lorsque les bobinages du transformateur ont été placés dans le boîtier, on remplit alors l'espace libre au moyen d'un mélange pulvérulent amortisseur, contenant une proportion convenable de poudre de graphite ou, par exemple de graphite colloida utilisé pour la lubrification de parties mécaniques dans la proportion de 0,1 à 0,8t en masse. When the transformer windings have been placed in the housing, the free space is then filled by means of a damping powder mixture, containing a suitable proportion of graphite powder or, for example of colloida graphite used for the lubrication of mechanical parts. in the proportion of 0.1 to 0.8t by mass.

On indique en particulier qu'en ce qui concerne le pourcentage de graphite ou de graphite colloïdal ajouté à l'élément pulvérulent, le mélange sensiblement homogène ainsi constitué doit présenter une résistivité électrique comprise entre 0,1 et 10 Qm ainsi que mentionné précédemment dans la description. It is indicated in particular that as regards the percentage of graphite or colloidal graphite added to the pulverulent element, the substantially homogeneous mixture thus formed must have an electrical resistivity of between 0.1 and 10 Qm as mentioned previously in the description.

En ce qui concerne la base de matériau pulvérulent utilisée, on indique que celle-ci peut être constituée par le sable siliceux auquel est ajouté le graphite en poudre ou le graphite colloïdal dans les proportions précédemment indiquées. On indique en particulier que le pourcentage en masse de graphite dépend de la résistivité du sable siliceux ou du matériau pulvérulent utilisé, en raison du fait que lorsque le sable siliceux est utilisé, ce matériau est naturellement semi-conducteur. As regards the base of pulverulent material used, it is indicated that this can be constituted by siliceous sand to which is added powdered graphite or colloidal graphite in the proportions indicated above. It is indicated in particular that the percentage by mass of graphite depends on the resistivity of the silica sand or of the pulverulent material used, due to the fact that when silica sand is used, this material is naturally semiconductor.

En ce qui concerne le remplissage de l'ensemble de l'enceinte contenant ;es bobinages primaire et secondaire, on indique que le remplissage est réalisé au moyen du mélange constitué par le sable siliceux et le graphite en l'absence de tassement, le mélange ainsi introduit recouvrant légèrement la partie supérieure du transformateur proprement dit. As regards the filling of the entire enclosure containing; the primary and secondary windings, it is indicated that the filling is carried out by means of the mixture consisting of silica sand and graphite in the absence of compaction, the mixture thus introduced slightly covering the upper part of the transformer proper.

En ce qui concerne la sortie des traversées étanches 21, on indique que la liaison peut etre réalisée par connexion au moyen de câbles protégés CP, ainsi que décrit précédemment dans la description relativement à la figure la. As regards the output of the watertight bushings 21, it is indicated that the connection can be made by connection by means of protected cables CP, as described previously in the description relative to FIG.

Dans le cas où des câbles protégés CP ne sont pas utilisés pour réaliser ces connexions, conformément au dispositif objet de la présente invention, il est avantageux de prévoir un manchon de mousse conductrice, ainsi que représenté pour la connexion du bobinage secondaire 14, ce manchon entourant le câble de connexion précité sur une majeure partie de la longueur de celui-ci. En outre, dans tous les cas, il est également avantageux de maintenir, tant le manchon de mousse conductrice portant la référence 22 sur la figure 4a, que les câbles protégés CP au moyen de tores de ferrite, portant la référence 2j, ainsi que représenté pour la connexion du bobinage primaire sur la figure 4a. Les tores de ferrite, particulièrement adaptés à cet effet, peuvent consister en des tores de ferrite commercialisés sous la référence 3E25 du catalogue SELECTRONIC et fabriqués par la Société PHILIPS. Les tores de ferrite précités permettent, en raison de la contrainte électromagnétique imposée par ces derniers aux câbles de connexion, de lutter par atténuation contre les parasites issus de microdécharges en mode commun susceptibles de se propager sur les câbles de connexion précités. In the case where CP protected cables are not used to make these connections, in accordance with the device which is the subject of the present invention, it is advantageous to provide a sleeve of conductive foam, as shown for the connection of the secondary winding 14, this sleeve surrounding the aforementioned connection cable over a major part of the length thereof. In addition, in all cases, it is also advantageous to maintain, both the conductive foam sleeve bearing the reference 22 in FIG. 4a, as the cables protected CP by means of ferrite cores, bearing the reference 2j, as shown for the connection of the primary winding in Figure 4a. The ferrite cores, which are particularly suitable for this purpose, can consist of ferrite cores marketed under the reference 3E25 of the SELECTRONIC catalog and manufactured by the company PHILIPS. The aforementioned ferrite toroids make it possible, due to the electromagnetic stress imposed by the latter on the connection cables, to fight by attenuation against the parasites resulting from micro-discharges in common mode likely to be propagated on the aforementioned connection cables.

D'autres matériaux, constituant élément absorbant des vibrations mécaniques, peuvent être le cas échéant utilisés dans le mesure où ceux-ci s'avèrent plus performants ou plus pratiques à mettre en oeuvre en fonction des applications considérées. Other materials, constituting an element absorbing mechanical vibrations, can be used if necessary, insofar as these prove to be more efficient or more practical to use depending on the applications considered.

Ainsi, il est possible de remplir l'enceinte étanche formée par le boitier 2 au moyen d'un liquide ou d'un gel, c'est-à-dire d'un liquide visqueux, tel que
- le sérum physiologique,
- un mélange d'huiles isolantes contenant de 1 à quelques % en masse de graphite colloïdal en suspension, huiles isolantes pouvant être comprises dans le groupe de l'huile de paraffine, l'huile de vaseline, l'huile isolante
DIALA commercialisée par la société SHELL, les huiles graphitées de lubrification utilisées normalement en mécanique,
- un mélange sable siliceux/sérum physiologique,
- le coulage d'un enrobage de paraffine fondue contenant un pourcentage convenable de graphite, le refroidissement de la paraffine amenant ainsi l'ensemble à un bloc homogène maintenant le transformateur,
- les cires à bas point de fusion,
- les résines d'enrobage polyuréthane, epoxy ou de composés silicones, ces différents produits pouvant être chargés en graphite et pouvant être utilisés lorsque le démontage intérieur du transformateur n'est pas nécessaire.
Thus, it is possible to fill the sealed enclosure formed by the casing 2 by means of a liquid or a gel, that is to say a viscous liquid, such as
- physiological serum,
- a mixture of insulating oils containing from 1 to a few% by mass of colloidal graphite in suspension, insulating oils which may be included in the group of paraffin oil, vaseline oil, insulating oil
DIALA marketed by the company SHELL, graphitized lubricating oils normally used in mechanics,
- a mixture of silica sand / physiological serum,
- pouring a coating of molten paraffin containing a suitable percentage of graphite, the cooling of the paraffin thus bringing the whole to a homogeneous block maintaining the transformer,
- low melting point waxes,
- polyurethane, epoxy or silicone compound coating resins, these different products can be loaded with graphite and can be used when the interior disassembly of the transformer is not necessary.

D'une manière générale, on indique que le boîtier 23 peut être constitué par un matériau isolant, tel qu'un matériau classique ABS ou autre, ou le cas échéant un conducteur métallique suivant la protection souhaitée et les conditions d'utilisation. Lorsque le boîtier est métallique, l'expérience a montré que la mise à la terre ultérieure de ce boîtier n'apportait pas d'amélioration, ou même était susceptible d'introduire une dégradation de la protection du circuit contre le phénomène de microdécharges d'interface. In general, it is indicated that the housing 23 can be constituted by an insulating material, such as a conventional ABS or other material, or if necessary a metallic conductor according to the desired protection and the conditions of use. When the box is metallic, experience has shown that the subsequent earthing of this box does not bring any improvement, or even is likely to introduce a degradation of the protection of the circuit against the phenomenon of micro-discharges of interface.

En ce qui concerne le boîtier 20, on indique que celui-ci peut avantageusement être constitué par une enceinte à double paroi l'interstice ménagé entre la double paroi étant alors repli d'un matériau semi-conducteur tel qu un matériau semi-conducteur liquide. Dans un tel cas, on préférera comme matériau semi-conducteur liquide la solution saline précédemnent mentionnée dans la description ou le sérum physiologique précédemment cité. L'interstice peut alors présenter une dimension dans la direction orthogonale à la surface du boîtier de l'ordre de 2 cm environ, afin d'assurer une protection suffisante. As regards the housing 20, it is indicated that it can advantageously be constituted by a double-walled enclosure the gap formed between the double wall then being folded over with a semiconductor material such as a liquid semiconductor material . In such a case, the saline solution previously mentioned in the description or the physiological saline previously cited will be preferred as the liquid semiconductor material. The gap may then have a dimension in the direction orthogonal to the surface of the housing of the order of approximately 2 cm, in order to ensure sufficient protection.

Un mode de réalisation particulièrement avantageux d'un dispositif de protection d'un circuit électrique contre les microdécharges d'interface et parasites engendrés par ces microdécharges d'interface, conforme à l'objet de la présente invention, sera donné en liaison avec la figure 4b, dans le cas où ce circuit électrique est constitué par un transformateur d'isolement. A particularly advantageous embodiment of a device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges and parasites generated by these interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, will be given in connection with the figure. 4b, in the case where this electrical circuit is constituted by an isolation transformer.

On rappelle en premier lieu que le transformateur d'isolement est constitué d'un premier et d'un deuxième transformateur interconnectés par leurs bobinages secondaires, le bobinage primaire de l'un des transformateurs étant relié au réseau d'alimentation, par exemple transformateur
T1, et le bobinage primaire du deuxième transformateur, transformateur T2, étant relié à des bornes de sortie et délivrant une tension d'alimentation sensiblement égale à la tension d'alimentation du secteur, en l'absence de connexion galvanique directe avec le réseau secteur précité.
First of all, it is recalled that the isolation transformer consists of a first and a second transformer interconnected by their secondary windings, the primary winding of one of the transformers being connected to the supply network, for example transformer
T1, and the primary winding of the second transformer, transformer T2, being connected to output terminals and delivering a supply voltage substantially equal to the mains supply voltage, in the absence of direct galvanic connection with the mains network cited above.

Dans un tel cas, ainsi que représenté en figure 4b, le dispositif objet de la présente invention comprend, dans un boîtier étanche 2, le premier Tl et le deuxième T2 transformateur interconnectés par leurs bobinages secondaires, le bobinage primaire de chaque transformateur étant interconnecté à des bornes d'entrée/sortie par l'intermédiaire de traversées étanches, notées 2
Bien entendu, les bobinages primaires et/ou secondaires des transformateurs Tl et T2 peuvent être soumis à un dépôt de matériau semi-conducteur tel que le dépôt graphite, ainsi que mentionné précédemment dans la description relativement au bobinage du haut-parleur ou aux bobines mobiles de tête de pnonocapteur par exemple. Il en est de même pour les fils de connexion reliant les bobinages primaires des premier et deuxième transformateurs aux traversées étanches 2 précités.
In such a case, as shown in FIG. 4b, the device which is the subject of the present invention comprises, in a sealed housing 2, the first Tl and the second T2 transformer interconnected by their secondary windings, the primary winding of each transformer being interconnected with input / output terminals via watertight bushings, noted 2
Of course, the primary and / or secondary windings of the transformers Tl and T2 can be subjected to a deposition of semiconductor material such as graphite deposition, as mentioned previously in the description relative to the winding of the loudspeaker or to the moving coils of the sensor-probe head for example. It is the same for the connection wires connecting the primary windings of the first and second transformers to the aforementioned sealed bushings 2.

En ce qui concerne les fils d'lr.terconnexion des bobinages primaires des transformateurs, ces fils de connexion portant la référence 2 sur la figure 4b, ceux-ci peuvent également etre munis d'un revetement de matériau semi-conducteur tel qu'un dépôt de film graphite, ainsi que mentionné précédemment dans la description. En outre, et de manière particulièrement avantageuse, un circuit d'atténuation à résistance capacité, portant la référence 23 sur la figure 4b, est prévu, ce circuit d'atténuation étant interconnecté en parallèle entre les bobinages secondaires interconnectés des transformateurs T1 et T2. Enfin, les transformateurs T1 et T2 et le circuit d'atténuation 23 sont ensevelis dans un matériau semi-conducteur 2 contenu dans le boîtier 2c.  With regard to the connecting wires of the primary windings of the transformers, these connection wires bearing the reference 2 in FIG. 4b, these can also be provided with a coating of semiconductor material such as a graphite film deposition, as mentioned previously in the description. In addition, and in a particularly advantageous manner, a capacity resistance attenuation circuit, bearing the reference 23 in FIG. 4b, is provided, this attenuation circuit being interconnected in parallel between the interconnected secondary windings of the transformers T1 and T2. Finally, the transformers T1 and T2 and the attenuation circuit 23 are buried in a semiconductor material 2 contained in the housing 2c.

En ce qui concerne le circuit d'atténuation 23, celui-ci peut comporter au moins une résistance d'adaptation, notée R, et, connectée avec cette résistance, en série avec celle-ci, au moins une capacité électrique encapsulée sous vide, dans l'air ou dans un gaz neutre, cette capacité encapsulée, notée C, pouvant être doublée en parallèle par une capacité C' de plus forte valeur. As regards the attenuation circuit 23, this can include at least one matching resistor, denoted R, and, connected with this resistor, in series with it, at least one electrical capacity encapsulated under vacuum, in air or in a neutral gas, this encapsulated capacity, denoted C, which can be doubled in parallel by a capacity C 'of higher value.

Dans un mode de réalisation effectif, on indique que les transformateurs T1 et T2 étaient des transformateurs toriques, tension primaire 110 V ou 240 V, tension secondaire 2x40 V, 250 VA, commerciallsés sous la référence 432453 au catalogue FARNELL. La capacité C était une capacité à air de valeur comprise entre 60 à 100 pF et la capacité C' une capacité polypropylène de valeur comprise entre 0,47 à 2,2 pF. La résistance R était une résista cas où le circuit électrique protégé contre les phénomènes des microdécharges d'interface, conformément à l'objet de la présente invention, est un circuit électrique ou électronique multicomposants discrets ou intégrés, monté sur une plaquette à circuit imprimé par exemple. In an effective embodiment, it is indicated that the transformers T1 and T2 were toroidal transformers, primary voltage 110 V or 240 V, secondary voltage 2x40 V, 250 VA, marketed under the reference 432453 in the FARNELL catalog. Capacity C was an air capacity of value between 60 to 100 pF and capacity C 'a polypropylene capacity of value between 0.47 to 2.2 pF. Resistor R was a resist case where the electrical circuit protected against the phenomena of interface micro-discharges, in accordance with the object of the present invention, is a discrete or integrated multicomponent electrical or electronic circuit, mounted on a printed circuit board by example.

Sur les figures Sa et 5b, on reconnait la représentation symbolique du profil de composants discrets tels que transistor, résistance, condensateur ou analogue sur l'une des faces de la plaquette de circuit imprimé, le circuit imprimé se trouvant bien entendu de manière classique dessiné et gravé sur l'autre face. In Figures Sa and 5b, the symbolic representation of the profile of discrete components such as transistor, resistor, capacitor or the like can be recognized on one of the faces of the printed circuit board, the printed circuit naturally being drawn in the conventional manner. and engraved on the other side.

Ainsi que représenté sur la figure 5a, le dispositif, objet de la présente invention, comporte au moins un boîtier 2o ouvert à l'une de ses extrémités, ce boitier contenant un matériau semi-conducteur sous forme liquide par exemple, ce matériau seii-condcteur portant la référence 2 sur la figure 5a et constituant l'élément absorbant de l'onde électromagnétique engendrée par le phénomène des microdécharges d'inzerface.  As shown in FIG. 5a, the device, object of the present invention, comprises at least one box 2o open at one of its ends, this box containing a semiconductor material in liquid form for example, this seii- conductor bearing the reference 2 in FIG. 5a and constituting the element absorbing the electromagnetic wave generated by the phenomenon of micro-discharges from the interface.

En outre, ainsi que représenté sur la figure 5a précitée, une enveloppe de protection en matériau plastique souple, portant la référence 2 , est prévue afin de permettre la protection du circuit électronique vis-à-vis du milieu ou matériau semi-conducteur 2 sous forme liquide. In addition, as shown in FIG. 5a above, a protective envelope of flexible plastic material, bearing the reference 2, is provided in order to allow protection of the electronic circuit from the medium or semiconductor material 2 under liquid form.

L'ensemble constitué par le circuit électronique CE et l'enveloppe de protection 2. précitée est alors immergé dans le matériau semi-conducteur liquide 2 contenu dans le boîtier 20 ouvert à son extrémité supérieure selon le mode de réalisation de la figure 5a.The assembly constituted by the electronic circuit CE and the aforementioned protective envelope 2. is then immersed in the liquid semiconductor material 2 contained in the housing 20 open at its upper end according to the embodiment of FIG. 5a.

Bien entendu, un joint d'étanchéité de fermeture, portant la référence 2w, est prévu, ce joint permettant de sceller de manière étanche l'enveloppe 2 à la périphérie du boîtier ouvert, ainsi que représenté sur la figure 5a précitée. Of course, a closure seal, bearing the reference 2w, is provided, this seal making it possible to seal the envelope 2 at the periphery of the open housing, as shown in FIG. 5a above.

Bien entendu, le mode de réalisation tel que représenté en figure 5a n'est pas limitatif. En particulier, on indique que l'enveloppe plastique 2 , au moins dans la partie supérieure de celle-ci, peut etre rigidifiée de façon à assurer le maintien mécanique du circuit électronique CE dans une position sensiblement verticale telle que représentée en figure 5a. En outre, la partie supérieure du circuit électronique CE, celle qui affleure au-delà de la surface libre du matériau semi-conducteur liquide à l'air libre, peut avantageusement être munie d'un radiateur R permettant de dissiper le dégagement thermique engendré par le fonctionnement du circuit électrique ou électronique CE. Bien entendu, les câbles de liaison de l'ensemble du circuit électronique CE peuvent alors etre connectés à des bornes de connexion du circuit électronique CE et protégés de la même façon que mentionné précédemment vis-à-vis des câbles de liaison des hauts-parleurs, transformateurs ou bobines mobiles de phonocapteurs. On comprend bien sûr que les câbles de liaison ainsi que le circuit électrique ou électronique CE sont en outre protégés du contact avec le matériau semi-conducteur liquide par l'intermédiaire de l'enveloppe plastique 2.. Of course, the embodiment as shown in FIG. 5a is not limiting. In particular, it is indicated that the plastic envelope 2, at least in the upper part thereof, can be stiffened so as to ensure the mechanical maintenance of the electronic circuit CE in a substantially vertical position as shown in FIG. 5a. In addition, the upper part of the electronic circuit CE, that which is exposed beyond the free surface of the liquid semiconductor material in the open air, can advantageously be provided with a radiator R making it possible to dissipate the thermal release generated by the operation of the CE electrical or electronic circuit. Of course, the connection cables of the entire electronic circuit CE can then be connected to connection terminals of the electronic circuit CE and protected in the same way as mentioned above with respect to the connection cables of the loudspeakers. , transformers or moving coils of phonosensors. It is of course understood that the connecting cables as well as the electrical or electronic circuit CE are further protected from contact with the liquid semiconductor material via the plastic casing 2 ..

Le mode de réalisation représenté en figure 5a donne satisfaction. Il est particulièrement simple à réaliser et peu onéreux. Le matériau semi-conducteur liquide 2 peut par exemple être constitué par la solution saline ou sérum physiologique précedeinment mentionnés dans la description. The embodiment shown in FIG. 5a gives satisfaction. It is particularly simple to make and inexpensive. The liquid semiconductor material 2 can for example consist of the saline solution or physiological saline previously mentioned in the description.

Dans un tel cas, le matériau semi-conducteur liquide, par la pression statique exercée par ce dernier sur l'enveloppe plastique de protection 2, presse celle-ci contre le circuit électronique CE, lequel se trouve alors particulièrement bien protégé contre le phénomène de microdécharges d'interface. La solution saline, ou sérum physiologique, peut bien entendu être remplacée par un gel semi-conducteur de propriétés équivalentes, ou, le cas échéant, par du sable graphité imprégné de sérum physiologique par exemple.In such a case, the liquid semiconductor material, by the static pressure exerted by the latter on the protective plastic envelope 2, presses it against the electronic circuit CE, which is then particularly well protected against the phenomenon of interface micro-downloads. The saline solution, or physiological saline, can of course be replaced by a semiconductor gel of equivalent properties, or, if necessary, by graphite sand impregnated with physiological saline for example.

Le mode de réalisation du dispositif de protection, conforme à l'objet ce la présente invention, tel que représenté en figure Sa, donne satìsfac asn.  The embodiment of the protection device, according to the object of the present invention, as shown in Figure Sa, gives satìsfac asn.

Toutefois, une variante simplifiée en est représentée en figure 5b, cette variante simplifiée pouvant présenter un intérêt dans la mesure c celle-ci est particulièrement rapide et simple à mettre en oeuvre, et où, d'autre part, la notion d'encombrement et de portabilité de l'ensemble est améliorée compte tenu Bu fait que l'élément semiconducteur liquide est rapporté sous forme d'élément discret indépendant, et de ce fait beaucoup plus facile à mettre en oeuvre et/ou à manipuler. However, a simplified variant is shown in FIG. 5b, this simplified variant possibly being of interest to the extent that it is particularly quick and simple to implement, and where, on the other hand, the concept of bulk and portability of the assembly is improved taking into account the fact that the liquid semiconductor element is added in the form of an independent discrete element, and therefore much easier to implement and / or to handle.

Dans un tel cas, ainsi que représenté en figure 5b, le dispositif objet de la présente invention comporte, outre le boîtier ouvert à l'une de ses extrémités, portant la référence 2ç, le circuit électronique multi-composants CE ainsi qu'une pluralité de coussins de calage de ce circuit
CE, chaque coussin consistant en une enveloppe formée en matériau plastique remplie du matériau semi-conducteur tel que décrit précédemment en liaison avec la figure 5a. Sur la figure 5b, chaque coussin, en référence à la figure 5a, porte la référence 2 , 2 .., et le cas échéant des indices supérieurs lorsque plus de deux coussins sont utilisés. On comprend en particulier qu'il est possible d'utiliser quatre coussins, deux coussins permettant d'assurer la protection du circuit électronique CE et le calage de ce dernier afin d'empêcher tout mouveinent dans le plan de la feuille dans laquelle est représentée la figure Sb, et deux coussins, non représentés, étant utilisés pour assurer la protection du circuit électronique CE et le calage de ce dernier dans un plan orthogonal au plan de la feuille dans laquelle est représentée la figure Sb.
In such a case, as shown in FIG. 5b, the device which is the subject of the present invention comprises, in addition to the box open at one of its ends, bearing the reference 2c, the multi-component electronic circuit CE as well as a plurality timing cushions for this circuit
CE, each cushion consisting of an envelope formed of plastic material filled with the semiconductor material as described above in connection with FIG. 5a. In FIG. 5b, each cushion, with reference to FIG. 5a, bears the reference 2, 2 .., and, where appropriate, higher indices when more than two cushions are used. It is understood in particular that it is possible to use four cushions, two cushions making it possible to protect the electronic circuit CE and the timing thereof so as to prevent any movement in the plane of the sheet in which the Figure Sb, and two cushions, not shown, being used to protect the electronic circuit CE and the timing thereof in a plane orthogonal to the plane of the sheet in which is shown in Figure Sb.

En ce qui concerne la mise en oeuvre des différents coussins précités, on indique que, dans un mode de réalisation avantageux, le circuit électronique CE est placé dans le boîtier ouvert 2 ainsi que représenté à l'état initial en figure 5b, alors que les coussins vides 21 et 22 sont introduits, ainsi que représente sur la figure précitée, de façon à réaliser la protection du circuit électronique CE et le calage de ce dernier dans le plan de la feuille dans laquelle la figure 5b est représentée. A l'état initial, les deux coussins 2. et 2 sont vides. L'état final représenté en figure 5b est alors obtenu par remplissage de chaque coussin 2.l et 212 au moyen du matériau absorbant semi-conducteur liquide, tel que le sérum physiologique, puis scellement des coussins par thermo-scellage par exemple, portant la référence 22 sur la figure 5b. Bien entendu, les deux coussins latéraux permettant la protection et le calage dans un plan perpendiculaire au plan de la feuille dans laquelle est représentée la figure Ss peuvent être réalisés de façon analogue. With regard to the implementation of the various aforementioned cushions, it is indicated that, in an advantageous embodiment, the electronic circuit CE is placed in the open housing 2 as shown in the initial state in FIG. 5b, while the empty cushions 21 and 22 are introduced, as shown in the above figure, so as to protect the electronic circuit CE and the setting of the latter in the plane of the sheet in which Figure 5b is shown. In the initial state, the two cushions 2. and 2 are empty. The final state shown in FIG. 5b is then obtained by filling each cushion 2.l and 212 with absorbent liquid semiconductor material, such as physiological saline, then sealing the cushions by heat-sealing for example, bearing the reference 22 in FIG. 5b. Of course, the two side cushions allowing protection and wedging in a plane perpendicular to the plane of the sheet in which the figure Ss is represented can be produced in a similar manner.

On comprend sien sur qu'en lieu et place de la solution saline ou serum physiologique 2 utilisé, il est également possible de remplir les coussins précités au moyen d'huile graphitée, de sable siliceux graphité, de sable siliceux imprégné de sérum, particulièrement efficace dans la lutte contre les vibrations. Dans ce dernier cas, on remplit en premier les différents coussins au moyen du sable siliceux, puis on verse ensuite le sérum jusqu'à imprégnation complète du sable. We understand on that instead of the saline solution or physiological serum 2 used, it is also possible to fill the aforementioned cushions with graphite oil, graphite silica sand, silica impregnated with serum, particularly effective in the fight against vibrations. In the latter case, the different cushions are first filled with silica sand, then the serum is poured until the sand is completely impregnated.

D'autres matériau, tels que des gels conducteurs de résistivité adaptée, ces matières spongieuses permettant de stabiliser le sérum physiologique ou des mousses telles que les mousses polyurétnane rendues semi-conductrices par adjonction de graphite, peuvent également etre utilisés. Other materials, such as conductive gels of suitable resistivity, these spongy materials making it possible to stabilize the physiological serum or foams such as polyurethane foams made semi-conductive by the addition of graphite, can also be used.

Le dispositif, objet de la présente invention, peut s'appliquer à tout type de circuit électrique, ainsi que mentionné précédemment dans la description. Outre les différents circuits électriques déjà mentionnés, le dispositif, objet de la présente invention, peut bien entendu être appliqué à toutes prises électriques ou électroniques, lesquelles constituent un passage privilégié pour les ondes électromagnétiques engendrées par les microdécharges d' interface.  The device, object of the present invention, can be applied to any type of electrical circuit, as mentioned previously in the description. In addition to the various electrical circuits already mentioned, the device which is the subject of the present invention can of course be applied to all electrical or electronic sockets, which constitute a privileged passage for the electromagnetic waves generated by the interface micro-discharges.

En effet, des investigatn ans menées au sein des laboratoires d' ELECTRICITE DE FRANCE ont montré clairement que les parasites ainsi engendrés, parasites radioélectriques, passaient par l'intervalle isolant/masse du châssis/prise. In fact, years of research carried out in ELECTRICITE DE FRANCE's laboratories have clearly shown that the parasites thus generated, radioelectric parasites, pass through the insulating / chassis mass / socket interval.

Un premier exemple de réalisation d'un dispositif de protection contre les microdécharges d'interface et contre les parasites radioélectriques engendrés par ces derniers, sera tout d'abord donné en liaison avec la figure 6a dans le cas où la prise électrique est constituée par une prise RCA pour châssis par exemple. A first exemplary embodiment of a device for protection against interface micro-discharges and against radio interference generated by the latter, will first be given in connection with FIG. 6a in the case where the electrical outlet is constituted by a RCA socket for chassis for example.

Sur la figure oa, on a représenté en coupe une prise de type RCA montée sur un châssis CH. De manière classique, la prise comprend une tête de prise RCA comportant un conducteur de type coaxial dont l'âme centrale constitue le point chaud, I'ensemole de la tête de prise étant monté à travers le châssis et fixé à ce dernier par l'intermédiaire d'un écrou EC de manière classique. L'âme centrale AC est entourée d'un matériau diélectrique assurant avec l'enveloppe métallique externe une transmission de type coaxial. In Figure oa, there is shown in section an RCA type socket mounted on a CH chassis. Conventionally, the socket comprises an RCA socket head comprising a coaxial type conductor whose central core constitutes the hot spot, the assembly of the socket head being mounted through the chassis and fixed to the latter by the through an EC nut in a conventional manner. The central core AC is surrounded by a dielectric material ensuring with the external metallic envelope a transmission of coaxial type.

Ainsi que représenté sur la figure 6a, le dispositif objet de la présente invention comprend un manchon en mousse semi-conductrice entourant l'ensemble de l'enveloppe externe
Ee de la prise RCA sur une longueur déterminée de celle-ci.
As shown in FIG. 6a, the device which is the subject of the present invention comprises a sleeve of semiconductor foam surrounding the whole of the external envelope.
Ee of the RCA plug on a determined length thereof.

Le manchon de mousse semi-conductrce porte la référence 20 sur la figure 6a.The sleeve of semiconductor foam bears the reference 20 in FIG. 6a.

Ainsi que représenté en outre sur la figure précitée, le manchon 2 en mousse semi-conductrice peut être maintenu à ses extrémités et en particulier au voisinage du châssis CH par l'intermédiaire d'une bague en ferrite 2i, commercialisée sous la référence 3E25 par la Société
PHILIPS, cette bague de ferrite ayant, ainsi que mentionné précédemment dans la description, une fonction de suppression des parasites en mode commun.
As also shown in the above figure, the sleeve 2 of semiconductor foam can be held at its ends and in particular in the vicinity of the chassis CH by means of a ferrite ring 2i, sold under the reference 3E25 by the society
PHILIPS, this ferrite ring having, as mentioned previously in the description, a parasite suppression function in common mode.

De la même manière et placé à l'extérieur du châssis
CH, c'est-à-dire sur la partie droite de la figure 6a, un capot en mousse seoi-conductrice est prévu, lequel est destiné à couvrir ,'ensemble de la superstructure émergeant du châssis CH, superstructure formée par l'extrémité mâle de la prise RCA représentée sur la figure 6a, l'écrou EC et les moyens de fixation classiques tels que rondelle métallique ou autre. Le capot représenté sur la figure 6a porte la référence 23.
In the same way and placed outside the chassis
CH, that is to say on the right part of FIG. 6a, a cover of self-conducting foam is provided, which is intended to cover the whole of the superstructure emerging from the chassis CH, superstructure formed by the end male of the RCA socket shown in FIG. 6a, the nut EC and the conventional fixing means such as a metal washer or the like. The cover shown in FIG. 6a bears the reference 23.

Dans certains cas, il peut être avantageux, ainsi que représenté en figure 6b, de déplacer les prises en dehors du châssis CH afin d'assurer une meilleure protection, en particulier lorsqu'il est souhaitable d'assurer la connexion aux circuits électriques ou électroniques internes par l'intermédiaire de cables protégés CP précédemment cités dans la description. In some cases, it may be advantageous, as shown in FIG. 6b, to move the sockets outside the CH chassis in order to provide better protection, in particular when it is desirable to provide connection to the electrical or electronic circuits. internal by means of CP protected cables previously mentioned in the description.

Un tel mode de réalisation est représenté sur la figure 6b précitée dans laquelle la connexion étant réalisée au niveau d'un circuit électrique ou électronique CE au moyen d'un câble protégé CP tel que décrit précédemment, la partie externe du châssis CH, située donc en partie gauche du plan matérialisant le châssis Cn sur la figure 6b, peut comporter à cet effet, de manière avantageuse, un tronçon de tube soudé au châssis sensiblement métallique, portant la référence TU, ce tronçon de tube comportant un remplissage de mousse semi-conductrice, portant la référence 20 sur la figure 6b. L'ensemble constitue un manchon particulièrement efficace et rigide dans lequel le câble protégé CP, connecté au circuit CE, est alors traversant vis-à-vis du manchon précité. Un tore de ferrite portant la référence 2: peut également être placé à l'intérieur du chassis CH de façon à assurer une protection supplémentaire des parasites en mode commun, ainsi que mentionné précédemment dans la description. Such an embodiment is shown in the aforementioned FIG. 6b in which the connection being made at the level of an electrical or electronic circuit CE by means of a protected cable CP as described above, the external part of the chassis CH, therefore located to the left of the plane materializing the chassis Cn in FIG. 6b, can advantageously include for this purpose a section of tube welded to the substantially metallic chassis, bearing the reference TU, this section of tube comprising a filling of semi-foam conductive, bearing the reference 20 in Figure 6b. The assembly constitutes a particularly efficient and rigid sleeve in which the protected cable CP, connected to the circuit CE, is then traversing with respect to the aforementioned sleeve. A ferrite core with the reference 2: can also be placed inside the chassis CH so as to provide additional protection from parasites in common mode, as mentioned previously in the description.

Bien entendu, la longueur du câble protégé CP peut a priori être quelconque. Toutefois, dans le cas de câbles de grande longueur, il est préféraole, ainsi que représenté en figure 6c, de prévoir une protection au voisinage de la prise elle-même telle que représentée en figure 6b, laquelle correspond, sur la figure précitée, à une prise femelle RCA par exemple. Of course, the length of the protected cable CP can a priori be arbitrary. However, in the case of very long cables, it is preferable, as shown in FIG. 6c, to provide protection in the vicinity of the socket itself as represented in FIG. 6b, which corresponds, in the above-mentioned figure, to an RCA socket for example.

Ainsi que représenté sur la figure 6c et dans un tel cas, au voisinage de la prise femelle précitée, le dispositif, objet de l'invention, peut consister à placer sur le câble protégé CP lui-même au voisinage de cette prise, un manchon de mousse semi-conductrice, portant la référence 20, et sur ce manchon, un tore de ferrite, portant la référence 2:, ce tore de ferrite pouvant correspondre à celui déjà mentionné dans la description, commercialisé par la Société
PHILIPS, le tore de ferrite 2 précité étant lui-même protégé par l'intermédiaire d'un revêtement en mousse semiconductrice portant la référence 2t, ce revêtement couvrant, non seulement le tore de ferrite 2 mais également le manchon 2o précédemment mentionné. Ainsi, le revêtement 22 peut être maintenu au moyen de liens 23 tels que des colliers de serrage ou analogue tels que représentés sur la figure 6c.
As shown in FIG. 6c and in such a case, in the vicinity of the aforementioned female socket, the device, object of the invention, can consist of placing a sleeve on the protected cable CP itself in the vicinity of this socket. of semiconductor foam, bearing the reference 20, and on this sleeve, a ferrite torus, bearing the reference 2 :, this ferrite torus may correspond to that already mentioned in the description, marketed by the Company
PHILIPS, the aforementioned ferrite toroid 2 being itself protected by means of a semiconductor foam coating bearing the reference 2t, this coating covering not only the ferrite toroid 2 but also the sleeve 2o previously mentioned. Thus, the coating 22 can be maintained by means of links 23 such as clamps or the like as shown in Figure 6c.

Cette protection peut, par exemple, être associée à, ou complétée par la pose, sur le cordon secteur 1 correspondant aux appareils à alimenter et le plus pres possible de leur prise d'alimentation, d'un manchon 20 de mousse semiconductrice convenablement serré autour du cordon par des colliers 21 réalisés en ruban métallique adhésif cuivre, par exemple 3M réf. 1181 en 9,5 à 12,7 mm de large, espacés de 15 à 25 mm, ainsi que représenté sur la figure 6d. Une ou deux bagues cuivre 2 des extrémités peuvent être remplacées par un tore de ferrite 2, ainsi que représenté précédemment sur la figure 6c. This protection can, for example, be associated with, or supplemented by the installation, on the power cord 1 corresponding to the devices to be supplied and as close as possible to their power outlet, of a sleeve 20 of semiconductor foam suitably tightened around of the cord by collars 21 made of metallic adhesive copper tape, for example 3M ref. 1181 9.5 to 12.7 mm wide, spaced 15 to 25 mm apart, as shown in Figure 6d. One or two copper rings 2 at the ends can be replaced by a ferrite toroid 2, as shown previously in FIG. 6c.

Bien entendu, la mise en oeuvre du dispositif, objet de la présente invention, implique quelques modifications des circuits soumis à la protection de ce dispositif. Of course, the implementation of the device, object of the present invention, involves some modifications of the circuits subject to the protection of this device.

Lorsque les modifications nécessaires pour des appareils existants ne peuvent être facilement introduites, en particulier pour ce qui concerne les circuits électriques ou électroniques à composants discrets tels que représentés par exemple en figure 5a ou 5b, un mode de réalisation préférentiel non limitatif du dispositif, objet de la présente invention, permettant d'introduire un minimum de modifications au niveau du circuit lui-même, sera maintenant décrit en liaison avec les figures 7a et 7b.When the modifications necessary for existing devices cannot be easily introduced, in particular with regard to electrical or electronic circuits with discrete components as shown for example in FIG. 5a or 5b, a preferred non-limiting embodiment of the device, object of the present invention, making it possible to introduce a minimum of modifications at the level of the circuit itself, will now be described in conjunction with FIGS. 7a and 7b.

Ainsi que représenté sur les figures précitées, le dispositif, objet de la présente invention, comporte au moins un boîtier ouvert à l'une de ses extrémités, ce boîtier constituant un châssis comportant au moins une partie supérieure, notée CH , , et une partie inférieure, notée CH2, parties métalliques isolées électriquement l'une de l'autre. As shown in the aforementioned figures, the device, object of the present invention, comprises at least one housing open at one of its ends, this housing constituting a chassis comprising at least one upper part, denoted CH,, and one part lower, denoted CH2, metallic parts electrically insulated from each other.

Ainsi que représenté sur la figure précitée, le boîtier comprend au moins un châssis subdivisé entre les deux parties supérieure CH et inférieure CH2, le circuit électronique multicomposants CE, la face circuit imprimé de ce dernier, c'est-à-dire la face inférieure de celui-ci sur la figure 7b, comportant un revêtement en matériau diélectrique isolant, portant la référence 2D Cet isolant de protection peut être constitué par le vernis du circuit imprimé lui-même ou un vernis rapporté. As shown in the aforementioned figure, the housing comprises at least one chassis subdivided between the two upper CH and lower CH2 parts, the multicomponent electronic circuit CE, the printed circuit side of the latter, that is to say the underside of this in FIG. 7b, comprising a coating of insulating dielectric material, bearing the reference 2D This protective insulator can be constituted by the varnish of the printed circuit itself or an added varnish.

En outre, le dispositif, objet de la présente invention, comprend une garniture interne en matériau du type mousse semi-conductrice, portant la référence 21, placée sur la face interne du boîtier, c'est-à-dire sur la face interne de la partie supérieure CH: et de la partie inférieure CH2. La face circuit imprimé comportant le revêtement 20 en matériau diélectrique isolant est placée au voisinage de la garniture interne en matériau de type mousse semi-conductrice. In addition, the device which is the subject of the present invention comprises an internal lining made of a material of the semiconductor foam type, bearing the reference 21, placed on the internal face of the housing, that is to say on the internal face of the upper part CH: and the lower part CH2. The printed circuit face comprising the coating 20 of insulating dielectric material is placed in the vicinity of the internal lining of material of the semiconductor foam type.

Ainsi que représenté sur la figure 7b notamment, les deux faces opposées formant partie supérieure CH: et CH2 du châssis comportant la garniture interne en mousse semiconductrice constituent en fait des garnitures internes à face corruguée, ainsi que représenté sur la figure précitée.  As shown in FIG. 7b in particular, the two opposite faces forming the upper part CH: and CH2 of the chassis comprising the internal lining of semiconductor foam constitute in fact internal linings with corrugated face, as shown in the abovementioned figure.

Les corrugations introduites présentent une profondeur h dans la direction perpendiculaire aux parties supérieure CH; et inférieure CH et un espacement d dans une deuxième direction perpendiculaire à cette -remire direction.The corrugations introduced have a depth h in the direction perpendicular to the upper parts CH; and lower CH and a spacing d in a second direction perpendicular to this -remire direction.

Sur la figure 7a, on a représente différents modes de réalisation des corrugations susceptibles d'être utilisées pour réaliser les garnitures internes au moyen des mousses semi-conductrices 2 précédemment mentionnées. In FIG. 7a, there are shown different embodiments of the corrugations that can be used to produce the internal linings by means of the semiconductor foams 2 previously mentioned.

Différentes formes de corrugations peuvent être utilisées, des corrugations pyramidales au point A de la figure 7a, dièdres au point B de cette même figure a, et enfin de type accordéon et ressort respectivement, ainsi que représenté aux points C et D de la même figure 7a précitée. Dans le cas de corrugations de type accordéon, on indique qu'une feuille de mousse d'épaisseur suffisante peut etre soumise à un pliage accordéon, ainsi que représenté en figure 7a, la structure accordéon étant alors maintenue au moyen de tiges de maintien isolantes, portant la référence 22.Different forms of corrugations can be used, pyramidal corrugations at point A in Figure 7a, dihedrons at point B in this same figure a, and finally of accordion and spring type respectively, as shown in points C and D of the same figure 7a above. In the case of corrugations of the accordion type, it is indicated that a sheet of foam of sufficient thickness can be subjected to an accordion folding, as shown in FIG. 7a, the accordion structure then being maintained by means of insulating holding rods, marked 22.

Dans le cas du point D de la figure 7a, le ressort peut etre réalisé au moyen d'éléments préformés de mousse de matériau semi-conducteur, ces éléments préformés étant successivement assemblés en tete-ceche symétriquement par rapport à un plan vertical et soumis à un collage adapté, l'ensemble étant maintenu par l'intermédiaire de tiges de maintien 22. In the case of point D of FIG. 7a, the spring can be produced by means of preformed elements of foam of semiconductor material, these preformed elements being successively assembled in head-ceche symmetrically with respect to a vertical plane and subjected to suitable bonding, the assembly being held in place by holding rods 22.

En ce qui concerne le dimensionnement des corrugations précitées, on indique que les plaques ou garnitures de mousse de matériau semi-conducteur peuvent etre réalisées de manière analogue à celle utilisée dans les chambres anéchoïques, la hauteur moyenne des indentations ou corrugations étant de l'ordre de h = 5 cm + 3 c.  With regard to the dimensioning of the abovementioned corrugations, it is indicated that the sheets or linings of foam of semiconductor material can be produced in a similar manner to that used in anechoic chambers, the average height of the indentations or corrugations being of the order of h = 5 cm + 3 tsp.

En règle générale, pour une hauteur h égale à 5 cm + 3 cm ainsi que cité précédemment, ''espacement b est alors pris égal sensiblement à la valeur n/2. As a general rule, for a height h equal to 5 cm + 3 cm as mentioned above, '' spacing b is then taken to be substantially equal to the value n / 2.

Bien entendu, la face pointue des corrugations est dirigée vers le circuit à protéger à courte distance de celui-ci, c'est-à-dire quelques centimètres. Of course, the pointed face of the corrugations is directed towards the circuit to be protected at a short distance from it, that is to say a few centimeters.

En outre, on indique que les plaques supérieure et inférieure CH, et CH- électriquement isolées peuvent alors, de manière particulièrement avantageuse, être utilisées de façon à créer un champ électrostatique permettant de bloquer les microdécharges. In addition, it is indicated that the upper and lower plates CH, and CH- electrically isolated can then, in a particularly advantageous manner, be used so as to create an electrostatic field making it possible to block the micro-discharges.

Dans ce but, les deux faces externes précitées CH1 et CH2 opposées aux faces internes corruguées précitées jouent le rôle vis-a-vis de ces dernières d'un revêtement électriquement conducteur, ce revêtement électriquement conducteur étant porté à une différence de potentiel électrique statique déterminée par l'intermédiaire d'un générateur de tension continue E, tel que représenté sur la figure 7b. La tension appliquée pour créer le champ électrostatique est de l'ordre de 80 à 100 V, cette tension étant appliquée aux plaques CH et CH2 par l'intermédiaire d'une résistance R de valeur 100 KQ à 1 .Y afin de limiter l'intensité résiduelle en cas de contact accidentel. For this purpose, the two aforementioned external faces CH1 and CH2 opposite the aforementioned corrugated internal faces play the role vis-à-vis the latter of an electrically conductive coating, this electrically conductive coating being brought to a determined difference in static electric potential. by means of a DC voltage generator E, as shown in FIG. 7b. The voltage applied to create the electrostatic field is of the order of 80 to 100 V, this voltage being applied to the plates CH and CH2 via a resistance R of value 100 KQ at 1 .Y in order to limit the residual intensity in the event of accidental contact.

D'une manière générale, on indique que les mousses corruguées doivent présenter des dents de longueur au moins égales à la plus faible longueur d'onde à absorber qui peut atteindre, voire dépasser, 30 cm. In general, it is indicated that the corrugated foams must have teeth of length at least equal to the lowest wavelength to be absorbed which can reach, or even exceed, 30 cm.

De manière préférentielle, le revêtement 2: de mousse semi-conductrice corruguée voit son efficacité améliorée dans le cas où celui-ci adhère aux surfaces conductrices du châssis, c'est-à-dire les plaques CH. et CH2. Dans un tel cas, l'absorption apparaît plus complète en raison du fait que l'onde est soumise à réflection sur la paroi métallique correspondante. Preferably, the coating 2: of corrugated semiconductor foam sees its efficiency improved in the case where it adheres to the conductive surfaces of the chassis, that is to say the CH plates. and CH2. In such a case, the absorption appears more complete due to the fact that the wave is subjected to reflection on the corresponding metal wall.

Dans un mode de réalisation préférentiel, on indique que le revêtement 2 était constitué par plusieurs plaques de mousse semi-conouctrice, collées entre elles avec interposition de cartons graphités, seule la face interne tournée vers le circuit électronique CE présentant bien entendu les corrugations. Le carton graphité peut être remplacé par une plaque de cuivre d'épaisseur 0,1 à 0,2 mm.  In a preferred embodiment, it is indicated that the covering 2 was constituted by several semi-conoucting foam plates, glued together with the interposition of graphite cardboard, only the internal face turned towards the electronic circuit CE presenting of course the corrugations. The graphite cardboard can be replaced by a copper plate 0.1 to 0.2 mm thick.

Enfin, un node de rea saton particulier du dispositif, objet de la présente int-entin, plus particulièrement destiné à la protection contre les perturbations radioélectriques engendrées par le phénomène de microdécharges d'interface lorsque ces perturbations radioélectriques sont guidées, sera maintenant décrit dans le cas où le circuit protégé est une alimentation électrique. Finally, a particular rea saton node of the device, object of this int-end, more particularly intended for protection against radioelectric disturbances generated by the phenomenon of interface micro-discharges when these radioelectric disturbances are guided, will now be described in the case where the protected circuit is a power supply.

Le phénomène de guidage de l'onde électromagnétique engendrée par le phénomène de microdécharges d'interface est particulièrement gênant lorsqu'un appareil non protégé contre le phénomène de microdécnarges d'interface est raccordé au système, bien que cet appareil présente par ailleurs des qualités de performances parfaites en basses fréquences. Dans un tel cas, l'once associée aux microdécharges se propage sur les conducteurs de raccordement et perturbe ainsi l'appareil connecté. The phenomenon of guiding the electromagnetic wave generated by the phenomenon of interface micro-discharges is particularly troublesome when a device not protected against the phenomenon of interface micro-discharges is connected to the system, although this device also has qualities of perfect performance at low frequencies. In such a case, the ounce associated with micro-discharges propagates on the connection conductors and thus disturbs the connected device.

Dans un tel cas, le dispositif, objet de la présente invention, comprend, ainsi que représenté en figure 8, un ensemble de câbles protégés CP, chaque câble étant utilisé pour assurer la connexion vis--vis d'une des bornes positive, négative ou de masse de l'alimentation stabilisée proprement dite, et les câbles protégés CP étant réunis en un faisceau, le faisceau étant lui-:tême entouré d'un manchon de mousse en matériau semi-conducteur, portant la référence 20 sur la figure 8. Le manchon est lui-même enserré à ses extrémités par des bagues ou tores en matériau ferromagnétique portant la référence 2 sur la figure 8. Un tore de ferrite 2; peut également être inséré sur le cordon de connexion de l'alimentation stabilisée au réseau secteur. In such a case, the device, object of the present invention, comprises, as shown in FIG. 8, a set of protected cables CP, each cable being used to ensure the connection vis-à-vis one of the positive, negative terminals or mass of the stabilized power supply proper, and the protected cables CP being combined in a bundle, the bundle itself: itself surrounded by a foam sleeve made of semiconductor material, bearing the reference 20 in FIG. 8 The sleeve is itself enclosed at its ends by ferromagnetic material rings or toroids bearing the reference 2 in FIG. 8. A ferrite torus 2; can also be inserted on the connection cable of the stabilized power supply to the mains.

Dans un mode de réalisation préférentiel, on indique que ce cordon pourra présenter un conducteur de masse raccordé à la masse de la prise secteur par une impédance appropriée, inductance de choc ou résistance carbone de 270 Q. In a preferred embodiment, it is indicated that this cord may have a ground conductor connected to the ground of the power outlet by an appropriate impedance, shock inductance or carbon resistance of 270 Q.

En outre, ainsi que représenté schématiquement sur la figure 8, chaque câble protégé C? est relié par l'intermédiaire d'un circuit d'atténuation RC au câble constitutif de la liaison de masse du dispositif à alimenter avec l'alimentation stabilisée. On rappelle que le circuit d'atténuation RC peut être constitué par un condensateur à air ou encapsulé sous vide de valeur de l'ordre de 100 pF, alors que les bornes elles-mêmes de l'alimentation stabilisée peuvent avantageusement être reliées par des capacités à air ou encapsulées sous vide, de valeur plus importante comprise entre 100 et 500 pF. Enfin, le conducteur de masse de l'alimentation stabilisée, au niveau de la connexion à l'appareil à alimenter, peut être relié à la terre par l'intermédiaire d'une résistance R de même valeur, sensiblement. In addition, as shown diagrammatically in FIG. 8, each protected cable C? is connected via an RC attenuation circuit to the cable constituting the earth connection of the device to be supplied with the stabilized supply. It is recalled that the attenuation circuit RC can be constituted by an air capacitor or vacuum-encapsulated with a value of the order of 100 pF, while the terminals themselves of the stabilized supply can advantageously be connected by capacitors air or vacuum encapsulated, of greater value between 100 and 500 pF. Finally, the ground conductor of the stabilized supply, at the level of the connection to the device to be supplied, can be connected to earth via a resistor R of the same value, substantially.

Ainsi, les circuits d'atténuation R, C' constituent une adaptation d' impédance pour les microdécharges en mode différentiel, alors que la résistance R joue le même rôle pour le mode commun. Thus, the attenuation circuits R, C 'constitute an impedance adaptation for the micro-discharges in differential mode, while the resistance R plays the same role for the common mode.

Afin de diminuer les perturbations dues aux microdécharges d'interface en mode commun, il est avantageux, sur chaque appareil, de trouver le bon sens de connexion de la prise secteur afin notamment que la connexion de neutre du secteur soit reliée à la borne adaptée de la tension d'alimentation, d'isoler les masses des sources et de relier la masse seule de l'amplificateur à la terre locale par une résistance, la résistance R de valeur précédemment mentionnée, comprise entre 5 et 270 Q.  In order to reduce the disturbances due to interface micro-discharges in common mode, it is advantageous, on each device, to find the correct direction of connection of the mains socket, in particular so that the sector neutral connection is connected to the appropriate terminal of the supply voltage, to isolate the earths from the sources and to connect the earth alone of the amplifier to the local earth by a resistance, the resistance R of value previously mentioned, ranging between 5 and 270 Q.

Afin de trouver le bon sens de connexion de la prise secteur, sens selon lequel la surface externe du transformateur est reliée au neutre, ce qui permet de réduire le niveau de parasitage secteur, il est alors possible de procéder selon les manières classiques connues de l'homme de 1 ' art.  In order to find the correct direction of connection of the mains socket, in which direction the external surface of the transformer is connected to the neutral, which makes it possible to reduce the level of mains interference, it is then possible to proceed according to the conventional ways known from the art. 'man of art'

Des essais de mise en oeuvre des dispositifs conformes à l'objet de la présente invention ont été réalisés au sein des laboratoires d'ELECTRICITE DE FRANCE. Tests of implementation of the devices in accordance with the object of the present invention were carried out within the laboratories of ELECTRICITE DE FRANCE.

Ces essais ont permis de mettre en évidence que le rendu subjectif d'une chaîne haute fidélité par exemple pouvait être considérablement modifié par le simple déplacement des écrans destinés à protéger les circuits électroniques à composants discrets, tel que représenté en figures 7a et 7b. These tests made it possible to demonstrate that the subjective rendering of a high-fidelity system for example could be considerably modified by the simple displacement of the screens intended to protect the electronic circuits with discrete components, as represented in FIGS. 7a and 7b.

Lors des déplacements de ces écrans, il a été successivement obtenu
- un son particulièrement mat, voire éteint, avec des extinctions de notes rapides et un aspect global feutré dans le mauvais sens du terme,
- un son de grande qualité avec des extinctions de notes prolongées et une excellente séparation des signaux avec un sentiment global d'espace particulièrement agréable,
- un son que l'on peut qualifier d'agressif lorsque les extinctions de notes sont bien prolongées et semblent alors difficiles à séparer. L'expérience globale de l'auditeur est alors un sentiment de distorsion vite insupportable qui incite alors ce dernier à baisser le volume rapidement.
When moving these screens, it was successively obtained
- a particularly dull, even muted sound, with rapid note extinctions and a hushed overall appearance in the wrong sense of the term,
- high quality sound with extended note extinctions and excellent signal separation with a particularly pleasant overall feeling of space,
- a sound which one can qualify as aggressive when the extinctions of notes are well prolonged and then seem difficult to separate. The overall experience of the listener is then a feeling of distortion quickly unbearable which then encourages the latter to lower the volume quickly.

Une interprétation globale du phénomène sera donnée ci-après. A global interpretation of the phenomenon will be given below.

Le signal audio transmis et traité par exemple dans une chaîne haute fidélité est généralement constitué, lorsqu'il s'agit d'un signal musical, d'une attaque, du corps du signal proprement dit et d'une traînée ou extinction de la note, cette traînée pouvant être à un niveau sonore de l'ordre de -20 à -40 dB par rapport au corps du signal. The audio signal transmitted and processed for example in a high fidelity chain generally consists, when it is a musical signal, of an attack, of the body of the signal itself and of a trail or extinction of the note. , this drag can be at a noise level of the order of -20 to -40 dB relative to the signal body.

Cette trainée, fondamentale pour la qualité de musicalité du signal perçu par l'auditeur, voit sa perception gravement perturbée par les parasites radioélectriques engendrés par les microdécharges d'interface. En effet, le reste du signal, voire des causes exterieures, engendre une onde électromagnétique due aux microdécharges, laquelle est redressée ou démodulée par les éléments non linéaires du circuit, éléments non linéaires tels que les soudures et autres contacts bimétalliques, ce qui conduit à la création d'un bruit de fond à large spectre qui n' existe qu'en présence du signal audio. This trail, fundamental for the quality of musicality of the signal perceived by the listener, sees its perception seriously disturbed by the radio interference generated by the interface micro-discharges. Indeed, the rest of the signal, or even external causes, generates an electromagnetic wave due to micro-discharges, which is rectified or demodulated by the non-linear elements of the circuit, non-linear elements such as solders and other bimetallic contacts, which leads to the creation of a broad spectrum background noise which exists only in the presence of the audio signal.

La protection contre les phénomènes de microdécharges d'interface mise en oeuvre grace au dispositif, objet la présente invention dans les différentes situations précedem- ment décrites dans la présente description, permet d'assurer une telle protection en atténuant ou en supprimant les effets de l'onde électromagnétique engendrée par le phénomène de microdécharges précité. The protection against the phenomena of interface micro-discharges implemented using the device, object of the present invention in the various situations previously described in the present description, makes it possible to ensure such protection by attenuating or eliminating the effects of the electromagnetic wave generated by the aforementioned micro-discharge phenomenon.

Les solutions préconisées et précédemment décrites permettent alors
- d'empêcher la production des microdécharges lorsque cette production peut être empêchée sans nuire au fonctionnement du circuit précité,
- d'interdire l'accès de l'onde électromagnétique engendrée par les microdécharges d'interface aux circuits sensibles,
- d'a
The solutions recommended and previously described then allow
to prevent the production of micro-discharges when this production can be prevented without harming the operation of the aforementioned circuit,
- prohibit access of the electromagnetic wave generated by the interface micro-discharges to sensitive circuits,
- of

Claims (20)

REVENDICATIONS 1. Dispositif de protection d' Un circuit électrique contre les microdécharges d'interface, et les parasites radioélectriques engendrés par ces microdécharges d'interface, caractérisé en ce que ledit dispositif comprend, au voisinage dudit circuit électrique, des moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface. 1. Device for protecting an electrical circuit against interface micro-discharges, and radio interference generated by these interface micro-discharges, characterized in that said device comprises, in the vicinity of said electrical circuit, means for attenuating the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface comprennent des moyens absorbants de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface. 2. Device according to claim 1, characterized in that said means for attenuating the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges comprise means absorbing the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que lesdits moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface comprennent des moyens absorbants des vibrations mécaniques susceptibles d'affecter ledit circuit électrique, ce qui permet de réduire la contribution tribo-électrique à ladite onde électromaynétique engendrée par ces microdécharges. 3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that said means for attenuating the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges comprise means absorbing mechanical vibrations capable of affecting said electrical circuit, which makes it possible to reduce the triboelectric contribution to said electromagnetic wave generated by these micro-discharges. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que lesdits moyens d'atténuation de l'onde électromagnétique engendrée par ces microdécharges d'interface comprennent un revêtement de matériau semi-conducteur appliqué sur la surface externe du conducteur électrique, la résistivité linéique dudit matériau semi-conducteur étant choisie dans une plage de valeurs adaptée de façon à permettre à la fois le maintien de la surface externe du conducteur électrique à un potentiel électrique statique de valeur locale constante voisine de celle du conducteur électrique et d'absore: - 'ensemble des courants électriques erratiques de décharge provoqués par les microdécharges d'interface et, ainsi, d'atténuer l'onde électromagnétique engendrée par celles-ci. 4. Device according to one of claims 1 to 3, characterized in that said means for attenuating the electromagnetic wave generated by these interface micro-discharges comprise a coating of semiconductor material applied to the external surface of the electrical conductor , the linear resistivity of said semiconductor material being chosen within a range of values adapted so as to allow both the maintenance of the external surface of the electrical conductor at a static electrical potential of constant local value close to that of the electrical conductor and d 'absore: -' all the erratic electric discharge currents caused by the interface micro-discharges and, thus, attenuate the electromagnetic wave generated by them. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit revetelnent selai-conducteur présente une résistivité linéique de valeur p comprise entre 0,1 Q x m et 10 Q x m. 5. Device according to claim 4, characterized in that said selai-conductive revetelnent has a linear resistivity of value p between 0.1 Q x m and 10 Q x m. 6. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, lorsque ledit circuit électrique est celui d'un haut-parleur, ce haut-parleur comprenant une culasse magnétique munie d'un logement d'entrefer, une bobine électrique solidaire d'une membrane de haut-parleur, cette bobine électrique étant engagée dans le logement d'entrefer, et des bornes et cables de liaison de ces bornes vers les bornes de sortie d'un amplificateur électrique, ce dispositif comprend au moins : 6. Device according to one of the preceding claims, characterized in that, when said electrical circuit is that of a loudspeaker, this loudspeaker comprising a magnetic yoke provided with a gap housing, an integral electrical coil a loudspeaker diaphragm, this electric coil being engaged in the air gap housing, and terminals and cables for connecting these terminals to the output terminals of an electric amplifier, this device comprises at least: - une garniture en mousse de matériau semi-conducteur placée en fond dudit logement d'entrefer, les parois dudit logement d'entrefer comportant en outre un revêtement en matériau semi-conducteur  - a foam lining of semiconductor material placed at the bottom of said air gap housing, the walls of said air gap housing further comprising a coating of semiconductor material - un revêtement en matériau semi-conducteur recouvrant les conducteurs formant ladite bobine électrique - a coating of semiconductor material covering the conductors forming said electric coil - un revêtement protecteur desdites bornes et câbles de liaison de ces bornes, ledit revêtement protecteur étant constitué par un matériau semi-conducteur recouvrant ces bornes et ces câbles de liaison sur au moins une partie de ces derniers - a protective coating of said terminals and connecting cables of these terminals, said protective coating consisting of a semiconductor material covering these terminals and these connecting cables on at least part of the latter - un filtre réjecteur des très hautes fréquences radioélectriques connecté à l'extrémité des câbles ou de la partie des câbles de liaison recouverte par le matériau semi-conducteur. - a very high radio frequency rejector filter connected to the end of the cables or of the part of the connection cables covered by the semiconductor material. 7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, lorsque ledit circuit électrique est celui d'une cellule de lecture d'un phonocapteur, comprenant un bras de lecture équipé d'une tête de lecture à bobines mobiles, reliée par des cabales électriques à un connecteur de sortie, ledit dispositif comporte au moins 7. Device according to one of claims 1 to 5, characterized in that, when said electrical circuit is that of a reading cell of a phonosensor, comprising a reading arm equipped with a reading head with moving coils , connected by electric cabals to an output connector, said device comprises at least - un revêtement en matériau semi-conducteur recouvrant les fils constitutifs desdites bobines mobiles et les câbles électriques  - a coating of semiconductor material covering the constituent wires of said moving coils and the electric cables - une garniture en mousse de matériau semi-conducteur enrobant l'enselllble de la tète de lecture sensiblement et lesdits câbles électriques sur la longueur du bras de lecture - a foam lining of semiconductor material coating the whole of the read head substantially and said electrical cables along the length of the read arm - un filtre réjecteur des très hautes fréquences radioélectriques assurant la liaison entre l'extrémité libre desdits câbles électriques et ledit connecteur de sortie. - a very high radio frequency rejector filter ensuring the connection between the free end of said electrical cables and said output connector. 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, lorsque ledit circuit électrique est celui d'un transformateur de tension d'alimentation, comprenant un bobinage primaire et un bobinage secondaire, ledit dispositif colporte au moins une enceinte étanche munie de traversées étanches, ladite enceinte étanche contenant ledit bobinage primaire et ledit bobinage secondaire étant remplie d'un matériau semi-conducteur, absorbant des vibrations mécaniques, les bobinages primaire et secondaire étant interconnectés auxdites traversées étanches. 8. Device according to one of claims 1 to 5, characterized in that, when said electrical circuit is that of a supply voltage transformer, comprising a primary winding and a secondary winding, said device peddles at least one enclosure watertight provided with watertight bushings, said watertight enclosure containing said primary winding and said secondary winding being filled with a semiconductor material, absorbing mechanical vibrations, the primary and secondary windings being interconnected with said watertight bushings. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que les fils électriques constitutifs des bobinages primaire et secondaire comportent un revêtement en matériau semi-conducteur. 9. Device according to claim 8, characterized in that the electrical wires constituting the primary and secondary windings comprise a coating of semiconductor material. 10. Dispositif selon l'une des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce que ledit matériau semi-conducteur, absorbant des vibrations mécaniques, est un matériau pulvérulent comportant de 0,2 à 0,8% en masse de graphite. 10. Device according to one of claims 8 or 9, characterized in that said semiconductor material, absorbing mechanical vibrations, is a pulverulent material comprising from 0.2 to 0.8% by mass of graphite. 11. Dispositif selon l'une des revendications 8 à 10, caractérisé en ce que lesdites traversées étanches sont formées par des conducteurs électriques munis d'un revete- ment de matériau semi-conducteur s'étendant à l'extérieur de l'enceinte étanche, chaque conducteur comportant en outre à l'extérieur de l'enceinte étancne un tore en ferrite entourant le conducteur et le revêtement. 11. Device according to one of claims 8 to 10, characterized in that said sealed crossings are formed by electrical conductors provided with a coating of semiconductor material extending outside the sealed enclosure , each conductor further comprising outside the enclosure seals a ferrite toroid surrounding the conductor and the coating. 12. Dispositif selon l'une des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que ladite enceinte étanche est une enceinte à double paroi, l'interstice ménagé entre la double paroi étant rempli d'un aterlau semi-conducteur liquide. 12. Device according to one of claims 8 to 11, characterized in that said sealed enclosure is a double wall enclosure, the gap formed between the double wall being filled with a liquid semiconductor aterlau. 13. Dispositif selon l'une des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que, lorsque le circuit électrique est celui d'un transformateur d'isolement constitué d'un premier et d'un deuxième transformateur interconnectés par leur bobinage secondaire, celui-ci comprend, dans un boîtier étanche  13. Device according to one of claims 8 to 12, characterized in that, when the electrical circuit is that of an isolation transformer consisting of a first and a second transformer interconnected by their secondary winding, this- this includes, in a waterproof case - lesdits premier et deuxième transformateurs interconnectés par leur bobinage secondaire, le bobinage primaire de chaque transformateur étant interconnecté à des bornes d'entrée-sortie par l'intermédiaire de traversées étanches ; - Said first and second transformers interconnected by their secondary winding, the primary winding of each transformer being interconnected at input-output terminals by means of sealed bushings; - un circuit d'atténuation à résistance capacité interconnecté en parallèle entre les bobinages secondaires interconnectés desdits transformateurs ; - a capacity resistance attenuation circuit interconnected in parallel between the interconnected secondary windings of said transformers; - un matériau semi-conducteur ensevelissant lesdits premier et deuxième transformateurs et ledit circuit d'atténuation. - a semiconductor material burying said first and second transformers and said attenuation circuit. 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que ledit circuit d'atténuation comporte au moins 14. Device according to claim 13, characterized in that said attenuation circuit comprises at least - une résistance d'adaptation, et, connectée en série avec cette résistance, - an adaptation resistor, and, connected in series with this resistor, - au moins une capacité électrique encapsulée sous vide, dans l'air ou dans un gaz neutre. - at least one electrical capacity encapsulated under vacuum, in air or in a neutral gas. 15. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, ledit circuit électrique étant un circuit électronique multicomposants discrets ou intégrés montés sur une plaquette à circuit imprimé, ledit dispositif comporte au moins 15. Device according to one of claims 1 to 5, characterized in that, said electrical circuit being a discrete or integrated multicomponent electronic circuit mounted on a printed circuit board, said device comprises at least - un bottier ouvert à une de ses extrémités contenant ledit matériau seml-conducteur sous forme liquide - a shoemaker open at one of its ends containing said semiconductor material in liquid form - une enveloppe de protection du circuit électronique, en matériau plastique, l'ensemble constitué par le circuit électronique et l'enveloppe de protection étant immergé dans le matériau semi-conducteur liquide, ladite enveloppe assurable l'étancheité dudit récipient audit matériau semi-conducteur liquide. a protective casing for the electronic circuit, made of plastic material, the assembly consisting of the electronic circuit and the protective casing being immersed in the liquid semiconductor material, said casing ensuring the tightness of said container to said semiconductor material liquid. 16. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit circuit électrique étant un circuit électronique multi-composants discrets ou intégrés montés sur une plaquette à circuit imprimé, ledit dispositif comporte au moins un boîtier ouvert à l'une de ses extrémités, ce boîtier contenant  16. Device according to one of claims 1 to 5, characterized in that said electrical circuit being a discrete or integrated multi-component electronic circuit mounted on a printed circuit board, said device comprises at least one housing open to one from its ends, this housing containing - ledit circuit électronique multi-composants - said multi-component electronic circuit - une pluralité de cousslns de calage de ce circuit, chaque coussin consistant en une enveloppe formée en matériau plastique remplie d'un matériau semi-conducteur. - A plurality of cushioning wedges of this circuit, each cushion consisting of an envelope formed of plastic material filled with a semiconductor material. 17. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit circuit électrique étant un circuit électronique multicomposants discrets ou intégrés montés sur une plaquette à circuit imprimé, ledit dispositif comporte au moins un boîtier ouvert à au moins l'une de ses extrémités, ce boîtier contenant 17. Device according to one of claims 1 to 5, characterized in that said electrical circuit being a discrete or integrated multicomponent electronic circuit mounted on a printed circuit board, said device comprises at least one housing open to at least one from its ends, this housing containing - ledit circuit électronique multicomposants, la face circuit imprimé comportant un revêtement en matériau diélectrique isolant ; - Said multicomponent electronic circuit, the printed circuit face comprising a coating of insulating dielectric material; - une garniture interne en matériau du type mousse semi-conductrice placée sur la face interne du boîtier, ladite face circuit Imprimé comportant le revêtement en matériau diélectrique isolant étant placée au voisinage de ladite garniture interne en matériau de type mousse semiconductrice. an internal lining made of semiconductor foam type material placed on the internal face of the housing, said printed circuit face comprising the coating of insulating dielectric material being placed in the vicinity of said internal lining made of semiconductor foam type material. 18. Dispositif selon la revendication 17, caracterisé en ce que deux faces opposées au moins de la garniture interne sont des faces corruguees. 18. Device according to claim 17, characterized in that at least two opposite faces of the internal lining are corrugated faces. 19. Dispositif selon l'une des revendications 17 ou 18, caractérisé en ce que deux faces externes du boîtier opposées aux faces internes corruguées de la garniture interne comportent un revêtement électriquement conducteur, lesdits revêtements électriquement conducteurs etant portés à une différence de potentiel électrique statique détermi née. 19. Device according to one of claims 17 or 18, characterized in that two external faces of the housing opposite to the corrugated internal faces of the internal lining include an electrically conductive coating, said electrically conductive coatings being brought to a difference in static electric potential determined. 20. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit circuit électrique étant constitué par une prise comportant au nuions une fiche de connexion de masse ou par un câble électrique, ledit dispositif comprend au moins 20. Device according to one of claims 1 to 5, characterized in that said electrical circuit being constituted by a socket comprising in the nuions a ground connection plug or by an electric cable, said device comprises at least - un manchon formant anneau de garde placé autour de la fiche de connexion ou du câble électrique, ce manchon étant constitué en une mousse semi-conductrice - a sleeve forming a guard ring placed around the connection plug or the electric cable, this sleeve being made of a semiconductor foam - au moins Un tore ou bague en ferrite au voisinage de ce manchon.  - at least one toroid or ferrite ring in the vicinity of this sleeve.
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