FR2662292A1 - Procede de reglage de la luminosite d'ecrans de visualisation. - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé de commande d'écrans de visualisation. Elle s'applique aux écrans du type à mémoire interne, notamment aux panneaux à plasma, dont elle permet d'augmenter la dynamique de réglage de la luminosité. Le procédé de l'invention consiste à commander les cellules (C1 à C16) de l'écran par des commandes d'adressage dont chacune comporte une commande sélective et une commande semi-sélective. Suivant une caractéristique de l'invention, le procédé de l'invention consiste, pour l'adressage d'une même ligne (L1 à L4) de cellules (C1 à C16), à séparer par un intervalle de temps (PL1 à PL4) ajustable la commande sélective (CI) de la commande semi-sélective (C.E.).
Description
PROCEDE DE REGLAGE DE LA LUMINOSITE D'ECRANS
DE VISUALISATION
L'invention concerne un procédé de commande d'écrans de visualisation, permettant d'augmenter la dynamique de réglage de la luminosité de ces écrans L'invention s'applique aux écrans du type à mémoire interne Par écrans à mémoire interne, nous entendons des écrans dont les cellules qui forment les points élémentaires d'image conservent l'état "inscrit" dans lequel elles sont susceptibles d'être activées, après la fin du signal de commande de l'état "inscrit", comme c'est le cas notamment des panneaux à plasma et particulièrement ceux du
type alternatif.
L'utilisation des écrans de visualisation dans des ambiances lumineuses très diverses, peut conduire à ajuster leur luminance globale en fonction de la luminosité ambiante dans laquelle ils sont utilisés En fait, il est recommandé que la luminosité de l'écran soit comparable à celle de l'environnement
sous peine d'engendrer une fatigue inutile pour l'utilisateur.
Les conditions d'éclairement autour de l'écran peuvent varier d'un facteur de l'ordre de 1 000 (de quelques dizaines de lux en intérieur, avec éclairage atténué, à quelques dizaines de
milliers de lux en ambiance extérieure, en plein soleil).
Ceci pose le problème de la dynamique de réglage de la luminance globale de ces écrans, car à ce jour cette dynamique est très inférieure à celle de la luminosité ambiante, dans les différentes conditions d'utilisations possibles
ci-dessus mentionnées.
En prenant pour exemple le cas des panneaux à plasma de type alternatif, la méthode classique pour ajuster la luminance de l'écran consiste à régler la fréquence de signaux appelés signaux d'entretien, par lesquels des cellules à l'état
dit "allumé" ou "inscrit" produisent de la lumière.
Le fonctionnement et la structure des panneaux à plasma du type alternatif (qui présentent un effet de mémoire), sont en eux-mêmes bien connus: ces panneaux sont par exemple du type à deux électrodes croisées pour définir une cellule de décharge comme décrit dans un brevet français au nom de THOMSON-CSF publié avec le N O 2 417 848; ces panneaux peuvent être aussi du type à entretien coplanaire, dans lequel pour une même cellule, des décharges d'adressage et des décharges d'entretien sont effectuées entre des électrodes différentes, comme décrit notamment dans une demande de brevet
européen EP-A-0135382.
Le principe de fonctionnement de ces panneaux à plasma de type alternatif, met à profit leur propriété de mémoire pour séparer temporellement les fonctions d'adressage de la cellule (écriture ou effacement de l'information) des
fonctions qui servent à produire la lumière utile.
Ces panneaux comprennent une pluralité de cellules généralement disposées en lignes et en colonnes L'adressage d'une cellule donnée est réalisé par la sélection de deux électrodes croisées auxquelles on applique, à un instant donné, des tensions appropriées pour que la différence de potentiel provoque entre ces électrodes une décharge d'inscription ou une
décharge d'effacement.
Une méthode d'adressage classique consiste à opérer ligne par ligne dans ce cas toutes les cellules d'une ligne donnée sont commandées simultanément (opération semi-sélective), pour être "inscrites" ou "effacées", effacées par exemple et cette opération est suivie d'une opération sélective durant laquelle une ou des cellules sélectionnées de
cette même ligne sont "inscrites".
L'opération semi-sélective suivie de l'opération sélective est accomplie pour chaque ligne, avec un décalage de temps d'une ligne à l'autre qui correspond à la durée d'un cycle
de ligne.
Il est à noter que généralement l'adressage par opérations semi sélective et sélective est effectué par une méthode de superposition de créneaux d'adressage sur des créneaux de base, comme expliqué par exemple dans la demande de brevet français N O 88 11247 au nom de THOMSON-CSF qui devra être considérée comme faisant partie de la présente
description, et dans la demande de français N O 88 11248
également au nom de THOMSON-CSF.
Ces créneaux de base sont appliqués simultanément à toutes les cellules durant un temps qui constitue une phase d'adressage, et les créneaux d'adressage sont superposés à ces créneaux de base seulement pour les lignes ou cellules adressées avec, d'une ligne à l'autre, le décalage en temps correspondant à la durée d'un cycle de ligne CL; c'est-à-dire que les débuts de deux phases d'adressage consécutives sont séparées par la
durée du cycle de ligne.
Généralement, dans chaque cycle de ligne, la phase d'adressage est suivie d'une phase d'entretien durant laquelle les cellules à l'état "inscrit" sont activées, c'est-à-dire produisent de la lumière En effet dans la phase d'entretien des signaux d'entretien sont appliqués simultanément à toutes les cellules, et provoquent des décharges d'entretien qui assurent
l'essentiel de l'émission de lumière perçue par un observateur.
Le signal d'entretien est un signal alternatif constitué de créneaux de tensions qui se succèdent avec des polarités opposées chaque changement de signe du signal alternatif (fronts montants ou descendants) engendre une décharge dans le gaz et une émission de lumière au niveau de la ou des cellules concernées Ainsi la quantité de lumière émise par une cellule à l'état "allumé" c'est-à-dire "Inscrit", est sensiblement proportionnelle au nombre de fronts correspondants à des changements de polarité, et par conséquent à la fréquence
du signal d'entretien.
Il est à noter que dans la phase d'adressage, les créneaux de base aussi bien pour l'inscription que pour l'effacement ont sensiblement une même amplitude que les signaux d'entretien, et par suite ils peuvent engendrer eux aussi des décharges comparables aux décharges d'entretien, avec émission de lumière Par suite, il peut être considéré que les phases
d'adressage contiennent au moins un cycle d'entretien.
La fréquence du signal d'entretien peut être rendue ajustable et en la réglant, on ajuste la luminance globale de
I O l'écran.
En pratique cependant, les cadences de rafraîchissement de l'information, c'est-à-dire de renouvellement de l'image, ainsi que des limitations physiques sur les durées des décharges, limitent fortement les possibilités de réglage de luminance de l'écran à l'aide de la
variation de fréquence du signal d'entretien.
Dans le cas par exemple d'un écran de panneau à plasma classique comprenant 480 lignes de cellules, rafraîchi 50 fois par seconde, c'est-àdire avec un temps de trame égal à 20 ms, le temps d'un cycle de ligne CL correspond à
ms/480 = 41,7 pgs.
En pratique il faut environ 20 jis pour réaliser
(durant la phase d'adressage) un adressage comprenant une opéra-
tion semi-sélective suivie d'une opération sélective, et le temps qui est disponible à l'intérieur des cycles de ligne pour une phase spécifique aux cycles d'entretien est égal à
41,7 gs 20,us = 21,7 lis.
Les figures la et lb à lire ensemble sont des diagrammes qui montrent la répartition dans le temps de ces différentes phases, pour seulement deux lignes consécutives Li
et Li*l.
Ces deux lignes (mais aussi toutes les 480 lignes) reçoivent simultanément, à partir d'un instant t O, des créneaux de base (non représentés) qui forment une phase d'adressage P Al Dans la phase d'adressage on trouve, depuis l'instant t O jusqu'à un instant tl, une période d'effacement CE destinée à une commande d'effacement par une opération semi-sélective, suivie à partir de l'instant tl, par une période d'inscription CI destinée à une commande d'inscription par une opération sélective; la période d'inscription CI s'achève à un instant
t 2 qui marque aussi la fin de la phase d'adressage P Al.
La phase d'adressage P Al est suivie par une phase d'entretien PE 1 qui s'achève à un instant t 3 o débute une seconde phase d'adressage PA 2 A partir de l'instant t O, la première phase d'adressage P Al et la phase d'entretien PE qui suit définissent un premier cycle de ligne CL 1 qui S 'achève à l'instant t 3 o débute un second cycle de ligne TL 2, et ainsi jusqu'à un cycle C Ln; tous ces cycles de ligne CL 1, CL 2, C Ln
étant construits d'une même manière.
En supposant que l'adressage des cellules de la lignes Li soit réalisé dans le premier cycle de ligne CL 1 (durant la première phase d'adressage P Al), l'adressage de la ligne Li+l est effectué durant la seconde phase d'adressage PA 2 du second cycle de ligne CL 2 L'adressage qui suit pour la ligne Li est alors effectué 480 cycles de ligne après le premier cycle CL 1, durant le cycle C Ln par exemple Sur les figures la, lb, le fait que l'adressage ait été effectué durant une période d'adressage donnée est symbolisé par des hachures dans les créneaux qui
représentent les phases d'adressage PA 1, PA 2, P An.
Comme il a été mentionné plus haut, la durée d'une phase d'adressage PA 1, PA 2, P An étant de 20 lus, dans le cas de l'exemple choisi, cette phase d'adressage peut être suivie d'une phase d'entretien PE 1, PE 2, P En dont la durée est égale au
maximum à 21,7 Jus.
Il faut au moins 5 lis pour réaliser un cycle de signaux d'entretien, de telle sorte qu'une phase d'entretien peut comporter de O à 4 (au maximum) cycles d'entretien, à quoi s'ajoute un cycle d'entretien contenu dans la phase d'adressage
PA 1, PA 2.
Dans ces conditions, la fréquence d'entretien moyenne peut être réglée entre sensiblement 24 KHZ (soit 1 + O / 41,7
lis) et 120 KHZ (soit 1 + 4 / 41,7 Uis).
La dynamique de réglage de la luminance qui peut ainsi être obtenue en ajustant la fréquence des signaux d'entretien correspond à un facteur 5, et elle est donc assez faible La dynamique est encore plus réduite pour les écrans qui comportent un plus grand nombre de lignes: en effet, lorsque le temps total d'adressage devient égal au temps de trame (ce qui serait obtenu avec 1 000 lignes dans l'exemple ci-dessus expliqué), toute possibilité de réglage de la luminance par
cette méthode est supprimée.
Le procédé de l'invention permet d'accroître fortement la dynamique de réglage de luminance des écrans à mémoire, jusqu'à atteindre et même dépasser la dynamique de variation de luminosité ambiante dans laquelle ces écrans sont appelés à être utilisés. Selon l'invention, un procédé de commande d'un écran formé de cellules disposées selon N lignes, consistant à commander l'état "inscrit" ou l'état "effacé" des cellules par des commandes d'adressage comportant chacune deux opérations successives, l'une des deux opérations étant une commande sélective et l'autre étant une commande semi-sélective, est caractérisé en ce que pour au moins une ligne, il consiste à séparer la commande sélective de la commande semi-sélective par un intervalle de temps durant lequel les cellules à l'état
"inscrit" sont activées.
Ainsi en supposant que l'écran soit un panneau à plasma de 480 lignes par exemple, dans lequel on réalise une commande semi-sélective en effacement, c'est-à-dire l'effacement de toutes les cellules d'une ligne donnée, et que par conséquent l'opération sélective soit pour une commande d'inscription, on peut commander l'inscription de certaines cellules d'une ligne donnée et commander leur effacement au bout d'un temps (durant lequel elles sont activées) qui est ajustable entre une fois la durée d'un cycle de ligne et 480 fois ce temps c'est-à-dire le temps de trame Ceci correspond à régler la luminance du panneau puisqu'on ne permet l'activation des cellules qu'une
partie ajustable du temps de trame.
On voit en outre que contrairement à l'art antérieur, la méthode de l'invention permet d'augmenter la dynamique de
réglage quand le nombre de lignes augmente.
L'invention sera mieux comprise à l'aide de la
description qui suit, faite à titre d'exemple non limitatif en
référence aux figures annexées, parmi lesquelles: les figures la et lb déjà commentées illustrent l'art antérieur, la figure 2 représente de manière schématique un panneau à plasma auquel peut s'appliquer l'invention, les figures 3 a à 3 d illustrent l'application du
procédé de l'invention du panneau à plasma montré à la figure 3.
La figure 2 montre de façon schématique, à titre d'exemple non limitatif, un panneau à plasma 1 alternatif auquel
peut s'appliquer le procédé de l'invention.
Le panneau 1 est du type à entretien coplanaire Il comprend des électrodes colonnes Xl à X 4 orthogonales à des paires Pl à P 4 d'électrodes d'entretien Chaque croisement d'une électrode colonne avec une paire d'électrodes Pl à P 4 définit une cellule Cl à C 16 qui représente un point élémentaire
d'image Dans l'exemple non limitatif de la description
seulement 4 électrodes colonnes Xl à X 4 et seulement 4 paires Pl à P 4 d'électrodes sont représentées qui forment 4 lignes LI à L 4 de cellules, mais bien entendu, dans le cadre de l'invention, le panneau 1 peut comporter beaucoup plus de ces électrodes ou
même moins.
Les électrodes colonnes Xl à X 4 ont une fonction uniquement d'adressage Elles sont reliées chacune de manière
classique à un dispositif d'adressage colonne 2.
Les paires Pl à P 4 d'électrodes comportent chacune une électrode dite d'adressage-entretien Yl à Y 4 et une
électrode dite uniquement d'entretien El à E 4.
Les électrodes d'adressage-entretien Yi à Y 4 remplissent une fonction d'adressage, en coopération avec les électrodes colonnes X 1 à X 4, et elles remplissent une fonction d'entretien en coopération avec les électrodes uniquement d'entretien El à E 4 lesquelles n'ont à remplir que cette dernière fonction Les électrodes uniquement d'entretien El à E 4 sont reliées entre elles et à un générateur d'impulsions 3 duquel elles reçoivent toutes simultanément des créneaux de
tension cycliques en vue de réaliser des cycles d'entretien.
Les électrodes d'adressage-entretien sont individualisées et elles sont reliées à un dispositif d'adressage ligne 5 dont elles reçoivent notamment les types de créneau de tension (non représentés) suivants: des créneaux de tension cycliques en synchronisme avec ceux appliqués aux électrodes uniquement d'entretien El à E 4, durant par exemple une phase d'entretien PE telle que précédemment mentionnée pour l'art antérieur, durant une phase d'adressage, des créneaux de base tels que précédemment mentionnés dans le préambule, sur lesquels peuvent être superposés uniquement pour les lignes adressées des créneaux d'adressage pour la commande de l'effacement et la commande de l'inscription des cellules Ces créneaux étant délivrés en synchronisme avec des signaux
appliqués aux électrodes colonnes Xl à X 4.
La synchronisation entre les signaux appliqués aux différentes électrodes est symbolisée sur la figure 3 par la présence d'un dispositif de commande et de synchronisation 6 qui est relié aux deux dispositifs d'adressage 2,5 et au générateur 3. Le panneau 1 peut éventuellement comporter en outre un moyen pour commander la fréquence des cycles d'entretien, comme déjà mentionné pour l'art antérieur; ce moyen constituant un dispositif de réglage 9 de la luminance du panneau, il est relié au dispositif de commande et de
synchronisation 6.
Les figures 3 a à 3 d sont des diagrammes qui illustrent le fonctionnement du panneau 1 sous la commande du procédé conforme à l'invention La figure 3 a illustre le fonctionnement de la première ligne Li; la figure 3 b illustre le fonctionnement de la seconde ligne L 2; les figures 3 c et 3 d se rapportent respectivement à la troisième ligne et à la quatrième
ligne L 3, L 4.
Les créneaux de tension (non représentés) appliqués aux électrodes déterminent à partir de l'instant t O, simultanément pour toutes les lignes Li à L 4, une succession de n phases d'adressage PA 1, PA 2, P An séparées par une phase d'entretien P El à PE 6 (n étant égal à 6 dans l'exemple non limitatif décrit) Chaque phase d'adressage plus une phase d'entretien constitue un cycle de ligne C Li à CL 6 Chaque phase d'adressage P Al à PA 6 comprend de manière classique une période d'opération semi-sélective CE 1 à CE 6 d'effacement par exemple, suivie d'une période d'opération sélective C Il à CI 6
pour commande d'inscription.
Selon une caractéristique de l'invention, les opérations d'effacement et d'inscription pour une même ligne Li à L 4 sont séparées dans le temps, c'est-à-dire qu'elles sont réalisées dans des phases d'adressage P Al à PA 6 différentes
appartenant à des cycles de ligne différents.
Pour la première ligne Li, on suppose qu'une commande semi-sélective d'effacement a déjà eu lieu dans un cycle qui précède t O, de telle manière que durant la première phase d'adressage P Al (qui débute à l'instant t O) on réalise uniquement une opération sélective d'inscription La première période d'effacement C El débute à l'instant t O pour s'achever à un instant tl, et dans l'exemple non limitatif décrit aucun
adressage n'est effectué durant cette période.
L'instant tl est le début d'une première période d'inscription CII durant laquelle est effectivement réalisée une première commande d'inscription AI des cellules appartenant à la première ligne Li (une commande d'inscription effectivement réalisée est matérialisée sur la figure 3 par le fait que la partie de créneau qui symbolise la période d'inscription
correspondante comporte des hachures).
L'instant t 2 est le début d'une première phase d'entretien PE 1 qui dure jusqu'à un instant t 3 o débute une seconde phase d'adressage PA 2 Le temps écoulé entre l'instant t O et l'instant t 3 correspond à la durée du premier cycle de ligne CL 1, la seconde phase d'adressage PA 2 débute avec un
second cycle de ligne CL 2.
En supposant que des cycles d'entretien soient appliqués aux cellules durant la période d'entretien PE 1, les cellules de la première ligne Ll produisent de la lumière à chaque cycle d'entretien et ce tant qu'elles sont à l'état inscrit Dans l'art antérieur, l'effacement par opération semi-sélective de la première ligne Ll intervient après un temps qui correspond au temps de trame, c'est-à-dire au temps d'un cycle de ligne multiplié par le nombre de lignes ou autrement dit cet effacement semi sélectif intervient juste avant l'opération d'inscription et dans la même phase d'adressage que cette dernière Dans l'exemple non limitatif décrit o le panneau à plasma comporte 4 lignes Ll à L 4, s'il était effectué comme dans l'art antérieur, l'effacement de la première ligne Ll devrait intervenir au bout de 4 cycles de ligne, c'est-à-dire
dans une cinquième phase d'adressage PA 5.
Avec le procédé de l'invention, cet effacement peut intervenir plus tôt: par exemple il peut être effectué dans la phase d'adressage qui suit celle o s'est effectuée
l'inscription ou à une phase d'adressage suivante.
Dans l'exemple non limitatif décrit, la commande semi-sélective d'effacement est effectuée au cours de la phase
d'adressage qui suit celle o s'est effectuée l'inscription.
il Par exemple, pour la première ligne Li, une commande d'effacement semisélectif AE a lieu durant la seconde période d'effacement CE 2 de la seconde phase d'adressage PA 2, puis ensuite durant la sixième période d'effacement CE 6 contenue dans la sixième phase d'adressage PA 6; une commande d'inscription AI ayant été auparavant accomplie durant la cinquième période d'inscription CI 5 de la cinquième phase d'adressage PA 5 (une commande d'effacement effectivement réalisée est matérialisée sur la figure 3 par le fait que, la partie de créneau qui symbolise la période d'effacement correspondante comporte des hachures faites en sens contraire des hachures qui matérialisent
une commande d'inscription).
Pour la seconde ligne L 2, l'inscription sélective AI a lieu durant la seconde période d'inscription CI 2, et l'effacement semi sélectif AE a lieu durant la troisième période d'effacement CE 3; pour la troisième ligne L 3, l'inscription sélective AI est effectuée dans une troisième période d'inscription CI 3, et l'effacement semi-sélectif AE est effectué durant la quatrième période d'effacement CE 4; pour la quatrième ligne L 4, l'inscription sélective AI s'effectue dans la quatrième période d'inscription CI 4 et l'effacement AE
s'effectue avec la cinquième période d'effacement CE 5.
La cinquième période d'effacement CE 5 marque le début d'un cinquième cycle de ligne CL 5, et marque le début d'un second temps de trame pour la première ligne Li L'effacement de la première ligne Ll ayant été réalisé durant la seconde période CE 2 d'effacement, cette opération n'a pas à être effectuée dans ce nouveau temps de trame avant de réaliser la commande sélective d'inscription, laquelle est accomplie durant la cinquième période d'inscription C 15; un même fonctionnement que précédemment est répété dans ce nouveau temps de trame
pour les autres lignes L 2, L 3, TA.
Ainsi l'opération semi-sélective a pour fonction d'une part d'effacer toutes les cellules d'une ligne pour préparer leur éventuelle inscription, et a pour fonction d'autre part d'éteindre les cellules allumées, c'està-dire inscrites, de manière à régler leur luminance en ajustant la durée d'une phase de luminance PL 1, PL 2, PL 3, PL 4 o elles sont à l'état inscrit; cette phase de luminance correspond au temps qui sépare la première période d'inscription C Il de la seconde période d'effacement CE 2, la seconde période d'inscription CI 2 de la troisième période d'effacement CE 3, etc La quantité de lumière émise par chacune des cellules des Ll à TA est ainsi proportionnelle à la durée de la phase de
luminance PL.
Dans l'exemple non limitatif représenté aux figures 4 à 4 d, la durée de la phase de luminance PL est la durée minimum, elle correspond au temps qui sépare deux phases d'adressage PA 1, PA 2 consécutives, mais la phase de luminance peut avoir une durée plus grande qui peut atteindre un temps de trame En effet, en considérant pour simplifier qu'une phase de luminance PL correspond à la durée d'un cycle de ligne CL 1, CL 2,, CL 6, la phase de luminance PL peut avoir une durée égale à N x t CL o N est un nombre entier inférieur au nombre N de lignes et t CL est le temps d'un cycle de ligne CL 1, CL 2, CL 3. Ceci correspond à choisir le nombre de cycles de ligne (chaque cycle de ligne étant défini par exemple d'une phase d'adressage à une phase d'adressage suivante) pendant lequel les cellules de chaque ligne restent allumées (c'est-à-dire sont activées) en indexant l'adressage semi-sélectif d'une ligne Ll à IA donnée à la phase d'adressage d'une autre ligne Un tel réglage peut se faire de manière très fine, car N (tout en étant un nombre entier) peut prendre plusieurs centaines de valeurs entre 1 et le nombre total de lignes n, qui lui est couramment plus grand que 500 Avec 1000 lignes par exemple, la luminance
globale peut varier d'un facteur 1000, soit 3 décades.
Ainsi plusieurs séquencements d fférents peuvent être programmés, et pour obtenir le réglage de luminance désiré, il suffit de choisir le séquencement correspondant à l'aide de moyens de codages numériques par exemple, ou autres tels que notamment interrupteurs, roues codeuses, etc; ces moyens étant mis à disposition de l'utilisateur sur un second dispositif de réglage 15 (montré à la figure 2), relié par exemple au dispositif de synchronisation et de commande 6. On peut également combiner ce procédé avec le réglage de la fréquence moyenne d'entretien, de sorte à obtenir une
dynamique encore plus grande.
Il est à noter que la description a été faite en
référence à un adressage du type comportant une opération semi-sélective pour l'effacement suivie d'une opération sélective pour l'inscription, mais bien entendu l'invention s'applique sensiblement d'une même manière si l'opération semi-sélective sert à effectuer l'inscription et si l'opération sélective sert à l'effacement ce cas pourrait notamment
conduire à modifier le contraste.
Dans l'exemple non limitatif illustré aux figures 3 a à 3 d, les phases de luminance PL 1 à PL 4 ont une même durée pour les quatre lignes Li à L 4, mais il est clair que le procédé de l'invention s'applique aussi pour conférer aux phases de luminance des différentes lignes des durées différentes à l'une
ou à plusieurs d'entre elles.
Par exemple, il est possible de réaliser les opérations d'effacement et d'inscription comme dans l'art antérieur pour toutes les lignes sauf pour une ligne (ou un groupe de lignes) pour laquelle ces opérations peuvent être accomplies suivant le procédé de l'invention, de telle manière que cette ligne apparaîtra avec une luminance plus faible que le
reste de l'écran.
Il est possible aussi de faire le contraire et de rendre cette ligne (ou ce groupe de lignes) plus lumineuse que le reste de l'écran, en opérant comme il a été dit plus haut pour toutes les lignes de l'écran, sauf pour celle qui doit apparaître plus lumineuse, et pour cette ligne les opérations d'effacement et d'inscription pourraient être réalisées par exemple au cours des mêmes phases d'adressage, pour lui
conférer une luminance maximum.
Le procédé de l'invention s'applique à tous les écrans qui présentent une mémoire interne c'est le cas des panneaux à plasma alternatifs, à entretien coplanaire ou non; mais c'est le cas aussi de certains panneaux à plasma de type continu tels que connus notamment par IEEE Trans El Dev, Vol 36, n O 6, Juin 1989, pages 1063-1072 C'est le cas également de certains écrans électroluminescents et aussi le cas des écrans à
cristaux liquides.
En ce qui concerne les écrans à cristaux liquides, il est vrai qu'ils sont différents des écrans ci-dessus cités en ce qu'ils ne produisent pas eux-mêmes de lumière, mais fonctionnent en transmission et modulent la lumière d'une source de lumière
devant laquelle ils sont placés.
Cependant le procédé peut s'appliquer aux écrans à cristaux liquides dans la mesure o il permet d'ajuster la durée de transmission de la lumière afin d'ajuster la luminance, particulièrement dans le cas des écrans à cristaux liquide du type à matrice active, dans lesquels chaque cellule incorpore un élément de commutation souvent formé par un transistor appelé TET (de l'expression en langue anglaise "THIN-FILM TRANSISTOR") La structure d'un écran à cristaux liquides à matrice active est montrée et décrite notamment dans la revue
IEEE SPECTRUM September 1989, de la page 36 à la page 40.
Dans un tel écran à cristaux liquides, le TET est à l'état "conducteur" ou "non-conducteur" suivant la commande qui lui est appliquée Quand il est conducteur il laisse passer un signal vers la cellule à cristaux liquides qui se comporte comme une capacité: la capacité étant chargée, le signal peut disparaître sans qu'il y ait modification substantielle de la cellule, (c'est-à-dire du champ électrique installé), si au préalable le TET est repassé à l'état "non conducteur"; la
cellule présente dans ce cas un effet de mémoire.
Compte-tenu du type de cristal liquide et du type de polariseur employé: A/ si la cellule à cristal liquide est "opaque" au repos (absence de champélectrique appliqué), l'effacement doit se faire de manière semisélective (effacement de toutes les cellules d'une ligne donnée), et c'est l'inscription qui doit être opérée de manière sélective; B/ si, par contre, la cellule à cristal liquide est "passante" au repos, c'est l'inscription qui doit être semi-sélective et l'effacement doit être sélectif; l'état "opaque" correspondant à l'état "effacé" précédemment
mentionné, et l'état "passant" correspondant à l'état "inscrit".
Dans le cas A/ par exemple, mentionné ci-dessus, l'effacement peut consister à replacer la cellule à l'état
"opaque" en commandant la conduction du transistor TFT.
Claims (7)
1 Procédé de commande d'un écran formé de cellules (C 1 à C 16) disposées selon N lignes (Ll à L 4), consistant à commander l'état "inscrit" ou l'état "effacé" des cellules par des commandes d'adressage comportant chacune deux opérations successives (CE 1 à C En et CI 1 à C In), l'une des deux opérations étant une commande sélective et l'autre étant une commande semi-sélective (CI 1 à C In), caractérisé en ce que pour au moins une ligne (L 1 à L 4), il consiste à séparer la commande sélective de la commande semi-sélective par un intervalle de temps (PL 1 à PL 4) durant lequel les cellules à l'état "inscrit"
sont activées.
2 Procédé selon la revendication 1, une image affichée par l'écran étant renouvelée ligne par ligne suivant un temps de trame correspondant au produit du nombre N de lignes (L à AL 4) par la durée d'un cycle de ligne (CL), caractérisé en ce qu'il consiste à séparer la commande sélective (CI 1 à C In) de la commande semi-sélective (CEI à C En) par un intervalle de temps (PL 1 à PL 4) ajustable dont la durée minimum est inférieure à la durée du cycle de ligne (CL), la variation de la durée dudit intervalle de temps (PL 1 à PL 4) ayant pour incrément la
valeur d'un temps de cycle de ligne (CL).
3 _ Procédé selon l'une des revendications i ou 2,
caractérisé en ce qu'entre au moins deux lignes (L 1 à L 4) de l'écran, il consiste à conférer des durées différentes à l'intervalle de temps (PL 1 à PL 4) qui sépare la commande
semi-sélective de la commande sélective.
4 Procédé selon l'une des revendications
précédentes, caractérisé en ce qu'il consiste à séparer la commande semisélective de la commande sélective pour la
commande de toutes les lignes (L 1 à L 4).
Procédé selon l'une des revendications
précédentes, caractérisé en ce que la commande semi-sélective réalise "l'inscription" et que la commande sélective réalise "l'effacement"t.
6 Procédé selon l'une des revendications 1 à 4,
caractérisé en ce que la commande semi-sélective réalise "l'effacement" et que la commande sélective réalise "l'inscription".
7 Procédé selon l'une des revendications
précédentes, caractérisé en ce que l'écran est un panneau à plasma. 8 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'écran est un panneau à plasma alternatif, et en ce qu'au moins un cycle de créneaux d'entretien est appliqué à toutes les cellules entre une commande sélective et une commande semi-sélective.
9 Procédé selon l'une des revendications 1 à 6,
caractérisé en ce que l'écran est un écran à cristaux liquides
du type à matrice active.
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