FR2755308A1

FR2755308A1 - Diode laser haute puissance et procede pour son montage

Info

Publication number: FR2755308A1
Application number: FR9713584A
Authority: FR
Inventors: Stefan Heinemann; Friedhelm Dorsch; Rainer Dohle; Dirk Lorenzen; Franz Daiminger
Original assignee: Jenoptik Jena GmbH; Jenoptik AG
Current assignee: Jenoptik AG
Priority date: 1996-10-29
Filing date: 1997-10-29
Publication date: 1998-04-30
Anticipated expiration: 2017-10-29
Also published as: DE19644941C1; NL1007390C2; FR2755308B1; US5920584A; JPH10135538A; NL1007390A1; GB9722657D0; IT1295758B1; ITTO970921A1; GB2318911B; CA2216487A1; GB2318911A

Abstract

Lors de la fabrication de la diode laser, l'on crée des points destinés à la rupture dans la barre laser (1), points qui, lors d'un refroidissement après montage par brasure de la barre laser (1) sur un dissipateur thermique (2) ayant un coefficient de dilatation plus faible, en des points définis, entre les différentes diodes lasers de la barre laser (1), mènent à une rupture. Du fait de la dissociation matérielle de la barre laser (1), l'utilisation d'une brasure ayant une ductilité inférieure à température ambiante (brasure dure) est possible du fait qu'une destruction des différentes diodes lasers de la barre laser (1) par suite de contraintes mécaniques peut être exclue.

Description

Diode laser haute puissance et procédé pour son montage. Pour le montage

des lasers à diodes à haute puissance, il est connu de rapporter par brasage des barres lasers au moyen d'une brasure douce, par exemple une brasure contenant de l'indium, ou bien une brasure de type étain-plomb, ceci étant fait sur un dissipateur thermique qui présente un coefficient de dilatation thermique qui diffère fortement de celui de la barre laser. (1)(2) On entend par barre laser une bande constituée d'un matériau semi-conducteur ayant typiquement une largeur de 10 mm et qui, par exemple, est subdivisée par ce que l'on appelle des tranchées en V, en donnant des diodes lasers individuelles qui agissent optiquement et électriquement, tout comme un dispositif formé d'une pluralité de diodes lasers individuelles branchées en parallèle et qui, cependant, ne sont pas séparées matériellement les unes des autres. Par conséquent, on va entendre ci-après par le concept "diodes lasers individuelles" des diodes lasers séparées matériellement les unes des autres, tandis que les "différentes diodes lasers d'une barre" sont des diodes lasers qui sont reliées ensemble matériellement. Les barres lasers présentent un côté o il y a un dopage de type p (côté p), là o se trouvent les zones actives. Le côté opposé de la barre laser est appelé côté n. On entend par diodes lasers des composants émettant une lumière laser, avec ce que l'on appelle une structure à "broad area" ("grande surface") ou bien ce que l'on appelle une structure "array" ("matrice"). On entend par laser à diodes à haute puissance l'ensemble du dispositif constitué d'une barre laser, d'un dissipateur thermique et d'un dispositif de mise en contact situé du côté n de la barre laser, réalisé par exemple au moyen d'un couvercle rapporté par

brasage ou bien au moyen de fils de soudage ou collage.

Dans les procédés de montage connus, il y a une compensation des contraintes mécaniques, produites par la différence entre les coefficients de dilatation thermiques concernant la barre laser et le dissipateur thermique, lors du processus de brasage, ceci étant obtenu par un fluage plastique de la brasure douce. (1) Est ici particulièrement désavantageux le vieillissement du point de brasure, suite à la formation de phases intermétalliques, de la formation de barbes, ainsi que de la forte électromigration pour les densités de courant très élevées qui se produisent. (3)(7) Ceci mène, dans le cadre d'un comportement à long terme, à une dégradation des propriétés opto-électriques et à une limitation de la durée de vie de tels lasers à diodes haute

puissance, à une durée de quelques milliers d'heures.

Ces inconvénients peuvent être évités par utilisation d'une brasure de type or-étain, qui présente à la température ambiante une plus faible ductilité. En cas d'utilisation d'une telle brasure, cependant les échos de la littérature ne mentionnent qu'un manque d'équilibrage des contraintes mécaniques (4), ce qui mène à la destruction (5) du matériau à semi-conducteur ou à l'accélération de la

dégradation du laser à diodes à haute puissance (3).

Effectivement, lors d'essais pour braser des barres lasers sur des dissipateurs thermiques ayant un coefficient de dilatation thermique nettement inférieur à celui des barres lasers, on a observé des formations de microfissures dans les barres lasers, ce qui renvoie à la présence de contraintes mécaniques extrêmement élevées. Des calculs de contraintes ont pu confirmer cela. Les fissures se produisant dans la région de la zone active de la diode

laser aboutissent à la destruction de celle-ci.

Selon une opinion enseignée (8), la stabilité mécanique du composite peut être augmentée par un comblement des tranchées en V par de la brasure. (8) On ne peut cependant

pas éviter l'apparition de contraintes mécaniques.

Pratiquement, le problème de la formation de fissures peut être évité par le montage de diodes lasers qui soient individuelles. (9) Il est également évident de prévoir le montage de groupes de diodes lasers, ce par quoi on entend une unité matérielle constituée de plusieurs diodes lasers individuelles, typiquement de deux à cinq diodes lasers individuelles. Au montage de diodes lasers individuelles ou de groupes de diodes lasers, il se produit cependant des problèmes d'ajustement, du fait des faibles dimensions géométriques. En outre, la densité de puissance optique est diminuée du fait des espaces intermédiaires nécessaires à prévoir entre les diodes lasers individuelles ou les groupes de diodes lasers. De plus, il y a augmentation considérable

du coût de la fabrication.

L'invention a comme but d'augmenter la capacité de puissance d'un laser à diodes haute puissance équipé d'un dissipateur thermique, ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui des barres lasers, et

d'augmenter sa durée de vie.

Ce problème est résolu par un laser à diodes à haute puissance comportant une barre laser constituée d'une bande réalisée en un matériau semi-conducteur, subdivisée par voie opto-électrique en des diodes lasers individuelles, un dissipateur thermique qui présente un coefficient de dilatation notablement inférieur à celui du matériau semi-conducteur de la barre laser et qui est relié par une brasure, côté p, à la barre laser, ainsi qu'un dispositif de mise en contact, relié côté n à la barre laser, caractérisé en ce que la brasure reliant la barre laser au dissipateur thermique est une brasure qui, à température ambiante, a une ductilité inférieure (brasure dure), et la barre laser présentant, selon des espacements déterminés, en des endroits définis entre les différentes diodes lasers, après montage, des ruptures faisant que les diodes lasers de la barre laser sont séparées les unes des autres matériellement en des diodes lasers individuelles et/ou en des groupes de diodes lasers, si bien qu'aucune transmission des

contraintes mécaniques ne peut s'effectuer.

Concernant le procédé de montage, ce problème est résolu par un procédé de montage d'un laser à diode à haute puissance avec une barre laser, constituée d'une bande en matériau semi-conducteur qui est subdivisée par voie opto-électrique en des diodes lasers individuelles, un dissipateur thermique qui présente un coefficient de dilatation notablement inférieur à celui du matériau semi-conducteur de la barre laser et qui est relié côté p par une brasure à la barre laser, ainsi que par un dispositif de mise en contact qui est relié à la barre laser, côté n, caractérisé par les étapes ci-après: - génération de points destinés à la rupture en des endroits définis suivant des espacements déterminés entre les différentes diodes lasers, - brasage du dissipateur thermique au moyen d'une brasure ayant à température ambiante une ductilité inférieure (brasure dure), refroidissement rapide de la barre laser rapportée par brasage sur le dissipateur thermique, de manière à obtenir une rupture de la barre laser à l'endroit des points destinés à la rupture,

- application du dispositif de contact.

Selon d'autres caractéristiques de l'invention, relatives à la diode laser: - La subdivision du matériau semi- conducteur s'effectue par des tranchées en forme de V; - Les ruptures s'étendent dans le prolongement des tranchées en forme de V; - Les espacements des ruptures sont de dimension inférieure à 2 mm et le nombre des diodes lasers par groupe de diodes lasers est un nombre quelconque; - La brasure contient de l'or et de l'étain; - La brasure est un système en couches de type multicouche qui, lors de la brasure, donne un alliage de brasure or-étain; - Le dispositif de mise en contact est un couvercle fendu. Selon d'autres caractéristiques de l'invention, relatives au procédé: - La brasure contient de l'or et de l'étain; - La brasure est appliquée sous forme de système à couches de type multicouche, qui donne, lors de la brasure, une brasure or-étain dans l'alliage de brasure résultant; - après génération des ruptures, la barre laser est détrempée, c'est-à- dire chauffée à une température pour laquelle la brasure flue, et maintenue au moins à cette température pendant quelques minutes jusqu'à quelques heures faisant que les contraintes mécaniques disparaissent; - Les points destinés à la rupture sont produits par usinage au rayon laser; - Les points destinés à la rupture sont produits par gravure ionique réactive; - Les points destinés à la rupture sont produits par entaillage-incision; - Les points destinés à la rupture sont produits par gravure chimique par voie humide; - Les points destinés à la rupture sont produits par sciage; - Les points destinés à la rupture sont produits déjà lors de la fabrication de la barre laser, les tranchées en V étant réalisées avec une profondeur supérieure à ce qui est nécessaire pour assurer leur fonction proprement dite; - Le refroidissement est effectué à une vitesse d'au moins 40 K par minute, jusqu'à au moins 190 C; - Le détrempage fait partie intégrante du refroidissement, du fait que le refroidissement est interrompu à une température à laquelle la brasure est

encore fluide.

Selon l'invention, est essentielle la création de points destinés à la rupture, définis, dans la barre laser, qui, lors d'un refroidissement faisant suite au montage par brasage de la barre laser sur un dissipateur thermique ayant un faible coefficient de dilatation, mènent ainsi à une rupture de la barre laser entre les diodes lasers et non pas

dans les zones actives de la barre laser.

Lors du montage du laser à diodes à haute puissance, on bénéficie ainsi pleinement des avantages d'une barre laser par rapport à des diodes lasers individuelles, c'est-à-dire que la barre laser, de par sa taille, par rapport à ce qui produit avec les diodes lasers individuelles, est plus facile à manipuler et ne doit être ajustée qu'une seule

fois, en tant qu'ensemble.

Concernant le fonctionnement, par contre, la barre laser n'agit pas comme classiquement de façon opto-électrique comme un dispositif constitué de diodes lasers individuelles, au contraire, du fait des ruptures qui ont comme conséquence également une séparation matérielle entre les différentes diodes lasers, donnant des diodes lasers individuelles ou des groupes de diodes lasers, il y a du point de vue de la technique des contraintes comme ce que l'on rencontre pour les diodes lasers individuelles ou les groupes de diodes lasers. Ainsi, on évite une formation éventuelle de fissures dans les zones actives de la barre de diodes lasers. La densité de puissance optique plus élevée et la meilleure collimation d'une barre laser, par rapport à ce que permet un dispositif constitué de diodes lasers individuelles, restent alors non influencées. Grace à la dissociation matérielle en des diodes lasers individuelles ou des groupes de diodes lasers, il est possible au montage d'utiliser une brasure ayant une ductilité qui soit inférieure à la température ambiante (brasure dure), qui jusqu'ici pour des raisons déjà décrites ne pouvait être utilisée pour le montage de barres lasers ayant typiquement

une largeur de 10 mm.

Pour éviter tout endommagement des zones actives de la barre laser, les points destinés à la rupture sont ménagés selon l'invention entre les zones actives, donc entre les différentes diodes lasers d'une barre. Dans le cas des nouvelles barres lasers usuelles aujourd'hui ayant des tranchées en V, ces points destinés à la rupture sont de préférence ménagés comme prolongement des tranchées en V. Ceci peut s'effectuer tant du côté p, du côté n qu'également de part et d'autre ou bien, également déjà, au stade de

l'introduction des tranchées en V elles-mêmes.

La fabrication des points destinés à la rupture peut par exemple s'effectuer par une gravure ionique réactive, une gravure chimique par voie humide anisotrope, un usinage par rayon laser, un entaillage ou un sciage. Le cas échéant, déjà, la diminution de la section transversale qui se produit du fait de la fabrication au niveau des tranchées en V dans la barre laser suffit à obtenir des points

destinés à la rupture présentant l'effet selon l'invention.

Pour satisfaire au problème selon l'invention, il n'est pas obligatoirement nécessaire de séparer les unes des autres matériellement toutes les diodes lasers d'une barre, c'est-à-dire de procéder à une séparation de la barre laser en des diodes lasers individuelles. Egalement, une

subdivision en groupes de diodes lasers est envisageable.

Avantageusement, l'espacement entre les points destines à la

rupture ne devrait cependant pas être supérieur à 2 mm.

Afin que l'on obtienne une formation de rupture aux points destinés à la rupture, il est nécessaire que la barre laser, après le montage par brasage du dissipateur thermique, soit refroidie relativement rapidement, par exemple à une vitesse de refroidissement de 40 K jusqu'à atteinte de la température ambiante. Lors de ce refroidissement rapide se produisent, aux points destinés à la rupture dans le matériau semi-conducteur de la barre laser, des fissures du fait que les contraintes de traction ayant été induites thermiquement dans la barre laser se situent dans l'ordre de grandeur de la résistance à la traction du matériau du semi-conducteur. Il s'effectue de ce fait une individualisation de la barre de diodes lasers donnant des diodes lasers individuelles ou des groupes de diodes lasers. Du fait que les fissures se propagent dans des zones, non actives électriquement et optiquement, du matériau semi-conducteur, les fissures ne nuisent pas au fonctionnement et à la capacité de puissance du laser à

diodes haute puissance.

La réalisation subséquente d'un processus de détrempage de la barre laser montée par brasage est avantageuse, faisant que s'effectue une diminution des contraintes mécaniques dans les zones actives optiquement. Du fait du fluage ("creep") se produisant alors dans la soudure, on détruit les contraintes mécaniques apparaissant dans le composite, ce qui influe de façon positive sur les propriétés électro-optiques des diodes lasers ainsi que sur leur durée de vie et leur fiabilité. Au contraire des brasures molles, le fluage des brasures dures, tel que AuSn à la température ambiante, peut être négligeable, à des températures d'environ 200 C il est cependant considérable. (6) Il est avantageux que d'abord la barre laser soit montée par brasage sur le dissipateur thermique et que, après un refroidissement correspondant qui mène à la rupture aux points destinés à la rupture, le processus de détrempage soit combiné au processus de brasage, sur le deuxième côté de la barre laser. Ceci peut s'effectuer de manière que le dispositif est chauffé à la température de brasage du côté n, pour assurer la liaison entre le côté n et un couvercle, ce chauffage se faisant de préférence à une température de 190 C, puis est refroidi et est maintenu ou stocké quelques minutes ou quelques heures à cette température. Plus le temps de détrempage est grand, plus la

réduction des contraintes mécaniques est élevée.

Il est particulièrement avantageux qu'un couvercle fendu soit utilisé du côté n de la barre laser, pour effectuer la mise en contact. Ceci empêche, par exemple, que la brasure du couvercle pénètre dans les fissures produites lors du premier refroidissement, rapide, dans la barre laser

et endommage le matériau semi-conducteur.

La solution selon l'invention présente l'avantage que les valeurs de durée de vie et de fiabilité que l'on connaît au montage des diodes lasers individuelles peuvent être atteintes sans devoir renoncer aux avantages décisifs pouvant être atteints avec un montage d'une barre laser, avantages tels qu'une densité de puissance optique élevée et un ajustage rapide très précis. Un autre avantage de la solution selon l'invention est la moindre flexion de la structure, ce qui contribue à une diminution de ce que l'on appelle le "gondolement" ("smiles") du laser à diodes à

haute puissance.

Une forme de réalisation avantageuse d'un laser à diodes à haute puissance selon l'invention est représentée sur la figure 1 et est écrite dans l'exemple de

réalisation 1.

Exemple de réalisation 1 Le laser à diodes à haute puissance selon l'invention représenté sur la figure 1 est constitué d'une barre laser 1, d'un dissipateur thermique 2, qui est un diamant, monté par brasage sur un bloc de refroidissement en cuivre

non représenté, et d'un couvercle 3 rapporté par brasage.

Le côté p 4 de la barre laser 1 est subdivisé par des tranchées en V 5.1; 5.2; 5.3 en des diodes lasers 6.1; 6.2; 6.3; 6.4 individuelles. Entre la première diode laser 6.1 et la deuxième diode laser 6.2 s'étend une première ligne de rupture 7.1. De même, une deuxième ligne de rupture 7.2 s'étend entre la troisième diode laser 6.3 et la quatrième diode laser 6.4. Ainsi, la première diode laser 6.1 de la barre laser 1 est effectivement une diode laser individuelle, tandis que la deuxième et la troisième diodes lasers 6.2; 6.3 constituent un groupe de diodes lasers. La barre laser 1 est reliée côté p 4 au dissipateur thermique, par l'intermédiaire d'une brasure or-étain 8. Le couvercle présente au moins dans le prolongement des lignes

de rupture 7.1; 7.2 des fentes 9.

Le procédé selon l'invention de montage de diodes lasers à haute puissance selon l'invention va être expliqué ci-après plus en détails à l'aide des exemples de

réalisation 2 à 8.

Exemple de réalisation 2 Dans cet exemple de réalisation, la barre laser est usinée avec un rayon laser du côté p dans les tranchées en V qui subdivisent le côté p en plusieurs zones actives, ces zones agissant de façon opto-électrique comme des diodes lasers individuelles, si bien que se produit une modification locale de la structure, le cas échéant, également un enlèvement de matériau. Ensuite, la barre laser est montée par brasage par le côté n avec une brasure or-étain à peu près eutectique, sur un couvercle en cuivre doré. Ensuite, on rapporte par brasage du côté p de la barre laser avec une brasure or- étain à peu près eutectique un dissipateur technique ayant un coefficient de dilatation thermique faible, par exemple un diamant métallisé et l'agencement est refroidi à la température ambiante à une vitesse de refroidissement de 40 K par minute. Lors de ce processus de refroidissement, de très fortes contraintes de traction se produisent dans la barre laser et les zones usinées avec le rayon laser agissent comme des points destinés à la rupture d'o partent des fissures qui passent dans la barre laser et se propagent jusqu'à l'autre côté de la barre laser. De cette manière, la barre laser est individualisée en des diodes lasers individuelles ou des groupes de diodes lasers. Ensuite, le dispositif est chauffé à une température typique de 190 C et stocké une heure à cette température. Il se produit alors un "fluage", respectivement une "déformation plastique" de la brasure, ce qui mène à une annulation des contraintes mécaniques dans le dispositif. Exemple de réalisation 3 A la différence du deuxième exemple de réalisation, les points destinés à la rupture sont déjà préparés au stade de la fabrication de la barre laser en ménageant les tranchées en V du côté p de la barre laser sur une profondeur de, par exemple, 20 gm (supérieure à la profondeur par ailleurs nécessaire pour une subdivision optique et électrique du côté p), par exemple en le faisant par une gravure ionique réactive. La brasure or-étain à peu près eutectique est chaque fois appliquée par évaporation d'un système à couches or-étain de type multicouche sur le partenaire de la liaison. Exemple de réalisation 4 Dans un quatrième exemple de réalisation, la barre laser est pourvue du côté n à l'aide de scie à diamant sur des espacements de 2 mm, d'entailles d'une profondeur de 25 pm, qui agissent au refroidissement exécuté à une cadence de 40 K par minute, comme des points destinés à la rupture. Les entailles d'une profondeur de 25 Vm sont alors chacune disposées précisément à l'opposé d'une tranchée en V. Pour le reste, le déroulement du procédé correspond à

celui de l'exemple de réalisation 2.

Exemple de réalisation 5 Dans l'exemple de réalisation 5, on ménage sur le côté n de la barre laser par une gravure chimique par voie humide, anisotrope, des tranchées placées à un espacement de 2 mm, de manière que ces tranchées se trouvent chacune précisément à l'opposé d'une tranchée en V se trouvant du côté p. Suite à cela, la barre laser est rapportée par brasure sur un dissipateur thermique en diamant pourvu d'un système à couches or-étain de type multicouche et est refroidi à une vitesse de 40 K par minute, jusqu'à la température de 190 'C. Sur les tranchées se trouvant du côté n, apparaissent alors, suite aux contraintes de traction mécaniques se manifestant au moment du refroidissement, des microfissurations qui se propagent à travers la barre laser et la divisent en donnant des diodes lasers individuelles ou des groupes de diodes lasers. Ensuite, cet agencement est détrempé à peu près pendant une heure à une température d'environ 190 'C. De ce fait, les contraintes mécaniques s'étant produites dans le matériau semi-conducteur sont détruites. Ensuite, on monte par brasage avec une brasure douce le couvercle ou bien on fabrique le contact électrique

côté n au moyen de liaisons à fil.

Exemple de réalisation 6 Cet exemple de réalisation est analogue à l'exemple de réalisation 5, mais le processus de détrempage est conduit à une température d'environ 190 C sur une durée d'une heure et en liaison avec le brasage du couvercle. Ceci est avantageux du fait qu'il y a suppression de l'étape de

traitement thermique.

Exemple de réalisation 7 Cet exemple de réalisation peut correspondre dans son déroulement de procédé à un exemple quelconque parmi ceux ayant été décrits. On utilise cependant un couvercle fendu, ce qui assure un effet avantageux qui est que, lors du brasage du côté n, il ne peut y avoir aucune arrivée de brasure venant du couvercle et pénétrant dans les intervalles. On évite ainsi tout endommagement du matériau semi-conducteur. Exemple de réalisation 8 Dans cet exemple de réalisation, on relie et on met en contact simultanément dans un processus de brasage avec la barre laser un dissipateur thermique en diamant et le

couvercle, ceci lors d'un cycle de température.

Documents auxquels référence est faire: (1) S.A. Merrit, P.J.S. Heim, S. Cho, and M. Dagenais: "A Reliable Die Attach Method for High Power Semiconductor Lasers and Optical Amplifiers", in Proceedings of the 45th Electronic Components and Technology Conference, Las Vegas,

Mai 1995, pages 428 à 430.

(2) R. Beach, W.J. Benett, B.L. Freitas, D. Mundinger, B.J. Comaskey, R.W. Solarz, and M.A. Emanuel, "Modular Microchannel Cooled Heatsink for High Average Power Laser Diode Arrays", IEEE Journal of Quantum Electronics,

volume 28, No.4, Avril 1992, pages 966 à 976.

(3) M. Fukuda: "Reliability and Degradation of Semiconductor Lasers and LEDs", Artech House, Boston,

London 1991, pages 309 à 317.

(4) C.C. Lee, C.Y. Wang, and G. Matijasevic: "Advances in Bonding Technology for Electronic Packaging", Journal of

Electronic Packaging, Juin 1993, volume 115, page 201.

(5) C.D. Iacovangelo, R.A. Fillion, and J.F. Burgess: "Electronic Apparatus with Improved Thermal Expansion

Match", WO 94/24703, 27 Octobre 1994.

(6) D.R. Olsen and H.M. Berg, "Properties of Die Bond Alloys Relating to Thermal Fatigue", IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, volume

CHMT-2, 1979, pages 257 à 263.

(7) H. Lowe and H. Lynn: "Real World Flip-Chip Assembly: A Manufacturers Experience", in Proceedings

SMI, 1995, pages 80 à 87.

(8) K.A. Baxter: "Apparatus and Method of Bonding Isolation Grooves of a Ridge Wave-Guide Laser Diode", Brevet

US 5 388 755, 14 Février 1995.

(9) S. Wei8, E. Zakel, H. Reichl, "Mounting of High Power Laser Diodes on Diamond Heatsinks", Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Partie

A, volume 19, No. 1, Mars 1996, pages 46 à 47.

Claims

REVENICATIONS

1. Laser à diode haute puissance comportant une barre laser (1) constituée d'une bande réalisée en un matériau semi-conducteur, subdivisée par voie opto-électrique en des diodes lasers individuelles (6.1; 6.2; 6.3; 6.4), un dissipateur thermique (2) qui présente un coefficient de dilatation notablement inférieur à celui du matériau semi-conducteur de la barre laser (1) et qui est relié par une brasure, côté p, à la barre laser (1), ainsi qu'un dispositif de mise en contact, relié côté n à la barre laser (1), caractérisé en ce que la brasure reliant la barre laser (1) au dissipateur thermique (2) est une brasure qui, à température ambiante, présente une ductilité inférieure (brasure dure), et la barre laser (1) présentant, selon des espacements déterminés, en des endroits définis entre les différentes diodes lasers, après montage, des ruptures faisant que les diodes lasers de la barre laser (1) sont séparées les unes des autres matériellement en des diodes lasers individuelles (6.1, 6.4) et/ou en des groupes (6.2, 6.3) de diodes lasers, si bien qu'aucune transmission

des contraintes mécaniques ne peut s'effectuer.

2. Diode laser haute puissance selon la revendication 1, dans laquelle la subdivision du matériau semi-conducteur s'effectue par des tranchées en forme de V (5.1; 5.2; 5.3), caractérisée en ce que les ruptures s'étendent dans le prolongement des tranchées en forme de

V (5.1; 5.2; 5.3).

3. Diode laser à haute puissance selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que les espacements des ruptures sont de dimension inférieure à 2 mm et le nombre des diodes lasers par groupe de diodes lasers est un

nombre quelconque.

4. Diode laser à haute puissance selon l'une des

revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la brasure

contient de l'or et de l'étain.

5. Diode laser haute puissance selon l'une des

revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la brasure est

un système en couches de type multicouche qui, lors de la

brasure, donne un alliage de brasure or-étain (8).

6. Laser à diode haute puissance selon l'une des

revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le dispositif de

mise en contact est un couvercle (3) fendu.

7. Procédé de montage d'un laser à diode à haute puissance avec une barre laser (1), constituée d'une bande en matériau semi-conducteur qui est subdivisée par voie opto-électrique en des diodes lasers individuelles 6.1; 6.2; 6.3; 6.4), un dissipateur thermique (2) qui présente un coefficient de dilatation notablement inférieur à celui du matériau semi-conducteur de la barre laser (1) et qui est relié côté p par une brasure à la barre laser (1), ainsi que par un dispositif de mise en contact qui est relié à la barre laser (1), côté n, caractérisé par les étapes ci-après: - génération de points destinés à la rupture en des endroits définis suivant des espacements déterminés entre les différentes diodes lasers, - brasage du dissipateur thermique (2) au moyen d'une brasure ayant à température ambiante une ductilité inférieure (brasure dure), - refroidissement rapide de la barre laser (1) rapportée par brasage sur le dissipateur thermique (2), de manière à obtenir une rupture de la barre laser (1) à l'endroit des points destinés à la rupture,

- application du dispositif de contact.

8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé

en ce que la brasure contient de l'or et de l'étain.

9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la brasure est appliquée sous forme de système à couches de type multicouche, qui donne, lors de la brasure, une brasure or-étain (8) dans l'alliage de brasure résultant.

10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que, après génération des ruptures, la barre laser (1) est détrempée, c'est-à-dire chauffée à une température pour laquelle la brasure flue, et maintenue au moins à cette température pendant quelques minutes jusqu'à quelques heures

faisant que les contraintes mécaniques disparaissent.

11. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10,

caractérisé en ce que les points destinés à la rupture sont

produits par usinage au rayon laser.

12. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10,

caractérisé en ce que les points destinés à la rupture sont

produits par gravure ionique réactive.

13. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10,

caractérisé en ce que les points destinés à la rupture sont

produits par entaillage-incision.

14. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10,

caractérisé en ce que les points destinés à la rupture sont

produits par gravure chimique par voie humide.

15. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10,

caractérisé en ce que les points destinés à la rupture sont

produits par sciage.

16. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10,

caractérisé en ce que les points destinés à la rupture sont produits déjà lors de la fabrication de la barre laser (1), les tranchées en forme de V (5.1; 5.2; 5.3) étant réalisées avec une profondeur supérieure à ce qui est nécessaire pour

assurer leur fonction proprement dite.

17. Procédé selon l'une des revendications 7 à 16,

caractérisé en ce que le refroidissement est effectué à une

vitesse d'au moins 40 K par minute, jusqu'à au moins 190 C.

18. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le détrempage fait partie intégrante du refroidissement, du fait que le refroidissement est interrompu à une température à laquelle la brasure est

encore fluide.