FR2697352A1 - Electromagnetic energy concentrator with frequency shift - uses dopant that responds to electromagnetic excitation by emitting light at different frequency - Google Patents
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Abstract
Description
CONCENTRATEUR D'ENERGIE ELECTROMAGNETIQUE A
CHANGEMENT DE FREQUENCE CONSTITUANT ENTRE AUTRE UNE DIODE
ELECTROMAGNETIQUE.ELECTROMAGNETIC ENERGY CONCENTRATOR A
FREQUENCY CHANGE CONSTITUTING BETWEEN ANOTHER DIODE
ELECTROMAGNETIC.
La présente invention concerne un dispositif optique présentant un effet de diode électromagnétique, c'est-à-dire présentant un comportement différent suivant la direction d'incidence de la source de rayonnement. Un tel dispositif est en particulier mis en oeuvre dans le domaine militaire, pour la détection d'un faisceau de télémétrie laser et l'alerte du pilote d'un engin terrestre, navale ou aérien, ou le déclenchement de contre-mesures. Dans l'état de la technique actuel, il n'existe pas de moyen pour déterminer avec une discrimination spectrale et spatiale suffisante, si l'engin fait l'objet d'une illumination par un télémètre ou illuminateur en vue de l'acquisition de la cible, du paramètre d'un missile et du guidage dudit missile.De ce fait, les engins militaires présentent une vulnérabilité incontestable au regard de systèmes d'armes mettant en oeuvre des techniques d'illumination ou de télémétrie laser. The present invention relates to an optical device having an electromagnetic diode effect, that is to say having a different behavior depending on the direction of incidence of the radiation source. Such a device is used in particular in the military field, for the detection of a laser telemetry beam and the alert of the pilot of a land, naval or air vehicle, or the triggering of countermeasures. In the current state of the art, there is no means to determine with sufficient spectral and spatial discrimination, whether the machine is the subject of an illumination by a rangefinder or illuminator for the acquisition of the target, the parameter of a missile and the guidance of said missile. As a result, military vehicles present an indisputable vulnerability with regard to weapon systems implementing illumination techniques or laser telemetry.
Le dispositif selon l'invention se comporte par ailleurs, selon certains modes de réalisation, comme un concentrateur de flux électromagnétique. The device according to the invention also behaves, according to certain embodiments, like an electromagnetic flux concentrator.
L'invention concerne plus particulièrement un dispositif comprenant une matrice sensiblement transparente et, sur une partie des surfaces extérieures de ladite matrice, un revêtement présentant un taux de réflexion élevé dans une première bande de longueur d'onde et un taux de transmission élevé dans une seconde bande de longueur d'onde.La matrice dopée comporte au moins un dopant optiquement actif absorbant l'énergie électromagnétique dans une ou plusieurs bandes de longueur d'onde, et réemettant l'énergie dans une ou plusieurs longueurs d'onde, une au moins des longueurs d'onde de réemission étant différentes des longueurs d'onde d'excitation, ladite matrice comportant en outre un revêtement filtrant présentant une transmission maximale dans une ou plusieurs bandes de longueur d'onde d'absorption de la matrice dopée, et présentant une réflexion maximale dans l'une au moins des bandes de longueur d'onde de réemission de la matrice dopée. The invention relates more particularly to a device comprising a substantially transparent matrix and, on a part of the external surfaces of said matrix, a coating having a high reflection rate in a first wavelength band and a high transmission rate in a second wavelength band. The doped matrix comprises at least one optically active dopant absorbing electromagnetic energy in one or more wavelength bands, and re-emitting energy in one or more wavelengths, one at less of the remission wavelengths being different from the excitation wavelengths, said matrix further comprising a filtering coating having a maximum transmission in one or more absorption wavelength bands of the doped matrix, and having a maximum reflection in at least one of the re-emission wavelength bands of the doped matrix.
Avantageusement, l'invention concerne un dispositif optique comprenant une matrice sensiblement transparente et, sur une partie des surfaces extérieures de ladite matrice extérieure, un revêtement présentant un taux de réflexion élevé dans une première bande de longueur d'onde et un taux de transmission élevé dans une seconde bande de longueur d'onde, caractérisé en ce que la matrice transparente comporte des dopants optiquement actifs absorbant l'énergie lumineuse dans une bande de longueur d'onde ka+AXa et réemettant dans une bande de longueur d'onde ke+ Ake, la bande d'excitation harfrilha étant comprise dans la plage de transmission du revêtement et la bande de réémission Xe+AXe étant comprise dans la plage de réflexion dudit revêtement.Les dopants optiquement actifs sont intégrés dans la matrice ou sont déposés sur une partie des surfaces extérieures opposées à la face d'entrée du faisceau incident d'une matrice transparente.Advantageously, the invention relates to an optical device comprising a substantially transparent matrix and, on a part of the external surfaces of said external matrix, a coating having a high reflection rate in a first wavelength band and a high transmission rate in a second wavelength band, characterized in that the transparent matrix comprises optically active dopants absorbing light energy in a wavelength band ka + AXa and re-emitting in a wavelength band ke + Ake , the harfrilha excitation band being included in the transmission range of the coating and the Xe + AX re-emission band being included in the reflection range of said coating. The optically active dopants are integrated in the matrix or are deposited on a part of the external surfaces opposite to the entrance face of the incident beam of a transparent matrix.
Lorsque le faisceau incident comporte deux raies Xa et Xe, le faisceau de sortie du dispositif selon l'invention ne présente plus qu'une raie Xe, lorsque le faisceau incident rencontre la face comportant ledit revêtement. When the incident beam comprises two lines Xa and Xe, the output beam of the device according to the invention has only one line Xe, when the incident beam meets the face comprising said coating.
Par contre, lorsque le faisceau incident rencontre la face opposée au faisceau traité, le dispositif ne laisse passer aucune des deux raies. On the other hand, when the incident beam meets the face opposite to the treated beam, the device does not allow any of the two lines to pass.
Selon une première variante, la matrice dopée est revêtue d'un filtre passe-bande dont la longueur d'onde de coupure est comprise entre w et Xe. According to a first variant, the doped matrix is coated with a bandpass filter whose cut-off wavelength is between w and Xe.
Selon une seconde variante, la matrice dopée est revêtue d'un filtre passe-bande constitué par un filtre dichroïque. According to a second variant, the doped matrix is coated with a bandpass filter constituted by a dichroic filter.
Selon une autre variante, la matrice dopée est revêtue d'un filtre passe-bande constitué par un filtre interférentiel. According to another variant, the doped matrix is coated with a bandpass filter constituted by an interference filter.
Selon un mode de réalisation particulier, la matrice dopée présente en outre une partie des surfaces extérieures revêtues avec un matériau réfléchissant dans la bande de longueur d'onde de réémission et dans la bande de longueur d'onde d'excitation des dopants, ainsi qu'une zone transparente. According to a particular embodiment, the doped matrix also has a portion of the outer surfaces coated with a reflective material in the re-emission wavelength band and in the excitation wavelength band of the dopants, as well as 'a transparent area.
Dans ce mode de réalisation, le dispositif se comporte comme un concentrateur de flux lumineux, car il permet de transférer toute l'énergie efficace reçue par les surfaces traitées vers la zone transparente. In this embodiment, the device behaves like a light flux concentrator, because it allows all the effective energy received by the treated surfaces to be transferred to the transparent area.
Avantageusement, la matrice dopée est de forme parallélépipèdique, le revêtement présentant un taux de réflexion élevé dans une première bande de longueur d'onde et un taux de transmission élevé dans une seconde bande de longueur d'onde étant prévu sur la face d'entrée dudit dispositif. Advantageously, the doped matrix is of rectangular shape, the coating having a high reflection rate in a first wavelength band and a high transmission rate in a second wavelength band being provided on the input face. of said device.
Selon une variante, la matrice dopée est de forme paraboloïdale, le revêtement présentant un taux de réflexion élevé dans une première bande de longueur d'onde et un taux de transmission élevé dans une seconde bande de longueur d'onde étant prévu sur les faces latérales. According to a variant, the doped matrix is of paraboloidal shape, the coating having a high reflection rate in a first wavelength band and a high transmission rate in a second wavelength band being provided on the lateral faces .
Selon une variante, les dopants optiquement actifs sont déposés à la surface d'une matrice transparente. According to a variant, the optically active dopants are deposited on the surface of a transparent matrix.
L'invention concerne également un dispositif constitué par une pluralité de cellules formées chacune par une matrice présentant sur sa face d'entrée un filtre dichroïque, la cellule d'indice n comporte une matrice dopée avec des dopants absorbant l'énergie lumineuse dans une bande de longueur d'onde Xan + AXan qui correspond à Xe(n-1)- AXe(n-l) et réemettant dans une bande de longueur d'onde henf AXen, la bande d'excitation Xan + AXan étant comprise dans la plage de transmission du revêtement dichroïque et la bande de réémission Xen + Aken étant comprise dans la plage de réflexion dudit revêtement.Ce mode de réalisation permet de discriminer les longueurs d'onde incidentes, et présente en particulier un intérêt pour discriminer différents types de faisceaux d'illumination laser en vue d'identifier le type de danger. The invention also relates to a device consisting of a plurality of cells each formed by a matrix having on its input face a dichroic filter, the cell of index n comprises a matrix doped with dopants absorbing light energy in a band. of wavelength Xan + AXan which corresponds to Xe (n-1) - AX (nl) and re-emitting in a wavelength band henf AXen, the excitation band Xan + AXan being included in the transmission range of the dichroic coating and the Xen + Aken retransmission band being included in the reflection range of said coating. This embodiment makes it possible to discriminate the incident wavelengths, and is particularly advantageous for discriminating different types of illumination beams laser to identify the type of hazard.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, faisant référence aux dessins où:
- la figure 1 représente la courbe de réponse en transmission et en réflexion, du revêtement
- la figure 2 représente la courbe de réponse du dopant ;
- la figure 3 représente un schéma de principe du dispositif selon l'invention
- la figure 4 représente une vue en coupe d'un dispositif selon le mode de réalisation paraboloidique ;
- Les figures 5 et 6 représentent deux exemples de réalisation de générateurs photovoltaïques ;
Les figures 7 et 8 représentent deux exemples de réalisation particuoier de l'invention ;
- Les figures 9 et 10 représentent des vues en coupe et de face d'un exemple de réalisation d'un dispositif de sécurité ;
- la figure 11 représente un exemple de réponse spectrale d'un marquage fiduciaire.The invention will be better understood on reading the description which follows, referring to the drawings in which:
- Figure 1 shows the response curve in transmission and reflection, of the coating
- Figure 2 shows the response curve of the dopant;
- Figure 3 shows a block diagram of the device according to the invention
- Figure 4 shows a sectional view of a device according to the paraboloid embodiment;
- Figures 5 and 6 show two exemplary embodiments of photovoltaic generators;
Figures 7 and 8 show two particular embodiments of the invention;
- Figures 9 and 10 show sectional and front views of an embodiment of a security device;
- Figure 11 shows an example of spectral response of a fiduciary marking.
La figure 1 et 2 représentent, sur un même graphique, la réponse spectrale du revêtement filtrant recouvrant une partie de la matrice transparente, et le comportement spectral du dopant. FIGS. 1 and 2 represent, on the same graph, the spectral response of the filtering coating covering part of the transparent matrix, and the spectral behavior of the dopant.
La courbe supérieure (1) représente le taux de transmission et de réflexion du revêtement placé sur la face d'entrée du dispositif, en fonction de la longueur d'onde du faisceau incident. The upper curve (1) represents the transmission and reflection rate of the coating placed on the input face of the device, as a function of the wavelength of the incident beam.
Dans l'exemple décrit, le revêtement filtrant présente un taux de transmission proche de 100 % pour les longueurs d'onde inférieures à Xc nanomètres. Pour les longueurs d'onde supérieures à Xc nanomètres, le taux de réflexion est proche de 100 %, et donc le taux de transmission proche de 0. La pente de coupure est plus ou moins raide selon la qualité du filtre. In the example described, the filter coating has a transmission rate close to 100% for wavelengths less than Xc nanometers. For wavelengths greater than Xc nanometers, the reflection rate is close to 100%, and therefore the transmission rate close to 0. The cutoff slope is more or less steep depending on the quality of the filter.
La courbe (2) représente le comportement spectral des dopants inclus dans la matrice transparente. Curve (2) represents the spectral behavior of the dopants included in the transparent matrix.
Ces dopants présentent un spectre d'excitation dans la bande de longueur d'onde kathXa et un spectre de réémission dans la bande de longueur d'onde +axe. These dopants have an excitation spectrum in the wavelength band kathXa and a re-emission spectrum in the wavelength band + axis.
Les dopants sont constitués à titre d'exemple par des produits photoluminescents, notamment des matériaux cristallins ou organiques luminescents. The dopants consist, for example, of photoluminescent products, in particular luminescent crystalline or organic materials.
La figure 3 représente le schéma de principe d'un dispositif selon l'invention. FIG. 3 represents the block diagram of a device according to the invention.
Le rayonnement incident comporte dans l'exemple décrit deux raies X1 et k2, X1 étant inférieur à la longueur d'onde de coupure Xc du revêtement filtrant du dispositif est sensiblement égal à Xa, longueur d'onde d'excitation des dopants. 2 est supérieur à cette longueur d'onde de coupure Xc, et sensiblement égal à Xe, longueur d'onde de réémission des dopants. The incident radiation in the example described comprises two lines X1 and k2, X1 being less than the cut-off wavelength Xc of the filtering coating of the device is substantially equal to Xa, wavelength of excitation of the dopants. 2 is greater than this cut-off wavelength Xc, and substantially equal to Xe, the dopant re-emission wavelength.
La composante 2 est intégralement réfléchie par la couche filtrante (3), et en conséquence, seule la composante 1 entre dans la matrice dopée (4). Ce faisceau incident interagit avec les dopants (5) inclus dans la matrice, et est de ce fait convertie en un faisceau diffus de longueur d'onde Xe. Component 2 is fully reflected by the filtering layer (3), and consequently, only component 1 enters the doped matrix (4). This incident beam interacts with the dopants (5) included in the matrix, and is therefore converted into a diffuse beam of wavelength Xe.
A la sortie du dispositif on observera donc un rayonnement diffus de longueur d'onde 4. At the output of the device, a diffuse radiation of wavelength 4 will therefore be observed.
Dans le cas où le faisceau incident pénètre dans le dispositif par une surface non revêtue de la couche filtrante (3), la raie de longueur d'onde Xe ne peut sortir du coté du revêtement filtrant, car elle est réfléchie par ledit revêtement (3). La raie de longueur d'onde Xa est absorbée par les dopants et convertie en rayonnement de longueur d'onde Xe, qui est de ce fait également réfléchie par la couche filtrante (3). In the event that the incident beam enters the device through a surface not coated with the filtering layer (3), the wavelength line Xe cannot exit from the side of the filtering coating, since it is reflected by said coating (3 ). The wavelength line Xa is absorbed by the dopants and converted into radiation of wavelength Xe, which is therefore also reflected by the filtering layer (3).
En conséquence, le dispositif ne laisse pas passer le faisceau entrant dans le dispositif par une surface non revêtue de la couche filtrante. Consequently, the device does not allow the beam entering the device to pass through a surface not coated with the filtering layer.
La figure 4 représente une vue en coupe d'un dispositif selon une réalisation de type paraboloïdique. FIG. 4 represents a sectional view of a device according to an embodiment of the paraboloid type.
La partie tubulaire de l'enveloppe de la matrice dopée (4) est revêtue avec une couche à réflexion sélective (3). Le dôme parabolique (8) est recouverte avec une couche totalement réfléchissante (9). L'extrémité plane (10) de la matrice dopée (4) est également revêtue d'une couche totalement réfléchissante (12), à l'exception d'une zone (11) transparente. The tubular part of the envelope of the doped matrix (4) is coated with a selective reflection layer (3). The parabolic dome (8) is covered with a completely reflecting layer (9). The planar end (10) of the doped matrix (4) is also coated with a completely reflecting layer (12), with the exception of a transparent zone (11).
A titre d'exemple la matrice dopée est en polyméthaméthacrilate dopée avec les composées suivants:
PPO 0,5 moles par litre
OB 0,1 moles par litre
GE 0,04 moles par litre
PPO, OB et GE étant les dénominations commerciales usuelles de molécules cycliques aromatiques.As an example, the doped matrix is made of polymethamethacrilate doped with the following compounds:
PPO 0.5 moles per liter
OB 0.1 moles per liter
GE 0.04 moles per liter
PPO, OB and GE being the usual commercial names of aromatic cyclic molecules.
La longueur d'onde de coupure Xc de la couche à réflexion sélective est de 400 nanomètres.The cut-off wavelength Xc of the selective reflection layer is 400 nanometers.
La figure 5 représente un exemple de réalisation dans lequel la matrice (13) est transparente, et dans lequel les dopants sont déposés sur la surface extérieure de ladite matrice (13). Les dopants forment avec la couche réfléchissante une enveloppe (14) entourant la matrice (13) à l'exception d'une fenêtre de sortie (16) et de la surface recouverte par le filtre dichroïque (15)
Le dispositif selon ce mode de réalisation présente un rendement photonique élevé et comporte un concentrateur d'énergie lumineuse. La fenêtre (16) peut être équipée d'un obturateur ou d'un hacheur optique. Les phénomènes de transfert de longueur d'onde se produisent dans ce mode de réalisation sur les surfaces de la matrice.FIG. 5 represents an exemplary embodiment in which the matrix (13) is transparent, and in which the dopants are deposited on the external surface of said matrix (13). The dopants form with the reflective layer an envelope (14) surrounding the matrix (13) except for an exit window (16) and the surface covered by the dichroic filter (15).
The device according to this embodiment has a high photonic efficiency and includes a light energy concentrator. The window (16) can be equipped with a shutter or an optical chopper. Wavelength transfer phenomena occur in this embodiment on the surfaces of the matrix.
Selon un autre mode de réalisation représenté en figure 6, le dispositif est constitué par une association en série de plusieurs cellules constituées par une matrice dopée revêtue par un filtre dichroïque. La première cellule (17) comporte une matrice dopée avec des dopants absorbant l'énergie lumineuse dans une bande de longueur d'onde kaliAWal et réemettant dans une bande de longueur d'onde kel+ AXel, la bande d'excitation XaliAXal étant comprise dans la plage de transmission du revêtement dichroïque et la bande de réémission le1+ Dlel étant comprise dans la plage de réflexion dudit revêtement.La deuxième cellule (18) comporte une matrice dopée avec des dopants absorbant l'énergie lumineuse dans une bande de longueur d'onde Xa2*AXa2 qui correspond heif AXel et réemettant dans une bande de longueur d'onde Xe2+#Xe2, la bande d'excitation #a2 + AXa2 étant comprise dans la plage de transmission du revêtement dichroïque et la bande de réémission Xe2 + AXe2 étant comprise dans la plage de réflexion dudit revêtement. According to another embodiment represented in FIG. 6, the device is constituted by a series association of several cells constituted by a doped matrix coated with a dichroic filter. The first cell (17) comprises a matrix doped with dopants absorbing light energy in a band of wavelength kaliAWal and re-emitting in a band of wavelength kel + AXel, the excitation band XaliAXal being included in the transmission range of the dichroic coating and the re-emission band le1 + Dlel being included in the reflection range of said coating. The second cell (18) comprises a matrix doped with dopants absorbing light energy in a band of wavelength Xa2 * AXa2 which corresponds heif AXel and re-emitting in a wavelength band Xe2 + # Xe2, the excitation band # a2 + AXa2 being included in the transmission range of the dichroic coating and the re-emission band Xe2 + AXe2 being included in the reflection range of said coating.
De même, la troisième cellule (19) comporte une matrice dopée avec des dopants absorbant l'énergie lumineuse dans une bande de longueur d'onde Xa3 + txa3 qui correspond Xe2I AXe2 et réemettant dans une bande de longueur d'onde ke3+ AXe3, la bande d'excitation #a3 +
AXa3 étant comprise dans la plage de transmission du revêtement dichroïque et la bande de réémission Xe3 + AXe3 étant comprise dans la plage de réflexion dudit revêtement.Similarly, the third cell (19) comprises a matrix doped with dopants absorbing light energy in a wavelength band Xa3 + txa3 which corresponds to Xe2I AXe2 and re-emitting in a wavelength band ke3 + AXe3, the excitation band # a3 +
AXa3 being included in the transmission range of the dichroic coating and the Xe3 + AXe3 retransmission band being included in the reflection range of said coating.
Un tel dispositif permet de discriminer différentes types de faisceaux incidents. En particulier, pour les applications de détection et d'alerte laser, un dispositif constitué d'une pluralité de cellules juxtaposées permet de délivrer un signal lumineux spécifique pour chaque type de faisceaux laser incidents, et de signaler le type d'acquisition en cours. Such a device makes it possible to discriminate different types of incident beams. In particular, for laser detection and alert applications, a device consisting of a plurality of juxtaposed cells makes it possible to deliver a specific light signal for each type of incident laser beam, and to signal the type of acquisition in progress.
Pour les applications de détection et d'alerte laser, plusieurs mode de mise en oeuvre peuvent être envisagés. For laser detection and alert applications, several implementation methods can be envisaged.
Le premier mode de mise en oeuvre consiste à réaliser un capteur constitué par une matrice recouverte par un filtre dichroïque transparent dans les longueurs d'onde d'émission des lasers de télémesure, soit vers 1,06 micromètres, le filtre étant en outre réflecteur des bandes de longueur d'onde comprises entre 1,2 et 1,65 microns, et étant absorbant ou réflecteur, mais non transparent, dans les plages de longueur d'onde comprises entre 0,75 et 0,95 micromètres. The first mode of implementation consists in producing a sensor constituted by a matrix covered by a dichroic filter transparent in the emission wavelengths of the telemetry lasers, ie around 1.06 micrometers, the filter being further reflective of the wavelength bands between 1.2 and 1.65 microns, and being absorbent or reflective, but not transparent, in the wavelength ranges between 0.75 and 0.95 micrometers.
Le faisceau laser incident est ainsi emprisonné dans la lame constituée par le filtre dichroïque de la face avant, le matériau optique luminescent et l'écran réflecteur recouvrant les autres faces de la matrice, le détecteur photosensible permettant une surveillance multidirectionnelle des faisceaux laser. The incident laser beam is thus trapped in the blade formed by the dichroic filter on the front face, the luminescent optical material and the reflective screen covering the other faces of the matrix, the photosensitive detector allowing multidirectional monitoring of the laser beams.
Selon un second mode de réalisation le dispositif permet la détection de deux faisceaux laser de longueurs d'onde différentes, par exemple à 1,06 micromètres et à 1,54 micromètres. According to a second embodiment, the device allows the detection of two laser beams of different wavelengths, for example at 1.06 microns and 1.54 microns.
Pour ce mode de mise en oeuvre, le filtre dichroïque présente les caractéristiques suivantes:
- Transparence aux rayonnement lasers susceptibles d'être détectés, par exemple à 1,06 et 1,54 micromètres,
- Réflexion entre 1,2 et 1,45 micromètres
- Non-transparence, c'est-à-dire absorption ou réflexion entre 0,75 et 0,95 micromètres.For this mode of implementation, the dichroic filter has the following characteristics:
- Transparency to laser radiation likely to be detected, for example at 1.06 and 1.54 micrometers,
- Reflection between 1.2 and 1.45 micrometers
- Non-transparency, that is to say absorption or reflection between 0.75 and 0.95 micrometers.
Ce mode de réalisation permet de détecter deux types de laser différents. This embodiment makes it possible to detect two different types of laser.
Selon un troisième mode de réalisation, le dispositif comporte deux systèmes consécutifs, le premier étant constitué par un filtre réflecteur à le correspondant à la longueur d'onde de réemission des dopants de la première matrice dont la longueur d'onde d'excitation correspond à la longueur d'onde de l'un des type de laser à détecter, le deuxième système étant placé à l'arrière du premier système et comportant un filtre dichroïque réfléchissant les longueurs d'onde de réemission du dopant de la deuxième matrice, dopant dont la longueur d'onde d'excitation correspond à la longueur d'onde du deuxième type de laser à détecter. Chaque système comporte un détecteur photosensible placé par exemple sur la tranche de la matrice, et émet un signal permettant de détecter les lasers susceptibles de constituer un danger, et d'identifier le type de laser employé.Avantageusement, les systèmes sont montés sur un support pivotant autour d'un axe perpendiculaire à la face d'entrée revêtue par le filtre dichroïque. According to a third embodiment, the device comprises two consecutive systems, the first being constituted by a reflective filter corresponding to the wavelength of reemission of the dopants of the first matrix whose excitation wavelength corresponds to the wavelength of one of the type of laser to be detected, the second system being placed at the rear of the first system and comprising a dichroic filter reflecting the wavelengths of remission of the dopant from the second matrix, dopant of which the excitation wavelength corresponds to the wavelength of the second type of laser to be detected. Each system includes a photosensitive detector placed for example on the edge of the matrix, and emits a signal making it possible to detect the lasers likely to constitute a danger, and to identify the type of laser employed. Advantageously, the systems are mounted on a support pivoting about an axis perpendicular to the entry face coated by the dichroic filter.
Le nombre de systèmes similaires, accordés sur une bande de longueur d'onde spécifique, peut être augmenté, le dispositif constituant dans ce cas un analyseur spectral. The number of similar systems, tuned to a specific wavelength band, can be increased, the device constituting in this case a spectral analyzer.
Une autre application de l'invention concerne la génération d'énergie par effet photovoltaïque, et plus précisément l'augmentation du coefficient de transformation de l'énergie lumineuse en énergie électrique, sans recours à des cellules à haut rendement fort coûteuse. Pour une telle application, les photopiles sont disposées à l'arrière de la matrice dopée, ou sont noyées dans la masse de la matrice dopée. La matrice dopée comporte des dopants absorbant l'énergie lumineuse dans la plage de longueur d'onde comprise entre 360 et 485 nanomètres environ, dans laquelle les cellules photovoltaïques ont un faible rendement, et réemettent dans une bande de longueur d'onde sensiblement comprise entre 825 et 875 nanomètres correspondant à la plage de plus grande sensibilité des photopiles à monocristal de silicium. Another application of the invention relates to the generation of energy by photovoltaic effect, and more precisely the increase in the coefficient of transformation of light energy into electrical energy, without recourse to cells with high efficiency and high cost. For such an application, the solar cells are disposed at the rear of the doped matrix, or are embedded in the mass of the doped matrix. The doped matrix comprises dopants absorbing light energy in the wavelength range between approximately 360 and 485 nanometers, in which the photovoltaic cells have a low efficiency, and re-emit in a wavelength band substantially between 825 and 875 nanometers corresponding to the range of greatest sensitivity of single crystal silicon cells.
Un filtre dichroïque recouvre une partie au moins des surfaces de la matrice. Ce filtre dichroïque est constitué par un revêtement de couches minces présentant une réflectance maximale dans la bande de longueur calée sur 850 nanomètres + 10 nanomètres. Cette bande de longueurs d'onde correspond à un niveau d'émission énergétique solaire faible, permettant donc de réduire les pertes par réflexion externe, mais dans laquelle l'énergie réémise par les dopants optiquement actifs est complètement réfléchie par le filtre dichroïque. On réalise donc ainsi un piégeage de photons dans la plage de longueur d'onde de plus grande efficacité des photopiles. A dichroic filter covers at least part of the surfaces of the matrix. This dichroic filter is constituted by a coating of thin layers having a maximum reflectance in the length band set on 850 nanometers + 10 nanometers. This wavelength band corresponds to a low level of solar energy emission, thus making it possible to reduce the losses by external reflection, but in which the energy re-emitted by the optically active dopants is completely reflected by the dichroic filter. Photon trapping is thus carried out in the wavelength range of higher efficiency of the solar cells.
Ainsi, on augmente le rendement énergétique par la conversion de longueur d'onde combinée à l'augmentation des chemins optiques assurant un taux maximal d'interactions photoniques.Thus, the energy efficiency is increased by the wavelength conversion combined with the increase in the optical paths ensuring a maximum rate of photonic interactions.
La figure 7 représente une vue d'un exemple de réalisation d'un générateur photovoltaïque selon l'invention. Il est constitué par une structure multicouche présentant une feuille transparente (20) constituée par exemple par du verre extra-blanc, assurant la rigidité de l'ensemble et protégeant une couche (21) constituant un filtre dichroïque. La matrice dopée (22) comporte des dopants et des diffuseurs. Les cellules photovoltaïques (23) sont disposés dans la matrice dopée (22) et forment un réseau plan. Une couche neutre (24) permet le passage des fils de liaison. Le dispositif présente par ailleurs à sa surface inférieure une couche réfléchissante (25). FIG. 7 represents a view of an exemplary embodiment of a photovoltaic generator according to the invention. It is constituted by a multilayer structure having a transparent sheet (20) constituted for example by extra-white glass, ensuring the rigidity of the assembly and protecting a layer (21) constituting a dichroic filter. The doped matrix (22) includes dopants and diffusers. The photovoltaic cells (23) are arranged in the doped matrix (22) and form a planar network. A neutral layer (24) allows the passage of the connecting wires. The device also has a reflective layer (25) on its lower surface.
La matrice dopée (22) comporte des dopants de type PPO, OB et 8G (dénominations commerciales). The doped matrix (22) includes dopants of PPO, OB and 8G type (trade names).
Le groupement des deux dopants OB et 8G présente une bande d'excitation comprise entre 360 et 480 nanomètres, et une bande de réemission comprise entre 470 et 550 nanomètres, avec un pic correspondant à VS % d'émission compris entre 480 et 520 nanomètres. The grouping of the two OB and 8G dopants has an excitation band of between 360 and 480 nanometers, and a remission band of between 470 and 550 nanometers, with a peak corresponding to VS% of emission between 480 and 520 nanometers.
Par ailleurs, la molécule commercialisée sous le nom de 8G absorbe les longueurs d'onde comprises entre 480 et 560 nanomètres, pour les réémettre entre 560 et 670 nanomètres (50 % du pic) et principalement entre 580 et 650 nanomètres (75 % du pic). Furthermore, the molecule marketed under the name of 8G absorbs wavelengths between 480 and 560 nanometers, to re-emit them between 560 and 670 nanometers (50% of the peak) and mainly between 580 and 650 nanometers (75% of the peak ).
Le filtre dichroïque (21) en amont des photopiles (23) laisse passer les longueurs d'onde comprises entre 350 et 480 nanomètres, les longueurs d'onde comprises entre 520 et 580 nanomètres, ainsi que les longueurs d'onde supérieures à 650 nanomètres, et réfléchit les longueurs d'onde comprises entre 490 et 520 nanomètres, ainsi qu'entre 580 et 650 nanomètres. The dichroic filter (21) upstream of the solar cells (23) lets through the wavelengths between 350 and 480 nanometers, the wavelengths between 520 and 580 nanometers, as well as the wavelengths above 650 nanometers , and reflects the wavelengths between 490 and 520 nanometers, as well as between 580 and 650 nanometers.
Les photopiles au silicium présentent une bande spectrale dont le maximum se situe vers 870 nanomètres. Avec un dispositif selon l'invention, on réalise le transfère de l'énergie des courtes longueurs d'onde (inférieures à 500 nanomètres) vers les bandes de longueurs d'onde correspondant au rendement maximum des photopiles. Silicon solar cells have a spectral band whose maximum is around 870 nanometers. With a device according to the invention, energy is transferred from short wavelengths (less than 500 nanometers) to the wavelength bands corresponding to the maximum efficiency of the solar cells.
Un autre mode de réalisation représenté en figure 8 consiste à superposer à l'intérieur de la matrice plusieurs strates de cellules photovoltaïques, disposés sur des plans (25 à 27) perpendiculaires à la face d'entrée (28) présentant un filtre dichroïque (29). Les faces latérales (30 à 33) de la matrice dopée (34) qui ne sont pas susceptibles de recevoir un éclairage incident sont recouvertes par une couche réflectrice. Ce mode de réalisation "volumique" permet de produire des générateurs photoélectriques compacts. Another embodiment represented in FIG. 8 consists in superimposing inside the matrix several strata of photovoltaic cells, arranged on planes (25 to 27) perpendicular to the input face (28) having a dichroic filter (29 ). The lateral faces (30 to 33) of the doped matrix (34) which are not liable to receive incident light are covered by a reflective layer. This "volume" embodiment makes it possible to produce compact photoelectric generators.
Une autre application de l'invention concerne la réalisation d'un dispositif de type catadioptre actif, pour la signalisation de sécurité par exemple. Un exemple de réalisation est représenté en figure 9, en vue de coupe et en figure 10, en vue de face. Another application of the invention relates to the production of an active retro-reflector type device, for example for safety signaling. An exemplary embodiment is shown in Figure 9, in sectional view and in Figure 10, in front view.
Le dispositif comporte une matrice dopée (40) recouverte sur sa face avant par un filtre dichroïque (41) présentant des zones non-traitées (42), par exemple des zones totalement réfléchissantes. Les autres faces de la matrice (40) sont recouvertes par une couche réfléchissante (43). The device comprises a doped matrix (40) covered on its front face by a dichroic filter (41) having untreated areas (42), for example totally reflecting areas. The other faces of the matrix (40) are covered by a reflective layer (43).
La matrice est dopée avec des dopants excitables dans la bande de longueur d'onde comprise entre 360 et 450 nanomètres, et réémettant la lumière dans une bande de longueur d'onde proche de 620 nanomètres. De préférence, la matrice comporte des dopants à rémanence de longue durée. The matrix is doped with excitable dopants in the wavelength band between 360 and 450 nanometers, and reemitting light in a wavelength band close to 620 nanometers. Preferably, the matrix comprises long-lasting remanence dopants.
Les zones non traitées (42) de la face avant sont réparties pour former une figure géométrique, ou des messages iconographiques ou textuels. La figure 10 représente un exemple de réalisation dans lequel les zones non-traitées (42) forment un réseau plan. The untreated areas (42) of the front face are distributed to form a geometric figure, or iconographic or text messages. FIG. 10 represents an exemplary embodiment in which the untreated zones (42) form a planar network.
Lorsqu'un flash de lumière blanche éclaire le dispositif, la lumière sera réfléchie dans les longueurs d'onde comprises entre 420 et 720 nanomètres par le filtre dichroïque (41) et pour les autres longueurs d'onde absorbées par la matrice dopée (41) et réémises à une longueur d'onde de 620 nanomètres. When a flash of white light illuminates the device, the light will be reflected in the wavelengths between 420 and 720 nanometers by the dichroic filter (41) and for the other wavelengths absorbed by the doped matrix (41) and re-emitted at a wavelength of 620 nanometers.
Une application dérivée consiste à mettre en oeuvre ce mode de réalisation pour la sécurisation de documents, notamment pour le marquage fiduciaire, ou pour l'identification de cartes de paiement. A derived application consists in implementing this embodiment for securing documents, in particular for fiduciary marking, or for the identification of payment cards.
Le principe du marquage consiste à mettre en oeuvre des effets optiques détectables par des moyens électroniques conçus par l'émetteur des produits authentiques, mais quasiment impossibles à analyser par des moyens de laboratoire, et encore moins à l'oeil nu. The principle of marking consists in implementing optical effects detectable by electronic means designed by the transmitter of authentic products, but almost impossible to analyze by laboratory means, and even less with the naked eye.
Le marquage met en oeuvre un filtre dichroïque associé à plusieurs dopants fluorescents et/ou rémanent et explicité par un illuminateur ultra-violet, ou par illuminateur à domaine spectral étroit dans le visible ou dans l'infra-rouge. De préférence, la matrice comporte un ou plusieurs dopants fluorescents et un ou plusieurs dopants rémanent, associés à un filtre dichroïque présentant un coefficient de transmission élevé dans les bandes de longueur d'onde d'excitation des dopants, et un coefficient de réflexion élevé dans les bandes de longueur d'onde de réemission desdits dopants. The marking uses a dichroic filter associated with several fluorescent and / or remanent dopants and explained by an ultraviolet illuminator, or by illuminator with a narrow spectral domain in the visible or in the infrared. Preferably, the matrix comprises one or more fluorescent dopants and one or more residual dopants, associated with a dichroic filter having a high transmission coefficient in the excitation wavelength bands of the dopants, and a high reflection coefficient in the remission wavelength bands of said dopants.
La figure 11 représente un exemple de réponse spectrale d'un objet comportant un signe d'authentification conforme à l'invention. FIG. 11 represents an example of spectral response of an object comprising an authentication sign in accordance with the invention.
L'axe OZ correspond à la variation temporelle, l'axe OX correspond à la longueur d'onde de la réponse du dispositif marqué à une excitation par un flash ultraviolet à un instant TO donné, et l'axe OY correspond à l'intensité mesurée. The OZ axis corresponds to the temporal variation, the OX axis corresponds to the wavelength of the response of the marked device to an excitation by an ultraviolet flash at a given time TO, and the OY axis corresponds to the intensity measured.
Dans cet exemple, qui correspond à une situation optimale, la spectre de réemission du dopant fluorescent recouvre totalement le spectre de réemission du dopant rémanent, le sommet du pic de rémanence étant néanmoins décalé par rapport au pic de fluorescence. Cette situation empêche l'analyse des composants mis en oeuvre dans le matrice dopée, mais permet une discrimination satisfaisante par le matériel d'analyse spécifique. In this example, which corresponds to an optimal situation, the remission spectrum of the fluorescent dopant completely covers the remission spectrum of the remanent dopant, the top of the remanence peak being nevertheless offset with respect to the fluorescence peak. This situation prevents the analysis of the components used in the doped matrix, but allows satisfactory discrimination by the specific analysis equipment.
L'intensité de la réponse fluorescente, représentée en pointillée sur la figure 11, présente une intensité supérieure à la réponse rémanente, même à To, et sature ainsi la réponse visuelle en raison de la persistance rétinienne. Si l'on fait une analyse de fluorescent à l'aide d'un spectroadiomètre ou d'un spectrofluorimètre, il sera difficile de distinguer la rémanence.The intensity of the fluorescent response, shown in dotted lines in FIG. 11, exhibits an intensity greater than the remanent response, even at To, and thus saturates the visual response due to the retinal persistence. If you do a fluorescent analysis using a spectroadiometer or spectrofluorimeter, it will be difficult to distinguish the afterglow.
Quelques exemples de combinaisons de dopants sont indiqués ci-après (les noms des produits correspondent à la dénomination commerciale usuelle):
Dans la gamme des longueurs d'onde bleue
Rémanent courte durée.............. DMABN
1er fluorescent bleu............... OB
2ème fluorescent bleu.............. PPO
3ème fluorescent bleu ................... 2205
Dans la gamme des verts-bleu
Rémanent de courte durée.............. DMABN
Fluorescent vert 52012
ou
Rémanent vert de courte durée 2330
Fluorescent vert (dopant minéral) 52012
ou
Rémanent vert de courte durée 2230
Fluorescent vert 52012
Dans la gamme des longueurs d'onde rouge
Rémanent courte durée.............. 2305
1er fluorescent rouge..............P22
2ème fluorescent jaune ................ 6 G
3ème fluorescent orange............. 8 G
Une autre application concerne l'amélioration de la vision dans certaines bandes de longueurs d'onde, en particulier dans la bande centrée sur 540 nanomètres pour laquelle l'oeil humain est le plus sensible. Cette amélioration permet de corriger certains défauts de chromaticité, ou d'améliorer le vision nocturne. Cette application consiste à recouvrir un verre de lunette avec un filtre dichroïque réflecteur pour les longueurs d'onde
Xe+ AXe, et transmettant les longueurs d'onde différentes de cette fenêtre de longueur d'onde. Le verre optique est dopé avec des dopants optiquement actifs, excités dans les longueurs d'onde Xa± AXa, par exemple dans le proche ultra-violet, et réemettant dans les longueurs d'onde Xe+#AXe, par exemple vers 540 nanomètres.Some examples of combinations of dopants are given below (the names of the products correspond to the usual trade name):
In the blue wavelength range
Short-term remanent .............. DMABN
1st blue fluorescent ............... OB
2nd blue fluorescent .............. PPO
3rd blue fluorescent ................... 2205
In the range of green-blue
Short-term remnant .............. DMABN
Fluorescent green 52012
or
Short-lived green reman 2330
Green fluorescent (mineral dopant) 52012
or
Short-lived green remnant 2230
Fluorescent green 52012
In the red wavelength range
Short-term remnant .............. 2305
1st red fluorescent .............. P22
2nd yellow fluorescent ................ 6 G
3rd orange fluorescent ............. 8 G
Another application concerns the improvement of vision in certain wavelength bands, in particular in the band centered on 540 nanometers for which the human eye is most sensitive. This improvement makes it possible to correct certain chromaticity defects, or to improve night vision. This application consists in covering a spectacle lens with a dichroic reflective filter for wavelengths
Xe + AX, and transmitting the different wavelengths of this wavelength window. The optical glass is doped with optically active dopants, excited in the wavelengths Xa ± AXa, for example in the near ultraviolet, and re-emitting in the wavelengths Xe + # AX, for example around 540 nanometers.
Il est bien entendu que la présente invention n'est pas limitée à ce qui précède, mais s'étend à toutes les applications et variantes relevant des compétences de l'Homme de Métier. It is understood that the present invention is not limited to the above, but extends to all applications and variants within the competence of the skilled person.
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---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2792460A1 (en) * | 1999-04-19 | 2000-10-20 | Biocube | Photovoltaic generator, having light cascades, comprises photovoltaic cell included in transparent matrix having dichroic filter on its entry surface and reflective coating on its opposite surface |
WO2000063975A1 (en) * | 1999-04-19 | 2000-10-26 | Biocube (S.A.R.L) | Photovoltaic generators with light cascade and varying electromagnetic flux |
WO2008139379A2 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Spectrum detector for uv radiation and manufacturing method therefore |
NL2002766C2 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-22 | Stichting Energie | SOLAR PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING IT. |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2620115A1 (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Solar cell converting light into electric power - has light concentrator with fluorescent centres in transparent layer with specified refractive index |
US4150285A (en) * | 1977-12-27 | 1979-04-17 | United Technologies Corporation | Remote optical display designator |
WO1981003066A1 (en) * | 1980-04-14 | 1981-10-29 | Int Laser Systems Inc | Area radiation target |
JPS58182267A (en) * | 1982-04-16 | 1983-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state image pickup device |
US4467208A (en) * | 1981-05-16 | 1984-08-21 | Carl-Zeiss-Stiftung, Heidenheim/Brenz, D/B/A Carl Zeiss, Oberkochen | Radiation sensor containing fluorescible material |
EP0186138A2 (en) * | 1984-12-20 | 1986-07-02 | Firma Carl Zeiss | Laser warning device for military vehicles |
WO1986006844A1 (en) * | 1985-05-15 | 1986-11-20 | Precitronic Gesellschaft Für Feinmechanik Und Elec | Integration receiving device for laser radiation |
EP0225625A2 (en) * | 1985-12-09 | 1987-06-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Device for determining positions of light-spots on a plane light sensor |
JPS6382326A (en) * | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Kanagawa Pref Gov | Element for ultraviolet ray sensor |
GB2206707A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-11 | Medical Res Council | Light collecting device for flow cytometry |
-
1992
- 1992-10-26 FR FR9212713A patent/FR2697352B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2620115A1 (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Solar cell converting light into electric power - has light concentrator with fluorescent centres in transparent layer with specified refractive index |
US4150285A (en) * | 1977-12-27 | 1979-04-17 | United Technologies Corporation | Remote optical display designator |
WO1981003066A1 (en) * | 1980-04-14 | 1981-10-29 | Int Laser Systems Inc | Area radiation target |
US4467208A (en) * | 1981-05-16 | 1984-08-21 | Carl-Zeiss-Stiftung, Heidenheim/Brenz, D/B/A Carl Zeiss, Oberkochen | Radiation sensor containing fluorescible material |
JPS58182267A (en) * | 1982-04-16 | 1983-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state image pickup device |
EP0186138A2 (en) * | 1984-12-20 | 1986-07-02 | Firma Carl Zeiss | Laser warning device for military vehicles |
WO1986006844A1 (en) * | 1985-05-15 | 1986-11-20 | Precitronic Gesellschaft Für Feinmechanik Und Elec | Integration receiving device for laser radiation |
EP0225625A2 (en) * | 1985-12-09 | 1987-06-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Device for determining positions of light-spots on a plane light sensor |
JPS6382326A (en) * | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Kanagawa Pref Gov | Element for ultraviolet ray sensor |
GB2206707A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-11 | Medical Res Council | Light collecting device for flow cytometry |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 008, no. 017 (E-223)25 Janvier 1984 & JP-A-58 182 267 ( MATSUSHITA DENKI SANGYO KK ) 25 Octobre 1983 * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 317 (P-750)29 Août 1988 & JP-A-63 82 326 ( KANAGAWA PREF. GOV. ) 13 Avril 1988 * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 014, no. 292 (E-0944)25 Juin 1990 & JP-A-20 94 670 ( KYOCERA CORP. ) 5 Avril 1990 * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 014, no. 396 (E-0970)27 Août 1990 & JP-A-21 48 774 ( KYOCERA CORP. ) 7 Juin 1990 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2792460A1 (en) * | 1999-04-19 | 2000-10-20 | Biocube | Photovoltaic generator, having light cascades, comprises photovoltaic cell included in transparent matrix having dichroic filter on its entry surface and reflective coating on its opposite surface |
WO2000063975A1 (en) * | 1999-04-19 | 2000-10-26 | Biocube (S.A.R.L) | Photovoltaic generators with light cascade and varying electromagnetic flux |
US6570083B2 (en) | 1999-04-19 | 2003-05-27 | Biocure S.A.R.L. | Photovoltaic generators with light cascade and varying electromagnetic flux |
WO2008139379A2 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Spectrum detector for uv radiation and manufacturing method therefore |
WO2008139379A3 (en) * | 2007-05-10 | 2009-01-08 | Koninkl Philips Electronics Nv | Spectrum detector for uv radiation and manufacturing method therefore |
NL2002766C2 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-22 | Stichting Energie | SOLAR PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING IT. |
WO2010123352A1 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Solar panel and method for the manufacture thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2697352B1 (en) | 1995-01-13 |
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