FR2617969A1 - Appareil d'evaluation de contraintes - Google Patents
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Abstract
Un appareil d'évaluation de la contrainte interne existant dans un matériau, par différence entre des nombres d'onde de pic de spectres Raman de lumière diffusée, comprend notamment des moyens de changement de température 8 destinés à changer la température de points de mesure; des moyens de traitement statistique 6 qui traitent statistiquement, pour chaque point de mesure, un ensemble de valeurs mesurées d'un nombre d'onde de pic variant en fonction du changement de température; et des moyens arithmétiques 7 qui déterminent la relation entre le changement de température des points de mesure et la variation du nombre d'onde, sur la base des valeurs statistiques calculées, permettant ainsi d'obtenir un nombre d'onde de pic à une température de référence déterminée.
Description
APPAREIL D'EVALUATION DE CONTRAINTES
La présente invention concerne un appareil d'éva-
luation de contraintes qui est destiné à évaluer une carac-
téristique physique d'un matériau tel qu'un semiconducteur, et elle porte plus particulièrement sur un appareil d'éva-
luation de contraintes destiné à évaluer la contrainte in-
terne qui existe dans ce matériau.
Dans un procédé classique pour évaluer une con-
trainte d'un élément semiconducteur ou autre qui est fabri-
qué par un processus faisant intervenir une dilatation ther-
mique, et qui présente une contrainte thermique interne, on utilise un appareil d'évaluation de contraintes tel que celui décrit dans le document "Applied Physics", The Japan
Society of Applied Physics, Vol. 50, no 1, 1981; "Characte-
rization of Semiconductors by Laser-Raman Spectroscopy"
page 69.
La figure 1 est un schéma synoptique montrant un
appareil d'évaluation de contraintes de type classique, des-
tiné à mesurer le spectre Raman de la lumière diffusée.
Sur la figure 1, une source lumineuse 1 fournit une lumière d'excitation telle qu'un faisceau laser du type
Ar+ ou un faisceau laser du type He-Ne. La lumière d'exci-
tation 9 que fournit la source lumineuse 1 est réfléchie par un miroir 10 et elle est concentrée par une lentille lia sur un point de mesure d'un matériau 3 à évaluer. La lumière diffusée 12 provenant du point de mesure du matériau 3 à évaluer est concentrée par une autre lentille llb et un spectroscope 13, tel qu'un double monochromateur, effectue
une analyse spectrale de cette lumière. La lumière qui ré-
sulte de l'analyse spectrale est détectée par un détecteur 14 et l'information de sortie du détecteur est appliquée à un micro-ordinateur 15 et est transmise à un enregistreur 16.
Dans l'appareil d'évaluation de contraintes clas-
sique ayant la structure ci-dessus, on mesure le spectre Raman de la manière suivante. La lumière d'excitation 9 que fournit la source lumineuse 1 est déviée par le miroir 10 et focalisée par la lentille lla, pour être concentrée et appliquée au point de mesure du matériau à évaluer, 3. La lumière diffusée 12 provenant du point de mesure du matériau à évaluer, 3, traverse la lentille 11b pour être concentrée sur une fente d'entrée du spectroscope 13. Le spectroscope 13 effectue une analyse spectrale de la lumière de façon que le détecteur 14 détecte le spectre Raman de cette lumière et applique l'information correspondante au micro-ordinateur
, sous la forme d'un signal électrique, pour l'enregistre-
ment dans le micro-ordinateur. Le micro-ordinateur 15 traite l'information que contient le signal électrique et il la transmet à un enregistreur 16 qui enregistre à son tour le spectre Raman sous la forme d'un diagramme ou d'un nombre
d'onde de pic correspondant. On va maintenant décrire la me-
sure du spectre Raman par l'appareil indiqué ci-dessus, en
se référant à un organigramme. La figure 2 est un organi-
gramme qui montre le processus de mesure de spectre Raman classique. A une étape 601, on met en place un matériau à
évaluer, et à une étape 602 on règle un système optique com-
prenant des lentilles, un miroir, etc, tandis qu'à une étape
603 on fixe des conditions pour la mesure de spectre Raman.
Ensuite, on mesure à une étape 604 le spectre Raman de la lumière diffusée qui provient du matériau à évaluer. On va maintenant décrire le programme du processus de mesure de
spectre Raman, en se référant à un autre organigramme.
La figure 3A est un organigramme qui montre un pro-
gramme de mesure de spectre dans le cas o on utilise un pho-
tomultiplicateur pour le détecteur 14.
Premièrement, à une étape 701, on fixe le nombre
d'onde d'un spectroscope à une valeur égale à un nombre d'on-
de de début de mesure w]. A une étape 702, on mesure l'in-
tensité de la lumière diffusée par effet Raman qui correspond
au nombre d'onde. Dans ce cas, le photomultiplicateur conver-
tit en un signal de tension l'intensité de la lumière diffu-
sée par effet Raman, en vue de la mesure. A une étape 703, on transfère vers un micro-ordinateur des données ainsi obtenues relatives à l'intensité de diffusion Raman, ainsi que le nombre d'onde fixé pour le spectroscope. A une étape 704, on soumet ces données à une conversion analogique-numérique dans le micro-ordinateur, pour les enregistrer en mémoire sous la forme de signaux numériques. A une étape 705, on compare le nombre d'onde du spectroscope avec un nombre d'onde de fin de mesure W2' de façon à augmenter de Ci le nombre d'onde du spectroscope, à une étape 706, si celui-ci est inférieur au nombre d'onde de fin de mesure 2. On répète la mesure de l'intensité de diffusion Raman correspondant à chaque nombre d'onde, comme le montre la figure 3B, jusqu'à ce que le nombre d'onde du spectroscope dépasse le nombre d'onde de fin de mesure W2, de façon à enregistrer l'intensité mesurée
dans la mémoire du micro-ordinateur, sous la forme d'un si-
gnal numérique. Lorsque le nombre d'onde du spectroscope dé-
passe le nombre d'onde de fin de mesure Wt2, le traitement passe au processus représenté sur la figure 2. A une étape 605, un diagramme spectral est émis vers un enregistreur sur la base des données enregistrées dans la'mémoire. Ensuite, à
une étape 606, on lit un nombre d'onde de pic sur le dia-
gramme spectral qui a été émis. Bien qu'un opérateur lise
ici le nombre d'onde de pic sur le diagramme spectral enre-
gistré, il est possible de faire calculer au micro-ordinateur
la valeur du nombre d'onde de pic, pour l'émettre vers l'en-
registreur. On va maintenant décrire un procédé d'évaluation
de la contrainte interne qui existe dans un matériau, à par-
tir du spectre Raman mesuré de la manière qu'on vient d'in-
diquer. De la lumière diffusée par effet Raman apparait lors-
que de la lumière d'excitation tombe sur le matériau à éva-
luer et perd partiellement son énergie sous la forme d'éner-
gie de vibration pour des atomes et des molécules, etc, cons-
tituant le matériau, et la lumière diffusée a une longueur d'onde différente de la lumière d'excitation d'origine. La variation d'énergie correspond à l'énergie de vibration du réseau cristallin et à l'énergie de vibration des molécules du matériau à évaluer, et elle dépend de la contrainte qui
existe dans ce dernier. Cette variation correspond à un chan-
gement de nombre d'onde pour un pic du spectre Raman mesuré.
La figure 4 montre un tel phénomène dans le cas du silicium, à titre d'exemple. Sur la figure 4, la ligne en trait mixte représente le nombre d'onde de pic du spectre Raman du silicium monocristallin dépourvu de contrainte, qui est égal à 520,5 cm 1. Cependant, dans le cas du silicium ayant une contrainte interne, tel qu'une structure SOI (silicium sur isolant, soit ici du silicium polycristallin déposé sur de l'oxyde de silicium) recristallisée par irradiation par un faisceau laser, le nombre d'onde de pic du spectre Raman mesuré est décalé vers une valeur inférieure, comme l'indique la ligne en trait continu 81. Ceci est da à l'existence d'une contrainte de traction dans la structure SOI. En outre, il existe une contrainte de compression dans la structure SOS
(silicium sur saphir), qui consiste en silicium polycristal-
lin déposé sur un substrat de saphir, et le nombre d'onde de
pic de cette structure est donc décalé vers une valeur supé-
rieure, comme le montre la ligne en pointillés 82.
On évalue donc la contrainte existant dans un ma-
tériau par le fait que cette contrainte correspond à une va-
riation du nombre d'onde de pic du spectre Raman.
Comme décrit ci-dessus, on évalue de façon générale la contrainte qui existe dans un matériau par la différence
entre des nombres d'onde de pic de spectres Raman d'un maté-
riau dépourvu de contrainte et du même matériau présentant
une contrainte interne. Une telle valeur est cependant in-
fluencée non seulement par la valeur de la contrainte, mais
également par le différence de température dans le matériau.
Les résultats de la mesure de la relation entre les nombres d'onde de pic de bandes Raman d'échantillons de silicium, et
les températures des échantillons, sont décrits dans les do-
cuments Physical Review B, vol. 1, n 2, pages 638-642 (1979): "Temperature Dependence of Raman Scattering in
Silicon" et Applied Physics Letters, vol. 41(11), pages 1016-
1018 (1982): "Temperature Dependence of Silicon Raman Lines".
A titre d'exemple, lorsqu'on change la puissance de sortie de la lumière d'excitation qui est appliquée au même point de mesure d'un matériau à évaluer, le nombre d'onde de pic
du spectre Raman mesuré varie comme le montre la figure 5.
Ceci vient du fait que la température du matériau à évaluer
change avec la puissance de sortie de la lumière d'excitation.
Un tel phénomène peut se produire dans le cas de l'évaluation d'un matériau ayant une structure non homogène, comme le
montre la figure 6, même si on utilise de la lumière d'exci-
tation ayant la même puissance de sortie. Lorsqu'on irradie avec la lumière d'excitation une couche mince de silicium 101, l'élévation de température sous l'effet de l'irradiation est augmentée du fait qu'une couche d'oxyde de silicium 102 présente une faible conductivité thermique. Lorsqu'on irradie un substrat de silicium 103 avec de la lumière d'excitation ayant la même puissance de sortie, la chaleur que produit l'irradiation diffuse à l'intérieur du substrat en silicium 103, ce qui fait que l'élévation de température de ce dernier est faible en comparaison avec celle de la couche mince de
silicium 101. Par conséquent, même si la couche mince de si-
licium 101 présente le même niveau de contrainte interne que le substrat de silicium 103, il apparaît une différence dans les nombres d'onde de pic des spectres Raman employés pour l'évaluation de la contrainte, du fait que les deux matériaux présentent des élévations de température différentes sous
l'effet de l'irradiation.
L'invention a été proposée dans le but d'éliminer l'inconvénient précité, et elle vise à procurer un appareil d'évaluation de contraintes qui puisse corriger la variation de nombres d'onde de pic de spectres Raman qui résulte d'une
différence de température à des points de mesure d'un maté-
riau à évaluer, afin d'évaluer la contrainte avec une grande précision. L'appareil d'évaluation de contraintes conforme à l'invention est prévu pour évaluer la contrainte qui existe dans une substance, sur la base de la différence entre des
nombres d'onde de pic de spectres Raman de lumière diffusée.
L'appareil d'évaluation de contraintes de l'invention com-
prend: (a) une source lumineuse destinée à émettre de la lumière d'excitation; (b) un système optique d'entrée destiné à guider
la lumière d'excitation vers des points de mesure d'un maté-
riau à évaluer;
(c) un système optique de diffusion destiné à fo-
caliser la lumière diffusée provenant des points de mesure;
(d) des moyens de mesure de lumière diffusée, des-
tinés à mesurer des nombres d'onde de pic de spectres Raman de la lumière diffusée;
(e) des moyens de changement de température desti-
nés à changer les températures des'points de mesure; (f) des moyens de traitement statistique destinés à traiter statistiquement un ensemble de valeurs mesurées du nombre d'onde de pic variant sous l'effet du changement de température de chaque point de mesure; et (g) des moyens arithmétiques destinés à établir la
relation entre le changement de température du point de me-
sure et la variation du nombre d'onde de pic, sur la base de valeurs statistiques calculées par les moyens de traitement statistique, pour obtenir un nombre d'onde de pic à une va-
leur de référence déterminée.
Les moyens de changement de température utilisés
dans l'invention sont conçus de façon à changer les tempéra-
tures des points de mesure du matériau à évaluer. Du fait qu'on mesure à chaque point de mesure un ensemble de nombres
d'onde de pic-qui varient sous l'effet du changement de tem-
pérature, on traite statistiquement les valeurs mesurées, pour chaque point de mesure. On détermine la relation entre
le changement de température du point de mesure et la varia-
tion du nombre d'onde de pic, sur la base des valeurs trai-
tées statistiquement pour chaque point de mesure. La rela-
tion précitée permet donc d'obtenir le nombre d'onde de pic à la valeur de référence déterminée. Par conséquent, on peut employer le nombre d'onde de pic obtenu, pour l'évaluation
de la contrainte, en tant que données débarrassées de l'in-
fluence du changement de température du point de mesure.
Conformément à l'invention, on mesure un ensemble
de spectres Raman du matériau à évaluer, à différentes tem-
pératures pour chaque point de mesure, afin d'effectuer un
traitement statistique/arithmétique visant à éliminer l'in-
fluence qu'exerce la variation du nombre d'onde de pic ré-
sultant d'un changement de température, pour obtenir ainsi
des données au moyen desquelles on peut évaluer la contrain-
te avec une précision élevée.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de
la description qui va suivre d'un mode de réalisation, donné
à titre d'exemple non limitatif. La suite de la description
se réfère aux dessins annexes sur lesquels: La figure 1 est un schéma synoptique montrant un appareil d'évaluation de contraintes de type classique;
La figure 2 est un organigramme montrant un proces-
sus de mesure de spectre Raman au moyen de l'appareil d'éva-
luation de contraintes de type classique;
La figure 3A est un organigramme montrant un pro-
gramme de mesure de spectre Raman;
La figure 3B est un diagramme qui illustre le pro-
gramme de la figure 3A; La figure 4 montre la variation du nombre d'onde de pic de spectres Raman, sous l'effet de la contrainte qui existe dans un matériau; La figure 5 montre la dépendance du nombre d'onde de pic d'un spectre Raman vis-à-vis de la puissance de sortie de la lumière d'excitation; La figure 6 est une coupe montrant un matériau ayant une structure qui fait apparaître un changement de température variable sous l'effet de l'irradiation par la lumière d'excitation; La figure 7 est un schéma synoptique général qui représente fonctionnellement un appareil d'évaluation de contraintes conforme à un mode de réalisation de l'invention; La figure 8 est un schéma synoptique montrant un
exemple de structure de l'appareil d'évaluation de contrain-
tes conforme à l'invention;
Les figures 9 et 10A sont des organigrammes mon-
trant un processus de mesure de spectre Raman par l'appareil de l'invention; et
Les figures 0lB et 10C sont des diagrammes qui il-
lustrent l'organigramme de la figure 10A.
La figure 7 est un schéma synoptique général qui
représente fonctionnellement un mode de réalisation de l'ap-
pareil d'évaluation de contraintes conforme a l'invention.
Comme la figure 7 le montre de façon évidente, la lumière d'excitation fournie par une source lumineuse 1 traverse un système optique d'entrée 2 pour être appliquée à un matériau 3 à évaluer. La lumière diffusée par le matériau à évaluer, 3, est concentrée par un système optique de diffusion 4,
pour être mesurée par des moyens de mesure de lumière diffu-
sée 5. Les moyens de mesure de lumière diffusée 5 sont for-
més par des moyens d'analyse spectrale 5a, des moyens de dé-
tection 5b et des moyens d'analyse 5c. La lumière diffusée est soumise à une analyse spectrale par les moyens d'analyse speotrale 5a, pour être détectée sous la forme d'un spectre
Raman par les moyens de détection 5b, et les moyens d'ana-
lyse 5c analysent la lumière détectée pour obtenir le nombre d'onde de pic du spectre Raman. D'autre part, des moyens de changement de température 8 sont conçus de façon à changer
la température du point de mesure du matériau à évaluer, 3.
La relation entre le changement de température et la varia-
tion du nombre d'onde de pic obtenu par les moyens d'analyse 5c est traitée statistiquement par des moyens de traitement
- statistique 6, de façon que des moyens arithmétiques 7 dé-
terminent la relation et calculent le nombre d'onde de pic
à une valeur de référence déterminée.
La figure 8 est un schéma synoptique montrant un
exemple de structure d'un appareil d'évaluation de contrain-
tes basé sur le schéma synoptique général qui est représenté
sur la figure 7.
Sur la figure 8, la lumière d'excitation 9 que fournit une source lumineuse 1 est réfléchie par un miroir 10 et concentrée par une lentille lla sur un point de mesure d'un matériau 3 à évaluer. La lumière diffusée 12 provenant du point de mesure est concentrée par une autre lentille llb et est soumise à une analyse spectrale par un spectroscope
13. La lumière qui résulte de l'analyse spectrale est détec-
tée par un détecteur 14 et l'information de sortie du détec-
teur est appliquée à un micro-ordinateur 15 et est transmise
à un enregistreur 16.
Dans l'appareil d'évaluation de contraintes consi-
déré ci-dessus, la puissance de sortie de la lumière d'exci-
tation 9 que fournit la source lumineuse 1 est commandée par
un dispositif de commande de sortie 17. La lumière d'excita-
tion 18 dont la puissance de sortie est ainsi commandée est déviée par le miroir 10 et est focalisée par la lentille lla, pour être concentrée et appliquée au point de mesure du matériau à évaluer, 3. La lumière diffusée 12 qui provient du matériau à évaluer 3 est focalisée par la lentille 11b, pour être projetée sur une fente du spectroscope 13 et subir ainsi une analyse spectrale. Le détecteur 14 détecte le spectre Raman de la lumière résultant de l'analyse spectrale et il convertit ce spectre en un signal électrique qui est enregistré dans le micro- ordinateur 15. Un spectre Raman est
ainsi mesuré pour un point de mesure. Le dispositif de com-
mande de sortie 17 change la puissance de sortie de la lu-
mière d'excitation 9, de façon à mesurer, pour chaque point de mesure, un ensemble de spectres Raman correspondant à
différentes puissances de sortie de la lumière d'excitation.
Dans ce mode de réalisation, le micro-ordinateur 15 fournit
au dispositif de commande de sortie 17 une indication spéci-
fiant le changement de la puissance de sortie de la lumière d'excitation 9. Les différents spectres Raman qui sont ainsi mesurés sont enregistrés sous la forme de signaux électriques dans le micro-ordinateur 15. Les signaux électriques sont analysés de façon à déterminer des nombres d'onde de pic des
spectres Raman respectifs. Les nombres d'onde de pic respec-
tifs qui correspondent à la puissance de sortie de la lumière d'excitation sont ensuite traités statistiquement comme le
montre la figure 5. On détermine la relation entre le change-
ment de la puissance de sortie de la lumière d'excitation et la variation du nombre d'onde de pic au moyen d'une droite de régression, comme le montre la figure 5, pour chaque point de mesure du matériau à évaluer. On détermine un nombre d'onde de pic à une valeur de référence déterminée, pour chaque point de mesure, à partir de la relation déterminée,
en tant que données pour l'évaluation/comparaison de con-
trainte entre des points de mesure. Dans ce mode de réalisa-
i tion, on obtient par extrapolation un nombre d'onde de pic pour une puissance de sortie de la lumière d'excitation de
0 mW, comme le montre la figure 5. Les traitements statis-
tique et arithmétique précités sont accomplis dans le micro-
ordinateur 15, de façon que leurs résultats soient transmis
à l'enregistreur 16 pour être enregistrés dans ce dernier.
On va maintenant décrire la mesure de spectres
Raman par l'appareil d'évaluation de contraintes de l'inven-
tion décrit précédemment, en se référant à des organigrammes.
Les figures 9 et 10A sont des organigrammes qui montrent le
processus de mesure de spectres Raman dans l'appareil con-
forme à l'invention.
Premièrement, à une étape 301, on met en place un matériau à évaluer, et à une étape 302 on règle un système optique comprenant des lentilles, un miroir, etc, tandis qu'à une étape 303 on fixe des conditions pour la mesure de spectre Raman. Ensuite, à une étape 304, on règle la lumière
d'excitation à une puissance de sortie de début de mesure V0.
On mesure ensuite le spectre Raman à une étape 305, en uti-
lisant le programme de mesure de spectre précité, qui est représenté sur la figure 3A. L'achèvement de ce processus signifie que le spectre Raman correspondant à une puissance de sortie de la lumière d'excitation est mesuré pour un
point de mesure donné. A une étape 306, on compare la puis-
sance de sortie de la lumière d'excitation avec une puissan-
ce de sortie de fin de mesure Vf, de façon à augmenter de V la puissance d'excitation de la lumière de sortie, à une étape 307, si cette puissance est inférieure à la puissance
de sortie de fin de mesure Vf. On répète la mesure de spec-
tres Raman correspondant à la puissance de sortie respective
jusqu'à ce que la puissance de sortie de la lumière d'exci-
tation dépasse la puissance de sortie de fin de mesure Vf, de façon à enregistrer les spectres Raman dans une mémoire
d'un micro-ordinateur, sous la forme de signaux numériques.
Lorsque la puissance de sortie de la lumière d'excitation
dépasse la puissance de sortie de fin de mesure Vf, la sé-
quence d'opérations passe au processus qui est représenté sur la figure 10A. A une étape 401, on analyse les données de spectre Raman à la puissance de sortie respective de la lumière d'excitation, qui sont enregistrées dans la mémoire, pour obtenir un nombre d'onde de pic a p, comme le montre la' figure 10B. Dans ce mode de réalisation, on effectue une identification analytique de courbe par la méthode de
Lorentz sur des données d'intensité Raman respectives re-
présentées par le symbole x sur la figure 10B, afin d'obte-
nir le nombre d'onde de pic W p à partir du paramètre d'une
courbe de Lorentz optimale. A une étape 402, on traite sta-
tistiquement le nombre d'onde de pic WUp ainsi obtenu, en correspondance avec chaque puissance de sortie de la lumière d'excitation, pour déterminer la relation entre eux. A titre d'exemple, on obtient une droite de régression optimale par le procédé des moindres carrés, comme le montre la figure C. A une étape 403, on extrapole la droite de régression représentée sur la figure 10C, pour obtenir ainsi un nombre d'onde de pic wp0 pour une puissance de sortie de 0 mW de
la lumière d'excitation.
On obtient ainsi le nombre d'onde de pic d'un
point de mesure, qu'on utilise en tant que données à compa-
rer. Le micro-ordinateur peut accomplir tout le traitement
ci-dessus.
Bien que dans le mode de réalisation précédent on utilise le dispositif de commande de sortie 17, agissant sur l'émission de la lumière d'excitation, dans le but de commander la puissance de sortie de la lumière d'excitation, on peut commander à la place la puissance de sortie de la
source lumineuse 1. En outre, bien qu'on change la tempéra-
ture du point de mesure du matériau à évaluer 3, en comman-
dant la puissance de sortie de la lumière d'excitation au
moyen du dispositif de commande de sortie 17, on peut ap-
pliquer de façon externe au matériau à évaluer 3 de la lu-
mière autre que la lumière d'excitation, comme de la lumière de chauffage 19, dans le but de changer la température du
point de mesure. En outre, la source lumineuse n'est pas li-
mitée à une source produisant un faisceau laser, mais peut être constituée par n'importe quelle autre source lumineuse, à condition que celle-ci convienne pour l'observation d'un spectre Raman. L'appareil de l'invention n'est évidemment pas restreint à l'évaluation d'un semiconducteur, mais peut être appliqué à l'évaluation de divers autres matériaux. En outre, le traitement arithmétique peut être effectué par un procédé autre que le procédé d'extrapolation qui est indiqué
dans le mode de réalisation.
Il va de soi que de nombreuses autres modifica-
tions peuvent être apportées à l'appareil décrit et repré-
senté, sans sortir du cadre de l'invention.
Claims (7)
1. Appareil d'évaluation de contraintes, destiné à évaluer la contrainte qui existe dans un matériau, par la différence entre des nombres d'onde de pic de spectres Raman de lumière diffusée, caractérisé en ce qu'il comprend: une source lumineuse (1) destinée à émettre une lumière d'excitation; un système optique d'entrée (2) destiné à guider la lumière d'excitation vers des points de mesure d'un matériau (3) à évaluer; un système optique de diffusion (4) destiné à focaliser la lumière diffusée qui est émise par les points de mesure; des moyens de mesure de lumière diffusée (5) destinés à mesurer des nombres d'onde de pic dans des spectres Raman de la lumière diffusée; des moyens de changement de température (8) destinés à changer les températures des points de mesure; des moyens de traitement statistique (6) destinés à traiter statistiquement, pour chaque point de mesure, un ensemble de valeurs mesurées d'un nombre d'onde de pic variant sous l'effet du changement de température de chaque point de mesure; et des moyens arithmétiques (7) destinés à déterminer une relation entre
le changement de température des points de mesure et la va-
riation du nombre d'onde de pic, sur la base des valeurs
statistiques calculées par les moyens de traitement statis-
tique (6), pour obtenir ainsi un nombre d'onde de pic à une
valeur de référence déterminée.
2. Appareil d'évaluation de contraintes selon la
revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de chan-
gement de température (8) comprennent des moyens (17) desti-
nés à changer les températures des points de mesure en com-
mandant la puissance de sortie de la lumière d'excitation
(18) qui est appliquée aux points de mesure.
3. Appareil d'évaluation de contraintes selon la
revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de chan-
gement de température (8) comprennent des moyens destinés à
changer les températures des points de mesure en leur appli-
26 1 7969
quant de la lumière autre que la lumière d'excitation (18)
qui est appliquée au matériau à évaluer (3).
4. Appareil d'évaluation de contraintesselon l'une
quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que
les moyens arithmétiques (7) effectuent un traitement arith-
métique par extrapolation.
5. Appareil d'évaluation de contraintes selon
l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce
que les moyens de mesure de lumière diffusée (5) comprennent des moyens d'analyse spectrale (5a) destinés à effectuer une analyse spectrale de la lumière diffusée (12), des moyens de détection (5b) destinés à détecter des spectres Raman de la lumière diffusée et soumise à l'analyse spectrale, et des moyens d'analyse (5c) destinés à analyser les spectres Raman
détectés.
6. Appareil d'évaluation de contraintes selon
l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce
que la source lumineuse (1) est une source de faisceau laser.
7. Appareil d'évaluation de contraintes selon
l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce
que le matériau à évaluer (3) est un semiconducteur.
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